颖高效率开关电源控制器设计方案.doc

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1、的117 %. 当负载较重时，变换器工作在PWM 模式，当负载下降到一定值时，电感电流的峰值不再随着负载的变化而变化，输出电压上升，直到达到Bur st 比较器上限时才会控制功率开关关断，变换器进入到Burst 工作模式。 类似，当负载从轻载变到重载，电感电流峰值需要随着负载变化而调整时，输出电压下降，直到达到EA 基准变换器才回到PWM 工作模式。 这就相当于在模式切换的负载条件之间形成了一个迟滞窗口，窗口的下限是EA 基准，上限是Bur st 比较器上限。 另一方面，设置两个基准，还可以在模式转换时提供一个电压余量，起到抑制过冲电压的作用。3 片上电流检测片上电流检测就是把检测电感电流的功

2、能集成到控制芯片内部，尤其对于功率集成的控制器来说，其意义就显得更为重要也较易实现，且采用片上电流检测有利于有效简化外围应用电路的设计。电流检测可以根据检测电路的不同位置分为高边检测和低边检测，对于Buck 电路来说，若检测对象是流过功率开关的电流，多采用高边检测；但若检测对象是流过同步整流开关的电流，就需采用低边检测。 以高边检测为例，传统的检测方法是利用一个小电阻与功率开关串联来检测流过功率开关的电流。 但受到工艺的限制，小电阻的阻值精度通常是很低的，且会占用较多的芯片面积。 尤其在低电压供电的系统中，检测电阻上的损耗和检测精度都是严重的问题。 因此，本文采用了一种基于电流镜结构的片上电流

3、检测技术，与传统的电阻检测方法相比，它的精度较高，功率损耗小。电流检测电路主要有两个功能模块，一是功率开关电流检测模块，二是峰值电流箝位模块。功率开关电流检测的基本电路原理如图5 所示。 主要采用电流镜结构，用一个与功率开关成一定比例的MOS 管来镜像功率开关的电流。 图中PM_P 是功率开关，NM_P 是同步整流开关。 PMOS 管PM0 和PM_P组成一个简单电流镜结构。 运算放大器CSA 的作用是保持PM0 和PM_P 的V DS电压相等，它是一个两级折叠式共源共栅结构，具有较大的带宽和较快的响应速度，以达到较高的检测精度和较大的电流检测范围。PM1 的作用是防止当同步整流开关通时，CS

4、A + 端短路到地。 如果在功率开关关断的时候CSA + 短路到地，则每个周期功率开关开始打开的时候，CSA + 需要较长的恢复时间，会影响检测精度。 另一方面，功率开关导通时是工作在线性区，因此PM0 和PM_ P 的V DS电压差对电流镜的镜像精度影响较大，所以PM1 必须具有较小V DS值，可以适当地增大它的宽长比。在设计中，取PM0 和PM_ P 的宽长比的比值为1 3000 ，因此流过PM0 和PM_ P 的电流比值也为1 3000. 可得检测电压V IL 为：其中； IL 为流过功率开关的电流，也直接反映了电感电流的信息。峰值电流箝位电路原理如图6 所示，该电路同时也是电压环和电流

5、环的结合点。 图中V IL 即为（2） 式中定义，V sense和V peak即为图3 中所定义。当变换器工作在重载条件下时，误差放大器的输出较高，NM0 导通，V peak 值就会受EA 输出的调节。 假设NM0 导通时工作在饱和区，则：其中 INM0为流过NM0 的电流，随误差放大器输出的变化而变化。 V sense 和V peak 是输入到后级电流比较器的信号。结合（2） （4） 式，就可以得到电感电流和EA 输出的关系式。当变换器工作在轻载条件下时，误差放大器输出较低而不足以使得NM0 导通，此时，V peak 值就不再随着EA 输出的变化而调节。此时， （5） 式中INMO可以看作零

6、。根据（5） 和（7） 式，可以设计合适的电路参数，以保证在应用所需的负载范围之内误差放大器不会饱和，同时可以限制最大的负载值，且当负载低于一定值时实现峰值电流箝位控制。图6 中的Slop + 和Slop - 两个节点主要用来加入斜坡电流，当变换器工作在重载条件下且占空比大于50 %时，则实现斜坡补偿的功能。4 测试结果该变换器芯片在115m BCD 工艺下设计和制造。图7 为该变换器芯片的显微照片。 整个芯片面积为615mm2 ，芯片下部主要是集成的功率开关和同步整流开关，面积约为2mm2 ，上部为控制器。测试中应用的Buck 变换器拓扑如图8 示。 设置工作频率为1MHz ， 输入电压范围

7、2 7V ， 输出电压115V. 改变分压电阻的取值可改变输出电压，表1 为一组典型应用下的分压电阻取值参考。 电路可承受的负载范围为0500mA ，足以能满足一般便携式设备的应用需求。与通常提高轻载效率的方法相比，本文提出的Burst工作模式， 不仅具有较高的轻载效率， 还体现了与其他方法相比更优的负载调整率，且简化了外围应用电路设计的复杂性。5 结语提出一种高效率绿色模式降压型集成开关电源控制器的设计方案，其特点是采用了PWM 和Burst 交替的多模式控制，有效提高了变换器的效率， 并成功实现了不同模式间的平滑过渡以及过冲电压的抑制。 片上电流检测技术的应用进一步降低了芯片的功耗，提高了电源精度。 此外，功率开关和同步整流开关的集成不仅方便了片上电流检测技术的实现， 也简化了应用电路。 芯片在115m BCD 工艺下设计与实现，并得到了预期的测试结果。