第5章 恒定电流的电场和磁场优秀课件.ppt
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1、第5章恒定电流的电场和磁场第1页,本讲稿共102页第第25.26学时学时5.1 恒定电流的电场恒定电流的电场 5.1.1 电流密度电流密度 电流密度 返回第2页,本讲稿共102页设通过S的电流为I,则该点处的电流密度电流密度 J为 电流密度的单位是安培/米3(A/m3)。导体内每一点都有一个电流密度,因而构成一个矢量场矢量场。称这一矢量场为电流场电流场。电流场的矢量线叫做电流线电流线。可以从电流密度J求出流过任意面积S的电电流流强强度度。一般情况下,电流密度J和面积元dS的方向并不相同。此时,通过面积S的电流就等于电流密度J在S上的通量通量,即 第3页,本讲稿共102页面电流密度 第4页,本讲
2、稿共102页5.1.2 电荷守恒定律电荷守恒定律 要使积分对任意的体积V均成立,必须使被积函数为零,即 第5页,本讲稿共102页5.1.3 欧姆定律的微分形式欧姆定律的微分形式 材料电导率/(S/m)铁(99.98%)107黄铜1.56107铝3.55107金3.10107铅5.55107铜5.80107银6.2010硅1.5610-3表表 5-1 常用材料的电导率常用材料的电导率 第6页,本讲稿共102页电动势 第7页,本讲稿共102页5.1.5 焦耳定律焦耳定律 当导体两端的电压为U,流过的电流为I时,则在单位时间内电场力对电荷所作的功,即功率功率是 在导体中,沿电流线方向取一长度为l、截
3、面为S的体积元,该体积元内消耗的功率功率为 第8页,本讲稿共102页当V0,取P/V的极限,就得出导体内任一点的热热功功率率密密度度,表示为 或 此式就是焦耳定律焦耳定律的微分形式。应该指出,焦耳定律不不适应于运运流流电电流流。因为对于运流电流而言,电场力对电荷所作的功转变为电荷的动能,而不是转变为电荷电荷与晶格碰撞晶格碰撞的热能。第9页,本讲稿共102页5.1.5 恒定电流场的基本方程恒定电流场的基本方程 电源外部导体中恒定电场的基本方程基本方程归纳如下:与其相应的积分形式积分形式为 第10页,本讲稿共102页电流密度电流密度J与电场强度电场强度E之间满足欧姆定律欧姆定律J=E。以上的电场是
4、指库库仑仑场场,因为在电源外的导体中,非库仑场为零。因恒定电场的旋度为零,因而可以引入电位,E=-。在均匀导体内部(电导率为常数),有 第11页,本讲稿共102页5.1.6 恒定电流场的边界条件恒定电流场的边界条件 边界条件 第12页,本讲稿共102页或 恒定电流场的边界条件为 在恒定电场中,用电位电位表示的边界条件边界条件为 第13页,本讲稿共102页式中,Jn=J1n=J2n,当 时,分界面上面电荷密度面电荷密度为零。应用边界条件边界条件,可得 第14页,本讲稿共102页可以看出,当12,即第第一一种种媒质为良导体时,第第二二种种媒质为不良导体时,只要1/2,20,即在不良导体中,电力线近
5、似地与界面垂直。这样,可以将良导体的表面看作等位面等位面。第15页,本讲稿共102页例例 设同轴线的内导体半径为a,外导体的内半径为b,内、外导体间填充电导率为的导电媒质,如图 5-5 所示,求同轴线单位长度的漏电电导。同轴线横截面 第16页,本讲稿共102页解:解:媒质内的漏电电流沿径向从内导体流向外导体,设流过半径为r的任一同心球面的漏电电流为I,则媒质内任一点的电流密度和电场为 内、外导体间的电压为 第17页,本讲稿共102页漏电电导为 也可以通过计算媒质内的焦耳损耗功率,并由P=I2R求出漏电电阻R:第18页,本讲稿共102页5.1.7 恒定电流场与静电场的比拟恒定电流场与静电场的比拟
6、 恒定电场与静电场的比较 第19页,本讲稿共102页两极板间的电场 第20页,本讲稿共102页例例 计算深埋地下半径为a的导体球的接地电阻。设土壤的电导率为0。第21页,本讲稿共102页解解:导体球的电导率一般总是远大于土壤的电导率,可将导体球看作等位体。用静电比拟法,位于电介质中的半径为a的导体球的电容为 所以导体球的接地电导为 接地电阻为 第22页,本讲稿共102页5.2 5.2 磁磁 感感 应应 强强 度度 安培定律 第23页,本讲稿共102页安安培培定定律律指出:在真空中载有电流I1的回路C1上任一线元dl1对另一载有电流I2的回路C2上任一线元dl2的作用力表示为 第24页,本讲稿共
7、102页令 若电流不是线电流,而是具有体分布体分布的电流J,则有 第25页,本讲稿共102页可以用上式计算各种形状的载载流流回回路路在外磁场中受到的力力和力矩矩。对以速度v运动的点电荷q,其在外磁场B中受的力是 如果空间还存在外外电电场场E,电荷q受到的力还要加上电电场场力力。这样,就得到带电q以速度v运动的点电荷在外电磁场(E,B)中受到的电电磁力磁力为 上式称为洛仑兹力公式洛仑兹力公式。第26页,本讲稿共102页例例 求载流I的有限长直导线外任一点的磁场。第27页,本讲稿共102页解解:取直导线的中心为坐标原点,导线和z轴重合,在圆柱坐标中计算。从对称关系能够看出磁场与坐标无关。不失一般性
8、,将场点取在=0,即场点坐标为(r,0,z),源点坐标为(0,0,z)。第28页,本讲稿共102页所以 第29页,本讲稿共102页式中:对于无限长直导线(l),1=/2,2=-/2,其产生的磁场为 第30页,本讲稿共102页5.3 恒定磁场的基本方程恒定磁场的基本方程 5.3.1 磁通连续性原理磁通连续性原理 磁磁感感应应强强度度在有向曲面上的通量简称为磁磁通通量量(或磁通),单位是Wb(韦伯),用表示:如S是一个闭曲面,则 第31页,本讲稿共102页上式中,故可将其改写为 由矢量恒定式 第32页,本讲稿共102页则有 而梯度场梯度场是无旋无旋的,所以 第33页,本讲稿共102页使用散度定理,
9、得到 由于上式中积分区域V是任意的,所以对空间的各点,有 上式是磁磁通通连连续续性性原原理理的微分形式,它表明磁感应强度B是一个无无源源(指散度源)场。第34页,本讲稿共102页5.2.2 安培环路定律安培环路定律 环路定律 第35页,本讲稿共102页假设回路C对P点的立体角为,同时P点位移dl引起的立体角增量为d,那么P点固定而回路C位移dl所引起的立体角增量也为d。-dldl是dl位移-dl所形成的有向面积。注意到R=r-r,这个立体角为 。把其对回路C积分,就得到P点对回路C移动dl时所扫过的面积张的立体角,记其为d,则以上的磁场环量可以表示为 第36页,本讲稿共102页可以证明,当载流
10、回路C和积分回路C相交链相交链时,有 当载流回路C和积分回路C不交链不交链时,有 这样当积分回路C和电流I相交链相交链时,可得 第37页,本讲稿共102页当穿过积分回路C的电流是几个电流时,可以得到为一般形式:根据斯托克斯定理,可以导出安培回路定律安培回路定律的微分形式微分形式:由于 第38页,本讲稿共102页因积分区域S是任意的,因而有 上式是安培环路定律的微分形式,它说明磁场的涡旋源是电流。可用此式从磁场求电流分布。对于对对称称分分布布的电流,可以用安安培环路定律培环路定律的积分形式,从电流电流求出磁场磁场。第39页,本讲稿共102页例例半径为a的无限长直导线,载有电流I,计算导体内、外的
11、磁感应强度。解解:在导线内电流均匀分布,导线外电流为零,r a ra 第40页,本讲稿共102页当ra时,当ra时,写成矢量形式为 r a ra 第41页,本讲稿共102页第第27.28学时学时5.5 矢矢 量量 磁磁 位位 可以令 称式中的A为矢矢量量磁磁位位(简称磁矢位),其单位是Tm(特斯拉米)或Wb/m(韦伯/米)。矢矢量量磁磁位位是一个辅助量。仅规定了磁矢位A的旋旋度度,而A的散散度度可以任意假定。因为若B=A,另一矢量A=A+,其中是一个任意标量函数,则 返回第42页,本讲稿共102页使用矢量恒等式矢量恒等式 上式是磁矢位满足的微微分分方方程程,称为磁矢位的泊泊松松方方程程。对无源
12、区(J=0),磁矢位满足矢量拉普拉斯方程矢量拉普拉斯方程,即 第43页,本讲稿共102页第44页,本讲稿共102页将其写成矢量形式为 若磁场由面电流JS产生,容易写出其磁矢位为 同理,线电流产生的磁矢位为 磁通的计算也可以通过磁矢位表示:第45页,本讲稿共102页例例 求长度为l 的载流直导线的磁矢位。直导线磁矢位 第46页,本讲稿共102页解解:当lz时,有 上式中,若再取lr,则有 第47页,本讲稿共102页当电流分布在无无限限区区域域时,一般指定一个磁磁矢矢位位的参考点,就可以使磁矢位不为无穷大。当指定r=r0处为磁磁矢矢位位的零点时,可以得出 从上式,用圆柱坐标圆柱坐标的旋度公式旋度公
13、式,可求出 第48页,本讲稿共102页例例 用磁矢位重新计算载流直导线的磁场。解:解:r a ra 从电流分布可以知道磁矢位仅仅有z分量,而且它只是坐标r的函数,即 设在导线内磁位是A1,导线外磁位是A2,ra时,第50页,本讲稿共102页可以求出导线内、外的磁场磁场分别为 导体外部的磁感应强度磁感应强度为 第51页,本讲稿共102页5.5 磁磁 偶偶 极极 子子磁偶极子 第52页,本讲稿共102页式中:第53页,本讲稿共102页如果ra,则 从图可见,第54页,本讲稿共102页所以 式中,m=Ia2,是圆形回路磁矩的模模值值。一个载流回路的磁磁矩矩是一个矢量,其方向与环路的法法线线方向一致,
14、大小等于电流乘以回路面积,即其定义为 第55页,本讲稿共102页第56页,本讲稿共102页位于点r的磁矩为m的磁偶极子磁偶极子,在点r处产生的磁矢位磁矢位为 位于外磁场B中的磁偶极子m,会受到外外磁磁场场的作用力及其力矩。这里仅仅给出作用力作用力及力矩力矩的公式。作用力为 力矩为 第57页,本讲稿共102页5.6 磁介质中的场方程磁介质中的场方程 5.6.1 磁化强度磁化强度 式中m是分子磁矩,求和对体积元V内的所有分子进行。磁磁化化强强度度M的单位是A/m(安培/米)。如在磁磁化化介介质质中中的体积元V内,每一个分子磁矩的大小和方向全相同,单位体积内分子数是N,则磁化强度磁化强度为 第58页
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