基础电子知识优秀PPT.ppt
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1、基础电子知识第1页,本讲稿共86页目 录 第一章:万用表的使用方法及注意事项第二章:电子电路中常用五大元器件 第三章:电子辞典相关知识 第四章:认识MP3 第五章:了解MP4第2页,本讲稿共86页第一章:万用表的使用方法及注意事项第一章:万用表的使用方法及注意事项 以VC9800A系列为例:第第VC9800A系列仪表是一种性能稳定,用电池驱动的高可靠性数字万用表。此系列仪表可用来测量直流电压、直流电流可交流电流、电阻、电容、电感、二极管、三极管、通断测试、温度及频率等参数。第3页,本讲稿共86页1、液晶显示器2-1、电源开关2-2、APO按键3、保持开关4、hFE测试插座5、温度(TEMP)6
2、、旋钮开关7、电压、电阻、电容及频率插座8、公共地9、小于200mA电流测试插座10、20A电流测试插座11、背光显示一、操作面牌说明一、操作面牌说明第4页,本讲稿共86页二、直流电压测量二、直流电压测量1、将黑表笔插入“COM”插孔,红表笔插入“V/”插孔;2、将量程开关转至相应的DCV量程上,然后将测试表笔跨接在被测电路上,红表笔所接的该点电压与极性显示在屏幕上;注意:1、如果事先对被测电压范围没有概念,应将量程开关转到最高的档位,然后根据显示值转至相应档位上;第5页,本讲稿共86页2、如在高位显“1”,表明已超过量程范围,须将量程开关转至较高档位上;3、输入电压切勿超过1000V,如超过
3、,则有损坏仪表电路的危险4、当测量高电压电路时,千万注意避免触及高压电路第6页,本讲稿共86页三、交流电压测量三、交流电压测量1、将黑表笔插入“COM”插孔,红表笔插入“V/”插孔;2、将量程开关转至相应的ACV量程上,然后将测试表笔跨接在被测电路上。注意:1、如果事先对被测电压范围没有概念,应将量程开关转到最高的档位,然后根据显示值转至相应档位上;2、如在高位显“1”,表明已超过量程范围,须将量程开关转到最高的档位,然后根据显示值转至相应档位上。3、输入电压切勿超过于700Vrms,如超过则有损坏仪表电路的危险;4、当测量高电压电路时,千万注意避免触及高压电路第7页,本讲稿共86页四、直流电
4、流测量四、直流电流测量1、将黑表笔插入“COM”插孔,红表笔直插入“mA”插孔中(最大为200mA),或红表笔插入“20A”插孔中(最大为20A);2、将量程开关转至相应DCA档位上,然后将仪表串入被测电路中,被电流值及红色表笔点的电流极性将同时显示在液晶片上。注意:1、如果事先对被测电流范围没有概念,应将量程开关转到最高的档位,然后按显示值转至相应档上;第8页,本讲稿共86页2、如LCD显“1”,表明已超过量程范围,须将量程开关调高一档;3、最大输入电流为200mA或者20A时(视红表笔插入位置而定),过大的电流会将保险丝熔断,在测量20A时要注意,该档位无保护,千万要小心,过大的电流将使电
5、路发热,甚至损坏仪表。第9页,本讲稿共86页五、交流电流测量五、交流电流测量1、将黑表笔插入“COM”插孔,红表笔插入“mA”插孔中,(最大为200mA),或红表笔插入“20A”插孔中(最大为20A);2、将量程开关转至相应ACA档位上,然后将仪表串入被测电路中;注意:1、如果事先对被测电流范围没有概念,应将量程开关转到最高的档位,然后按显示值转至相应档上;第10页,本讲稿共86页2、如LCD显“1”,表明已超过量程范围,湎将量程开关调高一档;3、最大输入电流为200mA或者20A时(视红表笔插入位置而定),过大的电流会将保险丝熔断,在测量20A时要注意,该档位无保护,千万要小心,过大的电流将
6、使电路发热,甚至损坏仪表。第11页,本讲稿共86页六、电阻测量六、电阻测量1、将黑表笔插入“COM”插孔,红表笔插入“V/”插孔;2、将量程开关转至相应的电阻量程上,将两表笔跨接在被测电阻上;注意:1、如果电阻值超过所选的量程值,则会显“1”,这时应将开关转高一档。当测量电阻值超过1M以上时,读数需几秒间才能稳定,这在测量高电阻时是正常的;第12页,本讲稿共86页2、当输入端开路时,则显示过载情形;3、测量在线电阻时,要确认被测电路所有电源已关而所有电容都已完全放电时,才可进行;4、请勿在电阻量程输入电压,这是绝对禁止的,虽然仪表在该档位上有电压防护功能;第13页,本讲稿共86页七、电容测量七
7、、电容测量1、将量程开关置于相应之电容量程上,将测试电容插入“Cx“插孔或仅(VC9804A)将黑色表笔插入“mA”插孔,红色表笔插入“V/”插孔。2、将测试表笔跨接在电容两端进行测量,必要时注意极性。注意:1、如被测电容超过所选量程之最大值,显示器将只显示“1”,此时则应将开关转高一档;第14页,本讲稿共86页2、在测试电容之前,LCD显示值可能尚未回到零,残留读数会逐渐减小,但可以有予理会,它不会影响测量结果;3、单位 1uF=1000nF 1nF=1000pF 4、请在测试电容容量之前,对电容应充分地放电,以防止损坏仪表。第15页,本讲稿共86页二章:电子电路中常用五大元器件二章:电子电
8、路中常用五大元器件电阻电阻英文名称:Resistor元件用途:调节电流大小字母代码:R其它代码:无极 性:无方向性:无常用单位:(欧姆)、K(千欧)、M(兆欧)标 称 值:一般用色环表示误 差:色环表示第16页,本讲稿共86页分类:电阻一般有碳膜电阻(其外形越大,功率也越大)、线绕电阻、金属膜电阻。单位换算:1M=103 K 1K=103 电阻之间的串联:相加电阻之间的并联:相乘之积除以相加之和SMT电阻的识别方法:前两位数乘以10的N次幂(N代表第三位数)举例:丝印103计算方法:03第17页,本讲稿共86页无极性电容英文名称:Capacitor(Non-polarized)无件用途:贮存电
9、能,充电或放电字母代码:C其它代码:无极 性:无方 向 性:无常用单位:F(微法)nF(纳法)pF(皮法)说 明:无极性电容一般有:陶瓷电容;云母电容;涤沦电容(聚脂薄膜电容)电容电容第18页,本讲稿共86页 单位换算:1F=103MF=106 F=109 nF=1012 pF第19页,本讲稿共86页第20页,本讲稿共86页英文名称:Capacitor(Polarized)中文名称:电解电容(极性电容)元件用途:贮存电能,充电或放电字母代码:C其它代码:无极 性:电解电容长脚为正极,短脚为负极;电解电容元件上的“”表示负极方向 性:由其极性决定安装方向常用单位:F(微法)nF(纳法)pF(皮法
10、)标 称 值:一般的元件上直接标明其电容量,如“100F”,表示其电容量为100F误 差:一般用字母或百分比表示电容特性:隔直流通交流第21页,本讲稿共86页英文名称:Diode中文名称:二极管元件用途:单向导电(即电流只能由正极流向负极)字母代码:D其它代码:V,CR极 性:二极管上标有圆环的一端为负极(-)方向 性:由极性决定其安装方向常用单位:无标 称 值:无误 差:无 第22页,本讲稿共86页压降:硅(Si)管的正向压降为0.6V 0.7V 锗(Ge)管的正向压降为0.2V 0.3V测试方法:将黑表笔插入“COM”插孔,红表笔插入“V/”插孔(注意红表笔极性为“+”);将量程开关置有二
11、极管的档位,并将表笔连接到待测试二极管,红表笔接二极管正极,黑表笔接二极管负极,读数为二极管正向压降的近似值,一般较小;对换表笔,读数较大。如两次读数均接近于零,则二极管已击穿;如两次读数均很大,则二极管已开路。用 途:检波、整流、开关、稳压、混频等。第23页,本讲稿共86页英文名称:Light-Emitting Diode中文名称:发光二极管元件用途:发出不同颜色的光字母代码:LED其它代码:E,DS,D,DIS,CR极 性:长脚为正极方向 性:由极性决定其安装方向误 差:无第24页,本讲稿共86页英文名称:Inductor中文名称:电感元件用途:电磁转换(将电能与磁能相互转化)字母代码:L
12、 其它代码:T 极 性:无方向 性:一般电感无方向性,变压器/中周的方向性由其引脚的不规则排列决定安装方向常用单位:H(微享)、mH(毫享)单位换算:1 H=103mH=106 H标称值:一般电感用色环表示而变压器/中周无标称值第25页,本讲稿共86页误 差:一般电感用色环表示说 明:电感一般有色环电感、变压器(俗称“火牛)、中周、空心电感 电感特性:隔交流通直流第26页,本讲稿共86页英文名称:Transistor中文名称:三极管元件用途:放大电信号字母代码:Q其它代码:V或U极 性:无方 向 性:由管脚的排列来确定其安装方向常用单位:无标称 值:无第27页,本讲稿共86页误 差:无 压降:
13、以硅(Si)材料NPN管为例 使三极管工作在放大状态的条件 发射结正偏、集电结反偏,以e点为地,b点到e点偏置电压Vbe为0.6V 0.7V测试方法:按照判别二极管极性的方法,可以判断出其中一极为公共正极或公共负极,此极即为基极B,对NPN型管,基极是公共正极;对PNP型管则是公共负极。因此,判别出基极是公共正极还是公共负极,即可知道被测三极管是PNP型或NPN型。第28页,本讲稿共86页若已判明基极为B端,另外两个极,任意设E、C端。设被测管为PNP型,将万用表红表笔接C端,黑表笔接E端,再将假设的C、E极互换,看两次测得电阻大小。分析可知,测得电阻小时,则C端是集电极C,E端是发射极E。判
14、断三极管的好坏:测试时用万用表分别测试三极管发射结、集电结的正、反向电阻,若两结正、反向电阻正常,三极管一般为正常三极管。否则,三极管已损坏。第29页,本讲稿共86页结构:半导体三极管简称三极管或晶体管。它的结构是在一块半导体上应用半导体工艺制成两个PN结。按两个PN结组合的方式不同,可分为PNP型和NPN型两类。三极管内部结构分为发射区、基区和集电区,各引出电极分别称为发射极e、基极b和集电极c。发射区(e区)和基区(b区)之间的PN结称为发射结,集电区(c区)和基区之间的结称为集电结。半导体三极管按材料不同分为硅(Si)管和锗(Ge)管。目前我国制造的硅管多数为NPN型,锗管多为PNP型。
15、第30页,本讲稿共86页总结:根据晶体管的引线数可以判断是二极管或三极管 根据部分二极管上标有的符号和二极管的外型可以判断二极管的极性。对于常用的双极性晶体管,可根据它的管脚排列顺序,判断出它的发射极、基极和集电极。在晶体管上一般都有晶体管的型号,根据型号,可以知道晶体管的材料、类别、序号。通过查阅手册,还可得知晶体管的主要参数、使用方法等技术资料。第31页,本讲稿共86页第三章第三章 电子辞典相关知识电子辞典相关知识电子词典(含学习机)和电子词典(含学习机)和MP3MP3以及以及MP4MP4第32页,本讲稿共86页一、一、电子词典相关知识电子词典相关知识、什么是电子词典?、什么是电子词典?答
16、:电子辞典是一种将传统的印刷词典转成数码方式、进行快速查询的数字学习工具。电子辞典以轻便易携、查询快捷、功能丰富等特点,成为21世纪学生学习生活、社会人士移动办公的掌上利器。电子辞典主要有五大板块功能,分别为:辞典查询学习功能、电子记事功能、计算功能、参考资料功能以及数据传输功能。第33页,本讲稿共86页2 2、什么是、什么是 Pclink Pclink?答:Pclink是PC机和电子辞典进行连接,上传下载程序、文挡、资料,并可对数据进行管理的PC端软件。3 3、什么是五笔和拼音?、什么是五笔和拼音?答:五笔是指当您选定反查五笔后,在用其它输入法输入汉字时,屏幕会显示汉字“五笔输入码”,若选定
17、反查拼音,则显示汉字的“拼音”。第34页,本讲稿共86页4 4、什么是记忆体?、什么是记忆体?答:记忆体相当于PC机上的硬盘,用来存储和保存数据的。ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取。即使是断电,ROM也能够保留数据。5 5、什么是电脑连接器、什么是电脑连接器?答:电脑连接器是将“网络电子辞典”的记录资料发送到PC机作为备份或是将PC机中的资料发送至“网络电子词典”;还可以进行同步数据操作,即在PC上直接修改“网络电子词典”上的数据的设备。第35页,本讲稿共86页6 6、什么是数据传输接口?、什么是数据传输接口?答:数据传输接口是电脑辞典与PC相连接,实现上传下载、资料同步、电子
18、图书方便自如;双机互传,互通有无的数据接口第36页,本讲稿共86页二、二、电子词典基本组成部分电子词典基本组成部分A、电子词典主要由以下几大部分组成:1、MCU(分8位与16位和32位).目前用到的为矽创8位MCU和32位爱普生的32位MCU;2、扩展存储器.分SRAM和NOR FLASH以及NAND FLASH;3、键盘4、通讯设备第37页,本讲稿共86页5、电源6、语音输出部分(DSP+AMP或解码器)7、LCM 显示模组8、主振/时钟电路第38页,本讲稿共86页B B、电子词典主要几大部分示意框图、电子词典主要几大部分示意框图:第39页,本讲稿共86页C C、词典组成部分简介、词典组成部
19、分简介一 扩展存储器(SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH等)闪速存贮器FLASH技术分类(转)全球闪速存储器的技术主要掌握在AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA,由于各自技术架构的不同,分为几大阵营。第40页,本讲稿共86页1.1.NORNOR技术技术NOR技术(亦称为Linear技术)闪速存储器是最早出现的FlashMemory,目前仍是多数供应商支持的技术架构。它源于传统的EPROM器件,与其它FlashMemory技术相比,具有可靠性高、随机读
20、取速度快的优势,在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合,尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。第41页,本讲稿共86页NOR技术FlashMemory具有以下特点:(1)程序和数据可存放在同一芯片上,拥有独立的数据总线和地址总线,能快速随机读取,允许系统直接从Flash中读取代码执行,而无需先将代码下载至RAM中再执行;(2)可以单字节或单字编程,但不能单字节擦除,必须以块为单位或对整片执行擦除操作,在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。由于NOR技术FlashMemory的擦除和编程速度较慢,而块尺寸又较大,因此
21、擦除和编程操作所花费的时间很长,在纯数据存储和文件存储的应用中,NOR技术显得力不从心。第42页,本讲稿共86页不过,仍有支持者在以写入为主的应用,如CompactFlash卡中继续看好这种技术。Intel公司的StrataFlash家族中的最新成员28F128J3,是迄今为止采用NOR技术生产的存储容量大的闪速存储器件,达到128Mb(位),对于要求程序和数据存储在同一芯片中的主流应用是一种较理想的选择。该芯片采用0.25m制造工艺,同时采用了支持高存储容量和低成本的MLC技术。第43页,本讲稿共86页所谓MLC技术(多级单元技术)是指通过向多晶硅浮栅极充电至不同的电平来对应不同的阈电压,代
22、表不同的数据,在每个存储单元中设有4个阈电压(00/01/10/11),因此可以存储2b信息;而传统技术中,每个存储单元只有2个阈电压(0/1),只能存储1b信息。在相同的空间中提供双倍的存储容量,是以降低写性能为代价的。Intel通过采用称为VFM(虚拟小块文件管理器)的软件方法将大存储块视为小扇区来管理和操作,在一定程度上改善了写性能,使之也能应用于数据存储中。第44页,本讲稿共86页2.2.NANDNAND技术技术NANDSamsung、Toshiba和Fujitsu支持NAND技术FlashMemory。这种结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储,主要作为SmartMedia卡、C
23、ompactFlash卡、PCMCIAATA卡、固态盘的存储介质,并正成为闪速磁盘技术的核心。第45页,本讲稿共86页NAND技术FlashMemory具有以下特点:(1)以页为单位进行读和编程操作,1页为256或512B(字节);以块为单位进行擦除操作,1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能,其块擦除时间是2ms;而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。(2)数据、地址采用同一总线,实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。(3)芯片尺寸小,引脚少,是位成本(bitcost)最低的固态存储器,将很快突破每兆字节1美元的价格限制。(4)芯片包含有失效块,其数目最大可达到33
24、5块(取决于存储器密度)。失效块不会影响有效块的性能,但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。第46页,本讲稿共86页Samsung公司在1999年底开发出世界上第一颗1GbNAND技术闪速存储器。据称这种FlashMemory可以存储560张高分辨率的照片或32首CD质量的歌曲,将成为下一代便携式信息产品的理想媒介。Samsung采用了许多DRAM的工艺技术,包括首次采用0.15m的制造工艺来生产这颗Flash。已经批量生产的K9K1208UOM采用0.18m工艺,存储容量为512Mb。第47页,本讲稿共86页3.3.ANDAND技术技术AND技术是Hitachi公司的专利技术。Hita
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