第9章 存储器及其接口优秀PPT.ppt

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1、第9章 存储器及其接口现在学习的是第1页，共38页本章学习重点 掌握SRAM和DRAM的基本组成和工作原理 依据三总线原则，学习构成M接口及其方法现在学习的是第2页，共38页9-1 存储器的种类，特性和结构一 分类 按元件组成：半导体M，磁性材料存储器（磁芯），激光存储器 按工作性质：内存储器：速度快，容量小（64K512Mbyte）外存储器：速度慢，容量大（20MB80GB）现在学习的是第3页，共38页RAMSRAM 静态DRAM 动态IRAM 集成动态ROM掩膜 ROMPROM 可编程EPROM 可改写E PROM 可电擦除2二、半导体存储分类现在学习的是第4页，共38页三、内存储器性能指

2、标1.容量指M可容纳的二进制信息量，总位数。总位数=字数字长 bit，byte，word2.存取速度 内存储器从接受地址码，寻找内存单元开始，到它 取出或存入数据为止所需的时间。T T 越小，计算机内存工作速度愈高，半导体M存储 时间为 几十ns几百ns ns=mus3.功耗 维持功耗 操作功耗 CMOS NMOS TTL ECL （低功耗.集成度高）（高速.昂贵.功耗高）AA现在学习的是第5页，共38页4、可靠性 平均故障间隔时间 MTBF（Mean Time Between Failures）越长，可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关.5.集成度 位/片 1K位/片1M位/片 在一块

3、芯片上能集成多少个基本存储电路 （即一个二进制位）现在学习的是第6页，共38页C P U时序/控制存储体地址译码器读写驱动MARMDR控制信号内存储器三总线结构.简述一次读M过程四、存储器的基本结构现在学习的是第7页，共38页9-2 随机存储器 RAM 或读写存储器一.基本组成结构 地址译码器A0A1存 储矩 阵三态双向缓冲D0D1控制逻辑R/W现在学习的是第8页，共38页1.存储矩阵 寄存二进制信息的基本存储单元的集合体，为便于读写。基本存储单元都排列成一定的阵列，且进行编址。分为两种：N1位结构：常用较大容量的SRAM，DRAM N4 N8字结构：常用较小容量的静态SRAM2.地址译码器它

4、接收来自CPU的地址信号，产生地址译码信号。选中存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作两种编址方式：单译码编址方式.双译码编址方式（字结构M）（复合译码）现在学习的是第9页，共38页存储容量：地 址 译 码 器0,00,315,015,3三 态 缓 冲 器字线0位线0位线3.4=16 4位地址选择线:=16根R/字线15现在学习的是第10页，共38页位结构（复合译码）双译码行地址译码器0,00,1515,015,15列地址译码器I/ON 1结构 存储容量 位位地址选择线 16+16=32若用字结构根优点（与单译码相比)(1)减少地址选择线数目 （2）减少芯片内地址译码门电路现在学习的

5、是第11页，共38页3.M控制电路 接收CPU或外部电路的控制信号，经过组合变换后，对存矩阵，地址译码器和三态双向缓冲器进行协调控制。（Chip Select);(Chip Enable)(Output Enable);(Output Disable）（Read/White);(White Enable)4.三态双向缓冲器 因为M与CPU由DB相连当 时，进行 操作无 时，呈高阻态，完全与DB隔离。二.静态存储器 SRAM(Static RAM)由半导体双稳态触发器存储一位二进制信息1.基本存储单元WE现在学习的是第12页，共38页以NMOS六管双稳电路 .负载管 .选通管读写过程：读出：字选

6、线 W=1 位线输出D=或1非破坏性的 写入：写入数据 或1位线，W=1，写入bit 维持状态：W=.D或 上为高阻态。字线 W位线位线bit 现在学习的是第13页，共38页2.八位字（单译码字结构）M(1)结构bitbit地址译码驱动电路读出缓冲器写入缓冲器RD现在学习的是第14页，共38页(2)工作过程：读出：地址 产生字选线 某时刻只能选通一个字 RD=1,8个存储单元内容 数据线 写入：数据 数据线 WE=1,地址 送去译码选字 ，写入数据.MWE RD现在学习的是第15页，共38页译码驱动256x4bit(3)芯片举例 INTEL 2112 256X4位2112现在学习的是第16页，

7、共38页 读出：c p u的 INTEL2112 =1 =1，c p u的 写入：c p u的 INTEL2112 c p u 的数据 INTEL2112的 =1，=0,写入数据 维持时 CE=0.(4)字结构M的特点：结构简单 容量小3.双译码结构（复合译码）(1)基本存储单元六管I/OA 190A 190现在学习的是第17页，共38页(2)结构(3)读写过程(同前面 单译码结构)译码驱动I/OY 译 码 驱 动X现在学习的是第18页，共38页(4)芯片举例 INTEL 2114 1K4位 工作过程：读 =0，=1 写 =0,=0 维持时 =1，呈高阻行地址译码驱动1024X4 bit数据I

8、/O列选择（结构框图）问题：问题：4位如何处理？位如何处理？解决办法：解决办法：4片叠合片叠合（引脚图）现在学习的是第19页，共38页三.动态RAM DRAM（Dynamic RAM）1.基本动态存储单元 原理：利用MOS管的栅极对其衬底间 的分布电容来保存信息。以存储在 上的电荷的多少，即 电容 端电压的高低来表示1与 0工作原理：（过程）写入：数据 位线，预充电 1 字线 导通.位线信息 若位线=1，充电过程 =高电平 若位线=0，放电过程 =低电平分布电容杂散电容，很小现在学习的是第20页，共38页读出：1 位线 预充电 =1 字线 导通读0：若 =0.分压 在位线上得到读1：若 =1.

9、分压 在位线上得到故得到两种状态1和0，a.1,0两种状态电位差只有几百m v，必须经过灵敏的读出放大器 放大来识别。b.同时，破环性读出。再生：(破坏性读出)重写，将读出信号重新写回。由数据寄存器 和控制电路在内部完成。刷新：(泄漏)虽然 在 截止时，无放电回路，且MOS管输入 阻抗很高，但仍有泄漏电流。很小，2ms内时间保存。周期性对所有存储单元进行刷新，由cpu控制地址及时间。现在学习的是第21页，共38页2.芯片举例 INTEL 2164 64K 1 bit 16条地址线 框图 (引脚图)逻辑符号 工作原理：采用行、列单独送地址 用8位地址引脚8位地址锁存器64kX1存储矩阵译码电路I

10、/O控制行列时钟缓冲现在学习的是第22页，共38页组成：64K 1bit 由4个128 128的阵列组成 用 和 来选择四个阵列中的一个 在刷新时，给出一个行地址 就可以同时对4个阵列中的同一行，行4 128=512单元刷新。列 Column 行Row行地址列地址行地址锁存器列地址锁存器现在学习的是第23页，共38页9-3 RAM与CPU的连接一.接口连接时的注意问题因为：微型机中，CPU对M读/写操作过程：(1)AB送出地址信号 (2)发出相应的读/写信号 (3)在DB上交换(传送)信息(数据)所以：RAM与CPU连接构成M时，主要有以下三部分工作：AB连接 DB连接 CB连接.1.CPU总

11、线的负载能力 CPU在设计时，一般输出线的直流负载能力为一个TTL负载，8个MOS负载，当构成稍大系统时要用缓冲器(集电极开路或三态缓冲 如8126/8226)进行驱动。2.CPU时续与M芯片存储速度之间的时间配合.因为CPU的内存读/写时序固定，由此决定了对存储器芯片的速度要求。一般的，因M比CPU快，考虑加等待信号 。插入等待周期。现在学习的是第24页，共38页3.存储器地址分配及片选问题 如何分配地址，选芯片，如何产生片选信号。4.控制信号的正确使用和连接 协调CPU与M之间正常工作：二.8086-CPU与SRAM 2114的连接 设在某系统中要构成2K 8位 M(2114，1K 4位)

12、1.线选法 内存系统区用户区现在学习的是第25页，共38页 直接连接芯片2114的 组内地址 对两组2114进行组选 =0，=0，选中第一组 =1，=0，选中第二组 同样，也可用 中的一根某几根作为组外地址选择线最小方式系统现在学习的是第26页，共38页线选法的地址分配：0 0 0 0 0 0 0 0 0 第一组 有效 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 第二组 有效 1 1 1 1 1 1 1 1 1故 在64k地址空间中第一组 =0 0000011111 =32第二组 =1 0000011111 =32地址重叠：高位 -共有32个重叠区.2K2K2K32

13、个现在学习的是第27页，共38页 问题：当组越来越多时，这种方法不适用？2.译码法三八译码器 74LS138 000000 (0000H03FFH)000001 (0400H07FFH)G C B A 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1现在学习的是第28页，共38页地址分配 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0000H 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 03FFH 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0400H 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 07FFH 译码法构

14、成M接口 (全译码)(方法一)见下页 .现在学习的是第29页，共38页 只用16根 进行译码时，0000H03FFH 04FFH07FFH 因此地址唯一最小方式系统现在学习的是第30页，共38页（方法2）（部分译码）最小方式系统现在学习的是第31页，共38页三.8086最小方式系统与SRAM的接口 (6116芯片构成2K 16bit的存储器接口)1.6116芯片 功 能 0 0 1 0 1 0 1 X X 写入数据 读出数据 无效现在学习的是第32页，共38页地址锁存器总线收发器 =0.偶字节库 =0.奇字节库10 1 读内存1 1 0 写内存0 X X 访问 A0BHE现在学习的是第33页，

15、共38页四.小结(线选及地址分配)（1）线选法中有地址重叠问题.低位地址直接跟芯内地址线相连.内部全译码。高位1根或几根线选组外地址选择线。更高位的地址线任意组合都可选中这些M单元。（2）译码法(全译码 局部译码)全译码 地址唯一 常用译码器 2-4.3-8.4-16.6-64等。可根据具体要求选用。（3）更进一步（自己分配地址空间）如 用2114构成8K RAM.地址从4000H 5FFFH问：如何选芯片？如何译码？如何连接？（4）当构成大系时，采用多级译码.四一十六译码 选择16个模块之一。构成64K 译码现在学习的是第34页，共38页五.8086-CPU与DRAM 2164的连接工作原理

16、：刷新计数器提供刷新的行地址，在指向执行的空闲节拍中对所有存储单元按行在生。作为行地址 作为列地址刷新地址 与行地址 在刷新多路转换器(多路开关)的控制下，分时送出刷新地址和行地址。刷新计数器刷新多路转换器行/列转换器刷新时钟刷新控制多路控制现在学习的是第35页，共38页行/列转换器按多路控制信号输出行地址或列地址。结合 和 选通信号分别送往行地址锁存器和列地址锁存器。在 信号作用下，对所搜寻的存储单元实现读/写操作。9-4 ROM(Read Only Memory)只读存储器.固定存储(Fixed Memory)或永久存储器(Permanent memory)有MROM PROM EPROM EEPROM一.ROM基本结构地址译码器存储矩阵NM输出缓冲器现在学习的是第36页，共38页1.字结构(译码)4X4 MOS ROM图2.复合结构 N 1位字地址译码器字线1 0110字线4 0000字线3 1010字线2 0101行译码器 16X1列译码器 数据输出片选用8片N 1位PROM 构成N 8 bit的存储器D30现在学习的是第37页，共38页二.ROM与CPU的连接 2716 2K 8bit 128 16位 128 128=128 16位 8位具体连接和RAM相同（不能写，只能读）双译码返回本章首页现在学习的是第38页，共38页