电子技术基础模拟部分CH05讲解ppt课件.ppt
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1、严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.3 结型场效应管(JFET)*5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET 放大电路 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道(耗尽型)FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型(IGFET)耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在
2、 增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道 场效应管的分类:场效应管的分类:严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET 的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET 1.结构(N沟道)L:
3、沟道长度 W:沟道宽度 tox:绝缘层厚度 通常 W L 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET 剖面图 1.结构(N沟道)符号 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET 2.工作原理(1)vGS对沟道的控制作用 当vGS0时 无导电沟道,d、s间加电压时,也无电流产生。当0vGS VT 时 在电场作用下产生导电沟道,d、s间加电压后,将有电流产生。vGS越大
4、,导电沟道越厚 VT 称为开启电压 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。2.工作原理(2)vDS对沟道的控制作用?靠近漏极d处的电位升高?电场强度减小?沟道变薄 当vGS一定(vGS VT)时,vDS?ID?沟道电位梯度?整个沟道呈楔形分布 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。当vGS一定(vGS VT)时,vDS?ID?沟道电位梯度?当vDS增加到使vGD=VT 时,在紧靠漏极处出现预夹断。2.工作原理(2)vDS对沟道的控制作用 在预夹断处
5、:vGD=vGS-vDS=VT 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。预夹断后,vDS?夹断区延长?沟道电阻?ID基本不变 2.工作原理(2)vDS对沟道的控制作用 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。2.工作原理工作原理(3)vDS和vGS同时作用时 vDS一定,vGS变化时 给定一个vGS,就有一条不同的 iD vDS 曲线。严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。3.V
6、-I 特性曲线及大信号特性方程(1)输出特性及大信号特性方程 const.DSDGS)(?vvfi 截止区 当vGSVT时,导电沟道尚未形成,iD0,为截止工作状态。严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。3.V-I 特性曲线及大信号特性方程(1)输出特性及大信号特性方程 const.DSDGS)(?vvfi 可变电阻区 vDS(vGSVT))(DSDSTGSnD22vvv?VKi由于vDS较小,可近似为 DSTGSnD)(vvVKi?2常数?GSDDSdsovvdidr)(TGSnVK?v21rdso是一个受vGS控制的
7、可变电阻 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。3.V-I 特性曲线及大信号特性方程(1)输出特性及大信号特性方程 可变电阻区 DSTGSnD)(vvVKi?2)(TGSndsoVKr?v21?n:反型层中电子迁移率 Cox:栅极(与衬底间)氧化层单位面积电容 本征电导因子 oxnnC?K?LWLWKK22oxnnnC?其中 Kn为电导常数,单位:mA/V2 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。3.V-I 特性曲线及大信号特性方程(1)输出特性及
8、大信号特性方程 饱和区(恒流区又称放大区)vGS VT,且vDS(vGSVT)2)(TGSnDVKi?v221)(TGSTn?VVKv21)(TGSDO?VIv2TnDOVKI?是vGS2VT时的iD V-I 特性:严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。3.V-I 特性曲线及大信号特性方程(2)转移特性 const.GSDDS)(?vvfi21)(TGSDOD?VIiv严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSF
9、ET 1.结构和工作原理(N沟道)二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作,而且基本上无栅流 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET 2.V-I 特性曲线及大信号特性方程 21)(PGSDSSDVIiv?21)(TGSDOD?VIiv(N沟道增强型)严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.1.3 P沟道沟道MOSFET 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做
10、到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.1.4 沟道长度调制效应沟道长度调制效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的)()(DSTGSnDvv?12VKi)()(DSTGSDOvv?112VIL的单位为?m 1V 1.0?L当不考虑沟道调制效应时,?0,曲线是平坦的。修正后 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.1.5 MOSFET 的主要参数的主要参数 一、直流参数 NMOS增强型 1.开启电压VT(增强型参数)2.夹断电压VP(耗尽型参数)3.饱和漏电流IDSS(耗尽型参数)4.直流输入电阻RGS(1
11、091015)二、交流参数 1.输出电阻rds GSDDSdsVir?vD12TGSnds1)(iVKr?v当不考虑沟道调制效应时,?0,rds 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.1.5 MOSFET 的主要参数的主要参数 DS GSDmVigv?2.低频互导gm 二、交流参数 考虑到 2TGSnD)(VKi?v则 DSDSGS2TGSnGSDm)(VVVKigvvv?)(2TGSnVK?vnDTGS)(KiV?vDn2iK?LWK?2Coxnn其中 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到
12、及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.1.5 MOSFET 的主要参数的主要参数 end 三、极限参数 1.最大漏极电流IDM 2.最大耗散功率PDM 3.最大漏源电压V(BR)DS 4.最大栅源电压V(BR)GS 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.2 MOSFET放大电路放大电路 5.2.1 MOSFET 放大电路 1.直流偏置及静态工作点的计算 2.图解分析 3.小信号模型分析 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.
13、2.1 MOSFET放大电路放大电路 1.直流偏置及静态工作点的计算(1)简单的共源极放大电路(N沟道)直流通路 共源极放大电路 严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。5.2.1 MOSFET放大电路放大电路 1.直流偏置及静态工作点的计算(1)简单的共源极放大电路(N沟道)DDg2g1g2GSVRRRV?2)(TGSnDVVKI?dDDDDSRIVV?假设工作在饱和区,即)(TGSDSVVV?验证是否满足)(TGSDSVVV?如果不满足,则说明假设错误 须满足VGS VT,否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区)(T
14、GSDSVVV?即 dDDDDSRIVV?DSTGSnD)(vvVKI?2严格执行突发事件上报制度、校外活动报批制度等相关规章制度。做到及时发现、制止、汇报并处理各类违纪行为或突发事件。假设工作在饱和区 满足)(TGSDSVVV?假设成立,结果即为所求。解:V2V5406040 DDg2g1g2GSQ?VRRRVmA2.0mA)12)(2.0()(22TGSnDQ?VVKIV2V)15)(2.0(5dDDDDSQ?RIVV例:设Rg1=60k?,Rg2=40k?,Rd=15k?,220V/mA.n?K试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ。VDD=5V,VT=1V,严格执行突发事件上
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