第四章光检测和光接收机精选文档.ppt
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1、第四章光检测和光接第四章光检测和光接收机收机本讲稿第一页,共七十四页2第四章第四章 光检测与光接收机光检测与光接收机4.1 4.1 半导体光检测器件半导体光检测器件4.2 4.2 光接收机光接收机4.3 4.3 光接收机噪声分析光接收机噪声分析4.4 4.4 光接收机的误码率光接收机的误码率4.5 4.5 接收机灵敏度接收机灵敏度4.6 4.6 光中继机光中继机本讲稿第二页,共七十四页3概述概述 光光接接收收机机是是光光纤纤通通信信系系统统的的主主要要组组成成部部分分,它它的的性性能能是是整整个个光光纤纤通通信信系系统统性性能能的的综综合合反反映映。由由光光发发送送机机发发出出的的光光信信号号
2、在在光光纤纤线线路路中中传传输输时时,不不仅仅会会受受到到损损耗耗的的影影响响而而造造成成幅幅度度衰衰减减,同同时时光光纤纤色色散散和和非非线线性性效效应应等等可可能能会会引引起起脉脉冲冲波波形形展展宽宽,由由此此造造成成的的信信号号质质量量下下降降会会增增加加接接收收机机接接收收信信号号的的难难度度,这这些些都都对对接收机的性能提出了较高的要求。接收机的性能提出了较高的要求。光光接接收收机机的的主主要要作作用用是是将将经经光光纤纤传传输输后后幅幅度度被被衰衰减减,波波形形被被展展宽宽的的微微弱弱光光信信号号转转变变为为电电信信号号,并并经经放放大大处处理理,恢恢复复为原来的信号。为原来的信号
3、。本讲稿第三页,共七十四页44.1 4.1 半导体光检测器件半导体光检测器件 光光检检测测器器的的作作用用是是将将光光纤纤输输出出的的微微弱弱光光信信号号转转变变为为电电信信号,它是影响光接收机性能的重要器件。号,它是影响光接收机性能的重要器件。光纤通信系统对光检测器的基本要求是:光纤通信系统对光检测器的基本要求是:o 波长段内响应度或灵敏度要高波长段内响应度或灵敏度要高o 具有足够的带宽和响应速度具有足够的带宽和响应速度o 由由检检测测器器引引入入的的附附加加噪噪声声必必须须最最低低,暗暗电电流流、漏漏电电流流和和并并联联电电导必须最小导必须最小o 较低的偏压或偏流,具有高可靠性和长寿命较低
4、的偏压或偏流,具有高可靠性和长寿命o 较小的几何尺寸,便于与光纤及其他电路组装较小的几何尺寸,便于与光纤及其他电路组装 本讲稿第四页,共七十四页5响应度响应度 响响应应度度是是表表示示光光检检测测器器能能量量转转换换效效率率的的一一个个参参数数,是是光光检测器的平均输出电流与平均输入光功率之比。表示为检测器的平均输出电流与平均输入光功率之比。表示为 (A/WA/W)(4-1)(4-1)式中:式中:R R0 0光检测器的响应度光检测器的响应度 I IP P光检测器的平均输出电流光检测器的平均输出电流 P P0 0入射在检测器光敏面上的平均光功率入射在检测器光敏面上的平均光功率本讲稿第五页,共七十
5、四页64.1.1 4.1.1 光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理 最最基基本本的的半半导导体体光光检检测测器器是是由由反反向向偏偏置置的的PNPN结结构构成成的的。在在半半导导体体材材料料的的PNPN结结面面上上,由由于于电电子子和和空空穴穴的的扩扩散散形形成成了了内内部部的的电电场场,称称之之为为自自建建场场。由由于于自自建建场场的的作作用用使使电电子子和和空空穴穴产产生生了了与与扩扩散散方方向向相相反反的的漂漂移移运运动动。在在PNPN结结界界面面附附近近形形成成了了高高电电场场的的耗耗尽尽区区。在在耗耗尽尽区区两两边边,电电场场基基本本为为0 0,称称为为扩扩散散区区。耗耗尽尽区区
6、和和扩扩散散区区均均为为光光子子的的吸吸收收区区,在在入入射射光光照照射射下,要吸收光能量产生光生载流子。下,要吸收光能量产生光生载流子。本讲稿第六页,共七十四页7图图4-1 PN4-1 PN结光电二极管结光电二极管 本讲稿第七页,共七十四页8图图4-2 PN4-2 PN结光电二极管工作原理结光电二极管工作原理a)PN结b)能带图漂移电流漂移电流扩散电流扩散电流本讲稿第八页,共七十四页9图图4-3 4-3 光生载流子慢扩散使响应变慢光生载流子慢扩散使响应变慢 本讲稿第九页,共七十四页10反向偏压工作的光电二极管反向偏压工作的光电二极管 为为了了克克服服由由于于光光生生载载流流子子扩扩散散速速度
7、度慢慢于于漂漂移移速速度度而而引引起起的的响响应应变变慢慢现现象象,对对光光电电二二极极管管采采用用反反向向偏压。偏压。反反向向偏偏压压增增加加了了耗耗尽尽区区的的宽宽度度,从从而而减减少少了了光光生生电电流流中中的的扩扩散散分分量量,同同时时增增强强的的电电场场也也会会加加快快光光生生载载流流子子的的漂漂移移速速度度,有有利利于于加加快快光光生生载载流流子子的的响响应时间。应时间。其他增加耗尽区的宽度的方法。其他增加耗尽区的宽度的方法。本讲稿第十页,共七十四页114.1.2.4.1.2.光电二极管光电二极管PINPIN本讲稿第十一页,共七十四页124.1.2.4.1.2.光电二极管光电二极管
8、PINPIN 在在上上述述的的光光电电二二极极管管的的PNPN结结中中间间掺掺入入一一层层浓浓度度很很低低的的N N型型半半导导体体,就就可可以以增增大大耗耗尽尽区区的的宽宽度度,达达到到减减小小扩扩散散运运动动的的影影响响,提提高高响响应应速速度度的的目目的的。由由于于这这一一掺掺入入层层的的掺掺杂杂浓浓度度低低,近近乎乎本本征征(IntrinsicIntrinsic)半半导导体体,故故称称I I层层。因因此此这这种种结结构构称称为为PINPIN光光电电二二极极管管。I I层层较较厚厚,几几乎乎占占尽尽了了整整个个耗耗尽尽区区。绝绝大大部部分分的的入入射射光光在在I I层层内内被被吸吸收收并
9、并产产生生大大量量的的电电子子-空空穴穴对对。在在I I层层两两侧侧是是掺掺杂杂浓浓度度很很高高的的P P型型和和N N型型半半导导体体,P P层层和和N N层层很很薄薄,吸吸收收入入射射光光的的比比例例很很小小。因因而而光光生生电电流流中中漂漂移移分分量量占占了了主主导导地地位位,这这就就大大大大加加快快了了响响应应速度。速度。本讲稿第十二页,共七十四页13图图4-4 PIN4-4 PIN光电二极管结构及各层电场分布光电二极管结构及各层电场分布本讲稿第十三页,共七十四页14PINPIN光电二极管的主要特性光电二极管的主要特性 o 截止波长和吸收系数截止波长和吸收系数 o 响应度和量子效率响应
10、度和量子效率 o 响应速度响应速度 o 线性饱和线性饱和 o 暗电流暗电流 o 噪声噪声 本讲稿第十四页,共七十四页15截止波长和吸收系数截止波长和吸收系数 只只有有入入射射光光子子的的能能量量hfhf大大于于半半导导体体材材料料的的禁禁带带宽宽度度E Eg g,才才能能产产生生光光电电效效应应。因因此此对对一一种种特特定定材材料料的的检检测测器器存存在在着着一一个个下下限限频频率率f fc c和相应的上限光波长和相应的上限光波长 c c。或写成或写成 式式中中h h为为普普朗朗克克常常数数,c c为为光光速速,波波长长 c c单单位位为为微微米米,禁禁带带宽宽度度E Eg g单位为电子伏特。
11、单位为电子伏特。由由式式可可见见,只只有有波波长长小小于于 c c的的光光才才能能用用由由这这种种材材料料做做成成的的器器件检测。件检测。c c称为器件的截止波长。称为器件的截止波长。本讲稿第十五页,共七十四页16穿透效应穿透效应 半半导导体体的的吸吸收收作作用用随随光光波波长长的的减减小小而而迅迅速速增增强强。即即随随光光波波长长减减小小而而变变大大。因因此此光光波波长长很很短短时时,光光在在半半导导体体表表面面就就被被吸吸收收殆殆尽尽,使使得得光光电电转转换换效效率率很很低低。这这限限制制了了半半导导体体检检测测器器在在较短波长上的应用。较短波长上的应用。由由上上分分析析可可见见:要要检检
12、测测某某波波长长的的入入射射光光,必必须须要要选选择择由由适适当当材材料料做做成成的的检检测测器器。一一方方面面由由其其禁禁带带宽宽度度决决定定的的截截止止波波长长要要大大于于入入射射光光波波长长,否否则则材材料料对对光光透透明明,不不能能进进行行光光电电转转换。另一方面,吸收系数不能太大,以免降低光电转换效率。换。另一方面,吸收系数不能太大,以免降低光电转换效率。本讲稿第十六页,共七十四页17响应度和量子效率响应度和量子效率 响应度和量子效率是表示光电二极管能量转换效率的参数。响应度和量子效率是表示光电二极管能量转换效率的参数。若入射光功率为若入射光功率为P P0 0时产生的光电流为时产生的
13、光电流为I Ip p,则响应度,则响应度R R0 0定义为:定义为:(A/wA/w)(4-34-3)量子效率定义为量子效率定义为 (4-44-4)由由4-34-3、4-44-4可知:可知:(A/WA/W)(4-54-5)式中式中e e为电子电量,为电子电量,为光波长,为光波长,h h为普朗克常数,为普朗克常数,c c为光速。为光速。本讲稿第十七页,共七十四页18图图4-5 4-5 几种材料的几种材料的PINPIN管管R R0 0,的关系的关系曲线曲线本讲稿第十八页,共七十四页19响应速度响应速度 PIN PIN 光光电电二二极极管管的的响响应应速速度度可可以以用用响响应应时时间间或或截止频率来
14、表示。截止频率来表示。响响应应时时间间取取决决于于光光检检测测电电路路的的上上升升时时间间、载载流流子子在在耗耗尽尽层层中中的的渡渡越越时时间间和和耗耗尽尽区区外外载载流流子子的的扩扩散散时间。时间。(p90-91)(p90-91)本讲稿第十九页,共七十四页20线性饱和线性饱和 光光检检测测器器电电路路有有一一定定的的光光功功率率检检测测范范围围。当当入入射射光光功功率率太太大大时时,光光电电流流和和光光功功率率将将不不成成正正比比,从从而产生非线性失真。而产生非线性失真。随随着着输输入入光光功功率率和和输输出出电电流流的的增增大大,检检测测电电路路中中负负载载电电阻阻上上的的压压降降增增大大
15、,光光电电管管上上实实际际压压降降减减小小,耗耗尽尽区区内内电电场场减减弱弱,继继而而会会引引起起单单位位光光功功率率产产生生的的光光电电流流变变小小。此此时时光光电电转转换换不不再再满满足足线线性性关关系系,称称为线性饱和。为线性饱和。(小于小于mWmW级级)本讲稿第二十页,共七十四页21暗电流暗电流 处处处处于于于于反反反反向向向向偏偏偏偏压压压压下下下下的的的的半半半半导导导导体体体体光光光光电电电电二二二二极极极极管管管管,在在在在无无无无光光光光照照照照时时时时仍仍仍仍有有有有电电电电流流流流流流流流过过过过,这这这这部部部部分分分分电电电电流流流流称称称称为为为为暗暗暗暗电电电电流
16、流流流。光光光光电电电电二二二二极极极极管管管管的的的的暗暗暗暗电电电电流流流流分分分分为为为为两两两两部部部部分分分分:一一一一部部部部分分分分为为为为反反反反向向向向偏偏偏偏压压压压下下下下二二二二极极极极管管管管的的的的反反反反向向向向饱饱饱饱和和和和电电电电流流流流,称称称称为为为为体体体体暗暗暗暗电电电电流流流流,是是是是由由由由载载载载流流流流子子子子的的的的热热热热扩扩扩扩散散散散形形形形成成成成的的的的,体体体体暗暗暗暗电电电电流流流流由由由由半半半半导导导导体体体体材材材材料料料料及及及及掺掺掺掺杂杂杂杂浓浓浓浓度度度度决决决决定定定定。另另另另一一一一部部部部分分分分是是是
17、是由由由由半半半半导导导导体体体体表表表表面面面面缺缺缺缺陷引起的表面漏电流,称为陷引起的表面漏电流,称为陷引起的表面漏电流,称为陷引起的表面漏电流,称为表面暗电流表面暗电流表面暗电流表面暗电流。暗暗暗暗电电电电流流流流与与与与器器器器件件件件的的的的结结结结面面面面积积积积成成成成正正正正比比比比。故故故故常常常常用用用用单单单单位位位位面面面面积积积积上上上上的的的的暗暗暗暗电电电电流流流流(称称称称为为为为暗暗暗暗电电电电流流流流密密密密度度度度)来来来来衡衡衡衡量量量量。暗暗暗暗电电电电流流流流随随随随器器器器件件件件温温温温度度度度的的的的升升升升高高高高而而而而增增增增大大大大。暗
18、暗暗暗电电电电流流流流的的的的存存存存在在在在限限限限制制制制了了了了光光光光电电电电二二二二极极极极管管管管所所所所能能能能检检检检测测测测的的的的最最最最小小小小光光光光功功功功率率率率,也就是也就是也就是也就是降低了接收机的灵敏度降低了接收机的灵敏度降低了接收机的灵敏度降低了接收机的灵敏度。本讲稿第二十一页,共七十四页22噪声噪声 噪噪声声是是光光电电二二极极管管的的一一个个重重要要参参数数。噪噪声声的的存存在在同同样样也也限限制制了了光光电电二二极极管管所所能能检检测测的的最最小小光光功功率率,直直接接影影响响了了接接收收灵灵敏敏度度(以以信信噪噪比比来来衡衡量量)。光光电电二二极极管
19、管的的噪噪声声包包括括散散粒粒噪噪声声(又又称称量量子子噪噪声声)和和热热噪噪声声。噪声通常用均方噪声电流(在噪声通常用均方噪声电流(在1 1负载上消耗的噪声功率)来描述。负载上消耗的噪声功率)来描述。(详见详见4.3)4.3)本讲稿第二十二页,共七十四页234.1.3 4.1.3 雪崩光电二极管雪崩光电二极管APDAPD 光光接接收收机机的的灵灵敏敏度度主主要要由由接接收收机机的的信信噪噪比比决决定定。采采用用减减小小噪声或增大信号电流的方法可以提高接收机的灵敏度。噪声或增大信号电流的方法可以提高接收机的灵敏度。采采用用PIN光光电电二二极极管管为为检检测测器器的的光光接接收收机机的的噪噪声
20、声主主要要由由负负载电载电阻和后阻和后级级放大器决定。放大器决定。如如果果采采用用自自身身对对光光生生电电流流具具有有放放大大作作用用的的光光检检测测器器,即即使使检检测测器器在在电电流流放放大大过过程程中中会会产产生生附附加加噪噪声声,但但只只要要附附加加噪噪声声小小于于负负载载电电阻阻和和后后级级放放大大器器的的噪噪声声,则则这这样样的的检检测测器器必必定定会会改改善善接接收收机机的的信信噪比,从而提高接收机的灵敏度。噪比,从而提高接收机的灵敏度。雪雪崩崩光光电电二二极极管管(APD,Avalanche Photo Diode)就就是是这这样样的的一种具有内部一种具有内部电电流增益的光流增
21、益的光电转换电转换器件。器件。本讲稿第二十三页,共七十四页APDAPD的工作原理的工作原理雪崩倍增效应雪崩倍增效应处处于于反反向向偏偏置置的的耗耗尽尽层层光光电电二二极极管管,当当外外加加的的反反向向偏偏压压不不断断增增强强时时,耗耗尽尽层层内内产产生生的的光光生生载载流流子子在在强强电电场场作作用用下下得得到到加加速速,获获得很大的动能。得很大的动能。高高能能的的载载流流子子与与半半导导体体晶晶体体内内的的原原子子相相碰碰撞撞,将将束束缚缚在在价价带带中中的的电电子子激激发发到到导导带带,从从而而在在耗耗尽尽层层内内产产生生新新的的电电子子-空空穴穴对对,这这种现象称为种现象称为碰撞电离碰撞
22、电离。碰碰撞撞电电离离的的第第二二代代载载流流子子在在耗耗尽尽层层的的强强电电场场的的加加速速下下再再次次引引起起碰碰撞撞电电离离而而产产生生第第三三代代载载流流子子。碰碰撞撞电电离离的的反反复复循循环环使使耗耗尽尽层层内内的的载载流流子子数数雪雪崩崩似似的的急急剧剧增增加加,通通过过二二极极管管的的电电流流也也就就猛猛增增,这这就就是是雪雪崩崩倍增效应倍增效应。24本讲稿第二十四页,共七十四页25APDAPD的工作原理的工作原理雪雪崩崩光光电电二二极极管管(APDAPD)就就是是利利用用雪雪崩崩倍倍增增效效应应实实现现内内部部电电流增益的半导体光电转换器件。流增益的半导体光电转换器件。APD
23、APD有有多多种种结结构构形形式式,图图4-94-9是是一一种种N N+-P-I-P-P-I-P+结结构构,这这种种结构的结构的APDAPD称为拉通型雪崩光电二极管(称为拉通型雪崩光电二极管(RAPDRAPD)。)。该该结结构构外外侧侧分分别别为为高高掺掺杂杂的的P P型型、N N型型半半导导体体层层,中中间间是是较较窄的窄的P P型半导体层和很宽的型半导体层和很宽的I I层(即轻掺杂的层(即轻掺杂的P P型半导体)。型半导体)。本讲稿第二十五页,共七十四页26图图4-9 APD4-9 APD光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理本讲稿第二十六页,共七十四页27APDAPD倍增因子倍增因子g
24、 g和平均倍增和平均倍增 倍倍增增因因子子是是APDAPD内内部部的的电电流流增增益益系系数数。倍倍增增因因子子g g定定义义为为APDAPD雪雪崩崩放放大大后后的输出电流的输出电流IMIM和初始光生电流和初始光生电流I Ip p的比值。的比值。(4-144-14)雪雪崩崩倍倍增增过过程程是是一一个个随随机机过过程程,即即每每一一电电子子-空空穴穴对对与与半半导导体体晶晶体体内内的的原原子子碰碰撞撞电电离离产产生生的的初初始始电电子子-空空穴穴对对的的数数目目是是随随机机的的,因因而而倍倍增增因因子子g g也也是是随随机机变化的。一般所称的变化的。一般所称的倍增因子倍增因子是指平均倍增(电流增
25、益系数)是指平均倍增(电流增益系数)G G。(4-154-15)式中式中 是表示随机量是表示随机量g g的平均值。的平均值。本讲稿第二十七页,共七十四页28图图4-10 4-10 电流增益偏压、温度关系电流增益偏压、温度关系本讲稿第二十八页,共七十四页29过剩噪声过剩噪声 当当雪雪崩崩光光电电二二极极管管的的雪雪崩崩增增益益为为G G时时,它它的的信信号号电电流流比比无无倍倍增增时时增增大大了了G G倍倍,信信号号功功率率增增大大了了G G2 2倍倍。由由式式(4-18)(4-18)可可以以看看出出噪噪声声功功率率增增大大了了G G2 2F F倍倍。由由于于F F2 2,所所以以噪噪声声功功率
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