自动检测与转换技术-第七章概要教学内容.ppt
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1、自自动检测与与转换技技术-第七章概第七章概要要霍尔效应原理图霍尔效应原理图2022/12/162霍尔元件霍尔元件 金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生流过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。电动势,这种物理现象称为霍尔效应。(左手定则左手定则判断洛伦兹力方向即判断洛伦兹力方向即自由电子偏转方向自由电子偏转方向)2022/12/163 设图中的材料是型半导体,导电的载流设图中的材料是型半导体,导电的载流子是电子。在轴方向的磁场作用下,电子将子是电子。在轴方向的磁场作用下,电子将受到一个沿
2、轴负方向力的作用,这个力就是受到一个沿轴负方向力的作用,这个力就是洛仑兹力。它的大小为:洛仑兹力。它的大小为:FL=evB zxyIADBCBlLdUHA、B-霍尔电极 C、D-控制电极F FL LF FL LBI2022/12/164 电荷的聚积必将产生静电场,即为霍尔电电荷的聚积必将产生静电场,即为霍尔电场,该静电场对电子的作用力为场,该静电场对电子的作用力为FE与洛仑兹力与洛仑兹力FL方向相反,将阻止电子继续偏转,其大小为方向相反,将阻止电子继续偏转,其大小为式中式中EH为霍尔电场,为霍尔电场,e为电子电量,为电子电量,UH为霍尔为霍尔电势,电势,l为霍尔元件宽度。为霍尔元件宽度。当当F
3、L=FE时,电子的积时,电子的积累达到动平衡,即累达到动平衡,即所以所以IADBCBlLdUHA、B-霍尔电极C、D-控制电极F FE EF FL L5 设流过霍尔元件的电流为设流过霍尔元件的电流为 I 时,时,式中式中ld为与电流方向为与电流方向垂直的截面积,垂直的截面积,n 为单为单位体积内自由电子数位体积内自由电子数(载流子浓度载流子浓度)。则。则IADBCBlLdUHA、B-霍尔电极C、D-控制电极F FL LF FE E6令令 RH则被定义为霍尔传感器的霍尔系数。则被定义为霍尔传感器的霍尔系数。由于金属导体内的载流子浓度大于半导由于金属导体内的载流子浓度大于半导体内的载流子浓度,所以
4、,半导体霍尔体内的载流子浓度,所以,半导体霍尔系数大于导体。系数大于导体。霍尔系数及灵敏度霍尔系数及灵敏度则则2022/12/167 KH为霍尔元件的灵敏度。为霍尔元件的灵敏度。由由上上述述讨讨论论可可知知,霍霍尔尔元元件件的的灵灵敏敏度度不不仅仅与与元元件件材材料料的的霍霍尔尔系系数数有有关关,还还与与霍霍尔尔元元件件的的几几何何尺尺寸寸有有关关。一一般般要要求求霍霍尔尔元元件件灵灵敏敏度度越越大大越越好好,霍霍尔尔元元件件灵灵敏敏度度的的公公式式可可知知,霍霍尔尔元元件件的厚度的厚度d与与KH成反比。成反比。令令 则则2022/12/168通过以上分析可知:通过以上分析可知:1)霍尔电压
5、UH 与材料的性质有关 n 愈大,KH 愈小,霍尔灵敏度愈低;n 愈小,KH 愈大,但若n太小,需施加极高的电压才能产生很小的电流。因此霍尔元件一般采用N型半导体材料2022/12/1692)霍尔电压 UH 与元件的尺寸有关。d 愈小,KH 愈大,霍尔灵敏度愈高,所以霍尔元件的厚度都比较薄,但 d 太小,会使元件的输入、输出电阻增加。霍尔电压 UH 与控制电流及磁场强度成正比,当磁场改变方向时,也改变方向。2022/12/1610若磁场B和霍尔元件平面的法线成一角度,则作用于霍尔元件的有效磁感应强度为Bcos,因此 UH=KHIBcosIADBCBlLdUHA、B-霍尔电极 C、D-控制电极2
6、022/12/16113)P型半导体,其多数载流子是空穴,也存在霍尔效应,但极性和N型半导体的相反。4)霍尔电压UH与磁场B和电流I成正比,只要测出UH,那么B或I的未知量均可利用霍尔元件进行测量。2022/12/1612一、霍尔元件的基本结构组成一、霍尔元件的基本结构组成由霍尔片、四根引线和壳体组成,如下图示。由霍尔片、四根引线和壳体组成,如下图示。第二节第二节 霍尔元件的基本结构霍尔元件的基本结构和主要特性参数和主要特性参数2022/12/1613国产霍尔元件型号的命名方法2022/12/16141、输入电阻、输入电阻Ri和输出电阻和输出电阻R0 Ri是指流过控制电流的电极(简称控制电极)
7、是指流过控制电流的电极(简称控制电极)间的电阻值,间的电阻值,R0是指霍尔元件的霍尔电势输出是指霍尔元件的霍尔电势输出电极(简称霍尔电极)间的电阻,单位为电极(简称霍尔电极)间的电阻,单位为。可。可以在无磁场即以在无磁场即B0和室温(和室温(20 5)时,用欧时,用欧姆表等测量。姆表等测量。二、主要特性参数二、主要特性参数2022/12/16152、额定激励电流、额定激励电流I 和最大激励电流和最大激励电流IM霍尔元件在空气中产生10的温升时所施加的激励电流称为额定激励电流I。在相同的磁感应强度下,I值较大则可获得较大的霍尔输出。霍尔元件限制I 的主要因素是散热条件。一般锗元件的最大允许温升T
8、m80,硅元件的Tm175。当霍尔元件的温升达到Tm时的IC就是最大激励电流Im。2022/12/1616 霍尔元件的乘积灵敏度定义为在单位激励电流和单位磁感应强度下,霍尔电势输出端开路时的电势值,其单位为V(AT),它反应了霍尔元件本身所具有的磁电转换能力,一般希望它越大越好。3、乘积灵敏度KH其定义2022/12/1617 在额定激励电流 I 之下,不加磁B0时,霍尔电极间的空载霍尔电势UH0,称为不平衡(不等位)电势,单位为mV。一般要求霍尔元件的UH1mV,好的霍尔元件的UH可以小于0.1mV。不等位电势UM和额定激励电流I之比为不等位电阻RM,即 4 4、不等位电势、不等位电势 U
9、UM M 和不等位电阻和不等位电阻 R RM M(工艺工艺)2022/12/1618 不不平平衡衡电电势势UH是是主主要要的的零零位位误误差差。因因为为在在工工艺艺上上难难以以保保证证霍霍尔尔元元件件两两侧侧的的电电极极焊焊接接在在同同一一等等电电位位面面上上。如如下下图图(a)(a)所所示示。当当控控制制电电流流I I流流过过时时,即即使使末末加加外外磁磁场场,A A、B B两两电电极极此此时时仍仍存存在在电电位位差差,此电位差被称为不等位电势(不平衡电势)此电位差被称为不等位电势(不平衡电势)UH。2022/12/1619 在在一一定定的的磁磁感感应应强强度度和和控控制制电电流流下下,温温
10、度度变变化化11时时,霍霍尔尔电电势势变变化化的的百百分分率率称称为为霍尔电势温度系数霍尔电势温度系数,单位为,单位为1 1。5 5、霍尔电势温度系数、霍尔电势温度系数2022/12/1620一、基本测量电路一、基本测量电路 控控制制电电流流I I由由电电源源E E供供给给,电电位位器器R R调调节节控控制制电电流流I I的的大大小小。霍霍尔尔元元件件输输出出接接负负载载电电阻阻R RL L,R RL L可可以以是是放放大大器器的的输输入入电电阻阻或或测测量量仪仪表表的的内内阻阻。由由于于霍霍尔尔元元件件必必须须在在磁磁场场与与控控制制电电流流作作用用下下,才才会会产产生生霍霍尔尔电电势势U
11、UH H,所所以以在在测量中,可以把测量中,可以把 I I与与 B B 的的 第三节第三节 霍尔元件的测量电路及补偿霍尔元件的测量电路及补偿乘积、或者乘积、或者 I I,或者,或者 B B 作为输入情号,则霍尔元件作为输入情号,则霍尔元件的输出电势分别正比于的输出电势分别正比于 IB IB 或或 I I 或或 B B。2022/12/1621 为了获得较大的霍尔输出电势,可为了获得较大的霍尔输出电势,可以采用几片叠加的连接方式。下图以采用几片叠加的连接方式。下图(a)为直流为直流供电,控制电流端并联输出串联。下图供电,控制电流端并联输出串联。下图(b)为为交流供电,控制电流端串联变压器叠加输出
12、。交流供电,控制电流端串联变压器叠加输出。连接方式连接方式2022/12/1622 由由于于载载流流子子浓浓度度等等随随温温度度变变化化而而变变化化,因因此此会会导导致致霍霍尔尔元元件件的的内内阻阻、霍霍尔尔电电势势等等也也随随温温度度变变化化而而变变化化。这这种种变变化化程程度度随随不不同同半半导导体体材材料料有有所所不不同同。而而且且温温度度高高到到一一定定程程度度,产产生生的的变变化化相相当当大大。温温度度误误差差是是霍霍尔尔元元件件测测量量中中不不可可忽视的误差。忽视的误差。针针对对温温度度变变化化导导致致内内阻阻(输输入入、输输出出电电阻阻)的的变变化化,可可以以采采用用对对输输入入
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