ch二极管及其应用电路.pptx
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1、1l PN结的形成 l PN结的单向导电性 2.1 PN2.1 PN结的形成及特性结的形成及特性第1页/共58页2结的形成 P区掺杂浓度高,N区掺杂浓度低P区和N区掺杂浓度相同第2页/共58页32.PN结的单向导电性 外加正向电压 l阻挡层内的总电场减弱,空间电荷总量减少;l空间电荷区变窄;l势垒区的电位差减小。正向偏置情况下给PN结一个小电压可得到较大电流。第3页/共58页42.PN结的单向导电性 外加反向电压 l阻挡层内的总电场增强,空间电荷总量增加;l空间电荷区变宽;l势垒区的电位差增大。反向偏置情况下,反向电流很小,可以认为PN结基本上不导电,表现为一个很大的电阻。第4页/共58页5关
2、键问题 什么是二极管的门坎电压?为什么使用二极管时要注意不要超过最高反向工作电压VBR?l半导体二极管l二极管的伏安特性2.2 半导体二极管第5页/共58页61.半导体二极管?第6页/共58页72.二极管的V-I特性当vD 0,且 时,当vD 0,且 时,第7页/共58页82.二极管的V-I特性例:已知PN结在T=300K时,,m=1,求 及 时的结电流。解:当 时,PN结上为正偏压,有当 时,PN结上为负偏压,有第8页/共58页92.二极管的V-I特性第9页/共58页102.二极管的V-I特性正向特性第10页/共58页112.二极管的V-I特性反向特性对Si二极管而言,一般地 VBR 7伏-
3、雪崩击穿;4伏 VBR Von,D通,通后压降为Von V Von,D止,Is0,第16页/共58页171.常用的二极管模型交流小信号模型(微变等效)第17页/共58页182.分析方法 解析法 模型分析法(等效电路分析法)第18页/共58页192.分析方法 例,如图,已知E和vi(微小变化电压),求iD、vD。解:设vi=0,E=0,叠加交,直流量,第19页/共58页20关键问题 稳压管为什么能够起到稳压的作用?稳压管是利用PN结的反向击穿特性所具有的稳压性能而做成的,是一种用特殊工艺制造的面结型Si半导体二极管。2.4 稳压二极管第20页/共58页21稳压管Dz的伏安特性反向击穿电压为VBR
4、=-Vz Dz的反向击穿特性越陡,稳压特性越好。第21页/共58页22稳压管的主要参数Vz:Dz中I为额定电流时,稳压管两端的电压值。Iz:Dz正常工作时的参考电流值。(Iz min)rz:rz随工作电流不同而变。Pz:额定功耗。Pz=Iz maxVz:温度每升高10时稳定电压值的相对变化量。Vz4时,7时,0(雪崩击穿)4VzVon时,二极管导通,vo vi;vi0时,D1、D3通,D2、D4止,v2 0时,D2、D4通,D1、D3止,第36页/共58页374.整流滤波电路电容整流滤波电路 单相桥式整流滤波电路 第37页/共58页384.整流滤波电路电容整流滤波电路 讨论:加了电容滤波后,输
5、出电压直流成分提高了(输出电压的平均值增加)加了电容滤波后,输出电压的脉动成分减小。电容放电的Td=RLC放电过程则输出电压,同时脉动成分,滤波效果。当RLC,VO(AV)=应选择C大,RL大。第38页/共58页394.整流滤波电路电容整流滤波电路 讨论:电容滤波电路中二极管的导电时间缩短了。导电角180,且d,导电角。因此,整流管在短暂的导电时间内流过一个很大的冲击电流,对管子的寿命不利。所以必须选择较大容量的整流二极管。第39页/共58页404.整流滤波电路电感整流滤波电路 第40页/共58页412.多二极管电路例1,电路如图,判断图中二极管是导通还是截止,并确定输出电压Vo,设二极管Vo
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