常用半导体器件优秀PPT.ppt

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1、常用半导体器件你现在浏览的是第一页，共49页 1.1 半导体和半导体和PN结结 1.1.1 半导体半导体导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体按导电能力的按导电能力的按导电能力的按导电能力的大小划分大小划分大小划分大小划分半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。半导体之所以得到半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。半导体之所以得到半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。半导体之所以得到半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。半导体之所以得到广泛的应用，是因为人们发现半导体具有三个奇妙且可贵的特广泛的应用，是因为人们发现半导体具有三个奇妙且可贵的特广泛的应用，

2、是因为人们发现半导体具有三个奇妙且可贵的特广泛的应用，是因为人们发现半导体具有三个奇妙且可贵的特性性性性:掺杂性、热敏性、光敏性。掺杂性、热敏性、光敏性。掺杂性、热敏性、光敏性。掺杂性、热敏性、光敏性。你现在浏览的是第二页，共49页1.1.2 N型半导体和型半导体和P型半导体型半导体 掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为杂质半导体分为杂质半导体分为杂质半导体分为N N型半导体和型半导体和型半导体和型半导体和P P型半导体两类型半导体两类型半导体两类型半导体两类若在纯净的四价元素硅中采用一若在纯净的四价元素硅中采用一若在纯净的四价元素硅中采用一若在纯

3、净的四价元素硅中采用一定的制造工艺，掺入微量五价元定的制造工艺，掺入微量五价元定的制造工艺，掺入微量五价元定的制造工艺，掺入微量五价元素（例如磷）素（例如磷）素（例如磷）素（例如磷）N N型半导体型半导体型半导体型半导体若在纯净的四价元素硅中采用一若在纯净的四价元素硅中采用一若在纯净的四价元素硅中采用一若在纯净的四价元素硅中采用一定的制造工艺掺入微量的三价元定的制造工艺掺入微量的三价元定的制造工艺掺入微量的三价元定的制造工艺掺入微量的三价元素（例如硼）素（例如硼）素（例如硼）素（例如硼）P P型半导体型半导体型半导体型半导体你现在浏览的是第三页，共49页1.1.3 PN结及其单向导电性结及其单

4、向导电性1.PN结的形成结的形成 用特定的制造工艺使用特定的制造工艺使用特定的制造工艺使用特定的制造工艺使P P型半导体和型半导体和型半导体和型半导体和N N型半型半型半型半导体相结合，在其交导体相结合，在其交导体相结合，在其交导体相结合，在其交界面上将形成一个特界面上将形成一个特界面上将形成一个特界面上将形成一个特殊的薄层，这个薄层殊的薄层，这个薄层殊的薄层，这个薄层殊的薄层，这个薄层就是就是就是就是PNPN结。结。结。结。图图图图1-21-2为为为为PNPN结的结构示意图，其中字母结的结构示意图，其中字母结的结构示意图，其中字母结的结构示意图，其中字母P P代表代表代表代表P P型半导体，

5、字母型半导体，字母型半导体，字母型半导体，字母N N代表代表代表代表N N型半导体，中间划有虚型半导体，中间划有虚型半导体，中间划有虚型半导体，中间划有虚线的部分代表线的部分代表线的部分代表线的部分代表PNPN结。结。结。结。你现在浏览的是第四页，共49页2.PN结的单向导电性结的单向导电性PNPN结加正向电压导通，加反向电压截止，这种导电特结加正向电压导通，加反向电压截止，这种导电特结加正向电压导通，加反向电压截止，这种导电特结加正向电压导通，加反向电压截止，这种导电特性就称为性就称为性就称为性就称为PNPN结的结的结的结的单向导电性。单向导电性。单向导电性。单向导电性。你现在浏览的是第五页

6、，共49页 1.2 半导体二极管半导体二极管 1.2.1 二极管的结构与符号二极管的结构与符号 PNPN结加上引出线和管壳就构成半导体二极管（简称结加上引出线和管壳就构成半导体二极管（简称结加上引出线和管壳就构成半导体二极管（简称结加上引出线和管壳就构成半导体二极管（简称二极管）。二极管）。二极管）。二极管）。二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的符号二极管的符号二极管的符号二极管的符号你现在浏览的是第六页，共49页1.2.2 二极管的伏安特性和参数二极管的伏安特性和参数1.观察二极管的导电性观察二极管的导电性（a a）观察指示灯）观察指示灯）观察指示

7、灯）观察指示灯是否发亮，（是否发亮，（是否发亮，（是否发亮，（b b）再观察指示灯的亮再观察指示灯的亮再观察指示灯的亮再观察指示灯的亮暗情况暗情况暗情况暗情况你现在浏览的是第七页，共49页2.二极管的主要特性二极管的主要特性（1 1）加正向电压导通）加正向电压导通）加正向电压导通）加正向电压导通 在二极管的两电极加上电压，在二极管的两电极加上电压，在二极管的两电极加上电压，在二极管的两电极加上电压，称为给二极管以偏置。称为给二极管以偏置。称为给二极管以偏置。称为给二极管以偏置。（2 2）加反向电压截止）加反向电压截止）加反向电压截止）加反向电压截止 与正向偏置相反，如果将电源负极与正向偏置相反

8、，如果将电源负极与正向偏置相反，如果将电源负极与正向偏置相反，如果将电源负极与二极管的正极相连，电源正极与二极管的负极相连，称与二极管的正极相连，电源正极与二极管的负极相连，称与二极管的正极相连，电源正极与二极管的负极相连，称与二极管的正极相连，电源正极与二极管的负极相连，称为反向偏置，简称反偏。为反向偏置，简称反偏。为反向偏置，简称反偏。为反向偏置，简称反偏。综上所述综上所述综上所述综上所述，二极管具有，二极管具有，二极管具有，二极管具有“加正向偏压加正向偏压加正向偏压加正向偏压导通，加反向偏压截止导通，加反向偏压截止导通，加反向偏压截止导通，加反向偏压截止”的导电特性，的导电特性，的导电特

9、性，的导电特性，即单向导电性，它是二极管最重要的即单向导电性，它是二极管最重要的即单向导电性，它是二极管最重要的即单向导电性，它是二极管最重要的特性。特性。特性。特性。你现在浏览的是第八页，共49页小知识小知识 二极管为什么具有二极管为什么具有单向导电性单向导电性?二极管的核心是二极管的核心是二极管的核心是二极管的核心是PNPN结，因此二极管的单向导电性是由结，因此二极管的单向导电性是由结，因此二极管的单向导电性是由结，因此二极管的单向导电性是由PNPN结的特性所结的特性所结的特性所结的特性所决定的。决定的。决定的。决定的。（1 1）PNPN结加上正向电压的情况结加上正向电压的情况结加上正向电

10、压的情况结加上正向电压的情况 将将将将PNPN结的结的结的结的P P区接电源正极，区接电源正极，区接电源正极，区接电源正极，N N区接区接区接区接电源负极，此时外加电压对电源负极，此时外加电压对电源负极，此时外加电压对电源负极，此时外加电压对PNPN结产生的电场与结产生的电场与结产生的电场与结产生的电场与PNPN结内电场方向相反，结内电场方向相反，结内电场方向相反，结内电场方向相反，削弱了削弱了削弱了削弱了PNPN结内电场，使得多数载流子能顺利通过结内电场，使得多数载流子能顺利通过结内电场，使得多数载流子能顺利通过结内电场，使得多数载流子能顺利通过PNPN结形成正向电流，结形成正向电流，结形成

11、正向电流，结形成正向电流，并随着外加电压的升高而迅速增大，即并随着外加电压的升高而迅速增大，即并随着外加电压的升高而迅速增大，即并随着外加电压的升高而迅速增大，即PNPN结加正向电压时处于导通结加正向电压时处于导通结加正向电压时处于导通结加正向电压时处于导通状态。状态。状态。状态。（2 2）PNPN结加上反向电压的情况结加上反向电压的情况结加上反向电压的情况结加上反向电压的情况 将将将将PNPN结的结的结的结的P P区接电源的负极，区接电源的负极，区接电源的负极，区接电源的负极，N N区接电源正极，区接电源正极，区接电源正极，区接电源正极，此时外加电压对此时外加电压对此时外加电压对此时外加电压

12、对PNPN结产生的电场与结产生的电场与结产生的电场与结产生的电场与PNPN结内电场方向相同，加强了结内电场方向相同，加强了结内电场方向相同，加强了结内电场方向相同，加强了PNPN结内电场，结内电场，结内电场，结内电场，多数载流子在电场力的作用下难于通过多数载流子在电场力的作用下难于通过多数载流子在电场力的作用下难于通过多数载流子在电场力的作用下难于通过PNPN结，反向电流非常微小，即结，反向电流非常微小，即结，反向电流非常微小，即结，反向电流非常微小，即PNPN结加反结加反结加反结加反向电压时处于截止状态。向电压时处于截止状态。向电压时处于截止状态。向电压时处于截止状态。你现在浏览的是第九页，

13、共49页3.二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线你现在浏览的是第十页，共49页（1 1）正向特性曲线）正向特性曲线）正向特性曲线）正向特性曲线（2 2）反向特性曲线）反向特性曲线）反向特性曲线）反向特性曲线（3 3）反向击穿特性曲线）反向击穿特性曲线）反向击穿特性曲线）反向击穿特性曲线你现在浏览的是第十一页，共49页 4.二极管的主要参数二极管的主要参数（1）最大整流电流）最大整流电流（2）最高反向工作电压）最高反向工作电压（3）反向电流）反向电流你现在浏览的是第十二页，共49页1.2.3 二极管的应用二极管的应用二极管限幅电路二极管限幅电路二极管限幅电路二极管限幅电路二极管限幅电路可用作

14、保护电路，以防止半导体器件由于过压而二极管限幅电路可用作保护电路，以防止半导体器件由于过压而二极管限幅电路可用作保护电路，以防止半导体器件由于过压而二极管限幅电路可用作保护电路，以防止半导体器件由于过压而被损坏，也可用来产生数字信号中的恒幅波。被损坏，也可用来产生数字信号中的恒幅波。被损坏，也可用来产生数字信号中的恒幅波。被损坏，也可用来产生数字信号中的恒幅波。你现在浏览的是第十三页，共49页思考题思考题 1.1.画出二极管的符号和文字符号，并说明二极管的主要特画出二极管的符号和文字符号，并说明二极管的主要特画出二极管的符号和文字符号，并说明二极管的主要特画出二极管的符号和文字符号，并说明二极

15、管的主要特性。性。性。性。2.2.二极管伏安特性的物理意义是什么二极管伏安特性的物理意义是什么二极管伏安特性的物理意义是什么二极管伏安特性的物理意义是什么?3.3.选用二极管时主要考虑哪些参数选用二极管时主要考虑哪些参数选用二极管时主要考虑哪些参数选用二极管时主要考虑哪些参数?并说明参数的含义。并说明参数的含义。并说明参数的含义。并说明参数的含义。4.4.锗二极管与硅二极管的主要差异是什么锗二极管与硅二极管的主要差异是什么锗二极管与硅二极管的主要差异是什么锗二极管与硅二极管的主要差异是什么?各适用于哪些场合各适用于哪些场合各适用于哪些场合各适用于哪些场合?5.5.有一只二极管，测得正向电阻有一

16、只二极管，测得正向电阻有一只二极管，测得正向电阻有一只二极管，测得正向电阻1.2k1.2k，反向电阻，反向电阻，反向电阻，反向电阻520k520k，该，该，该，该管子能使用吗管子能使用吗管子能使用吗管子能使用吗?你现在浏览的是第十四页，共49页1.2.4 特殊二极管及其应用特殊二极管及其应用1.稳压二极管（以下称稳压管）稳压二极管（以下称稳压管）（1）工作特性及应用）工作特性及应用它是一种用特殊工艺制造的硅二极管，只要反向电流不超过极它是一种用特殊工艺制造的硅二极管，只要反向电流不超过极它是一种用特殊工艺制造的硅二极管，只要反向电流不超过极它是一种用特殊工艺制造的硅二极管，只要反向电流不超过极

17、限电流，管子工作在击穿区并不会损坏，属可逆击穿，这与普限电流，管子工作在击穿区并不会损坏，属可逆击穿，这与普限电流，管子工作在击穿区并不会损坏，属可逆击穿，这与普限电流，管子工作在击穿区并不会损坏，属可逆击穿，这与普通二极管破坏性击穿是截然不同的。稳压管工作在反向击穿区通二极管破坏性击穿是截然不同的。稳压管工作在反向击穿区通二极管破坏性击穿是截然不同的。稳压管工作在反向击穿区通二极管破坏性击穿是截然不同的。稳压管工作在反向击穿区域时，利用其陡峭的反向击穿特性在电路中起稳定电压作用。域时，利用其陡峭的反向击穿特性在电路中起稳定电压作用。域时，利用其陡峭的反向击穿特性在电路中起稳定电压作用。域时，

18、利用其陡峭的反向击穿特性在电路中起稳定电压作用。稳压管主要用于恒压源、辅助电源和基准电源电路，在数字逻辑稳压管主要用于恒压源、辅助电源和基准电源电路，在数字逻辑稳压管主要用于恒压源、辅助电源和基准电源电路，在数字逻辑稳压管主要用于恒压源、辅助电源和基准电源电路，在数字逻辑电路中还常用作电平转移等。电路中还常用作电平转移等。电路中还常用作电平转移等。电路中还常用作电平转移等。你现在浏览的是第十五页，共49页稳压管的伏安特性曲线稳压管的伏安特性曲线稳压管的伏安特性曲线稳压管的伏安特性曲线稳压管的应用稳压管的应用稳压管的应用稳压管的应用你现在浏览的是第十六页，共49页（2）稳压管的主要参数）稳压管的

19、主要参数 稳定电压稳定电压稳定电压稳定电压稳定电流稳定电流 最大稳定电流最大稳定电流最大稳定电流最大稳定电流耗散功率耗散功率 动态电阻动态电阻动态电阻动态电阻 温度系数温度系数温度系数温度系数k k反映由温度变化而引起的稳定电压变化。反映由温度变化而引起的稳定电压变化。反映由温度变化而引起的稳定电压变化。反映由温度变化而引起的稳定电压变化。你现在浏览的是第十七页，共49页 2.发光二极管发光二极管发光二极管是一种把发光二极管是一种把电能变成光能的半导电能变成光能的半导体器件，由磷化镓、体器件，由磷化镓、砷化镓等半导体材料砷化镓等半导体材料制成，符号如图制成，符号如图1-14（a）所示，发光）所

20、示，发光二极管的种类按外形二极管的种类按外形可分为可分为:圆形、方形圆形、方形等。如图等。如图1-14（b）所示。所示。你现在浏览的是第十八页，共49页 3.3.光电二极管光电二极管光电二极管光电二极管 光电二极管又称为光敏光电二极管又称为光敏光电二极管又称为光敏光电二极管又称为光敏二极管，其符号和元件外二极管，其符号和元件外二极管，其符号和元件外二极管，其符号和元件外形如图形如图形如图形如图1-161-16所示。光电二所示。光电二所示。光电二所示。光电二极管也是由一个极管也是由一个极管也是由一个极管也是由一个PNPN结构成，结构成，结构成，结构成，但是它的但是它的但是它的但是它的PNPN结面

21、积较大，结面积较大，结面积较大，结面积较大，通过管壳上的一个玻璃窗通过管壳上的一个玻璃窗通过管壳上的一个玻璃窗通过管壳上的一个玻璃窗口来接收入射光。光电二口来接收入射光。光电二口来接收入射光。光电二口来接收入射光。光电二极管常用作传感器的光敏极管常用作传感器的光敏极管常用作传感器的光敏极管常用作传感器的光敏元件，可将光信号转换为元件，可将光信号转换为元件，可将光信号转换为元件，可将光信号转换为电信号。大面积的光电二电信号。大面积的光电二电信号。大面积的光电二电信号。大面积的光电二极管可用来作电源，即光极管可用来作电源，即光极管可用来作电源，即光极管可用来作电源，即光电池。电池。电池。电池。你现

22、在浏览的是第十九页，共49页4.无引线片状二极管无引线片状二极管无引线片状二极管在目前的电子产品中得到了广无引线片状二极管在目前的电子产品中得到了广泛应用，它的特点是体积小、重量轻、高频性能泛应用，它的特点是体积小、重量轻、高频性能好、形状简单、尺寸标准化，焊点处于元件的两好、形状简单、尺寸标准化，焊点处于元件的两端，便于自动化装配。片状元件尺寸很小，其表端，便于自动化装配。片状元件尺寸很小，其表面已无法详细标出元件的名称和规格，因而通常面已无法详细标出元件的名称和规格，因而通常用缩减的符号来表示元件的基本参数。用缩减的符号来表示元件的基本参数。常见的片状二极管器件有常见的片状二极管器件有常见

23、的片状二极管器件有常见的片状二极管器件有:肖特基二极管、稳压二极管、开关二肖特基二极管、稳压二极管、开关二肖特基二极管、稳压二极管、开关二肖特基二极管、稳压二极管、开关二极管、复合二极管和变容二极管五种类型。极管、复合二极管和变容二极管五种类型。极管、复合二极管和变容二极管五种类型。极管、复合二极管和变容二极管五种类型。分类，分类，分类，分类，重点重点重点重点你现在浏览的是第二十页，共49页（1）肖特基二极管）肖特基二极管常见的肖特常见的肖特常见的肖特常见的肖特基二极管封基二极管封基二极管封基二极管封装形式装形式装形式装形式你现在浏览的是第二十一页，共49页（2）稳压二极管）稳压二极管 稳压值

24、在稳压值在稳压值在稳压值在2 230V30V，额定功率为，额定功率为，额定功率为，额定功率为0.5W0.5W的片状稳压二的片状稳压二的片状稳压二的片状稳压二极管的封装多采用极管的封装多采用极管的封装多采用极管的封装多采用SOT-23SOT-23形式，额定功率为形式，额定功率为形式，额定功率为形式，额定功率为1W1W的多的多的多的多采用采用采用采用SOT-89SOT-89（1W1W）形式封装。）形式封装。）形式封装。）形式封装。你现在浏览的是第二十二页，共49页（3）开关二极管）开关二极管 该类管子用于数字脉冲电路及电子开关电路，片状该类管子用于数字脉冲电路及电子开关电路，片状该类管子用于数字脉

25、冲电路及电子开关电路，片状该类管子用于数字脉冲电路及电子开关电路，片状开关管分为单开关二极管和复合开关二极管两大类开关管分为单开关二极管和复合开关二极管两大类开关管分为单开关二极管和复合开关二极管两大类开关管分为单开关二极管和复合开关二极管两大类你现在浏览的是第二十三页，共49页（4）复合二极管）复合二极管 所谓所谓所谓所谓“复合二极管复合二极管复合二极管复合二极管”是指在一个封装内，包含有是指在一个封装内，包含有是指在一个封装内，包含有是指在一个封装内，包含有2 2个以个以个以个以上的二极管，以满足不同的电路工作要求，同时可减小上的二极管，以满足不同的电路工作要求，同时可减小上的二极管，以满

26、足不同的电路工作要求，同时可减小上的二极管，以满足不同的电路工作要求，同时可减小元器件的数量和体积，复合二极管的组合形式有共阴极元器件的数量和体积，复合二极管的组合形式有共阴极元器件的数量和体积，复合二极管的组合形式有共阴极元器件的数量和体积，复合二极管的组合形式有共阴极式、共阳极式、串联式和独立输出式等类型。式、共阳极式、串联式和独立输出式等类型。式、共阳极式、串联式和独立输出式等类型。式、共阳极式、串联式和独立输出式等类型。你现在浏览的是第二十四页，共49页复合二极管的组合形式复合二极管的组合形式复合二极管的组合形式复合二极管的组合形式复合二极管的常见封装形式复合二极管的常见封装形式复合二

27、极管的常见封装形式复合二极管的常见封装形式你现在浏览的是第二十五页，共49页1.3 半导体三极管半导体三极管 1.3.1 三极管的结构三极管的结构 半导体三极管又称为晶体三极管。三极管的管芯由三层半导体构半导体三极管又称为晶体三极管。三极管的管芯由三层半导体构半导体三极管又称为晶体三极管。三极管的管芯由三层半导体构半导体三极管又称为晶体三极管。三极管的管芯由三层半导体构成，三层半导体形成两个背靠背的成，三层半导体形成两个背靠背的成，三层半导体形成两个背靠背的成，三层半导体形成两个背靠背的PNPN结。三层半导体分别称为发结。三层半导体分别称为发结。三层半导体分别称为发结。三层半导体分别称为发射区

28、、基区和集电区，各区引出一个电极依次称为发射极射区、基区和集电区，各区引出一个电极依次称为发射极射区、基区和集电区，各区引出一个电极依次称为发射极射区、基区和集电区，各区引出一个电极依次称为发射极E E、基极、基极、基极、基极B B和集电极和集电极和集电极和集电极C C，两个，两个，两个，两个PNPN结分别称为发射结和集电结。三极管符号中结分别称为发射结和集电结。三极管符号中结分别称为发射结和集电结。三极管符号中结分别称为发射结和集电结。三极管符号中箭头的方向表示发射结加正向电压时，发射极电流的方向。箭头的方向表示发射结加正向电压时，发射极电流的方向。箭头的方向表示发射结加正向电压时，发射极电

29、流的方向。箭头的方向表示发射结加正向电压时，发射极电流的方向。发射区掺杂浓度高，基区很薄发射区掺杂浓度高，基区很薄发射区掺杂浓度高，基区很薄发射区掺杂浓度高，基区很薄且掺杂浓度低，集电结面积大且掺杂浓度低，集电结面积大且掺杂浓度低，集电结面积大且掺杂浓度低，集电结面积大制造三极管制造三极管制造三极管制造三极管时应具备的时应具备的时应具备的时应具备的结构特点结构特点结构特点结构特点你现在浏览的是第二十六页，共49页1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 1.三极管的工作条件三极管的工作条件 二极管的主要性能是单向导电性，三极管的主要性二极管的主要性能是单向导电性，三极管的主要性二极

30、管的主要性能是单向导电性，三极管的主要性二极管的主要性能是单向导电性，三极管的主要性能是具有电流放大作用。三极管具有放大作用的外能是具有电流放大作用。三极管具有放大作用的外能是具有电流放大作用。三极管具有放大作用的外能是具有电流放大作用。三极管具有放大作用的外部条件是必须外加合适的偏置电压，使三极管的发部条件是必须外加合适的偏置电压，使三极管的发部条件是必须外加合适的偏置电压，使三极管的发部条件是必须外加合适的偏置电压，使三极管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。你现在浏览的

31、是第二十七页，共49页2.三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用三极管电流放大作用测试电路三极管电流放大作用测试电路三极管电流放大作用测试电路三极管电流放大作用测试电路若把图中的三若把图中的三若把图中的三若把图中的三极管看做一个极管看做一个极管看做一个极管看做一个广义的结点，广义的结点，广义的结点，广义的结点，则以上关系符则以上关系符则以上关系符则以上关系符合基尔霍夫电合基尔霍夫电合基尔霍夫电合基尔霍夫电流定律。流定律。流定律。流定律。你现在浏览的是第二十八页，共49页1.3.3 三极管在放大电路中的三种连接方式三极管在放大电路中的三种连接方式 发射极接法、共基极接法和共集电极接法发射极接法

32、、共基极接法和共集电极接法发射极接法、共基极接法和共集电极接法发射极接法、共基极接法和共集电极接法无论哪种接法，要想使无论哪种接法，要想使无论哪种接法，要想使无论哪种接法，要想使三极管有放大作用，都三极管有放大作用，都三极管有放大作用，都三极管有放大作用，都必须保证必须保证必须保证必须保证发射结正向偏发射结正向偏发射结正向偏发射结正向偏置、集电结反向偏置置、集电结反向偏置置、集电结反向偏置置、集电结反向偏置这个工作条件这个工作条件这个工作条件这个工作条件你现在浏览的是第二十九页，共49页1.3.4 三极管的伏安特性曲线三极管的伏安特性曲线1.三极管输入特性曲线三极管输入特性曲线输入特性曲线与二

33、极管的输入特性曲线与二极管的输入特性曲线与二极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线形状相似，伏安特性曲线形状相似，伏安特性曲线形状相似，伏安特性曲线形状相似，因为三极管的基极与发射因为三极管的基极与发射因为三极管的基极与发射因为三极管的基极与发射极之间也是一个极之间也是一个极之间也是一个极之间也是一个PNPN结。结。结。结。三极管输入特性曲线也三极管输入特性曲线也三极管输入特性曲线也三极管输入特性曲线也有死区，硅管死区电压有死区，硅管死区电压有死区，硅管死区电压有死区，硅管死区电压约为约为约为约为0.5V0.5V，锗管约为，锗管约为，锗管约为，锗管约为0.1V0.1V。你现在浏览的是第三十页

34、，共49页1.3.4 三极管的伏安特性曲线三极管的伏安特性曲线 2.三极管输出特性曲线三极管输出特性曲线根据三极管的不同工作根据三极管的不同工作根据三极管的不同工作根据三极管的不同工作状态，输出特性曲线可状态，输出特性曲线可状态，输出特性曲线可状态，输出特性曲线可分为三个工作区，即放分为三个工作区，即放分为三个工作区，即放分为三个工作区，即放大区、截止区和饱和区。大区、截止区和饱和区。大区、截止区和饱和区。大区、截止区和饱和区。你现在浏览的是第三十一页，共49页1.3.5 三极管的主要参数三极管的主要参数1.电流放大系数电流放大系数 电流放大系数电流放大系数表明管子的电流放大能力。常表明管子的

35、电流放大能力。常用三极管的用三极管的值通常在值通常在20200之间，在一般放大之间，在一般放大电路中，采用电路中，采用为为3080的三极管为宜。的三极管为宜。值太小值太小放大作用差，但放大作用差，但太大易使管子性能不稳定。太大易使管子性能不稳定。你现在浏览的是第三十二页，共49页2.极间反向电流极间反向电流 （1）集电极）集电极基极反向饱和电流基极反向饱和电流 （2）集电极）集电极发射极反向饱和电流发射极反向饱和电流 3.极限参数极限参数 （1）集电极最大允许电流）集电极最大允许电流 （2）集电极）集电极发射极间反向击穿电压发射极间反向击穿电压 （3）集电极最大允许管耗）集电极最大允许管耗你现

36、在浏览的是第三十三页，共49页1.3.6 片状三极管器件片状三极管器件 1.片状三极管外形片状三极管外形 额定功率在额定功率在额定功率在额定功率在100100200mW200mW的小功率三极管采用的小功率三极管采用的小功率三极管采用的小功率三极管采用SOT-23SOT-23形式封装，大功率三极管多采用形式封装，大功率三极管多采用形式封装，大功率三极管多采用形式封装，大功率三极管多采用SOT-89SOT-89形式封装形式封装形式封装形式封装你现在浏览的是第三十四页，共49页1.3.6 片状三极管器件片状三极管器件2.带阻片状三极管带阻片状三极管 带阻片状三极管是指在三极管的管芯内加入一只电带阻片

37、状三极管是指在三极管的管芯内加入一只电带阻片状三极管是指在三极管的管芯内加入一只电带阻片状三极管是指在三极管的管芯内加入一只电阻或两只电阻阻或两只电阻阻或两只电阻阻或两只电阻你现在浏览的是第三十五页，共49页1.3.6 片状三极管器件片状三极管器件 3.组合双三极管组合双三极管 组合双三极管是指一个封装内包含有两只三极组合双三极管是指一个封装内包含有两只三极组合双三极管是指一个封装内包含有两只三极组合双三极管是指一个封装内包含有两只三极管，有些还带有偏置电阻。管，有些还带有偏置电阻。管，有些还带有偏置电阻。管，有些还带有偏置电阻。你现在浏览的是第三十六页，共49页 1.4 场效应管场效应管1.

38、4.1 结型场效应管结型场效应管 1.结构和符号结构和符号N N沟道结型场效应管沟道结型场效应管沟道结型场效应管沟道结型场效应管P P沟道结型场效应管沟道结型场效应管沟道结型场效应管沟道结型场效应管你现在浏览的是第三十七页，共49页 2.工作原理工作原理三极管与场效应管工作原理对比示意图三极管与场效应管工作原理对比示意图三极管与场效应管工作原理对比示意图三极管与场效应管工作原理对比示意图 你现在浏览的是第三十八页，共49页3.特性曲线特性曲线N N沟道结型场效应管的特性曲线沟道结型场效应管的特性曲线沟道结型场效应管的特性曲线沟道结型场效应管的特性曲线你现在浏览的是第三十九页，共49页 讨论讨论

39、讨论讨论 可变电阻区可变电阻区可变电阻区可变电阻区 可变电阻区位于特性曲线的起始上升部分。可变电阻区位于特性曲线的起始上升部分。可变电阻区位于特性曲线的起始上升部分。可变电阻区位于特性曲线的起始上升部分。恒流区（放大区）恒流区（放大区）恒流区位于输出特性曲线的近似水平部分。恒流区位于输出特性曲线的近似水平部分。恒流区位于输出特性曲线的近似水平部分。恒流区位于输出特性曲线的近似水平部分。击穿区击穿区击穿区击穿区 恒流区的右边，曲线向上弯曲的部分是击穿区。恒流区的右边，曲线向上弯曲的部分是击穿区。恒流区的右边，曲线向上弯曲的部分是击穿区。恒流区的右边，曲线向上弯曲的部分是击穿区。你现在浏览的是第四

40、十页，共49页4.主要参数主要参数 （1 1）直流参数）直流参数）直流参数）直流参数 夹断电压夹断电压夹断电压夹断电压 饱和漏极电流饱和漏极电流 直流输入电阻直流输入电阻 （2 2）交流参数）交流参数）交流参数）交流参数（3 3）极限参数）极限参数）极限参数）极限参数 最大漏源电压最大漏源电压最大漏源电压最大漏源电压 最大栅源电压最大栅源电压最大栅源电压最大栅源电压 最大耗散功率最大耗散功率最大耗散功率最大耗散功率你现在浏览的是第四十一页，共49页1.4.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管1.N沟道增强型绝缘栅场效应管沟道增强型绝缘栅场效应管 （1）结构和符号）结构和符号N N沟道增强型沟道增强

41、型MOSMOS管结构示意图管结构示意图你现在浏览的是第四十二页，共49页1.4.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管1.N沟道增强型绝缘栅场效应管沟道增强型绝缘栅场效应管 （2）工作原理）工作原理N N沟道增强型沟道增强型MOSMOS管工作原理示意图管工作原理示意图你现在浏览的是第四十三页，共49页1.4.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管1.N沟道增强型绝缘栅场效应管沟道增强型绝缘栅场效应管 （3）特性曲线）特性曲线N N沟道增强型沟道增强型MOSMOS管的特性曲线管的特性曲线 你现在浏览的是第四十四页，共49页1.4.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管2.N沟道耗尽型沟道耗尽型MOS管管 （1）结

42、构和符号）结构和符号耗尽型耗尽型MOSMOS管的结构和符号管的结构和符号你现在浏览的是第四十五页，共49页1.4.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管2.N沟道耗尽型沟道耗尽型MOS管管 （2）工作原理）工作原理工作条件工作条件工作条件工作条件 放大作用放大作用放大作用放大作用你现在浏览的是第四十六页，共49页1.4.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管2.N沟道耗尽型沟道耗尽型MOS管管 （3）特性曲线）特性曲线N N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSMOS管的特性曲线管的特性曲线你现在浏览的是第四十七页，共49页1.4.3 场效应管使用注意事项场效应管使用注意事项 1.1.结型场效应管的栅源电压不能接反，

43、因为它工作结型场效应管的栅源电压不能接反，因为它工作结型场效应管的栅源电压不能接反，因为它工作结型场效应管的栅源电压不能接反，因为它工作在反偏状态。在反偏状态。在反偏状态。在反偏状态。2.MOSMOS管因栅极与其他部分绝缘，栅极极易感应而产管因栅极与其他部分绝缘，栅极极易感应而产管因栅极与其他部分绝缘，栅极极易感应而产管因栅极与其他部分绝缘，栅极极易感应而产生高电压致使管子击穿损坏，所以栅极不能悬空。生高电压致使管子击穿损坏，所以栅极不能悬空。生高电压致使管子击穿损坏，所以栅极不能悬空。生高电压致使管子击穿损坏，所以栅极不能悬空。3.3.单极型晶体管与双极型晶体管使用上的比较单极型晶体管与双极

44、型晶体管使用上的比较单极型晶体管与双极型晶体管使用上的比较单极型晶体管与双极型晶体管使用上的比较 场效应管参与导电的只有一种载流子（多数载流子）场效应管参与导电的只有一种载流子（多数载流子）场效应管参与导电的只有一种载流子（多数载流子）场效应管参与导电的只有一种载流子（多数载流子），例如，例如，例如，例如N N沟道的场效应管参与导电的是电子载流子，沟道的场效应管参与导电的是电子载流子，沟道的场效应管参与导电的是电子载流子，沟道的场效应管参与导电的是电子载流子，因此场效应管又称为单极型晶体管。半导体三极管中因此场效应管又称为单极型晶体管。半导体三极管中因此场效应管又称为单极型晶体管。半导体三极管

45、中因此场效应管又称为单极型晶体管。半导体三极管中两种极性的载流子（多数载流子和少数载流子）都参两种极性的载流子（多数载流子和少数载流子）都参两种极性的载流子（多数载流子和少数载流子）都参两种极性的载流子（多数载流子和少数载流子）都参与导电，所以也称为双极型晶体管。与导电，所以也称为双极型晶体管。与导电，所以也称为双极型晶体管。与导电，所以也称为双极型晶体管。你现在浏览的是第四十八页，共49页 本章小结本章小结 1.1.半导体具有热敏性、光敏性和掺杂性，因而成为制造电子半导体具有热敏性、光敏性和掺杂性，因而成为制造电子半导体具有热敏性、光敏性和掺杂性，因而成为制造电子半导体具有热敏性、光敏性和掺

46、杂性，因而成为制造电子元器件的关键材料。元器件的关键材料。元器件的关键材料。元器件的关键材料。2.2.二极管是由一个二极管是由一个二极管是由一个二极管是由一个PNPN结构成，其最主要的特性是具有单向结构成，其最主要的特性是具有单向结构成，其最主要的特性是具有单向结构成，其最主要的特性是具有单向导电性，该特性可由伏安特性曲线准确描述。导电性，该特性可由伏安特性曲线准确描述。导电性，该特性可由伏安特性曲线准确描述。导电性，该特性可由伏安特性曲线准确描述。3.3.特殊二极管主要有稳压二极管、发光二极管、光电二极管特殊二极管主要有稳压二极管、发光二极管、光电二极管特殊二极管主要有稳压二极管、发光二极管

47、、光电二极管特殊二极管主要有稳压二极管、发光二极管、光电二极管等。等。等。等。4.4.片状二极管具有体积小，形状规整，便于自动化装配的特片状二极管具有体积小，形状规整，便于自动化装配的特片状二极管具有体积小，形状规整，便于自动化装配的特片状二极管具有体积小，形状规整，便于自动化装配的特点，在目前的电子产品中广泛应用。点，在目前的电子产品中广泛应用。点，在目前的电子产品中广泛应用。点，在目前的电子产品中广泛应用。5.5.三极管是由两个三极管是由两个三极管是由两个三极管是由两个PNPN结构成的半导体器件，在发射结正偏、结构成的半导体器件，在发射结正偏、结构成的半导体器件，在发射结正偏、结构成的半导

48、体器件，在发射结正偏、集电结反偏的条件下，具有电流放大作用集电结反偏的条件下，具有电流放大作用集电结反偏的条件下，具有电流放大作用集电结反偏的条件下，具有电流放大作用;在发射结与集在发射结与集在发射结与集在发射结与集电结均正偏时，处于饱和状态，相当于开关的闭合电结均正偏时，处于饱和状态，相当于开关的闭合电结均正偏时，处于饱和状态，相当于开关的闭合电结均正偏时，处于饱和状态，相当于开关的闭合;在发在发在发在发射结与集电结均反偏时，处于截止状态，相当于开关的断射结与集电结均反偏时，处于截止状态，相当于开关的断射结与集电结均反偏时，处于截止状态，相当于开关的断射结与集电结均反偏时，处于截止状态，相当

49、于开关的断开。在实际电路中，三极管的放大功能和开关功能得到广开。在实际电路中，三极管的放大功能和开关功能得到广开。在实际电路中，三极管的放大功能和开关功能得到广开。在实际电路中，三极管的放大功能和开关功能得到广泛应用。泛应用。泛应用。泛应用。6.6.场效应管是一种电压控制器件，分为绝缘栅型和结型两大类，场效应管是一种电压控制器件，分为绝缘栅型和结型两大类，场效应管是一种电压控制器件，分为绝缘栅型和结型两大类，场效应管是一种电压控制器件，分为绝缘栅型和结型两大类，每类又分为每类又分为每类又分为每类又分为P P沟道和沟道和沟道和沟道和N N沟道。沟道。沟道。沟道。你现在浏览的是第四十九页，共49页