工艺培训.ppt
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1、多晶硅太阳电池培训一期太阳电池生产大致分为:1,制绒2,清洗3,扩散4,刻蚀5,PECVD6,印刷烧结7,测试分档制绒去除损伤层形成减反射绒面(陷光结构)目的:多晶制绒:水洗槽水洗槽酸制绒机制绒槽烘干扩散前清洗原材料检验碱洗槽水洗槽酸洗槽SCHMID 大致构造“一化一水”,硅片每经过一次化学品,都会经过一次水喷淋清洗。上片刻蚀槽HNO3/HF水喷淋碱洗槽KOH水喷淋去PSG槽HF水喷淋下片风刀多晶制绒原理:在酸性溶液的腐蚀作用下硅片表面产生蜂窝状绒面,该腐蚀现象可以用氧化化学腐蚀的理论进行解释。化学反应方程如下:硅被HNO3氧化,反应为:用HF去除SiO2层,反应为:总反应为总反应为:生产规范
2、:不允许手直接接触硅片,需佩戴PVC手套。手套污染后必需更换。制绒后硅片上表面制绒后硅片上表面:颜色较亮颜色较亮制绒后硅片下表面制绒后硅片下表面:颜色较暗(作为扩散面)颜色较暗(作为扩散面)注意事项注意事项:制绒设备运行过程中必须确保负压排风系统运行正常。制绒设备的观察窗在生产过程中除维修外必须关闭,如确实需要开启,处理完问题后必须及时关闭;设备运行过程中,严禁将身体的任何部位伸入设备内,任何情况下严禁单独在设备内工作。在使用腐蚀性化学制品时必须做好防护工作。设备使用过程中各部位必须保持清洁,要求定期清理碎片和清洗槽体。操作人员必须按要求佩戴好防护用品,严禁裸手接触硅片。1、腐蚀深度,即硅片减
3、少的厚度(腐蚀速率)工艺关键控制点:2、溶液配比,自动补液量3、温度(制绒槽反应的温度)4、带速,制绒槽循环流速等清洗 目的目的目的目的:为了保证多晶电池制绒后,进行扩散工序时,硅片表面的清洁、干燥,利用盐酸、氢氟酸和去离子水,去除硅片表面残留的溶液和杂质;利用甩干机将硅片表面的水甩干。生产注意点:硅片经清洗后表面脱水效果良好,甩干后表面清洁、干燥。操作操作要求要求:1,要求员工生产或维修等作业时,需按要求着装,佩戴干净的手套;2,要求加换液操作时,需先擦拭干净化学品瓶的外壁,换液时需对各槽进行清洗并取出清洗槽中残留的碎硅片。3,清洗机槽体、进出料口需保持清洁;4,甩干机内部需保持干净;5,晶
4、片盒,花篮等按规定区域存放,避免沾污引入清洗甩干过程注意事项注意事项:清洗机的酸液排放量和频次需要与外围废水处理能力相适合,避免环境事故;进行加液和换液操作时,人员需按规定佩戴劳保用品;正常生产时,清洗机的窗口需关闭,保证抽风效果,避免酸雾外泄;遇到酸泄露或人员接触酸液后,需按照MSDS(化学品安全说明书)的方法进行正确处理;甩干机运转未停止时,禁止开盖;正常生产时,关闭清洗机的照明灯扩散制作太阳电池的硅片导电类型是P型的,也就是说在制造硅片时,已经掺进了一定量的硼元素,使之成为P型的硅片。如果我们把这种硅片放在一个石英容器内,同时对此石英容器内加热到一定温度,并将含磷的气体通入这个石英容器内
5、,这时施主杂质磷可从化合物中分解出来,在容器内充满着含磷的蒸汽。磷原子能从四周进入硅片的表面层,并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散。在有磷渗透的一面就形成了N型,在没有渗透的一面是原始P型的,这样就达到了在硅片内部形成了所要的PN结。-这就是所说的扩散扩散。扩散目的:扩散目的:在硅片表面,通过三氯氧磷液态源扩散的办法形成PN结。扩散装置示意图扩散装置示意图扩散原理扩散原理POCl3在高温下(600)分解生成五氯化磷(PCl5)和五氧化二磷(P2O5),有充足的氧气时,其反应式如下:生成的P2O5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅(SiO2)和磷原子,其反应式如下:扩散重要衡量数据方块电
6、阻:方块电阻:就是表面为正方形的半导体薄层,在电流方向所呈现的电阻。生产规范:1、扩散上、下片时,规范操作,轻拿轻放,过程中硅片不得撞击石英舟槽、舟杆,舟壁(严禁听到硅片撞击石英舟的声音)2、注意工艺卫生,及时更换PVC手套,严禁手直接接触硅片。3、工作现场禁止进食和饮水。生产关注点:生产关注点:电阻大小控制电阻大小控制 温度曲线,工艺程序运行是否正常(时间,温度)炉门密封性 磷源(源温,磷源剩余量,漏液)极差控制极差控制 炉门密封性 温度补偿 调整气流配比(N2;O2;LN2)少子寿命控制少子寿命控制 炉管以及舟的清洗,饱和 操作规范性,人为污染设备因素设备因素 中途跳闸,中途降温 温度、流
7、量异常 尾管不热(尾管堵塞)尾管热,炉内尾管断裂 均流板 保温棉 偏磷酸污染操作因素操作因素程序加载错误 程序跳步 提前结束 提前运行水痕,指纹等污染导致的颜色异常片注意事项:注意扩散炉高温危险。保持扩散炉台面的清洁。保持生产用具的清洁。定期清洗石英炉管、石英舟等物件。按照净化间要求着装。装、卸硅片时,需带棉布和PVC双层手套,刻蚀目的:经过SCHMID化学溶液刻蚀的处理,将扩散后硅片的背面和边缘进行刻蚀,去除PN结(只保留正面的PN结),同时去除正面的PSG(磷硅玻璃)。水洗SCHMID刻蚀镀膜刻蚀扩散碱洗HF酸洗水洗吹干水洗刻蚀流程:刻蚀原理:同制绒原理。去PSG原理:扩散过程中在硅片表面
8、形成一层含有磷元素的SiO2,称之为磷硅玻璃。1、腐蚀深度,即硅片减少的厚度(腐蚀速率)工艺关键控制点:2、溶液配比,自动补液量3、温度(制绒槽反应的温度)4、带速,烘干情况等刻蚀:通过HF-HNO3溶液与硅片的化学反应去除边缘及背面的P-N结。腐蚀深度:通过称量SCHMID刻蚀前后硅片的减重量(g)计算出的硅片单面腐蚀厚度(um)。目的:降低反射率,对硅片表面进行钝化。等离子的概念及其优势:等离子体-电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态。CVD(化学气相沉积)通常需要较高温度,等离子体可以显著降低反应温度,降低生产成本。PECVD(等离子增强化学气相沉积)(等离子增强化学气相沉积)PEC
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