半导体制造期末复习要点.ppt

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1、集成电路制造工艺期末复习要点期末复习要点超净加工车间等级划分、各净化等级适用范围；超净加工车间制备方式；超纯水制备方式；薄膜制备薄膜制备二氧化硅膜用途；二氧化硅膜的制备方式（氧化法、热分解法、氢氧合成法）；采用不同方式制备氧化膜的质量区别；掺氯氧化的作用；影响氧化速度的因素（浓度、温度、分压、氧化气氛）；氧化系统（设备）组成；氧化膜质量控制（膜厚测量、缺陷检测）；比色法测量氧化膜厚度的测试原理及过程；半导体制造中对薄膜的质量要求（台阶覆盖、高深宽比填隙能力、厚度均匀性、高纯度和高密度）；外延的概念、目的；气相外延制备硅外延层原理及过程；原位气相腐蚀抛光目的及过程；影响外延生长速度因素（浓度、分

2、压、温度、气体流速、反应腔形状）；自掺杂产生的原因及消除措施；Si3N4膜、多晶硅膜、金属铝膜等常用微电子用膜CVD方式淀积原材料及淀积原理；CVD的分类（按压强分）；等离子体化学气相淀积原理及其优势；二氧化硅膜中添加P和B的原因；硅化钨的CVD淀积原理；电子束蒸发的优势（与热丝蒸发相比较）；溅射的概念；辉光放电的原理；溅射工艺制备金属铝膜的原理及过程（铝源的清洁处理）；溅射的优势（与蒸发相比较）；Cu未在微电子工艺中用于金属互联线的原因；薄膜的质量要求；薄膜的质量检测项目；SiH4及SiCl4外延生长速度随反应剂浓度之间的关系（曲线图，会分析）；光刻与腐蚀光刻与腐蚀VLSI对光刻工艺的要求；

3、正胶、负胶的特点；光刻胶的主要组成成分；金属掩膜版的主要材料；电子束制版工艺（光刻七大工艺步骤）；光学曝光的方式及各自优缺点；VLSI对图形转换的要求；选择比的概念；湿法刻蚀的概念；常用微电子薄膜的湿法刻蚀过程（腐蚀液的选择）；湿法刻蚀的优缺点；干法刻蚀的概念；常用微电子薄膜的干法刻蚀过程（腐蚀气体的选择）；湿法刻蚀、干法刻蚀的比较；常用去胶方式；掺杂的概念、目的及常用的掺杂方式；热扩散的两种扩散方式（恒定表面源扩散、有限表面源扩散）；工艺中常用的扩散方式及扩散杂质源（固态源、液态源、气态源）；扩散结深测量、扩散层质量分析；离子注入的概念及其优势（相对于热扩散）；离子注入机组成构造及各部分作用；离子注入过程中碰撞机构；常用退火的方式；沟道效应的概念、产生的原因及消除沟道效应的措施；平坦化的概念及其目的；旋涂玻璃法、化学机械平坦化工艺原理及过程；布线工艺中对布线材料的要求；合金工艺的要求；电迁移现象及其解决措施（用铜-铝合金代替纯铝）；