低频电子线路.pptx

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1、低频电子线路山东大学信息科学与工程学院刘志军2021/9/121低频电子线路回顾上节课内容双极型晶体三极管l双极型晶体管的导电原理l晶体管电流分配关系和放大晶体三极管的放大作用2021/9/122低频电子线路本节课内容双极型晶体管的伏安特性曲线三极管主要参数晶体管命名法2021/9/123低频电子线路1.3.3 双极型晶体管的伏安特性曲线BJT的伏安特性曲线是指其各极电压与电流的关系。不同的放大器特性曲线内容意义不同。2021/9/124低频电子线路网络端口特性将晶体管视为二端口网络二端口网络，则特性曲线应有两组，即输入端输入端和输出端输出端的特性曲线。vBEvCEiBiC+2021/9/12

2、5低频电子线路输入特性曲线（图）iBvBE0vCE=01v2021/9/126低频电子线路输入特性曲线表达式2021/9/127低频电子线路输入特性曲线分析V VCECE增大增大时时，曲线略有右移，到一定程度则不再变化。这是管子的基调效应。2021/9/128低频电子线路输出特性曲线（图）Ic(mA)vCE(V)0击穿区截止区饱和区工作区2021/9/129低频电子线路输出特性曲线表达式2021/9/1210低频电子线路输出特性曲线分析有四个区l饱和区l工作区l截止区l击穿区2021/9/1211低频电子线路饱和区 eb结和cb结均为正偏。管子完全导通，其正向压降正向压降很小。相当一个开关“闭

3、合（Turnon）”。2021/9/1212低频电子线路工作区 eb结正偏，cb结反偏。这是管子的正常放大状态。此时具有“恒流特性”。2021/9/1213低频电子线路截止区 eb结和cb结均为反偏。管子不通，相当于一个“开关”打开（Turnoff）。管子的cb结承受大的反向电压反向电压。2021/9/1214低频电子线路击穿区 管子被反向电压（太大）击穿。管子的PN结特性破坏。2021/9/1215低频电子线路注意厄利电压（基调效应）。截止区对应iB=ICBO曲线以下区域。iC电流增大，略有增大。工作区的恒流特性和厄利电压有关。2021/9/1216低频电子线路1.3.4 三极管主要参数管子

4、参数是衡量晶体管质量好坏和选择管子的主要依据。2021/9/1217低频电子线路1.电流放大参数 电流放大参数用以衡量管子的放大性能。2021/9/1218低频电子线路 共基直流电流放大参数2021/9/1219低频电子线路共基交流电流放大参数2021/9/1220低频电子线路共射直流电流放大参数 2021/9/1221低频电子线路共射交流电流放大参数 2021/9/1222低频电子线路管子的取值放大状态一般取一般取 =3060 =3060。太小太小 的管子放大不足。太大太大 的管子工作不稳定。2021/9/1223低频电子线路2.极间反向电流极间反向电流极间反向电流 是指管子各电极之间的反向

5、漏电流参数。2021/9/1224低频电子线路C、B间反向饱和漏电流2021/9/1225低频电子线路 管子C、E间反向饱和漏电流2021/9/1226低频电子线路管子反向饱和漏电流硅管比锗管小。此值与本征激发本征激发有关。取决于温度特性（少子特性）。温度特性（少子特性）。2021/9/1227低频电子线路3.极限参数使用时不应超过管子的极限参数值。否则使用时可能损坏。2021/9/1228低频电子线路集电极最大允许电流ICM留有一定的余量。ICM指下降到额定值的2/3时的IC值。2021/9/1229低频电子线路集电极最大允许功耗PCM击穿区的功率损耗线（见下图）2021/9/1230低频电

6、子线路集电极最大允许功耗PCM（图）vCE0击穿区iB2021/9/1231低频电子线路反向击穿电压2021/9/1232低频电子线路反向击穿电压另有VCEOVCERVCES2021/9/1233低频电子线路极限参数以上介绍的三个极限参数PCM ICM V（BR）CEO所限定的区域称为晶体管安全工作区。2021/9/1234低频电子线路 1.8 晶体管命名法1、国产半导体分立元件标准国产半导体分立元件标准 （国标）（国标）2 2、国产半导体集成电路标准、国产半导体集成电路标准（国标）（国标）2021/9/1235低频电子线路1、国产半导体分立元件标准（国标）中中国国国国家家标标准准（GB249

7、74）规规定定的的中国半导体器件型号命名方法中国半导体器件型号命名方法2021/9/1236低频电子线路中国半导体器件命名法中国半导体器件命名法第一部分：用数字表示器件的电极数目电极数目第二部分：用汉语拼音字母表示材料和材料和 极性极性第三部分：用汉语拼音字母表示器件的 类型类型第四部分：用数字表示器件序号序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号规格号2021/9/1237低频电子线路第一部分用数字表示器件的电极数目符号和意义l2 2 二极管二极管l3 3 三极管三极管2021/9/1238低频电子线路第二部分用汉语拼音字母表示材料和极性2021/9/1239低频电子线路第二部分（二极管）lAN

8、型锗材料lBP型锗材料lCN型硅材料lDP型硅材料2021/9/1240低频电子线路第二部分（三极管）lAPNP型锗材料lBNPN型锗材料lCPNP型硅材料lDNPN型硅材料lE化合物材料2021/9/1241低频电子线路第三部分用汉语拼音字母表示器件的类型lP普通管lV微波管lW稳压管lC参量管2021/9/1242低频电子线路第三部分用汉语拼音字母表示器件的类型lZ整流管lL整流堆lS隧道管lN阻尼管lU光电器件lK开关管2021/9/1243低频电子线路第三部分X低频小功率管（f3MHz,Pc1W）G高频小功率管（f3MHz,Pc1W）D低频大功率管（f3MHz,Pc1W）A高频大功率管

9、（f3MHz,Pc1W）2021/9/1244低频电子线路第三部分lT闸流管（可控整流器）lY体效应器件lB雪崩管lJ阶跃恢复管lCS场效应管lBT特殊器件lFH复合管lPINPIN型管lJG激光器件2021/9/1245低频电子线路第三部分注：有些半导体器件（如场效应管、特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件等）的型号第三部分只有其中的三、四、五部分2021/9/1246低频电子线路第四部分用数字表示器件序号2021/9/1247低频电子线路第五部分用汉语拼音字母表示规格号2021/9/1248低频电子线路示 例锗PNP型高频小功率三极管3AG11C规格号序号高频小功率PNP型锗材料三极管2

10、021/9/1249低频电子线路示例CS2B规格号序号场效应器件2021/9/1250低频电子线路日本半导体型号标准日本工业标准（日本工业标准（JIS-C-7012）规定的日）规定的日本半导体分立器件型号命名方法本半导体分立器件型号命名方法由五个基本部分组成，这五个基本部分五个基本部分的符号及意义见实验讲义。2021/9/1251低频电子线路示例2SA495JEIA登记号PNP高频管JEIA注册产品三极管2021/9/1252低频电子线路示例2SC502A2SC502改进型JEIA登记号NPN高频管JEIA注册产品三极管2021/9/1253低频电子线路欧洲半导体器件型号命名法欧洲半导体器件型

11、号命名法欧洲各国（德国、法国、意大利、荷兰等和匈牙利、罗马尼亚、波兰等国家），大都是用国际电子联合会的标准半导体国际电子联合会的标准半导体分立器件型号命名法分立器件型号命名法。这种命名法由四四个基本部分个基本部分组成，各部分的符号及意义见实验讲义。2021/9/1254低频电子线路示例BTX64200最大反向峰值电压200伏专用器件登记号大功率可控硅硅材料2021/9/1255低频电子线路美国半导体型号命名方法命名方法美国电子工业协会(EIA)的半导体分立器件型号命名方法规定，半导体分立器件型号由五五部部分分组组成成。第一部分为前缀，第五部分为后缀，中间三部分为型号的基本部分。这五部分的符号及

12、其意义见实验讲义。2021/9/1256低频电子线路示例JAN2N3553登记号注册标志三极管军用品2021/9/1257低频电子线路示例2N1050C2N1050的C档EIA登记号EIA注册标志非军用品2021/9/1258低频电子线路2、国产半导体集成电路标准第一部分：用字母表示器件符号（国标）第二部分：用字母表示器件类型第三部分：用阿拉伯数字表示器件系列和品种代号第四部分：用字母表示器件的工作温度范围第五部分：用字母表示器件的封装2021/9/1259低频电子线路第一部分C（中国制造中国制造）2021/9/1260低频电子线路第二部分用字母表示器件类型器件类型lTTTLlHHTLlEEC

13、LlCCMOS2021/9/1261低频电子线路第二部分（续）lF线性放大器lD音响电视电路lW稳压器lJ接口电路lB非线性电路lM存储器l微机电路2021/9/1262低频电子线路第三部分第三部分：用阿拉伯数字表示器件系列器件系列2021/9/1263低频电子线路第四部分用字母表示器件的工作温度范围工作温度范围lC070CE4085CR5585CM55125C2021/9/1264低频电子线路第五部分用字母表示器件的封装器件的封装lW陶管扁平B塑料扁平F全密封扁平D陶瓷直插P塑料直插J黑陶瓷直插K金属菱形T金属圆形l-2021/9/1265低频电子线路实例CF0741CTl线性通用运放070

14、C金属圆形封装2021/9/1266低频电子线路实例CC14512MFlCMOS8选一数据选择器55125C全密封扁平封装2021/9/1267低频电子线路欧洲集成电路型号命名法欧洲集成电路型号命名法欧洲各国生产的集成电路绝大部分按欧洲电子联盟规定命名。2021/9/1268低频电子线路欧洲集成电路型号欧洲集成电路型号基本规律型号由三部分组成三部分组成。2021/9/1269低频电子线路第一部分由三个字母组成，第一个字母表示无线电类；第 二 个 字 母 表 示 使 用 范 围，如 表 示070，表示55125，表示2570。第三个字符没有特殊规定。2021/9/1270低频电子线路第二部分由阿

15、拉伯数字组成，表示器件的序号及类型序号及类型。2021/9/1271低频电子线路第三部分是尾标，表示封装形式尾标，表示封装形式。通常有两种：一种是用一个字母表示。如：表示圆柱型；表示塑料双列；表示陶瓷双列；表示四列引线；表示扁平；表示芯片。另一种用两个字母表示，第一个字母表示封装形式，如表示柱行；表示双列引线；表示功率双列引线；表示扁平双列引线；表示扁平四列引线；表示菱形；表示多重引线；表示带散热片国率性四列引线；表示三列引线。第二个字母表示封装材料，如：C表示金属陶瓷；P表示塑料；G表示玻璃陶瓷。2021/9/1272低频电子线路实例TDA0161DP塑料双列封装(第三部分)感应开关集成电路

16、(第二部分)法国汤姆逊公司生产(第一部分)2021/9/1273低频电子线路国外厂家型号美国仙童公司A、F美国国民半导体公司LF、LM、LH美国模拟器件公司AD日本松下AH日本东芝TA、TC美国国家半导体公司LM2021/9/1274低频电子线路国外厂家型号美国得克萨斯器件公司TL、TP、SN日本三洋公司LA日本三菱公司M美国摩托罗拉公司MC、TDA法国汤姆逊公司TAA荷兰飞利浦公司TBA、TDA、TCA、NE日本夏普公司IX-。2021/9/1275低频电子线路封装和管脚排列见实验指导书。2021/9/1276低频电子线路预习下节课内容第二章模拟集成单元电路l2.1放大器概述2021/9/1277低频电子线路本小节结束（1-77）谢谢！谢谢！2021/9/1278低频电子线路