光纤通信课件精.ppt
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1、光纤通信课件第1页,本讲稿共111页 图 4.14 数字光接收机方框图 光检测器偏压控制前置放大器AGC电路均衡器判决器时钟提取再生码流主放大器光信号第2页,本讲稿共111页1.光检测器光检测器 光光检检测测器器是光接收机实现光/电转换的关键器件,其性能特别是响应度响应度和和噪声噪声直接影响光接收机的灵敏度。直接影响光接收机的灵敏度。对光检测器的要求如下:对光检测器的要求如下:(1)波长响应要和光纤低损耗窗口(0.85 m、1.31 m和1.55 m)兼容;(2)响响应应度度要要高高,在一定的接收光功率下,能产生最大的光电流;(3)噪声要尽可能低噪声要尽可能低,能接收极微弱的光信号;(4)性能
2、稳定,可靠性高,寿命长,功耗和体积小。目前,适合于光纤通信系统应用的光检测器有PIN光光电电二二极极管管和雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)。第3页,本讲稿共111页2.放大器放大器 前置放大器应是低噪声放大器,它的噪声对光接收机的灵敏度影响很大。前放的噪声取决于放大器的类型,目前有三种类型的前放可供选择(参看4.2.2节)。主放大器主放大器主放大器主放大器一般是多级放大器,它的作用是:(1)提供足够的增益 (2)并通过它实现自自动动增增益益控控制制(AGC),使输入光信号在一定范围内变化时,输出电信号保持恒定。主放大器主放大器和AGC决定着光接收机的动态范围。动态范围。第4页,本讲稿共1
3、11页3.均衡和再生均衡和再生 均衡的目的:均衡的目的:对经光纤传输、光/电转换和放大后已产生畸变(失真)的电信号进行补偿。使输出信号的波形适合于判决(一般用具有升余弦谱的码元脉冲波形),以消除码间干扰,减小误码率。再生电路包括:再生电路包括:判决电路判决电路和时钟提取电路时钟提取电路 再生电路功能:从放大器输出的信号与噪声混合的波形中提取码元时钟,并逐个地对码元波形进行取样判决,以得到原发送的码流。第5页,本讲稿共111页 4.光电集成接收机光电集成接收机 图4.14中除光检测器以外的所有元件都是标准的电子器件,很容易用标准的集成电路(IC)技术将它们集成在同一芯片上。不论是硅(Si)还是砷
4、化镓(GaAs)IC技术都能够使集成电路的工作带宽超过2 GHz,甚至达到10 GHz。为了适合高传输速率的需求,人们一直在努力开发单片光接收机,即用“光光电电集集成成电电路路(OEIC)技技术术”在同一芯片上集成包括光检测器在内的全部元件。第6页,本讲稿共111页 对于工作在1.31.6 m波长的系统,人们需要基于InP的OEIC接收机接收机。在1991年试验成功的单路InGaAs OEIC接收机,其运行速率达5 Gb/s。InGaAs OEIC接收机也可以用混合法实现混合法实现。如图4.15所示,电元件集成在GaAs基片上,而光检测器集成在InP基片上,两个部分通过接触片连接在一起。第7页
5、,本讲稿共111页图 4.15 光电集成接收机 第8页,本讲稿共111页4.2 光检测器光检测器 在耗尽层 形成漂移电流。内部电场的作用,电子向N区运动,空穴向P区运动4.2.1 光电二极管工作原理光电二极管工作原理 光光光光电电电电二二二二极极极极管管管管(PD)(PD)把光信号转换为电信号的功能,是由半导体PN结的光电效应光电效应光电效应光电效应实现的。电子和空穴的扩散运动PN结界面 内部电场 漂移运动 能带倾斜 如果光子的能量大于或等于带隙(hf Eg)当入射光作用在PN结时 发生受激吸收第9页,本讲稿共111页 在耗尽层两侧是没有电场的中性区,由于热运动,部分光生电子和空穴通过扩散运动
6、可能进入耗尽层,然后在电场作用下,形成和漂移电流相同方向的扩散电流。漂移电流分量和扩散电流分量的总和即为光生电流。当与P层和N层连接的电路开路时,便在两端产生电动势,这种效应称为光电效应。当连接的电路闭合时,N区过剩的电子通过外部电路流向P区。同样,P区的空穴流向N区,便形成了光生电流。当入射光变化时,光生电流随之作线性变化,从而把光信号转换成电信号。这种由PN结构成,在入射光作用下,由于受激吸收过程产生的电子-空穴对的运动,在闭合电路中形成光生电流的器件,就是简单的光电二极管(PD)。第10页,本讲稿共111页第11页,本讲稿共111页 如图3.19(b)所示,光电二极管通常要施加适当的反向
7、偏压,目的是增加耗尽层的宽度,缩小耗尽层两侧中性区的宽度,从而减小光生电流中的扩散分量。由于载流子扩散运动比漂移运动慢得多,所以减小扩散分量的比例便可显著提高响应速度。但是提高反向偏压,加宽耗尽层,又会增加载流子漂移的渡越时间,使响应速度减慢。为了解决这一矛盾,就需要改进PN结光电二极管的结构。第12页,本讲稿共111页 4.2.2 PIN 光电二极管 PIN光电二极管的产生 由于PN结耗尽层只有几微米,大部分入射光被中性区吸收,因而光电转换效率低,响应速度慢。为改善器件的特性,在PN结中间设置一层掺杂浓度很低的本征半导体(称为I),这种结构便是常用的PIN光电二极管。第13页,本讲稿共111
8、页PIN光电二极管光电二极管的工作原理和结构见图3.20和图3.21。中间的I层是N型型掺杂浓度很低的本征半导体本征半导体,用(N)表示;两侧是掺杂浓度掺杂浓度很高的P型和N型半导体,用P+和N+表示。I层很厚,吸收系数吸收系数很小,入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子电子-空穴对空穴对,因而大幅度提高了光电转换效光电转换效率率。两侧P+层和N+层很薄,吸收入射光的比例很小,I层几乎占据整个耗尽层耗尽层,因而光生电流中漂移分量漂移分量占支配地位,从而大大提高了响应速度响应速度。另外,可通过控制耗尽层的宽度耗尽层的宽度,来改变器件的响应速度响应速度。第14页,本讲稿共111页第15页
9、,本讲稿共111页图3.21 PIN光电二极管结构第16页,本讲稿共111页式中,hf 为光子能量光子能量光子能量光子能量,e为电子电荷电子电荷电子电荷电子电荷。(3.13)(3.14)PIN光电二极管具有如下主要特性:(一)量子效率和光谱特性量子效率和光谱特性。光光电电转转换换效效率率用量量子子效效率率或响响应应度度表示。量量子子效效率率的定义为一次光光生电子生电子-空穴对空穴对和入射光子数入射光子数的比值响应度的定义为一次光生电流IP和入射光功率P0的比值 第17页,本讲稿共111页 式中,()和分别为I层的吸收系数和厚度。由式(3.15)可以看到,当()1时,1,所以为提高量子效率,I层
10、的厚度要足够大。(1)量子效率量子效率和和响应度响应度取决于材料的特性和器件的结构。假设器件表面反射率为零,P层和N层对量子效率的贡献可以忽略,在工作电压下,I层全部耗尽,那么PIN光电二极管的量子效率量子效率可以近似表示为(3.15)第18页,本讲稿共111页 (2)量子效率量子效率的光谱特性取决于半导体材料的吸收光谱吸收光谱(),对长波长的限制由式(3.6)确定,即c=h c/Eg。图3.22示出量子效率量子效率量子效率量子效率 和响应度响应度响应度响应度 的光谱特性,由图可见,Si 适用于0.80.9m波段,Ge 和InGaAs 适用于1.31.6 m波段。响应度一般为0.50.6(A/
11、W)。第19页,本讲稿共111页图3-22 PIN光电二极管响应度 、量子效应率 与波长 的关系第20页,本讲稿共111页 (二)响应时间和频率特性响应时间和频率特性。光电二极管对高速调制光信号的响响应应能能力力用脉脉冲冲响响应应时时间间或截止频率截止频率fc(带宽B)表示。对于数字脉冲调制信号,把光生电流脉冲前沿由最大幅度的10%上升到90%,或后沿由90%下降到10%的时间,分别定义为脉脉冲上升时间冲上升时间r和脉冲下降时间脉冲下降时间f。当光电二极管具有单一时间常数0时,其脉冲前沿和脉冲后沿相同,且接近指数函数exp(t/0)和exp(-t/0),由此得到脉脉冲冲响响应应时间时间 =r=
12、f=2.20 (3.16)第21页,本讲稿共111页 对于幅度一定,频率为=2f 的正弦调制信号,用光生电流I()下降3dB的频率定义为截截截截止止止止频频频频率率率率f fc c。当光电二极管具有单一时间常数0时,(3.17)PIN光电二极管响响应应时时间间或频频率率特特性性主主要要由由光生载流子在耗尽层的渡渡越越时时间间d和包括光电二极管在内的检测电路RC常常数数所确定确定。第22页,本讲稿共111页 当调制频率与渡越时间d的倒数可以相比时,耗尽层(I层)对量子效率()的贡献可以表示为(3.18)由()/(0)=得到由渡越时间d限制的截止频率(3.19)式中,渡越时间d=/vs,为耗尽层宽
13、度,vs为载流子渡越速度,比例于电场强度。由式(3.19)和式(3.18)可以看出,减减小小耗耗尽尽层层宽宽度度,可以减减小小渡渡越越时时间间d,从而提提高高截截止止频频率率fc,但是同时要降降低低量量子子效效率率。第23页,本讲稿共111页图3.23 内量子效率和带宽的关系第24页,本讲稿共111页 由电路RC时间常数限制的截止频率 式中,Rt为光电二极管的串联电阻和负载电阻的总和,Cd为结电容Cj和管壳分布电容的总和。式中,为材料介电常数材料介电常数材料介电常数材料介电常数,A为结面积结面积结面积结面积,w为耗尽层耗尽层耗尽层耗尽层宽度。(3.20)(3.21)第25页,本讲稿共111页
14、(三三)噪声噪声。噪声噪声影响光接收机的灵敏度灵敏度。噪噪声声包括散散粒粒噪噪声声(Shot Noise)(由信号电流和暗电流产生)热热噪声噪声(由负载电阻和后继放大器输入电阻产生)(1)均方散粒噪声电流均方散粒噪声电流均方散粒噪声电流均方散粒噪声电流 i2sh=2e(IP+Id)B (3.22)e为电子电荷,B为放大器带宽,IP和Id分别为信号电流和暗电流。2eI2eIP PB B 称为量量子子噪噪声声(由于入射光子和所形成的电子-空穴对都具有离散性和随机性而产生)2eI 2eId dB B是暗电流暗电流产生的噪声。暗暗电电流流是器件在反反偏偏压压条件下,没有入射光时产生的反反向向直直流流电
15、流。第26页,本讲稿共111页(1)均方热噪声电流 式中,k=1.3810-23J/K为波波波波尔尔尔尔兹兹兹兹曼曼曼曼常常常常数数数数,T为等效噪声温度,R为等效电阻,是负载电阻和放大器输入电阻并联的结果。因此,光电二极管的总均方噪声电流总均方噪声电流为 i2=2e(IP+Id)B+(3.24)(3.23)i2T=第27页,本讲稿共111页 4.2.3 雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)光电二极管输出电流输出电流 I和反偏压反偏压U的关系示于图3.24。随着反向偏压反向偏压的增加,开始光电流光电流基本保持不变。当反反向向偏偏压压增加到一定数值时,光光电电流流急剧增加,最后器件被击穿,这个
16、电压称为击穿电压击穿电压UB。APDAPD就是根据这种特性设计的器件。根据光光电电效效应应,当光入射到PN结时,光子被吸收而产生电电子子-空穴对空穴对。第28页,本讲稿共111页 如果如果电压增加到使电场达到200 kV/cm以上,初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。高速运动的电子和晶格原子相碰撞,使晶格原子电离,产生新的电子电子电子电子-空穴对空穴对空穴对空穴对。新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多次碰撞,产生连锁反应,致使载流子载流子雪崩式倍增雪崩式倍增,见图3.25。所以所以这种器件就称为雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)。第29页,本讲稿共111页 图 3.24
17、 光电二极管输出电流I和反向偏压U的关系 第30页,本讲稿共111页 图 3.25 APD载流子雪崩式倍增示意图(只画出电子)第31页,本讲稿共111页图3.26 APD结构图 图3.26示出的N+PP+结构被称为拉通型拉通型APD。第32页,本讲稿共111页 APD的响应度比PIN增加了g倍。U为反反反反向向向向偏偏偏偏压压压压,UB为击击击击穿穿穿穿电电电电压压压压,n为与材料特性和入射光波长有关的常数,R为体电阻体电阻体电阻体电阻。当UUB时,RIo/UB1)是雪雪雪雪崩崩崩崩效效效效应应应应的随机性引起噪声增加的倍数,设F=gx,APD的均方量子噪声电流均方量子噪声电流均方量子噪声电流
18、均方量子噪声电流应为 i2q=2eIPBg2+x (3.26b)式中,x为附加噪声指数。第34页,本讲稿共111页同理,APDAPD暗电流暗电流暗电流暗电流产生的均方噪声电流应为 i2d=2eId Bg2+x (3.27)附加噪声指数附加噪声指数附加噪声指数附加噪声指数x x与器件所用材料和制造工艺有关 Si-APD的x=0.30.5,Ge-APD的x=0.81.0,InGaAs-APD的x=0.50.7。当式(3.26)和式(3.27)的g=1时,得到的结果和PIN相同第35页,本讲稿共111页 4.2.4 光电二极管一般性能和应用光电二极管一般性能和应用 表3.3和表3.4列出半导体光电二
19、极管光电二极管光电二极管光电二极管(PIN和APD)的一般性能。APDAPD是有增益的光电二极管,在光接收机灵灵敏敏度度要求较高的场合,采用APDAPD有利于延长系统的传输距离。灵敏度灵敏度灵敏度灵敏度要求不高的场合,一般采用PIN-PD。第36页,本讲稿共111页-5-15-5-15工作电压工作电压 /V120.51结电容结电容 Cj/pF0.21210响应时间响应时间250.11暗电流暗电流 Id/nA0.6(1.3 )0.4(0.85 )响应度响应度1.01.60.41.0波长响应波长响应InGaAs-PINSi-PIN表3.3 PIN光电二极管一般特性第37页,本讲稿共111页0.50
20、.70.30.4附加噪声指数附加噪声指数 x203030100倍增因子倍增因子 g406050100工作电压工作电压 /V0.512结电容结电容 Cj/pF0.10.30.20.5响应时间响应时间10200.11暗电流暗电流 Id/nA050.70.5响应度响应度11.650.41.0波长响应波长响应InGaAs-APDSi-APD表3.4 雪崩光电二极管(APD)一般性能第38页,本讲稿共111页4.3 光接收机的特性光接收机的特性4.3.1 噪声特性噪声特性 光接收机的噪声有两部分:噪声有两部分:外部电磁干扰产生外部电磁干扰产生 这部分噪声的危害可以通过屏蔽或滤波加以消除;内部产生内部产生
21、 这部分噪声是在信号检测和放大过程中引入的随机噪声,只能通过器件的选择和电路的设计与制造尽可能减小,一般不可能完全消除。第39页,本讲稿共111页我们要讨论的噪声是指内部产生的随机噪声随机噪声随机噪声随机噪声。光接收机噪噪噪噪声声声声的的的的主主主主要要要要来来来来源源源源是是是是:光光光光检检检检测测测测器器器器的的的的噪噪噪噪声声声声和和和和前前前前置置置置放放放放大大大大器器器器的的的的噪噪噪噪声声声声。因为前置级输入的是微弱信号,其噪声对输出信噪比影响很大,而主放大器输入的是经前置级放大的信号,只要前置级增益足够大,主放大器引入的噪声就可以忽略。第40页,本讲稿共111页图 4.16
22、光接收机的噪声等效模型 第41页,本讲稿共111页 图4.16示出光接收机的噪声等效模型,由光光光光检检检检测测测测器器器器和和放放放放大大大大器器器器两部分组成。iq2光检测器的量量子子噪噪声声产生的均均方方噪噪声声电电流流(等效噪声功 率),相应的功率谱密度表示为 Sq id2光检测器的暗暗电电流流噪噪声声产生的均均方方噪噪声声电电流流(等效噪声功率),其相应的功率谱密度 Sd ip 光检测器的输出光生电流 R 光检测器的偏置电阻 C 光检测器的电容(结电容和其他电容)第42页,本讲稿共111页放大器分解为:理想放大器 等效噪声电流源i02相应的功率谱密度 SI 等效噪声电压源u02,相应
23、的功率谱密度SE Rin放大器的输入电阻。第43页,本讲稿共111页 折合到电放大器输入端的噪声主要包括光检测器产生的量子噪声、暗电流噪声和电阻热噪声及放大器产生的噪声。它们的电流均方值分别为其中,为一次光生信号电流,Id 为暗电流。第44页,本讲稿共111页 放大器噪声特性取决于所采用的前置放大器类型,根据放大器噪声等效电路和晶体管理论可以计算。常用三种类型前置放大电路示于图4.17,这样,折合到放大器输入端的均方噪声电流为第45页,本讲稿共111页 图 4.17 光接收机的前置级放大电路(a)双极型晶体管;(b)场效应管;(c)跨阻型 第46页,本讲稿共111页三种类型前置放大器的比较:(
24、1)双极型晶体管前置放大器的主要特点是输入阻抗低,电路时间常数RC小于信号脉冲宽度T,因而码间干扰小,适用于高速率传输系统。(2)场效应管前置放大器的主要特点是输入阻抗高,噪声小,高频特性较差,适用于低速率传输系统。(3)跨阻型前置放大器最大的优点是改善了带宽特性和动态范围,并具有良好的噪声特性。第47页,本讲稿共111页 4.3.2 误码率误码率 由由于于噪噪声声的的存存在在,放放大大器器输输出出的的是是一一个个随随机机过过程程,其取样值是随机变量,因此在判决时可能发生误判,把发射的“0”码误判为“1”码,或把“1”码误判为“0”码。光接收机对码元误判的概率称为误误码码率率(在二元制的情况下
25、,等于误比特率,BER),用较长时间间隔内,在传输的码流中,误判的码元数和接收的总码元数的比值来表示。码元被误判的概率,可以用噪声电流(压)的概率密度函数来计算。如图4.18所示,I1是“1”码的电流,I0是“0”码的电流。Im是“”码的平均电流,而“0”码的平均电流为0。D为判决门限值,一般取D=Im/2。第48页,本讲稿共111页 图 4.18 计算误码率的示意图 第49页,本讲稿共111页 在在“”码码时时,如果在取样时刻带有噪声的电流I1D,则可能被误判为“”码。要确定误码率,不仅要知道噪声功率的大小,而且要知道噪声的概率分布。光光接接收收机机输输出出噪噪声声的的概概率率分分布布十分复
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