第二章半导体三极管及其基本放大电路PPT讲稿.ppt
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1、第二章半导体三极管及其基本放大电路第1页,共111页,编辑于2022年,星期二2.1.12.1.1三极管的结构与分类三极管的结构与分类三极管按其结构可分为三极管按其结构可分为NPNNPN和和PNPPNP两类。两类。NPNNPN型三极管的结构与电路符号如型三极管的结构与电路符号如图图2-12-1所示。从图所示。从图2-12-1(a a)中可以看出,)中可以看出,它是由两层它是由两层N N型的半导体中间夹着一层型的半导体中间夹着一层P P型半导体构成的管子,型半导体构成的管子,P P型半导体与其两型半导体与其两侧的侧的N N型半导体分别形成型半导体分别形成PNPN结,整个三极管是两个背靠背结,整个
2、三极管是两个背靠背PNPN结的三层半导体。中结的三层半导体。中间的一层称为间的一层称为基区基区,两边的区分别称为,两边的区分别称为发射区发射区和和集电区集电区,从这三个区引出的电,从这三个区引出的电极分别称为极分别称为基极基极b b、发射极、发射极e e和和集电极集电极c c。基区与集电区之间的。基区与集电区之间的PNPN结称为集电结,发结称为集电结,发射区与基区之间的射区与基区之间的PNPN结称为发射结。发射区的作用是向基区发射载流子,基区结称为发射结。发射区的作用是向基区发射载流子,基区是传送和控制载流子,而集电区是收集载流子。是传送和控制载流子,而集电区是收集载流子。2.1 2.1 半导
3、体三极管半导体三极管下一页返回 第2页,共111页,编辑于2022年,星期二NPNNPN型三极管电路符号中,发射极箭头方向表示发射结正偏时发型三极管电路符号中,发射极箭头方向表示发射结正偏时发射极电流的实际方向。射极电流的实际方向。PNPPNP型三极管的结构与型三极管的结构与NPNNPN型相似,也是两个背靠背型相似,也是两个背靠背PNPN结的三层半导体,结的三层半导体,不过这种管子是两层不过这种管子是两层P P型的半导体中间夹着一层型的半导体中间夹着一层N N型半导体,如型半导体,如图图2-22-2所示。所示。2.1.22.1.2三极管的电流分配关系和电流放大作用三极管的电流分配关系和电流放大
4、作用为简要说明三极管的电流分配关系和放大作用,忽略一些次要因素,以为简要说明三极管的电流分配关系和放大作用,忽略一些次要因素,以NPNNPN型三极管为例,通过实验来了解三极管的电流分配情况和放大原理,实验电型三极管为例,通过实验来了解三极管的电流分配情况和放大原理,实验电路如路如图图2-32-3所示。所示。2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管下一页返回上一页第3页,共111页,编辑于2022年,星期二图图 常见三极管及其电路引脚排列常见三极管及其电路引脚排列返回第4页,共111页,编辑于2022年,星期二在图在图2-32-3中,中,R RB B(通常为几百千欧的可调电阻)称为基极偏置电阻,
5、(通常为几百千欧的可调电阻)称为基极偏置电阻,U UBBBB为为基极偏置电源。基极偏置电源。U UBBBB 、R RB B 、三极管的基极和发射极构成三极管的基极回路,、三极管的基极和发射极构成三极管的基极回路,也称基极偏置电路,基极偏置电路使发射结为正偏。也称基极偏置电路,基极偏置电路使发射结为正偏。U UCCCC、集电极电阻、集电极电阻RcRc、集、集电极和发射极构成集电极回路,集电极回路使集电结为反偏。发射电极和发射极构成集电极回路,集电极回路使集电结为反偏。发射极是两个回路所共用的电极,所以这种接法称为共发射极电路。极是两个回路所共用的电极,所以这种接法称为共发射极电路。改变可变电阻改
6、变可变电阻R RB B的阻值,使基极电流的阻值,使基极电流I IB B为不同的值,测出相应的集电极为不同的值,测出相应的集电极电流电流I IC C和发射极电流和发射极电流I IE E。电流方向如图中所示。测量结果列于。电流方向如图中所示。测量结果列于表表2-12-1中。中。2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管下一页返回上一页第5页,共111页,编辑于2022年,星期二将表中数据进行比较分析,可得出如下结论:将表中数据进行比较分析,可得出如下结论:(1 1)基极电流)基极电流I IB B与集电极电流与集电极电流I IC C之和等于发射极电流,即之和等于发射极电流,即 I IE E=I=IB
7、B+I+IC C三个电流之间的关系符合基尔霍夫电流定律。三个电流之间的关系符合基尔霍夫电流定律。(2 2)基极电流)基极电流I IB B比集电极电流比集电极电流I IC C和发射极电流小得多,通常可认为发射极和发射极电流小得多,通常可认为发射极电流约等于集电极电流,即电流约等于集电极电流,即 I IE EIIC CIIB B(3 3)从第三列和第四列的数据中可以看到,半导体三极管有电流放大作用)从第三列和第四列的数据中可以看到,半导体三极管有电流放大作用.2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管下一页返回上一页第6页,共111页,编辑于2022年,星期二综合上述,要使三极管能起正常的放大作用,
8、综合上述,要使三极管能起正常的放大作用,发射结发射结必须加必须加正向偏置正向偏置,集电结集电结必须加必须加反向偏置反向偏置。对于。对于PNPPNP型三极管所接电源极性正好与型三极管所接电源极性正好与NPNNPN相反。相反。NPNNPN型:型:PNPPNP型:型:2.1.3 2.1.3 三极管的伏安特性三极管的伏安特性三极管的特性曲线是各电极电压与电流之间的关系曲线。它反映了三极管的特性曲线是各电极电压与电流之间的关系曲线。它反映了三极管的外部性能,是分析放大电路的重要依据。特性曲线主要有输入三极管的外部性能,是分析放大电路的重要依据。特性曲线主要有输入特性曲线和输出特性曲线。特性曲线和输出特性
9、曲线。2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管下一页返回上一页第7页,共111页,编辑于2022年,星期二1.1.输入特性曲线输入特性曲线输入特性曲线是指当集射极电压输入特性曲线是指当集射极电压U UCECE为一定值时,基极电流为一定值时,基极电流I IB B与基射极与基射极电压电压U UBEBE之间的关系曲线。即之间的关系曲线。即I IB B=f f(U UBEBE)U UCECE=常数常数三极管输入特性曲线如三极管输入特性曲线如图图2-52-5所示。其特点是:所示。其特点是:当当U UCECE=0V=0V时,集电极与发射极短接,相当于两个二极管并联,输入时,集电极与发射极短接,相当于两个二
10、极管并联,输入特性类似于二极管的正向伏安特性。特性类似于二极管的正向伏安特性。2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管下一页返回上一页第8页,共111页,编辑于2022年,星期二当当U UCECE1V1V时,特性曲线右移,如时,特性曲线右移,如图图所示。所示。从图从图2-52-5可见,三极管的输入特性曲线和二极管的伏安特可见,三极管的输入特性曲线和二极管的伏安特性曲线一样,也有一段死区。只有当发射结的外加电压大于性曲线一样,也有一段死区。只有当发射结的外加电压大于死区电压时,三极管才会有基极电流死区电压时,三极管才会有基极电流I IB B。硅管的死区电压约为。硅管的死区电压约为0.50.5伏伏
11、,锗管约为锗管约为0.10.10.20.2伏。在正常工作情况下,伏。在正常工作情况下,硅管的发射硅管的发射结电压结电压U UBEBE=0.7=0.7伏伏,锗管锗管的发射结电压的发射结电压U UBEBE=0.3=0.3伏。伏。2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管下一页返回上一页第9页,共111页,编辑于2022年,星期二2 2输出特性曲线输出特性曲线输出特性曲线是指基极电流输出特性曲线是指基极电流I IB B为一定值时,集电极电流为一定值时,集电极电流I IC C与集射与集射极电压极电压U UCECE之间的关系曲线。即之间的关系曲线。即I IC C=f(=f(U UCECE)I IB B=常
12、数常数当当I IB B为不同值时,可得到不同的特性曲线,所以三极管输出特性曲线为不同值时,可得到不同的特性曲线,所以三极管输出特性曲线是一簇曲线,如是一簇曲线,如图图2-62-6所示。所示。根据三极管的工作状态不同,输出的特性曲线可分为三个区域:根据三极管的工作状态不同,输出的特性曲线可分为三个区域:(1 1)截止区)截止区I IB B=0=0的曲线以下的区域称为截止区。这时集电结为反向偏置,的曲线以下的区域称为截止区。这时集电结为反向偏置,2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管下一页返回上一页第10页,共111页,编辑于2022年,星期二发射结也为反向偏置,故发射结也为反向偏置,故I IB
13、 B00,I IC C00,此时集电极与发射极之间相当,此时集电极与发射极之间相当于一个于一个开关的断开开关的断开状态。状态。(2 2)饱和区饱和区(图图2-62-6)输出特性曲线的近似垂直上升部分与输出特性曲线的近似垂直上升部分与I IC C轴之间的区域称为饱和区。这时,轴之间的区域称为饱和区。这时,U UCECE U UBEQBEQ时,可以时,可以I IBQBQV VCCCC/R/Rb b。根据三极管的电流放大特性,得集电极静态电流根据三极管的电流放大特性,得集电极静态电流I ICQCQ:再根据集电极回路可求出集电极再根据集电极回路可求出集电极-发射极之间的电压发射极之间的电压U UCEQ
14、CEQ :2.2 2.2 三极管基本放大电路三极管基本放大电路下一页返回上一页第21页,共111页,编辑于2022年,星期二 当当三三极极管管处处于于临临界界饱饱和和状状态态时时,仍仍然然满满足足I IC C=IIB B,此此时时的的基基极极电电流流称称为为基基极极临临界界饱和电流,用饱和电流,用I IBSBS表示,则表示,则若若I IBQBQ I IBS,BS,三极管进入饱和区三极管进入饱和区.2 2)动态分析)动态分析当放大电路中加入正弦交流信号当放大电路中加入正弦交流信号u ui i时,电路中各极的电压、电流产生一组交时,电路中各极的电压、电流产生一组交流量。在交流输入信号流量。在交流输
15、入信号u ui i的作用下,只有交流电流所流过的路径,称为交流通路。的作用下,只有交流电流所流过的路径,称为交流通路。画交流通路时,放大电路中的画交流通路时,放大电路中的耦合电容短路耦合电容短路;由于直流电源;由于直流电源V VCCCC的内阻很小(理想电压的内阻很小(理想电压源内阻近似为零),对交流变化量几乎不起作用,所以源内阻近似为零),对交流变化量几乎不起作用,所以直流电源对交流视为短路直流电源对交流视为短路。图。图2-92-9所示基本共射放大电路的交流通路如所示基本共射放大电路的交流通路如图图2-162-16所示。所示。2.2 2.2 三极管基本放大电路三极管基本放大电路下一页返回上一页
16、第22页,共111页,编辑于2022年,星期二l2.1.3 2.1.3 微变等效电路法微变等效电路法1.1.放大电路的动态性能指标放大电路的动态性能指标1)1)放大倍数放大倍数放大倍数是衡量放大电路放大能力的指标。放大倍数是指输出信号与输入放大倍数是衡量放大电路放大能力的指标。放大倍数是指输出信号与输入信号之比信号之比,有电压放大倍数、电流放大倍数和功率放大倍数等表示方法,其中电有电压放大倍数、电流放大倍数和功率放大倍数等表示方法,其中电压放大倍数最常用。压放大倍数最常用。放大电路的输出电压放大电路的输出电压u uo o和输入电压和输入电压u ui i之比,称为电压放大倍数之比,称为电压放大倍
17、数AuAu,即,即放大电路的输出电流放大电路的输出电流i io o和输入电流和输入电流i ii i之比,称为电流放大倍数之比,称为电流放大倍数AiAi,即,即2.2 2.2 三极管基本放大电路三极管基本放大电路下一页返回上一页第23页,共111页,编辑于2022年,星期二2)2)输入电阻输入电阻r ri i放大电路的输入电阻是从输入端向放大电路看进去的等效电阻,它等于放放大电路的输入电阻是从输入端向放大电路看进去的等效电阻,它等于放大电路输出端接实际负载电阻大电路输出端接实际负载电阻R RL L后,输入电压后,输入电压u ui i与输入电流与输入电流i ii i之比,即之比,即对于信号源来说,
18、对于信号源来说,r ri i就是它的等效负载。由图可得就是它的等效负载。由图可得可见,可见,r ri i是衡量放大电路对信号源影响程度的重要参数。其值越大,放大是衡量放大电路对信号源影响程度的重要参数。其值越大,放大电路从信号源索取的电流越小,信号源对放大电路的影响越小。电路从信号源索取的电流越小,信号源对放大电路的影响越小。2.2 2.2 三极管基本放大电路三极管基本放大电路下一页返回上一页第24页,共111页,编辑于2022年,星期二3)3)输出电阻输出电阻r ro o从输出端向放大电路看入的等效电阻,称为输出电阻从输出端向放大电路看入的等效电阻,称为输出电阻r ro o。由图可得,由图可
19、得,等效输出电阻用戴维南定理分析:将输入信号源等效输出电阻用戴维南定理分析:将输入信号源u us s短路(电流源开路),短路(电流源开路),但要保留其信号源内阻但要保留其信号源内阻r rs s,用电阻串并联方法加以化简,计算放大电路的等效,用电阻串并联方法加以化简,计算放大电路的等效输出电阻。输出电阻。2.2.三极管的微变等效模型三极管的微变等效模型 由于放大电路中含有三极管,属于非线性元件,直接分析计算比较由于放大电路中含有三极管,属于非线性元件,直接分析计算比较复杂。但是,当三极管的静态工作点正常,并且输入微小变化的交流信复杂。但是,当三极管的静态工作点正常,并且输入微小变化的交流信号时,
20、三极管的电压和电流近似为线性关系。号时,三极管的电压和电流近似为线性关系。2.2 2.2 三极管基本放大电路三极管基本放大电路下一页返回上一页第25页,共111页,编辑于2022年,星期二因此,在小信号输入时,为计算方便,将三极等效为一个线性元件,因此,在小信号输入时,为计算方便,将三极等效为一个线性元件,称为三极管的微变等效模型;将放大电路等效为线性电路,通常称为微变称为三极管的微变等效模型;将放大电路等效为线性电路,通常称为微变等效电路。等效电路。1)1)三极管基极与发射极间的等效三极管基极与发射极间的等效放大电路正常工作时,发射结导通,即基极与发射极之间相当于一个导通的放大电路正常工作时
21、,发射结导通,即基极与发射极之间相当于一个导通的PNPN结。三极管的输入二端口等效为一个结。三极管的输入二端口等效为一个交流电阻交流电阻r rbebe。它是三极管输入特性曲线上。它是三极管输入特性曲线上工作点工作点Q Q附近的电压微小变化量与电流微小变化量之比。附近的电压微小变化量与电流微小变化量之比。根据三极管输入回路结构分析,根据三极管输入回路结构分析,r rbebe的数值可以用下列公式计算:的数值可以用下列公式计算:2.2 2.2 三极管基本放大电路三极管基本放大电路下一页返回上一页第26页,共111页,编辑于2022年,星期二式中,式中,rrbbbb是基区体电阻,对于低频小功率管,是基
22、区体电阻,对于低频小功率管,rrbbbb约为约为100100500500,如果无特别说明,一般取,如果无特别说明,一般取rrbbbb=300=300;I IEQEQ为发为发射极静态电流。射极静态电流。2)2)三极管集电极与发射极间的等效三极管集电极与发射极间的等效当三极管工作在放大区时,当三极管工作在放大区时,i ic c的大小只受的大小只受i ib b的控制,的控制,i ic c=iib b,即实现了三极管的受控恒流特性。所以,三极管集电极与发射极,即实现了三极管的受控恒流特性。所以,三极管集电极与发射极间可等效为一个理想间可等效为一个理想受控电流源受控电流源,大小为,大小为iib b。2.
23、2 2.2 三极管基本放大电路三极管基本放大电路下一页返回上一页第27页,共111页,编辑于2022年,星期二2.3.1.2.3.1.电路结构和稳定电路结构和稳定Q Q点原理点原理 1)1)分压式偏置电路电路结构分压式偏置电路电路结构分压式偏置电路如分压式偏置电路如图图2-20(2-20(a a)所示,与固定偏置式电路不同的是:所示,与固定偏置式电路不同的是:基极直流偏置电位基极直流偏置电位U UBQBQ是由基极偏置电阻是由基极偏置电阻R Rb1b1和和R Rb2b2对对V VCCCC分压来取得的,故称这种分压来取得的,故称这种电路为分压式偏置电路;电路为分压式偏置电路;同时,电路中增加了发射
24、极电阻同时,电路中增加了发射极电阻R Re e,用来稳定电路的静态工作点。,用来稳定电路的静态工作点。2.3 2.3 分压偏置式放大器分压偏置式放大器下一页返回上一页第28页,共111页,编辑于2022年,星期二(2)(2)静态工作点的估算静态工作点的估算分压式偏置放大电路的直流通路如图分压式偏置放大电路的直流通路如图2-15(2-15(b b)所示。所示。当三极管工作在放大区时,当三极管工作在放大区时,I IBQBQ很小。当满足很小。当满足I I1 1I IBQBQ时,时,I I1 1I I2 2,则有:,则有:2.3 2.3 分压偏置式放大器分压偏置式放大器下一页返回上一页第29页,共11
25、1页,编辑于2022年,星期二(3)(3)Q Q点的稳定过程点的稳定过程当满足当满足I I1 1I IBQBQ时,时,U UBQBQ固定,假如温度上升,固定,假如温度上升,2)2)带有发射极电阻带有发射极电阻R Re e 的固定偏置电路的固定偏置电路(1)(1)电路组成电路组成电路如电路如图所示。图所示。(2)(2)静态工作点的估算静态工作点的估算根据电路有根据电路有2.3 2.3 分压偏置式放大器分压偏置式放大器下一页返回上一页第30页,共111页,编辑于2022年,星期二3.3.利用微变等效电路分析放大电路的动态性能指标利用微变等效电路分析放大电路的动态性能指标共射放大电路如共射放大电路如
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