第9讲 场效应管.pptx

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1、1 结型场效应管结型场效应管2 场效应管放大电路场效应管放大电路第1页/共35页N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)分类：耗尽型耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道第2页/共35页1 结型场效应管结型场效应管 结构结构 工作原理工作原理 输出特性输出特性 转移特性转移特性 主要参数主要参数（1 ）JFET的结构和工作原理的结构和工作原理（2）JFET的特性曲线及参数

2、的特性曲线及参数 第3页/共35页 源极源极，用S或s表示N型导电沟道漏极漏极，用D或d表示 P型区P型区栅极，用G或g表示栅极，用G或g表示符号符号（1）JFET的结构和工作原理的结构和工作原理 结型场效应管1.结构结构#符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？第4页/共35页（1）JFET的结构和工作原理的结构和工作原理1.结构结构 第5页/共35页2.工作原理工作原理 结型场效应管 VGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当VGS0时（以（以N沟道沟道JFET为例）为例）当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP（或VGS(off)）。对于N沟道的JFET，VP 0。P

3、N结反偏耗尽层加厚沟道变窄。VGS继续减小，沟道继续变窄 VDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当VGS=0时，VDS ID G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时VDS 夹断区延长沟道电阻 ID基本不变 VGS和和VDS同时作用时同时作用时当VP VGSUGS（off）uGDUT时,沟道加厚，沟道电阻减少，在相同UDS的作用下，ID将进一步增加开始无导电沟道，当在UGS UT时才形成沟道,这种类型的管子称为增强型MOS管第16页/共35页增强型MOS管uDS对iD的影响 用场效应管组

4、成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGDUGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区刚出现夹断uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻第17页/共35页耗尽型MOS管 耗尽型MOS管在 uGS0、uGS 0、uGS 0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。加正离子小到一定值才夹断uGS=0时就存在导电沟道第18页/共35页 N N沟道增强型MOSMOS场效应管特性曲线增强型增强型MOSMOS管管U UGSGS一定时，I ID D与U U

5、DSDS的变化曲线，是一族曲线 I ID D=f f(U UDSDS)U UGSGS=C =C 输出特性曲线1.可变电阻区：ID与UDS的关系近线性 ID 2K(UGS-UT)UDSUGS=6VUGS=4VUGS=5VUGS=3VUGS=UT=3VUGS(V)ID(mA)当UGS变化时，RON将随之变化因此称之为可变电阻区当UGS一定时，RON近似为一常数因此又称之为恒阻区第19页/共35页 N N沟道增强型MOSMOS场效应管特性曲线增强型增强型MOSMOS管管输出特性曲线2.恒流区：该区内，UGS一定，ID基本不随UDS变化而变3.击穿区：UDS 增加到某一值时，ID开始剧增而出现击穿。当

6、UDS 增加到某一临界值时，ID开始剧增时UDS称为漏源击穿电压。UGS=6VUGS=4VUGS=5VUGS=3VUGS=UT=3VUGS(V)ID(mA)第20页/共35页MOS管的特性1)增强型MOS管2)耗尽型MOS管开启电压夹断电压第21页/共35页3.场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？uGS0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？uGS0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？第22页/共35页 场效应管放大电路场效应管放大电路 直流偏置电路直流偏置电路 静态工作点静态工作点 FET小信号模型小信号模型 动态指标分析动态指标分析

7、三种基本放大电路的性能比较三种基本放大电路的性能比较（1）FET的直流偏置及静态分析的直流偏置及静态分析（2）FET放大电路的小信号模型分析法放大电路的小信号模型分析法第23页/共35页(1)静态工作点的设置方法静态工作点的设置方法 1.基本共源放大电路 根据场效应管工作在恒流区的条件，在g-s、d-s间加极性合适的电源第24页/共35页2.自给偏压电路由正电源获得负偏压称为自给偏压第25页/共35页3.分压式偏置电路为什么加Rg3?其数值应大些小些？即典型的Q点稳定电路第26页/共35页近似分析时可认为其为无穷大！根据iD的表达式或转移特性可求得gm。与晶体管的h参数等效模型类比：第27页/

8、共35页 基本共源放大电路的动态分析若Rd=3k，Rg=5k，gm=2mS，则与共射电路比较。第28页/共35页 基本共漏放大电路的动态分析若Rs=3k，gm=2mS，则第29页/共35页基本共漏放大电路输出电阻的分析若Rs=3k，gm=2mS，则Ro=?第30页/共35页3.三种基本放大电路的性能比较三种基本放大电路的性能比较组态对应关系：CEBJTFETCSCCCDCBCGBJTFET电压增益：电压增益：CE：CC：CB：CS：CD：CG：第31页/共35页输出电阻：输出电阻：3.三种基本放大电路的性能比较三种基本放大电路的性能比较BJTFET输入电阻：输入电阻：CE：CC：CB：CS：C

9、D：CG：CE：CC：CB：CS：CD：CG：第32页/共35页小小 结结1.场效应管种类很多，主要有结型和绝缘栅场效应管结型有N沟道和P沟道两种，N沟道在UGS0下工作绝缘栅场效应管有N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型四种类型。增强型不存在原始导电沟道，UGS只在单一极性或正或负工作；而耗尽型存在原始沟道，UGS可正可负。2.场效应管是单极型电压控制器件，具有输入电阻高，一 般可达109。第33页/共35页小小 结结3.场效应管放大电路主要有共源、共栅和共漏三种基本组态放大器。静态偏置电路主要有自给偏置电路和外置偏置电路两种。自给偏置电路适用于结型和耗尽型场效应管。而对增强型场效应管只能采用外置偏置电路。静态分析可采用计算法和图解法动态分析与三极管基本相似，主要采用微变等效电路法进行分析。第34页/共35页感谢您的观看！第35页/共35页