模拟电子电路的基础实验以天煌模电实验箱为平台.pptx
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1、实验2.1常用电子仪器的使用(2)双踪示波器。(3)万用表。(4)电阻、电容、二极管、二极管。三、实验原理 在模拟电子电路实验中,经常使用的电子测量仪器有示波器、函数信号发生器、直流稳压电源、交流毫伏表及频率计等。它们和万用电表一起,可以完成对模拟电子电路的静态和动态工作情况的测试。上一页 下一页 返回第1页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用实验中要对各种电子仪器进行综合使用,可按照信号流向,以连线简捷,调节顺手,观察与读数方便等原则进行合理布局,各测量仪器与被测实验装置之间的布局与连接如图2-1所示。接线时应注意,为防止外界干扰,各仪器的公共接地端应连接在一起,称共地。信号源和交流毫伏
2、表的引线通常用屏蔽线或专用电缆线,示波器接线使用专用电缆线,直流电源的接线用普通导线。1.示波器 示波器是一种用途很广的电子测量仪器,它既能直接显示电信号的波形,又能对电信号进行各种参数的测量。现着重指出下列几点:上一页 下一页 返回第2页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用(1)寻找扫描光迹。将示波器Y轴显示方式置“Y1”或“Y2,输入耦合方式置 GND,开机预热后,若在显示屏上不出现光点和扫描基线,可按下列操作去找到扫描线:适当调节亮度旋钮。角虫发方式开关置“自动”。适当调节垂直()、水平()位移旋钮,使扫描光迹位于屏幕中央。若示波器设有“寻迹”按键,可按下“寻迹”按键,判断光迹偏移基
3、线的方向。(2)双踪示波器一般有五种显示方式,即“Y1、Y2、Y1+Y2”二种单踪显示方式和“交替”、“断续”两种双踪显示方式。“交替”显示一般适宜于输入信号频率较高时使用。“断续”显示一般适宜于输入信号频率较低时使用。上一页 下一页 返回第3页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用(3)为了显示稳定的被测信号波形,触发源选择开关一般选为“内”触发,使扫描触发信号取自示波器内部的Y通道。(4)触发方式开关通常先置于“自动”调出波形后,若被显示的波形不稳定,可置触发方式开关于“常态”,通过调节触发电平旋钮找到合适的触发电压,使被测试的波形稳定地显示在示波器屏幕上。有时,由于选择了较慢的扫描速率
4、,显示屏上将会出现闪烁的光迹,但被测信号的波形在X轴方向左右移动,这样的现象仍属于稳定显示。(5)适当调节扫描速率开关及Y轴灵敏度开关使屏幕上显示1一2个周期的被测信号波形。在测量幅值时,应注意将Y轴灵敏度微调旋钮置于“校准”位置,即顺时针旋到底,且听到关的声音。上一页 下一页 返回第4页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用在测量周期时,应注意将X轴扫速微调旋钮置于“校准”位置,即顺时针旋到底,且听到关的声音。还要注意“扩展”旋钮的位置。根据被测信号波形一个周期在屏幕坐标刻度水平方向所占的格数(div或cm)与扫速开关指示值(t/div)的乘积,即可算得信号频率的实测值。2.函数信号发生器
5、 函数信号发生器按需要输出正弦波、方波、三角波三种信号波形。输出电压最大可达20 Vp-p。通过输出衰减开关和输出幅度调节旋钮,可使输出电压在毫伏级到伏级范围内连续调节。函数信号发生器的输出信号频率可以通过频率分挡开关进行调节。上一页 下一页 返回第5页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用函数信号发生器作为信号源,它的输出端不允许短路。3.交流毫伏表 交流毫伏表只能在其工作频率范围之内用来测量正弦交流电压的有效值。为了防止过载而损坏,测量前一般先把量程开关置于量程较大的位置上,然后在测量中逐挡减小量程。四、实验内容 (一)双踪示波器的使用及测试 1.用机内校正信号对示波器进行自检 (1)扫
6、描基线调节:将示波器的显示方式开关置于“单踪”显示(Y,或Yz),输入耦合方式开关置“GND,触发方式开关置于“自动”。上一页 下一页 返回第6页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用开启电源开关后,调节辉度、聚焦、辅助聚焦等旋钮,使荧光屏上显示一条细且亮度适中的扫描基线。然后调节X轴位移()和Y轴位移()旋钮,使扫描线位于屏幕中央,并且能上下左右移动自如。(2)测试校正信号波形的幅度、频率:将示波器的“校正信号”通过专用电缆线引入选定的Y通道(Y1或Y2),将Y轴输入耦合方式开关置于“AC”或“DC,触发源选择开关置“内”,内触发源选择置“Y1”或“Y2。调节X轴扫描速率开关(t/div)
7、和Y轴输入灵敏度开关(V/div,使示波器显示屏上显示出一个或数个周期稳定的方波波形。校准校正信号幅度。将Y轴灵敏度微调旋钮置“校准”位置,Y轴灵敏度开关置适当位置,读取校正信号幅度,记入表2-1中。上一页 下一页 返回第7页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用注意:不同型号示波器标准值有所不同,请按所使用示波器的型号将标准值填入表格中。校准校正信号频率。将扫速微调旋钮置“校准”位置,扫速开关置适当位置,读取校正信号周期,记入表2-1中。测量校正信号的上升时间和下降时间。调节Y轴灵敏度开关及微调旋钮,并移动波形,使方波波形在垂直方向上正好占据中心轴上,且上、下对称,便于阅读。通过扫速开关逐
8、级提高扫描速度,使波形在X轴方向扩展(必要时可以利用扫速扩展开关将波形再扩展10倍),并同时调节触发电平旋钮,从显示屏上清楚地读出上升时间和下降时间,记入表2-1中。上一页 下一页 返回第8页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用2.用示波器测量信号参数 调节函数信号发生器有关旋钮,使输出频率分别为100 Hz,1 kHz,10 kHz,100 kHz,有效值均为1V(交流毫伏表测量值)的正弦波信号。改变示波器扫速开关及Y轴灵敏度开关等位置,测量信号源输出电压频率及峰一峰值,记入表2-2中。3.测量两波形间相位差 (1)观察双踪显示波形“交替”与“断续”两种显示方式的特点:Y1.Y2均不加输
9、入信号,输入祸合方式置“GND,扫速开关置扫速较低挡位(如0.5 s/div挡)和扫速较高挡位(如5 us/div挡),把显示方式开关分别置“交替”和“断续”位置,观察两条扫描基线的显示特点,记录之。上一页 下一页 返回第9页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用(2)用双踪显示测量两波形间相位差:按图2-2连接实验电路,将函数信号发生器的输出电压调至频率为1 kHz,幅值为2V的正弦波,经RC移相网络获得频率相同但相位不同的两路信号ui和ur,分别加到双踪示波器的Y1和Y2输入端。为便于稳定波形,比较两波形相位差,应使内触发信号取自被设定作为测量基准的一路信号。把显示方式开关置“交替”挡位
10、,将Y1和Y2输入耦合方式开关置“上”挡位,调节Y1、Y2的上下移位旋钮,使两条扫描基线重合。上一页 下一页 返回第10页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用将Y1,Y2输入耦合方式开关置“AC挡位,调节触发电平、扫速开关及Y1,Y2灵敏度开关位置,使在荧屏上显示出易于观察的两个相位不同的正弦波形ui及uR,如图2-3所示。根据两波形在水平方向差距X,及信号周期XT,则可求得两波形相位差:式中,XT为一周期所占格数;X为两波形在X轴方向差距格数。记录两波形相位差于表2-3中 为数读和计算方便,可适当调节扫速开关及微调旋钮,使波形一周期占整数格。上一页 下一页 返回第11页/共213页实验2
11、.1常用电子仪器的使用(二)利用指针式万用表粗测二极管的质量及管脚极性 晶体二极管由一个PN结组成,具有单向导电性,其正向电阻小(一般为几百欧)而反向电阻大(一般为几十千欧至几百千欧),利用此点可进行判别。(1)管脚极性判别:将万用表拨到Rx100(或Rxl K)欧姆挡,把二极管的两只管脚分别接到万用表的两根测试笔上,如图2-4 (a)所示。如果测出的电阻较小(约几千欧),则与万用表黑表笔相接的一端是正极;另一端就是负极。相反,如果测出的电阻较大(约百千欧),那么与万用表黑表笔相连接的一端是负极;另一端就是正极。上一页 下一页 返回第12页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用(2)判别二极
12、管质量的好坏:一个二极管的正、反向电阻差别越大,其性能就越好。如图2-4(b)所示,如果双向阻值都较小,说明二极管质量差,不能使用;如果双向阻值都为无穷大,则说明该二极管已经断路。如双向阻值均为零,说明二极管已被击穿。利用数字万用表的二极管挡也可判别正、负极,此时红表笔(插在“V/插孔)带正电,黑表笔(插在“COM插孔)带负电。用两支表笔分别接触二极管两个电极,若显示一个数值,说明管子处于正向导通状态,红表笔接的是正极,黑表笔接的是负极。若显示溢出符号“1,表明管子处于反向截止状态,黑表笔接的是正极,红表笔接的是负极。上一页 下一页 返回第13页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用用两支表
13、笔分别接触二极管两个电极,若两次显示一个数值,或均显示溢出符号“1则说明二极管短路或开路即已损坏。若一次显示一个数值,另一次显示溢出符号“1,则说明二极管是好的。(三)晶体三极管管脚、质量判别 可以把晶体二极管的结构看做是两个背靠背的PN结,对NPN型来说基极是两个PN结的公共阳极,对PNP型管来说基极是两个PN结的公共阴极,分别如图2-5 (a)、图2-5(b)所示。上一页 下一页 返回第14页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用(1)管型与基极的判别:万用表置电阻挡,量程选1 K挡(或R X l00,将万用表任一表笔先接触某一个电极假定的公共极,另一表笔分别接触其他两个电极,当两次测得
14、的电阻均很小(或均很大),则前者所接电极就是基极,如两次测得的阻值一大、一小,相差很多,则前者假定的基极有错,应更换其他电极重测。若为数字万用表,则可置于二极管挡用红表笔先接触某一个电极假定的基极,黑表笔分别接触其他两个电极,当两次测得的电阻均很小(或均很大),则红表笔所接电极为基极,如两次测得的阻值一大、一小,相差很多,则假定的基极有错,应更换其他电极重测。当两次测得的电阻均很小时该管属NPN型管,反之则是PNP型管。上一页 下一页 返回第15页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用(2)发射极与集电极的判别。为使二极管具有电流放大作用,发射结需加正偏置,集电结加反偏置。如图2-6所示。当
15、二极管基极B确定后,便可判别集电极C和发射极E,同时还可以大致了解穿透电流ICEO和电流放大系数的大小。以PNP型管为例,若用红表笔(对应表内电池的负极)接集电极C,黑表笔接E极(相当C,E极间电源正接),如图2-7所示,这时万用表指针摆动很小,它所指示的电阻值反映管子穿透电流ICEO的大小(电阻值大,表示ICEO)。如果在C,B间跨接一只RB=100 k电阻,此时万用表指针将有较大摆动,它指示的电阻值较小,反映了集电极电流入:ICEO+的大小。且电阻值减小越多表示声越大。上一页 下一页 返回第16页/共213页实验2.1常用电子仪器的使用如果C,E极接反(相当于C,E间电源极性反接),则二极
16、管处于倒置工作状态,此时电流放大系数很小(一般 UT或称之为U CS(off)时,沟道形成;在UDS=0时,沟道内横向电场等于零,所以ID=0;当UDS0时,沟道内的电子在横向电场的作用下,产生漏极电流ID。上一页 下一页 返回第20页/共213页实验2.2场效应管伏安特性的测试但当|UDS|较小时,由于UDS的变化对沟道的大小影响不大,沟道电阻基本为一常数,因此,ID基本随UDS作线性变化。当UCS恒定时,沟道导通电阻近似为一常数,但当UCS变化时,沟道的导通电阻将随UCS而变化,因此,该区域称为可变电阻区。利用这一特点,场效应管又可作为可变电阻器来使用。(2)恒流区(II区):当UCS恒定
17、,但未饱和时,增加UDS,使漏极电流ID增加。当加大UD到使靠近漏极端的栅漏电压等于开启电压,即UCD=UCS-UDS=UT或UDS=UCS-UT时,漏极电流达到最大值,漏极端的导电沟道将开始消失(称为预夹断),此时场效应管刚好饱和。若继续增大UDS,即UDUCS-UT,会使漏极导电沟道被夹断而出现耗尽层,并随着UI,、的增加,夹断点向源极移动。上一页 下一页 返回第21页/共213页实验2.2场效应管伏安特性的测试由于耗尽层的电阻率远大于沟道的电阻率,因此当漏极端出现耗尽层后,所增加的UDS几乎全部降在耗尽层的两端,而加在沟道两端的电压几乎不变,从而使漏极电流ID几乎不随UDS而变化。在输出
18、伏安特性曲线上,将不同从、值时的预夹断点连接起来,即得到图2-8中左侧的虚线和右侧虚线的夹区域,即为恒流区(或称为饱和区)。场效应管作为放大器使用时,一般工作在此区域内。(3)击穿区(III区):当UDS增大到某一临界值时,ID开始迅速增加而出现击穿现象。此时,场效应管将不能正常工作,甚至烧毁,工作时要避免进入此区间。上一页 下一页 返回第22页/共213页实验2.2场效应管伏安特性的测试2.场效应管的基本应用 (1)电阻:场效应管可以当做非线性电阻来使用,电路如图2-9 (a)所示。将N沟道增强型绝缘栅场效应管MOSFET的栅极与漏极连接在一起,则UDS=UCS。当UCSUT时,ID=0。当
19、UCS UT时,UDS=UCS,漏极电流与漏源电压UDS呈非线性关系,即得如图2-9(a)所示的当做非线性电阻使用的电路。(2)开关:一个MOSFET用作开关来控制负载RD的电路如图2-9(b)所示。当输入信号U;低于截止电压UT时,漏极电流ID=0,MOSFET的D,S之间相当于开路一样。当UI UT时,若电压为一定值,则流过负载RD的电流的大小由电源UCC和负载RD的大小来决定,因此,MOSFET在电路中可以看做是由Ui控制的无触点开关。上一页 下一页 返回第23页/共213页实验2.2场效应管伏安特性的测试(3)镜像电流源:由两个参数几乎相同的MOS对管VT1,VT2组成的镜像电流源电路
20、如图2-10所示。因VT1,VT2具有相同的开启电压UT,且电源UCC与电阻RD,使VT1处于饱和状态(即UDSUCS-UT),在忽略沟道长度调制效应的条件下:ID1=K1(UCS-UT)2=(UCC-UDS)/RD1 (2-1)若VT2也为饱和状态,则其电流IL为:IL=K2(UCS-UT)2 (2-2)由式(2-1)、式(2-2)可得:(UCS-UT)2=ID1/K1=IL/K2(2-3)上一页 下一页 返回第24页/共213页实验2.2场效应管伏安特性的测试又由于VT1和VT2具有相同的特性参数和相同的沟道宽长比,即K1=K2,则上式的ID1=IL。因此,当VT2也饱和时,流过负载RL的
21、电流等于流过VT1的漏极电流ID1,而与IL无关。四、实验内容1.场效应管作为开关使用实验电路如图2-11所示。实验步骤如下:(1)调节电位器RP,使UCS=0 V。(2)测量电压URD、UDS和电流ID,并注意发光二极管是否点亮(ID=URD/RD)。(3)调节RP,逐渐增大UCS直到ID略大于零,注意此时UCS是否为MOSFET的开启电压UT。上一页 下一页 返回第25页/共213页实验2.2场效应管伏安特性的测试(4)调节RP,逐渐增加UCS直到ID=15 mA,检查LED是否点亮。2.场效应管作为电阻使用 实验电路如2-9 (a)所示,实验步骤如下:(1)调节直流电压源输出+1V作为U
22、CC电源。(2)测量UDS和ID(ID=URD/RD)。(3)调节UCC依次为+2 V,+3 V,,+7 V并分别测量其对应的UDS和ID。(4)以测得的UDS为X轴,ID为Y轴,画出MOSFET栅极一漏极连接的电阻特性曲线。上一页 下一页 返回第26页/共213页实验2.2场效应管伏安特性的测试3.构成镜像电流源 实验电路如图2-10所示,图中VT1和VT2为型号相同,特性相似的两个N沟道增强型MOSFET,RD1为1k,RL为1.5 k。实验步骤如下:(1)测量RD1和URL,并计算ID1和IL(ID1=URD1/RD1,IL=URL/RL)。(2)将RD1依次改为2.2 k,4.7 k和
23、8.2 k,分别重复步骤(1),观察ID1和IL是否相同。(3)将RD1改为1 k,将RL依次改为2.2 k,4.7 k和8.2 k,分别重复步骤(2)。上一页 下一页 返回第27页/共213页实验2.2场效应管伏安特性的测试五、实验报告要求 (1)整理测试数据,并对数据进行相应的处理。(2)通过对数据的总结,对场效应管工作在不同情况下的特点进行分析,进一步掌握场效应管的应用特点。(3)判断MOSFET用作开关、非线性电阻和镜像电流源电路时,分别工作在输出特性曲线的什么区域?上一页返回第28页/共213页实验2.3场效应管基本放大电路 一、实验目的 (1)了解结型场效应管的性能和特点。(2)掌
24、握场效应管放大器动态参数的测试方法。二、实验设备与器件 +12 V直流电源。函数信号发生器。双踪示波器。交流毫伏表。直流电压表。结型场效应管3DJ6F x 1、电阻器、电容器若干。三、实验原理 场效应管是一种电压控制型器件。按结构可分为结型和绝缘栅型两种类型。下一页 返回第29页/共213页实验2.3场效应管基本放大电路由于场效应管栅、源之间处于绝缘或反向偏置,所以输入电阻很高(一般可达上百兆欧),又由于场效应管是一种多数载流子控制器件,因此热稳定性好,抗辐射能力强,噪声系数小。加之制造工艺较简单,便于大规模集成,因此得到越来越广泛的应用。1.结型场效应管的特性和参数 场效应管的特性主要有输出
25、特性和转移特性。如图2-12所示为N沟道结型场效应管3 DJ6 F的输出特性和转移特性曲线。其直流参数主要有饱和漏极电流IDSS,夹断电压UP等;交流参数主要有低频跨导上一页 下一页 返回第30页/共213页实验2.3场效应管基本放大电路表2-4列出了3 DJ6 F的典型参数值及测试条件。2.场效应管放大器性能分析图2-13为结型场效应管组成的共源级放大电路。其静态工作点:中频电压放大倍数输入电阻:输出电阻:上一页 下一页 返回第31页/共213页实验2.3场效应管基本放大电路式中,跨导gm可由特性曲线用作图法求得,或用公式计算。但要注意,计算时UCS要用静态工作点处的数值。3.输入电阻的测量
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