MCS51单片机基础知识.doc
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1、MCS-51单片机的基本结构MCS-51单片机的基本结构:1、微处理器CPU:为8位的CPU,且内含一个1位CPU(布尔处理器),不仅可以处理字节数据,还可以进行位变量的处理。2、内部数据存储器(RAM):128字节片内RAM。(8052系列为256字节) 3、内部程序存储器(ROM/EPROM/):8031无此器件,8051为4KROM,8751为4KEPROM。4、定时器/计数器:内含2个16位定时/计数器,具有四种工作方式。5、串行口:1个全双工的串行口,具有四种工作方式。6、中断控制系统:具有5个中断源,2级中断优先权。7、P0、P1、P2、P3:为4个并行8位I/O口。8、特殊功能寄
2、存器(SFR):共有21个,用于对片内各功能模块进行管理、控制、监视。实际上是一些控制寄存器和状态寄存器,是一个特殊功能的RAM区。1、电源、时钟电路VCC(40脚)+5V电源VSS(20脚)地XTAL1(19脚)芯片内部振荡电路(单级反相放大器)输入端。XTAL2(18脚)芯片内部振荡电路(单级反相放大器)输出端。MCS-51的时钟可由内部方式或外部方式产生。1) 内时钟方式利用芯片内部的振荡电路,在XTAL1、XTAL2的引脚上外接定时元件,内部振荡器便能产生自激振荡,用示波器便可以观察到XTAL2输入的正弦波,定时元件可以采用石英晶体和电容组成的并联谐振电路,连接方法如图2.2(a)所示
3、。晶体可以在1.2MHz33MHz之间任选,电容可以在2030pF之间选择,电容C1、C2的大小对振荡频率有微小影响,可对频率起微调作用。在设计印制板时,石英晶体和电容应尽可能与单片机芯片靠近,以减少寄生电容,保证振荡器可靠工作,为提高温度稳定性,采用NPO电容为优。 2)外时钟方式如图2.1(b)所示,XTAL1接地,XTAL2接外部振荡器,对外部振荡信号无特殊要求,由于XTAL2端的电平不是TTL电平,故应接一上拉电阻。外部振荡器的频率应低于33MHz。(a)内时钟方式 (b)外时钟方式图2.1 MCS-51时钟方式电路图2、控制信号1)RST/VPD(9脚)复位信号时钟电路工作后,在此引
4、脚上出现两个机器周期的高电平,芯片内部进行初始复位,复位后片内寄存器置初值。但初始化不影响片内RAM状态,只在该引脚保持高电平,MCS-51将循环复位。RST/VPD从高电平变低电平时,单片机将从0号单元取指,开始执行程序。另外,该引脚还具有复用功能,只要将VPD接+5V备用电源,一但VCC电位突然下降或断电,能保护片内RAM中的信息不被丢失,使复电后能正常工作。MCS-51通常采用上电复位和开关复位二种方式。其简单的复位应用电路如图2.2所示。上电瞬间,电容两端电压不能突变,此时RST端为高电平,随着+5V通过电阻给电容充电,RST端电位逐步下降。只要RST端电平在高电平段保持两个以上机器周
5、期,单片机即复位,从而实现上电自动复位。开关复位,只要将按键按下,RST为高电平,复位有效。图2.2 复位电路MCS-51的复位状态内部寄存器状态2)ALE/(30脚)地址锁存信号P0口作为地址/数据复用口,用ALE区分P0口上的信息究竟是地址还是数据。ALE高电平期间,P0口输出地址信息,在ALE下降沿时,将P0口上地址信息锁存到片外地址锁存器。在ALE低电平期间P0口上输出/输入指令和数据信息。当访问外部存贮器时,P0口输出的低八位地址由ALE输出的控制信号锁存到片外地址锁存器,P0口输出地址低八位后,又能与片外存贮器之间传送数据信息。不访问片外存贮器时,该端也以六分之一的时钟频率固定输出
6、正脉冲。因而亦可作系统中其它芯片的时钟源。ALE可驱动8个TTL门。对于EPROM型单片机,在EPROM编程时,此脚用于编程脉冲的输入端。3)PSEN(29脚)片外程序存贮器选通信号,低有效。当89C51访问片外程序存贮器时,程序计数器PC通过P2口和P0口输入十六位指令地址,PSEN作为程序存贮器读信号,输出负脉冲将相应存贮单元的指令读出并送到P0口上,供89C51执行。PSEN同样可驱动8个TTL门输入。4)EA/VPP(31脚)内部和外部程序存贮器选择信号,对于89C51来说,内部有4K字节的程序存贮器,当为高时,CPU访问程序存贮器有两种情况: 地址小于4K时访问内部程序存贮器。 地址
7、大于4K时访问外部程序存贮器。若接地,则不使用内部程序存贮器,不管地址大小,取指时总是访问外部程序存贮器。对于E2PROM型的单片机,在EPROM编程时,此引脚用于施加编程电压(VPP)。3、I/O口MCS-51单片机有4个双向8位I/O口P0P3,P0口为三态双向口,负载能力为8个LSTTL门电路,P1P3为准双向口(用作输入时,口锁存器必须先写“1”),负载能力为4个LSTTL门电路。1)P0口(P0.0P0.7,3932脚)P0口是一个8位漏极开路型双向I/O口,其位结构如图2.3所示。包括1个输出锁存器、2个三态缓冲器、1个输出驱动电路和1个输出控制端。输出驱动电路由一对场效应管组成,
8、其工作状态受输出控制端的控制,它包括1个与门、1个反相器和1个转换开关MUX组成。P0口既可以作地址/数据总线使用,又可以作通用I/O口使用。图2.3 P0口位结构* P0口作地址/数据复用总线使用 此时为双向三态口,在访问外部存贮器时,它是分时转换的地址(低8位)和数据总线,不需要外接上拉电阻。* P0口作通用I/O口使用 此时为准双向I/O口把P0口作为通用输出口,必须外接上拉电阻。作输入口用时,应该先向锁存器写“1”。P0口能以吸收电流的方式驱动8个LSTTL门电路输入。2)P1口(P1.0P1.7,18脚) P1口是一个带有内部上拉电阻的8位准双向I/O口,其位结构如图2.4所示。P1
9、口的每一位口线能独立地用作输入线或输出线。作输入时:先将“1”写入锁存器,使输出级的场效应管截止。P1口能驱动(吸收或输出电流)4个LSTTL门电路。 图2.4 P1口位结构3)P2口(P2.0P2.7,2128脚) P2口是一个带内部上拉电阻的8位准双向I/O口,其位结构如图2.5所示。在结构上,P2口比P1口多一个输出控制部分。 P2口作通用I/O口使用当P2口作通用I/O口使用时,是一个准双向口,其输入输出操作与P1口完全相同。 P2口作地址/数据复用总线使用 当系统中接有外部存贮器时,P2口用于输出高八位地址A15A8。这时在CPU地控制下,转换开关MUX倒向右边,接通内部地址总线,P
10、2口的口线状态取决于片内输出的地址信息,这些地址信息来源于PCH、DPH等。图2.5 P2口位结构4)P3口(P3.0P3.7,1017脚) P3口是一个带内部上拉电阻的8位准双向I/O口,可以同P1口一样作为第一功能口,也可以每一位独立定义为第二功能,其位结构如图2.6所示。P3口作第一功能口使用:在这种情况下P3口的结构和操作与P1口相同。 P3口作第二功能口使用:P3口的第二功能实际上就是系统的控制总线。此时相应的口线锁存器必须为“1”状态,与非门的输出由第二功能输出功能线的状态确定,从而P3口线的状态取决于第二输出功能线的电平。图2.6 P3口位结构P3口第二功能定义3、MCS-51存
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