晶界的能量精选文档.ppt
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1、晶界的能量本讲稿第一页,共四十页Surface and Interface of Materials 设同号刃位错间不存在滑移矢量方向上设同号刃位错间不存在滑移矢量方向上的交互作用,每个位错上方是压应力,下方的交互作用,每个位错上方是压应力,下方是拉应力,在直径为是拉应力,在直径为D 的圆周外,位错的应力的圆周外,位错的应力场彼此抵消,即位错应力场的极限距离为场彼此抵消,即位错应力场的极限距离为D D。对。对应单位长度上晶界的位错密度为应单位长度上晶界的位错密度为1D(=b),),则晶界单位面积界面能则晶界单位面积界面能gb 与位错能量与位错能量的关系:的关系:本讲稿第二页,共四十页 式中式中
2、:;。以以gb/-ln作图,直线的斜率即为作图,直线的斜率即为-0,截距为截距为0 A。以以gb作图,作图,曲线特点如下:曲线特点如下:=0,ln0,得到得到gb=0。斜率斜率dgbd=0(A1ln),若若=0,则斜率为无则斜率为无 穷大;随穷大;随增加斜率减小。增加斜率减小。gb 的最大值的最大值(gb)m 对应对应为为m:dgb/d=0=0(A1ln m)m=exp(A1)得界面能与取向角的关系得界面能与取向角的关系:Surface and Interface of Materials本讲稿第三页,共四十页理论分析的结论:理论分析的结论:理论曲线与实验测定吻合的较好理论曲线与实验测定吻合的
3、较好,如下图如下图CuCu的研究结果。的研究结果。由图看出,小角晶界模型只能在由图看出,小角晶界模型只能在1010以内符合,超出以内符合,超出1010 计算值(虚线)与实验值计算值(虚线)与实验值(实线实线)不再符合。不再符合。公式对扭转晶界也适用,但位错能相关的系数公式对扭转晶界也适用,但位错能相关的系数0 0和和A A不同。不同。界面能与位相差的关系界面能与位相差的关系Surface and Interface of Materials本讲稿第四页,共四十页 1.1.任意大角晶界能任意大角晶界能 实验测定实验测定热蚀法:热蚀法:将样品将样品 在高温下长时间加热,达到平在高温下长时间加热,达
4、到平 衡状态,然后测定二面角,从衡状态,然后测定二面角,从 下式平衡关系得到:下式平衡关系得到:gb-2cos(/2)=0 gb gb 大小与结合键强弱有关。大小与结合键强弱有关。同样可与升华热建立联系。同样可与升华热建立联系。随温度的升高随温度的升高gb gb 降低降低。热蚀法测晶界能热蚀法测晶界能Surface and Interface of Materials二、大角晶界能二、大角晶界能本讲稿第五页,共四十页2.2.特殊大角晶界能特殊大角晶界能 共格孪晶界:是一种有孪晶关系的对称倾转晶界。共格共格孪晶界:是一种有孪晶关系的对称倾转晶界。共格 原子基本处于无畸变的状态,共格孪晶界的能量非
5、常低。原子基本处于无畸变的状态,共格孪晶界的能量非常低。非共格孪晶界:非共格态导致界面能较高。孪晶界面能非共格孪晶界:非共格态导致界面能较高。孪晶界面能 对界面取向敏感,有如图的函数关系。对界面取向敏感,有如图的函数关系。孪晶界能和晶界取向的关系孪晶界能和晶界取向的关系Surface and Interface of Materials本讲稿第六页,共四十页 晶界偏析:在平衡条件下,溶质原子(离子)在晶界处浓晶界偏析:在平衡条件下,溶质原子(离子)在晶界处浓度偏离平均浓度。度偏离平均浓度。偏析的自发趋势:晶界结构缺陷比晶内多,溶质原子偏析的自发趋势:晶界结构缺陷比晶内多,溶质原子(离子)处于晶
6、内的能量比处在晶界的能量高,通过偏析(离子)处于晶内的能量比处在晶界的能量高,通过偏析使系统能量降低。使系统能量降低。偏析驱动力是内能差:设一个原子位于晶内和晶界偏析驱动力是内能差:设一个原子位于晶内和晶界的内能分别为的内能分别为E El l 和和Eg Eg,则偏析的驱动力为:,则偏析的驱动力为:Surface and Interface of Materials7-4 7-4 晶界平衡偏析晶界平衡偏析本讲稿第七页,共四十页 偏析阻力是组态熵偏析阻力是组态熵(结构熵结构熵):溶质原子趋向于混:溶质原子趋向于混乱分布,晶内位置数乱分布,晶内位置数(N)大于晶界位置数大于晶界位置数(n),构成了,
7、构成了偏析的阻力。设晶内及晶界的溶质原子数分别为偏析的阻力。设晶内及晶界的溶质原子数分别为P 和和Q,则,则P 个溶质原子占据个溶质原子占据N 个位置和个位置和Q 个溶质原子个溶质原子占据占据n 个位置的组态熵为:个位置的组态熵为:Surface and Interface of Materials本讲稿第八页,共四十页偏析表达式偏析表达式该分布状态下的吉布斯自由能为(斯特林公式该分布状态下的吉布斯自由能为(斯特林公式lnx!xlnxx):):平衡条件为平衡条件为:,平衡关系式平衡关系式:或:或:Surface and Interface of Materials本讲稿第九页,共四十页用用C
8、C 及及C C0 0 表示晶界和晶内的溶质浓度,则表示晶界和晶内的溶质浓度,则:令令E E 表示表示1mol1mol原子溶质位于晶内及晶界的内能差:原子溶质位于晶内及晶界的内能差:则:则:因而有因而有:对稀固溶体,对稀固溶体,C C0 0l l,上式近似写成:,上式近似写成:再做近似再做近似:Surface and Interface of Materials本讲稿第十页,共四十页影响晶界偏析的因素影响晶界偏析的因素 溶质浓度溶质浓度C C0 0:随溶质的平衡浓度增加而增加。随溶质的平衡浓度增加而增加。温度温度:因因E E 为正,故随温度升高为正,故随温度升高C C 下降。温度高下降。温度高T
9、STS 项影响大,使偏析的趋势下降;但温度过低,平衡项影响大,使偏析的趋势下降;但温度过低,平衡C C 虽高,但受扩散限制而达不到较高的虽高,但受扩散限制而达不到较高的C C 值。值。内能内能E E:内能差内能差E E 越大,偏析浓度越大,偏析浓度C C 越高。内能差越高。内能差 与溶质和溶剂原子尺寸差相关,也与电子因素有关。与溶质和溶剂原子尺寸差相关,也与电子因素有关。界面能变化界面能变化:能降低界面能的元素,易形成晶界偏析。能降低界面能的元素,易形成晶界偏析。根据等温吸附方程:根据等温吸附方程:是偏析量,是偏析量,x x 为溶质原子的平衡体积浓度。为溶质原子的平衡体积浓度。,强化晶界偏析。
10、,强化晶界偏析。,导致溶质晶界浓度低于晶内浓度。,导致溶质晶界浓度低于晶内浓度。Surface and Interface of Materials本讲稿第十一页,共四十页晶界迁移晶界迁移 原子跨越界面运动的结果。原子跨越界面运动的结果。典型情况:晶粒长大过程;相变过程。典型情况:晶粒长大过程;相变过程。Surface and Interface of Materials7-5 7-5 晶界迁移晶界迁移本讲稿第十二页,共四十页考虑两晶粒组成的界面,两晶粒的化学位为考虑两晶粒组成的界面,两晶粒的化学位为,作用于原,作用于原子的力是吉布斯化学位梯度子的力是吉布斯化学位梯度-d-ddz dz。于是当
11、界面厚度为于是当界面厚度为,则晶粒则晶粒I I的一界面原子的一界面原子受到的力:受到的力:晶界的化学位差晶界的化学位差Surface and Interface of Materials一、晶界迁移速度一、晶界迁移速度本讲稿第十三页,共四十页晶界迁移与原子迁移有关系:晶界迁移与原子迁移有关系:原子的平均迁移速度又可表示为原子的平均迁移速度又可表示为:=BFB B 是迁移率,于是可得是迁移率,于是可得:上式表明:晶界迁移速度取决于晶界两侧的化学位差和晶界原子的上式表明:晶界迁移速度取决于晶界两侧的化学位差和晶界原子的迁移率。迁移率。Surface and Interface of Materia
12、ls本讲稿第十四页,共四十页 二、界面迁移驱动力二、界面迁移驱动力两个驱动力:晶界曲率产生的化学位差和形变能。两个驱动力:晶界曲率产生的化学位差和形变能。界面曲率界面曲率附加压力的拉普拉斯公式:附加压力的拉普拉斯公式:对半径为对半径为 r r 的球形曲面:的球形曲面:热力学等温条件下有:热力学等温条件下有:V Vm m 为摩尔体积。如取界面两侧为摩尔体积。如取界面两侧V Vm m 为常数,积分得到球状为常数,积分得到球状界面两侧的化学位差为:界面两侧的化学位差为:凸侧的化学位高,晶界移动总是向着曲率中心移动。凸侧的化学位高,晶界移动总是向着曲率中心移动。Surface and Interfac
13、e of Materials本讲稿第十五页,共四十页形变能形变能晶粒变形不同,缺陷密度不同,导致吉布斯自由能不同。设一双晶晶粒变形不同,缺陷密度不同,导致吉布斯自由能不同。设一双晶体,其中晶粒体,其中晶粒I I变形小,因吉布斯化学位变形小,因吉布斯化学位 等于偏摩尔自由能等于偏摩尔自由能G G,其间化学位差:,其间化学位差:忽略体积项与熵项,得到:忽略体积项与熵项,得到:=E EE E令晶粒令晶粒 I I 的形变能为零,可得:的形变能为零,可得:N NA A 为阿伏加德罗常数;为阿伏加德罗常数;E ES S 为晶粒为晶粒的摩尔形变能。的摩尔形变能。说明:晶界的迁移速度随形变能的大小呈性线变化。
14、说明:晶界的迁移速度随形变能的大小呈性线变化。Surface and Interface of Materials本讲稿第十六页,共四十页 影响晶界迁移的主要因素影响晶界迁移的主要因素 溶质原子:降低迁移率,与晶界偏析、晶界结构有关。溶质原子:降低迁移率,与晶界偏析、晶界结构有关。晶界第二相颗粒:阻碍作用,晶界脱离第二相颗粒的晶界第二相颗粒:阻碍作用,晶界脱离第二相颗粒的 迁移是系统能量提高的过程(需生长出这段晶界),产迁移是系统能量提高的过程(需生长出这段晶界),产 生晶界迁移的阻力。生晶界迁移的阻力。温度温度 :迁移率与晶界扩散系数:迁移率与晶界扩散系数D D 由由Einstein Ein
15、stein 关系联关系联 系:系:由上式知随温度的升高,晶界迁移率提高。由上式知随温度的升高,晶界迁移率提高。晶粒位向晶粒位向 -晶界的晶粒取向差小,迁移率低。晶界的晶粒取向差小,迁移率低。Surface and Interface of Materials本讲稿第十七页,共四十页Surface and Interface of Materials复杂半共格相界面复杂半共格相界面相界面相界面非共格相界面非共格相界面半共格相界面半共格相界面共格相界面共格相界面7-6 7-6 相界面相界面本讲稿第十八页,共四十页无应变的共格晶界无应变的共格晶界(a)(a)晶体结构相同晶体结构相同 (b)(b)晶体
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