4.2-电介质的损耗解析优秀PPT.ppt

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1、16.2 电介质的损耗电介质的损耗复习复习 1、什么是电介质极化？2、给出克劳修斯-莫索蒂方程及其适用范围。3、高介电晶体 的结构特点。本节内容本节内容1、介质损耗产生的缘由。2、介质损耗的表征方法。3、介质损耗的影响因素。2一、介质损耗的产生一、介质损耗的产生1.1.介质损耗介质损耗绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效介质电导和介质极化的滞后效应应，在其内部引起的能量损耗。简称介损。能量损耗-转变为其它形式的能，如热能、光能等电介质加热电介质加热:电极之间加高频电压，因构成电介质的各个分子发生旋转、振电极之间加高频电压，因构成电介质的各个分子发生旋转、振动、碰撞、摩擦等激烈运

2、动，在电介质内部发热。利用电介质发热的加热动、碰撞、摩擦等激烈运动，在电介质内部发热。利用电介质发热的加热方式为电介质加热。方式为电介质加热。+_eee3电导损耗电导损耗由由漏导电流漏导电流引起，与引起，与自由电荷自由电荷有关，对电容器施加直流电压，充电有关，对电容器施加直流电压，充电电流随时间增加而降到某一恒定的数值，这个电流称为电流随时间增加而降到某一恒定的数值，这个电流称为电容器的漏电流电容器的漏电流。2.2.介质电导和介质极化的滞后效应介质电导和介质极化的滞后效应1)1)介质电导的滞后效应介质电导的滞后效应-电导损耗结论：电导损耗实质是相当于沟通、直流电流流过电阻做功。绝缘好的液、结论

3、：电导损耗实质是相当于沟通、直流电流流过电阻做功。绝缘好的液、固电介质在工作电压下的电导损耗很小，损耗随温度的增加而急剧增加固电介质在工作电压下的电导损耗很小，损耗随温度的增加而急剧增加.+_eee与离子电与离子电导陶瓷材导陶瓷材料的漏导料的漏导现象的异现象的异同？同？4主要是因为在外电场作用下,材料内自由电荷重新分布的结果。介质漏导电流与离子电导陶瓷材料的漏导现象的异同？介质漏导电流与离子电导陶瓷材料的漏导现象的异同？1 1离子电导陶瓷材料的漏导电流离子电导陶瓷材料的漏导电流在测量陶瓷电阻时，加上直流电压后，电阻须在测量陶瓷电阻时，加上直流电压后，电阻须要经过确定的时间才能稳定。切断电源后，

4、将要经过确定的时间才能稳定。切断电源后，将电极短路，有反向放电电流，并随时间减小到电极短路，有反向放电电流，并随时间减小到零，随时间变更的这部分电流称为吸取电流，零，随时间变更的这部分电流称为吸取电流，最终恒定的电流称为漏导电流。最终恒定的电流称为漏导电流。产生的缘由产生的缘由-空间电荷效应空间电荷效应在电场作用下，正负离子分别向负、正极移动，引起介质内各 点离子密度变更，并保持在高势垒状态。在介质内部，离子削减，在电极旁边离子增加，或在某地方积聚，这样形成自由电荷的积累，称空间电荷。+-5极化损耗由极化电流引起，介质极化的建立引起电流，与极化松弛等有关；2）介质极化的滞后效应：）介质极化的滞

5、后效应：极化损耗 时间时间VP只有缓慢极化过程才会引起能量损耗，如偶极子转向极化和空间电荷极化，这种极化损耗能量。极化损耗与温度、电场频率有关。+_+-63 3）常见介质中的损耗形式）常见介质中的损耗形式非极性的液体电介质、无机晶体和非极性有机电介质电导损耗极性电介质及结构不紧密的离子固体电介质极化损耗和电导损耗7损耗角正切tg介质损耗大小损耗因子tg作为绝缘材料的选择依据品质因素Q=1/tg应用于高频损耗功率p功率的计算等效电导率=电介质发热复介电常数的复项研究材料的功率、发热有关介质的损耗描述方法有多种，哪一种描述方法比较便利，需依据用途而定。二、介质损耗的表征方法二、介质损耗的表征方法8

6、在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角)的余角()。简称介损角1 1、介质损耗角、介质损耗角 2 2、介质损耗正切值、介质损耗正切值tgtg又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下9这正是损失角=(90-)的正切值。因此现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量或者得到介损因数。总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此：电流相量的相量图：和电压相量10I=IC+IR=(iC+G)U G=S/dC=S/d损耗角正切：损耗角正切：111）复介电常数的含义）复介电常数的含义原子核外电子云的畸变极化；原子核外电子云的畸变极

7、化；分子中正、负离子的（相对）位移极化；分子中正、负离子的（相对）位移极化；分子固有电矩的转向极化。分子固有电矩的转向极化。电极化的基本过程有三：在外界电场作用下，介质的介电常数在外界电场作用下，介质的介电常数 是综合地反映这三是综合地反映这三种微观过程的宏观物理量；它是频率种微观过程的宏观物理量；它是频率 的函数的函数()()。3 3、复介电常数、复介电常数12只当频率为零或频率只当频率为零或频率很低（例如很低（例如1 1千赫）时千赫）时,三种微观过程都参与三种微观过程都参与作用，这时的介电常作用，这时的介电常数数(0)(0)对于确定的电介对于确定的电介质而言是个常数，通质而言是个常数，通称

8、为介电常数，这也称为介电常数，这也就是静电介电常数就是静电介电常数s s或低频介电常数。或低频介电常数。低频极化低频极化空间电荷空间电荷极化极化松弛极化松弛极化离子极化离子极化电子极化电子极化 工频工频 声频声频 无线电无线电 红外红外 紫外紫外极极化化率率或或 极化率和介电常数与频率的关系极化率和介电常数与频率的关系13中频极化中频极化随着频率的增加，随着频率的增加，分子固有电矩的转分子固有电矩的转向极化渐渐落后于向极化渐渐落后于外场的变更，这时，外场的变更，这时，介电常数取复数形介电常数取复数形式式()()()-()-j()j()，其中虚部，其中虚部()()代表介质损耗；代表介质损耗；它是

9、由于电极化过它是由于电极化过程追随不上外场的程追随不上外场的变更而引起的。变更而引起的。实部随着频率的增加而显著下降，虚部出现峰值。实部随着频率的增加而显著下降，虚部出现峰值。空间电荷空间电荷极化极化松弛极化松弛极化离子极化离子极化电子极化电子极化 工频工频 声频声频 无线电无线电 红外红外 紫外紫外极极化化率率或或 极化率和介电常数与频率的关系极化率和介电常数与频率的关系14 频率再增加，实部频率再增加，实部()()降至新值，虚部降至新值，虚部()()变为零，这表示变为零，这表示分子固有电矩的转向极分子固有电矩的转向极化已不能响应了。化已不能响应了。当频率进入到红外区，当频率进入到红外区，分

10、子中正、负离子电矩分子中正、负离子电矩的振动频率与外场发生的振动频率与外场发生共振时，实部共振时，实部()()先先突然增加，随即陡然下突然增加，随即陡然下降降,(),()又出现峰值；又出现峰值；过此以后，正、负离子过此以后，正、负离子的位移极化亦不起作用的位移极化亦不起作用了。了。高频极化空间电荷空间电荷极化极化松弛极化松弛极化离子极化离子极化电子极化电子极化 工频工频 声频声频 无线电无线电 红外红外 紫外紫外极极化化率率或或 极化率和介电常数与频率的关系极化率和介电常数与频率的关系15光频极化光频极化在可见光区在可见光区,只有电子只有电子云的畸变极化在起作云的畸变极化在起作用了用了,这时实

11、部取更小这时实部取更小的值，称为光频介电的值，称为光频介电常数，记以常数，记以，虚部对应于光吸取。虚部对应于光吸取。光频介电常数光频介电常数事实上随频率的增加事实上随频率的增加而略有增加。而略有增加。在某些频率时在某些频率时,实部实部()()先突然增加随先突然增加随即陡然下降，与此同即陡然下降，与此同时虚部时虚部()()出现峰出现峰值，这对应于电子跃值，这对应于电子跃迁的共振吸取。迁的共振吸取。空间电荷空间电荷极化极化松弛极化松弛极化离子极化离子极化电子极化电子极化 工频工频 声频声频 无线电无线电 红外红外 紫外紫外极极化化率率或或 极化率和介电常数与频率的关系极化率和介电常数与频率的关系1

12、6J=(i+)E复电导率：复电导率：*=i+J=*EJ=i*E I=IC+IR=(iC+G)U G=S/dC=S/d复介电常数复介电常数2 2）漏导复介电常数：）漏导复介电常数：17复介电常数:*=-i”=”=/损耗角正切：和”是依靠于频率的量介质的损耗由复介电常数的虚部引起，通常电容电流由实部引起，相当于实际测得介电常数。18 时间时间P志向志向Po实际实际P 介质的弛豫过程极化强度随时间变更的速率P0=x0E，P1=x1Ex0，x1确定极化系数，是弛豫时间常数2 2）极化损耗的复介电常数）极化损耗的复介电常数19交变电场作用下的P(t)为：-复极化系数(相对)A.极化损耗复介电常数极化损耗

13、复介电常数20低频或者静态低频或者静态:r取取(0)，(0)代表静态相对介电常数；代表静态相对介电常数；频率频率:r ，代表光频相对介电常数代表光频相对介电常数C.(0)和和B.极化损耗复介电常数含义：极化损耗复介电常数含义：21 其中：其中：(0)-(0)-低或静态的相对介电常数低或静态的相对介电常数 -时的相对介电常数时的相对介电常数r()=+(0)-/(1+i)r=+(0)-/(1+22)（r()的实部）r=(0)-/(1+22)（r()的虚部）tg=r/rD.复介电常数的德拜表达式复介电常数的德拜表达式22探讨了电介质的介电常数探讨了电介质的介电常数、反映介电损耗的、反映介电损耗的r

14、r、所加电场的角频率、所加电场的角频率及松弛时间及松弛时间的关系。的关系。0.1 1 10 (0)rr =1=1，r r 最大，大于或小于最大，大于或小于1 1 时，时，r r 都小，都小，即：松弛时间和所加电场的频率相比，较大时，偶极子来不及转移定向，即：松弛时间和所加电场的频率相比，较大时，偶极子来不及转移定向，r r 就小；松弛时间比所加电场的频率还要迅速，就小；松弛时间比所加电场的频率还要迅速，r r 也小。也小。E.E.德拜表达式的意义德拜表达式的意义231）直流电压下）直流电压下PW=IU=GU2G为介质的电导,单位为西门子(S)。在确定的直流电场下，介质损耗率取决于材料的电导率4

15、 4、介质损耗功率、介质损耗功率定义单位体积的介质损耗为介质损耗功率介质损耗功率p p，V为介质体积，为纯自由电荷产生的电导率(S/m)。242 2）沟通电压下）沟通电压下=tg介质等效电导率介质损耗只与tg有关。tg仅由介质本身确定，称为损耗因素。r即为通常测量的r，则在高频电压下在高频电压下，1,在低频电压下，在低频电压下，1,与与2成正比。成正比。r=(0)-/(1+22)介质损耗不仅与自由电荷的电导有关，还与松弛极化过程有关。外施电压确定时外施电压确定时:251）当外加电场频率很低，即0时，介质的各种极化都能跟上外加电场的变更，此时不存在极化损耗，介电常数达最大值。介电损耗主要由电导损

16、耗引起，PW和频率无关。tg=/，则当0时，tg。随着的上升，tg减小。三、三、介质损耗的影响因素介质损耗的影响因素频率、温度、湿度频率、温度、湿度1.1.频率的影响频率的影响262）当外加电场频率渐渐上升时，松弛极化在某一频率起先跟不上外电场的变更，松弛极化对介电常数的贡献渐渐减小，因而r随上升而削减。在这一频率范围内，由于1，此时tg随上升而减小。时，tg0。28（1）当温度很低时,较大,由德拜关系式可知,r较小，tg也较小2.2.温度的影响温度的影响在此温度范围内，随温度上升，减小，r、tg和PW上升。温度对松弛极化产生影响，因而P，和tg与温度关系很大。松弛极化随温度上升而增加，离子间

17、易发生移动，松弛时间常数减小。29(2)当温度较高时，大于Tm，较小，此时在此温度范围内，随温度上升，减小，tg减小。PW主要确定于极化过程，PW也随温度上升而减小。30（3）当温度接着上升，达到很大值时，离子热运动能量很大，离子在电场作用下的定向迁移受到热运动的阻碍，因而极化减弱，r下降。电导损耗猛烈上升，tg也随温度上升急剧上升。31介质吸潮后，介电常数会增加，但比电导的增加要慢，由于电导损耗增大以及松驰极化损耗增加，而使tg增大。对于极性电介质或多孔材料来说，这种影响特殊突出，如，纸内水分含量从4增加到10时，其tg可增加100倍。3.3.湿度的影响湿度的影响32四、压碱效应和双碱效应四

18、、压碱效应和双碱效应（一）玻璃态电导的压碱效应和双碱效应（一）玻璃态电导的压碱效应和双碱效应1 1、玻璃电导中为什、玻璃电导中为什么接受压碱效应和双么接受压碱效应和双碱效应？碱效应？因为玻璃的结构松散，碱金属离子不能与两个氧原子联系以延因为玻璃的结构松散，碱金属离子不能与两个氧原子联系以延长点阵网络，形成弱联系离子，所以电导会增加。长点阵网络，形成弱联系离子，所以电导会增加。2 2、玻璃态电导的压碱效应和双碱效应的作用、玻璃态电导的压碱效应和双碱效应的作用减小玻璃减小玻璃电导率电导率3 3、玻璃态电导的压碱效应和双碱效应的机理、玻璃态电导的压碱效应和双碱效应的机理 指当玻璃中碱指当玻璃中碱 金

19、属离子总浓度较大时金属离子总浓度较大时(占玻璃组成占玻璃组成25-30%)25-30%)，碱，碱金属离子总浓度相同的状况下，含两种碱金属离子比含一种碱金金属离子总浓度相同的状况下，含两种碱金属离子比含一种碱金属离子的玻璃电导率要小。属离子的玻璃电导率要小。A.A.双碱效应：双碱效应：33R K+R Li+，在外电场的作用下，碱金属离子移动时，Li+离子留下的空位比K+留下的空位小，K+只能通过本身的空位；Li+进入大体积空位，产生应力，不稳定，只能进入同种离子空位较为稳定；大离子不能进入小空位，使通路堵塞，阻碍小离子的运动；相互干扰的结果使电导率大大下降。以K2O、Li2O为例例例34指含碱破

20、璃中加入二价金属氧化物，特殊是重金属氧化物，使玻璃的电导率降低，相应的阳离子半径越大，这种效应越强。压碱效应机理压碱效应机理由于二价离子与玻璃中氧离子结合比较坚实，能嵌入玻璃网络结构，以致堵住了迁移通道，使碱金属离子移动困难，因而电导率降低。结论：结论：一般玻璃相的电导率比晶体相高。因此对介质一般玻璃相的电导率比晶体相高。因此对介质材料应尽量削减玻璃相的电导。材料应尽量削减玻璃相的电导。B.B.压碱效应压碱效应：35（一）玻璃态损耗的压碱效应和双碱效应（一）玻璃态损耗的压碱效应和双碱效应1 1、玻璃损耗中为、玻璃损耗中为什么接受压碱效应什么接受压碱效应和双碱效应？和双碱效应？因为碱性氧化物进入

21、玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏。因为碱性氧化物进入玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏。因此，玻璃中碱性氧化物浓度愈大，玻璃结构就愈疏松，离子就有可因此，玻璃中碱性氧化物浓度愈大，玻璃结构就愈疏松，离子就有可能发生移动，造成电导损耗和松弛损耗，使总的损耗增大能发生移动，造成电导损耗和松弛损耗，使总的损耗增大2 2、玻璃态电导的压碱效应和双碱效应的作用、玻璃态电导的压碱效应和双碱效应的作用减小玻璃减小玻璃损耗损耗36两种碱性氧化物加入后，在玻璃中形成微晶结构，在碱性氧化物的确定两种碱性氧化物加入后，在玻璃中形成微晶结构，在碱性氧化物的确定比值下，形成的化合物中，离子与主体结构较

22、强地固定着，事实上不参比值下，形成的化合物中，离子与主体结构较强地固定着，事实上不参与引起介质损耗的过程；在离开最佳比值的状况下，一部分碱金属离子与引起介质损耗的过程；在离开最佳比值的状况下，一部分碱金属离子位于微晶的外面，即在结构的不紧密处，使介质损耗增大。位于微晶的外面，即在结构的不紧密处，使介质损耗增大。3 3、玻璃态损耗的压碱效应和双碱效应的机理、玻璃态损耗的压碱效应和双碱效应的机理A.双碱效应：双碱效应：在在含含碱碱玻玻璃璃中中加加入入二二价价金金属属氧氧化化物物，特特殊殊是是重重金金属属氧氧化化物物时时，压压抑抑效效应应特特殊殊明明显显。因因为为二二价价离离子子有有二二个个键键能能

23、使使松松弛弛的的碱碱玻玻璃璃的的结结构构网网巩巩固固起来，削减松弛极化作用，因而使起来，削减松弛极化作用，因而使tgtg降低。降低。B.B.压碱效应压碱效应37电介质损耗用作一种电加热手段，即利用高频电场（一般为0.3300兆赫）对电介质损耗大的材料（如木材、纸、陶瓷等）进行加热。频率高于300兆赫时，达到微波波段，即为微波加热（家用微波炉即据此原理）。五、介电损耗的应用五、介电损耗的应用当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合，应尽量接受介质损耗因数（即电介质损耗角正切tg，它是电介质损耗与该电介质无功功率之比）较低的材料。38 总之，介质损耗是介质的电导和松弛极化引起的电总之，介质损耗是介质的

24、电导和松弛极化引起的电导和极化过程中带电质点（弱束缚电子和弱联系离子，导和极化过程中带电质点（弱束缚电子和弱联系离子，并包括空穴和缺位）移动时，将它在电场中所吸取的能并包括空穴和缺位）移动时，将它在电场中所吸取的能量部分地传给四周量部分地传给四周“分子分子”，使电磁场能量转变为，使电磁场能量转变为“分子分子”的热振动，能量消耗在使电介质发热效应上。的热振动，能量消耗在使电介质发热效应上。结论：结论：396.3 介电击穿介电击穿 一、介质的击穿一、介质的击穿二、击穿类型二、击穿类型热击穿热击穿电击穿电击穿化学击穿化学击穿三、改善击穿的措施三、改善击穿的措施本节内容本节内容复习复习 1、电介质产生

25、损耗的缘由？2、表征电介质损耗的复介电常数的表达式及含义是什么？3、介质损耗的影响因素。40一、介质的击穿一、介质的击穿在强电场作用下，电介质丢失电绝缘实力，电介质的电导突然增大甚至引在强电场作用下，电介质丢失电绝缘实力，电介质的电导突然增大甚至引起结构损坏或裂开，称为介电击穿。起结构损坏或裂开，称为介电击穿。a.可用击穿效应来裂开非金属矿石等b.击穿是标记电介质在电场作用下保持绝缘性能的极限实力，是确定电力设备，电子元器件最终运用寿命的重要因素。+_eee+_eeeeeee1.1.介电击穿介电击穿413.3.介电强度介电强度2.2.击穿电压击穿电压导致击穿的最低临界电压称为击穿电压。电介质能

26、够经受而不致损坏的最大电场称为击穿场强电介质能够经受而不致损坏的最大电场称为击穿场强,即即介电强度介电强度EcEc，是绝缘性能好坏的一个重要标记。，是绝缘性能好坏的一个重要标记。匀整电场介电强度:击穿电压与固体电介质厚度之比称为击穿电场强度（简称击穿场强，又称介电强度），它反映固体电介质自身的耐电强度。不匀整电场介电强度:击穿电压与击穿处固体电介质厚度之比称为平均击穿场强，它低于匀整电场中固体电介质的介电强度。42在在电电场场作作用用下下，固固体体电电介介质质承承受受的的电电场场强强度度虽虽不不足足以以发发生生电电击击穿穿，但但因因电电介介质质内内部部热热量量积积累累、温温度度过过高高而而导导

27、致致失失去去绝绝缘缘实实力力，从从而而由由绝绝缘缘状状态态突突变变为为良良导电状态。导电状态。（一）（一）固体电介质的热击穿固体电介质的热击穿1 1）热击穿的本质）热击穿的本质发生在高频、高压下。热击穿的核心问题是散热问题。二、固体电介质的击穿类型及影响因素二、固体电介质的击穿类型及影响因素 热击穿、电击穿和电化学击穿43Q1：单位时间内固体电介质的发热量Q2:单位时间内固体电介质的散热量E3 Ec E12 2）热击穿过程）热击穿过程固体电介质在电场作用下将因电导和极化损耗而发热。A.A.外加电场为外加电场为E3Ec E3Ec 固体电介质中的发热量固体电介质中的发热量Q1Q1大于大于散热量散热

28、量Q2 Q2，介质温度上升，且，介质温度上升，且因因Q1 Q1 始终大于始终大于Q2Q2，所以固体电，所以固体电介质的温度不断上升，最终介质介质的温度不断上升，最终介质被烧焦、烧熔、或烧裂，丢失绝被烧焦、烧熔、或烧裂，丢失绝缘性能，发生热击穿。缘性能，发生热击穿。44B.B.外加电场为外加电场为E1 EcE1Q2 Q1Q2，固固体体电电介介质质温温度度上上升升；但但当当温温度度度度升升到到TcTc时时，发发热热量量与与散散热热量量 相相等等，建建立立起起了了热热平平衡衡。此此时时，若若介介质质能能耐耐受受温温度度TcTc的的作作用用，则则固固体体电电介介质质能能正正常常工工作作，不不会发生热击

29、穿。会发生热击穿。C.外加电压为等于外加电压为等于Ec当当介介质质温温度度升升到到Tc时时，建建立立起起了了热热平平衡衡，但但不不稳稳定定。温温度度略略有有上上升升，发发热热量量Q1即即大大于于散散热热量量Q2，最最终终照照旧旧发发生生热热击击穿穿。电电场场强强度度Ec是是发发生生热击穿的临界场强热击穿的临界场强Ec。介质中发热与散热平衡关系示意图45A，B是与材料有关的常数。(1)热击穿电压随环境温度上升而降低。(2)热击穿电压大致不随介质的厚度变更。1）温度不匀整的厚膜介质2.温度匀整薄膜介质e为自然对数的底，Uc随试样厚度的平方根而变更。3 3）热击穿电压）热击穿电压46电击穿是介质在强

30、电场作用下,被击发出自由电子而引起电介质中存在的少量传导电子在强外电场加速下得到能量。若电子与点阵碰撞损失的能量小于电子在电场加速过程中所增加的能量，则电子接着被加速而积累起相当大的动能，足以在电介质内部产生碰撞电离，形成电子雪崩现象。结果电导急剧上升，最终导致击穿。（二）（二）固体介质的电击穿固体介质的电击穿电击穿 取决于固体电介质中碰撞电离的一种击穿形式。电场使电介质中积聚起足够数量和足够能量的自由电子，导致电介质丢失绝缘性能。1 1）电击穿的本质）电击穿的本质Eeeeeeee471)外加电场为外加电场为 E2 Ec一部分传导电子的能量处于一部分传导电子的能量处于W2 Wc 之间，之间，单

31、位时间内这些电子取得的能量单位时间内这些电子取得的能量A始终大于失始终大于失去的能量去的能量B，电子被加速，碰撞晶格时产生电，电子被加速，碰撞晶格时产生电离，使处于离，使处于导带的电子不断增加导带的电子不断增加，电流急剧上，电流急剧上升，最终导致固体电介质击穿。升，最终导致固体电介质击穿。2)外加电场为外加电场为E1 B而使晶格发生碰撞电离、产生新的而使晶格发生碰撞电离、产生新的传导电子；但因电子能量大于传导电子；但因电子能量大于W1 的概率很低的概率很低,所以传导电子不断增多的过程很难出现，固体所以传导电子不断增多的过程很难出现，固体电介质不会击穿。电介质不会击穿。A、B与W的关系E2EcE

32、1晶格温度T为定值介电强度介电强度:处于临界状态的处于临界状态的E Ec c 即为固体电介质的即为固体电介质的介电强度介电强度A:A:单位时间内这些电子取得单位时间内这些电子取得的能量的能量B:B:单位时间内传导电子失去单位时间内传导电子失去的能量的能量E:E:电场强度电场强度W:W:电子本身能量电子本身能量T:T:晶格温度晶格温度2）电击穿的过程）电击穿的过程483 3）击穿场强）击穿场强多发生在温度较低、电压作用时间较短时，纯净、匀整固体电介质中。当电场上升到使平衡破坏时，碰撞电离过程便立刻发生。把这一起始场强作为介质电击穿场强的理论即为本征击穿理论.A.A.本征电击穿理论本征电击穿理论本

33、征电击穿场强，随温度上升而降低。温度温度491）“雪崩”电击穿理论以碰撞电离后自由电子数倍增到确定数值（足以破坏介质绝缘状态）作为电击穿判据。2）Seitz提出以电子“崩”传递给介质的能量足以破坏介质晶体结构作为击穿判据。B.“B.“雪崩雪崩”电击穿理论电击穿理论电击穿判据：本征击穿理论中增加导电电子是继稳态破坏后突然发生的，而“雪崩”击穿是考虑到高场强时，导电电子倍增过程渐渐达到难以忍受的程度，最终介质晶格破坏。“雪崩雪崩”电击穿和本征电击穿在理论上有明显的区分：电击穿和本征电击穿在理论上有明显的区分：50“四十代理论四十代理论”从阴极动身的电子，一方面进行“雪崩”倍增；另一方面对阳极运动。

34、由阴极动身的初始电子，在其向阳极运动的过程中，1cm内的电离次数达到40次，介质便击穿。一般用来说明“雪崩”击穿的形成，并称之为“四十代理论”。由“四十代理论”可以推断，当介质很薄时，碰撞电离不足以发展到四十代，电子崩已进入阳极复合，此时介质不能击穿，即这时的介质击穿场强将要提高。51在电场、温度等因素作用下，固体电介质因缓慢的化学变更，而引起其电气性能渐渐劣化，最终由绝缘状态突变为良导体状态的过程。（三）电化学击穿（三）电化学击穿包括两部分：因固体电介质发生化学变更而引起的电介质老化；与老化有关的击穿过程。2 2）电化学击穿过程）电化学击穿过程1 1）电化学击穿本质）电化学击穿本质电介质中强

35、电场产生的电流在例如高温等某些条件下可以引起电化学反应。521）直流电压下，固体电介质因离子电导而发生电解，结果在电极旁边形成导电的金属树状物，甚至从一个电极伸展到另一个电极。结果在两电极间构成导电的通路2）在电场作用下，固体电介质内部的气泡中，或不同固体电介质之间的气隙或油隙中，会发生局部放电，造成局部电导增加而出现局部击穿，并渐渐扩展成完全击穿。化学老化击穿过程化学老化击穿过程与离子电导陶瓷的电与离子电导陶瓷的电化学老化的异同？化学老化的异同？温度越高，电压作用时间越长，化学形成的击穿也越简洁发生。温度温度Eeee53 (1)阳离子-阳离子电导 参与导电的为阳离子。同时电极的Ag+也能参与

36、漏导。最终两种离子在阴极处都被电子中和，形成新物质。(2)阴离子-阳离子电导 参与导电的既有正离子，也有负离子。它们分别在阴极、阳极被中和，形成新物质。离子陶瓷材料的电化学老化现象离子陶瓷材料的电化学老化现象指在电场作用下，由于化学变更引起材料电性能不行逆的恶化。电化学老化的缘由电化学老化的缘由离子在电极旁边发生氧化还原过程Ag+eAg2Cl-2eCl254(3)电子-阳离于电导参与导电的为一种阳离子，还有电子。例如含钛陶瓷，阳离子Ti4+发生电还原过程Ti4+eTi3+(4)电子-阴离子电导参与导电的为一种阴离子，还有电子。例如TiO2在高温下发生缺氧过程，在高温下，氧离子在阳极放出氧气和电

37、子，在阴极Ti4+被还原成Ti3+阴极4Ti4+4e4Ti3+阳极2O2-O2+4e介质中的离子至少有一种参与电导。假如电导纯属电子，则电化学者化不行能发生。电化学老化的必要条件电化学老化的必要条件55同一种电介质中发生何种形式的击穿，取决于不同的外界因素。随着击穿过程中固固体电介质内部的变更，击穿过程可以从一种形式转为另一种形式。三、影响击穿的因素三、影响击穿的因素 温度温度56依据固体电介质的击穿形式及影响击穿电压的因素，提高固体电介质击穿电压的主要措施有：改善电场电场分布，如电极边缘的固体电介质表面涂半导电漆；调整多层绝缘中各层电介质所承受的电压；对多孔性、纤维性材料晶干燥后浸油、浸漆。以防止吸潮，提高局部放电起始电压；加强冷却，提高热击穿电压；改善环境条件，防止高温，避开潮气臭氧等有害物质的侵蚀。四、提高击穿电压措施四、提高击穿电压措施