2022年光刻胶行业分析市场现状及发展机遇分析.docx
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1、2022年光刻胶行业分析市场现状及发展机遇分析1.光刻胶是发展半导体行业不可或缺的产品组成结构复杂,性能要求高组成结构复杂,产品壁垒高企。光刻胶(photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、 电子束、离子束、X 射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料,主 要由光刻胶树脂、增感剂(光引发剂+光增感剂+光致产酸剂)、单体、溶剂和其他助剂 组成。由于应用场景颇多,不同用途的光刻胶在曝光光源、制造工艺、成膜特性等性能 要求不同,对材料的溶解性、耐蚀刻性和感光性能等要求不同,不同原料的占比会有很 大幅度变化,其中光刻胶树脂是光刻胶主要成分,成本占比达到 50%。光刻胶为集成电
2、 路中极为重要的材料,作为图形媒介物质,用于芯片制造的光刻环节,是必不可缺的关 键材料。正性和负性光刻胶由于曝光反应存在差异: 正性光刻胶在曝光后,曝光部分会溶于显影液,未曝光部分显影后会留存,正性光刻胶 分辨率对比度高,更适用于小型图形,也因此高端光刻胶以正性为主。 负性光刻胶则相反,曝光后曝光部分形成交联结构,硬化并留存在基底形成图形,未曝 光部分将溶解。负性光刻胶拥有更好的粘滞性和抗蚀性,因其具有更好感光性所以添加 的感光剂更少,成本更低,也更适用于低成本低价质量的芯片。半导体光刻胶市场中正 性胶占比为绝大多数,负性胶占比极低。光刻胶按应用领域分为 PCB、面板和半导体光刻胶。PCB 光
3、刻胶主要分为干膜光刻胶、 湿膜光刻胶和阻焊油墨;面板光刻胶主要分为 TFT-LCD 正性光刻胶、彩色&黑色负性光 刻胶; 半导体集成电路制造行业主要使用 G/I 线光刻胶、KrF 光刻胶、ArF 光刻胶和 EUV 光刻胶等。根据 Cision, 2019 年全球光刻胶市场规模约 91 亿美元,至 2022 年市 场规模将超过 105 亿美元,年化增长率约 5%,其中,面板光刻胶,PCB 光刻胶和半导 体光刻胶的应用占比分别为 27.8%、23.0%和 21.9%。半导体光刻胶将成为光刻胶市场主要增长因素。在下游 PCB 和面板二者复合增速缓慢 的情况下,半导体光刻胶将在半导体市场的快速增长下,
4、叠加其单位价值量相较于 PCB 光刻胶和面板光刻胶更高的特性,有望成为全球光刻胶市场增长的主要因素。随着 IC 制 程的不断提高,为了满足集成电路对电路密度和集成水平更高要求,光刻胶通过不断缩 短曝光波长,不断提升图形的分辨率。经过几十年的研发,按照曝光波长,目前光刻胶 的波长由紫外宽谱逐步至 G 线(436nm)、I 线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm) (KrF 和 ArF 合计称为 DUV 光刻胶)、以及最先进的 EUV (13.5nm) 水平。半导体光刻胶存差异,应用于不同芯片制程。随着曝光波长缩短,光刻胶达到的极限 分辨率不断提高,得到的精密度更佳。目前市场上
5、能得到分辨率最高的是 EUV 光刻 胶,用于 14nm 以下先进制程,由于整体较高的壁垒,仅 G/I 线有少量国产份额,KrF 和 ArF 国产化率极低,EUV 方面仅荷兰的 ASML 能制造 EUV 光刻机,国内尚无企业 拥有先进制程芯片产能,因此国内并没有 EUV 光刻胶市场,目前国内市场大多集中在 G 线/I 线 KrF/ArF 等用于 28nm 以上成熟制程的半导体光刻胶。半导体光刻胶并不完全仅用于其对应电路尺寸。以 KrF 胶为例,虽然其对应的最精细工 艺范围为 0.13-0.35m,但是 KrF 胶仍然可以用于 0.13m 以下节点,包括 28nm,原 因在于 28nm 制程的芯片
6、并不是每处都达到了精细度极限,由于 ArF 胶价格是 KrF 胶 的几倍,下游客户出于节省成本目的,在芯片精细度较低的区域仍将使用用于低制程的 光刻胶,也因此 KrF 胶成为全种类半导体光刻胶中,消耗量极高的胶种类,肩负起承上 启下的作用。2.终端市场蓬勃发展,光刻胶需求快速增长终端需求强劲,带动半导体光刻胶需求增长。根据 IC Insights,在 2021 年经济从 2020 年爆发的新冠疫情危机中反弹后,全球半导体营收增长 25%,预计 2022 年半导体总销 售额将持续增长并达到创纪录的 6806 亿美元,其中光电、传感器、执行器和分立器件 (统称 OSD 设备)将达到创纪录的 115
7、5 亿美元。半导体产品销售的强势增长,为半导 体材料市场提供厚实基础,作为耗材,其每年的需求量整体稳步上升。SMIC 的招股说 明书中,光阻(光刻胶及配套试剂)成本占比在所有原材料中占第二大,为 14.4%,处 在较高地位。因此综合整体半导体材料端的需求增长及光刻胶自身在材料中极高的地位, 未来光刻胶市场需求也将不断稳定扩大。晶圆制造产能扩张,光刻胶需求高增长半导体光刻胶作为关键材料,晶圆厂产能变化预示光刻胶需求变化。SMIC 的 8 寸晶圆 出货量与我国整体半导体材料销售额呈现高度正相关,因此晶圆产能的扩张节奏,可以 作为整个半导体材料的景气度风向标。我国在世界晶圆产能占比逐步提高,半导体光
8、刻胶需求随之提升。未来随着我国积极推 动芯片自主化政策,晶圆厂产能大幅提升,2010、2019 年分别超越欧洲、北美,2020 年接近日本,月产能约 318.4 万片(折合 8 寸晶圆),全球市占率约 15.3%,排名全球 第四。此外,20202025 年间受惠当地业者不断投资,以及三星、SK 海力士等内存大 厂进驻,中国大陆晶圆厂月产能将持续增加,预计将增加 3.7 个百分点,达到世界占比 接近 20%,有望升至全球第二。大晶圆消耗更多光刻胶。未来中国大陆规划的晶圆厂产能以 12 寸晶圆为主,预计国内 芯片巨头 SMIC 以及其子公司中芯北方、中芯南方 12 英寸晶圆产能总计可达每月 9.6
9、 万片。除 SMIC 外,产能规模前三名厂商分别是 SK 海力士、华虹和三星电子。截至 2020 年 5 月,SK 海力士 12 英寸晶圆总计产能可达 17.0 万片/月,华虹 12 英寸晶 圆总计产能可达 11.8 万片/ 月,三星电子 12 英寸晶圆产能总计可达 10.0 万片/月。 当前我国境内晶圆工厂 12 英寸晶圆已投产能在 86 万片/月以上,在建产能达 26 万 片/月以上,更多的大尺寸晶圆厂将带来额外的光刻胶消耗量。制程整体提高提升光刻胶单位价值量新增晶圆厂将极大提升 KrF 和 ArF 光刻胶需求量。根据 Gartner 预测,预计 2022 年 20nm 及以下占比 12%
10、, 28nm 至 90nm 占比 41%,0.13m 及以上的微米级制程占比 47%。目前,90nm 以下主要使用 12 寸晶圆,90nm 以上使用 8 寸或更小尺寸晶圆。由 于 KrF 和 ArF 胶主要应用于 0.35m 以下,应用晶圆为 8 寸或 12 寸,随着未来我国整 体晶圆新增产能集中在 12 寸线,相比于 g/i 线价值量更高的 KrF 和 ArF 光刻胶将成为 未来我国光刻胶需求增长的绝对主流。未来我国半导体光刻胶市场 KrF 和 ArF 胶的占比将继续提升。根据 Trend Bank 数据, 2020 年我国 ArF 和 KrF 胶占比分别为 44.0%和 37.0%,占比最
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