半导体材料基础-基本特性.ppt

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1、第一章第一章 半导体材料基础半导体材料基础1.1 半导体材料的基本特性半导体材料的基本特性1.2 半导体材料的制备技术半导体材料的制备技术1.3 元素半导体材料元素半导体材料1.4 化合物半导体材料化合物半导体材料一、什么是半导体？从导电性（电阻）：固体材料可分成：超导体、导体、半导体、绝缘体。电阻率介于导体和绝缘体之间，并且具有负的电阻温度系数半导体。电阻率：导体：导体：10-4cm 如：如：Cu=10-6cm半导体：半导体：10-3cm108cm 如：如：Ge=0.2cm 绝缘体：绝缘体：108cm1.1 1.1 半导体的基本特性半导体的基本特性TR半导体半导体金属金属绝缘体绝缘体负的温度

2、系数电阻温度系数图二、半导体材料的分类按功能和应用分：微电子半导体微电子半导体光电半导体光电半导体热电半导体热电半导体微波半导体微波半导体气敏半导体气敏半导体 按组成分：无机半导体：元素、化合物无机半导体：元素、化合物有机半导体有机半导体按结构分：晶体：单晶体、多晶体晶体：单晶体、多晶体非晶、无定形非晶、无定形 1.无机半导体晶体材料(组分)无机半导体晶体材料包含元素、化合物及固溶体半导体。无机半导体晶体材料包含元素、化合物及固溶体半导体。(1)元素半导体晶体GeSeSiCBTePSbAs元素元素半导体半导体SISn熔点太高、熔点太高、不易制成单晶不易制成单晶不稳定不稳定,易挥发易挥发低温某种

3、固相低温某种固相稀少稀少化合物化合物半导体半导体-族族-族族金金属氧化物属氧化物-族族-族族-族族InP、GaN、GaAs、InSb、InAsCdS、CdTe、CdSe、ZnSSiCGeS、SnTe、GeSe、PbS、PbTeAsSe3、AsTe3、AsS3、SbS3CuO2、ZnO、SnO2(2)化合物半导体及固溶体半导体 (1)非晶Si、非晶Ge以及非晶Te、Se元素半导体；(2)化合物有GeTe、As2Te3、Se4Te、Se2As3、As2SeTe非晶半导体2.非晶态半导体（结构）有机半导体通常分为有机分子晶体、有机分子络合物和高分子聚合物。酞菁类及一些多环、稠环化合物，聚乙炔和环化脱

4、聚丙烯腈等导电高分子，他们都具有大键结构。3.有机半导体（组分）1874年 F.Braun金属半导体接触氧化铜、硒整流器、曝光计1879年Hall效应K.Beadeker半导体中有两种不同类型的电荷 1948年 Shockley，Bardeen,Brattain锗晶体管(transistor)点接触式的硅检波器1940187019301950萌芽期硅晶体管三、半导体的发展1955年德国西门子氢还原三氯硅烷法制得高纯硅1950年直拉法较大的锗单晶1952年直拉法第一根硅单晶1957年 第一颗砷化镓单晶诞生19601950进入成长期1952年H.Welker发现-族化合物 1958年无位错硅单晶1

5、963年 用液相外延法生长砷化镓外延层，半导体激光器1963年砷化镓微波振荡效应19701960硅外延技术1965年发明氧化硼液封直拉法砷化镓单晶And then?And then?成熟期分子束外延MBE 金属有机化学汽相沉积MOCVD半导体超晶格、量子阱材料杂质工程能带工程电学特性和光学特性可裁剪电学特性和光学特性可裁剪半导体材料是微电子和光电子技术的基础，用半导体材料制作（光）电子元器件，不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于其导电机理不同于其它物质，其导电能力可调谐：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。（热敏特性、光敏特性）往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电

6、能力明显改变。（掺杂特性）四、半导体材料的基本特性u半导体材料的性质主要取决于半导体的能带结构和电子的半导体材料的性质主要取决于半导体的能带结构和电子的运动规律。运动规律。1 1、半导体的电子结构、半导体的电子结构允带允带-/aE(k)0/ak允带允带允带允带自自由由电电子子(1)(1)能带结构能带结构电子填充允带时电子填充允带时,可能出现可能出现:电子刚好填满最后一个带电子刚好填满最后一个带绝缘体和半导体绝缘体和半导体最后一个带仅部分被电子占有最后一个带仅部分被电子占有导体导体绝缘体、半导体和导体的能带示意图绝缘体、半导体和导体的能带示意图常温下：Si：Eg=1.12ev；Ge:Eg=0.6

7、7ev；GaAs:Eg=1.43ev绝缘体的禁带宽度：67ev 半导体的禁带宽度：13evl对常见的半导体,起作用的往往是导带底附近的电子和价带顶附近的空穴,所以主要关注带底附近和价带顶附近的能带结构.硅和锗的能带结构硅和锗的能带结构导带导带价价带带极大值极大值极小值极小值导带最低能谷导带最低能谷例例1 1 元素半导体元素半导体SiSi、GeGe禁带禁带导带导带例例2 2 化合物半导体化合物半导体GaAsGaAs(2)(2)半导体的掺杂半导体的掺杂在纯净的半导体(本征半导体)中掺入一定量不同类型的杂质，并通过对其数量和在空间的分布精确地控制，实现对电阻率和少子寿命的有效控制，从而人为地改变半导

8、体的电学性质，如n型半导体和p型半导体。本征半导体：带隙中无能级本征半导体：带隙中无能级杂质和缺陷对能带结构的影响l在半导体的禁带中引入杂质或缺陷能级：浅能级、深能级影响光、电学性质i)晶体中晶格位置的原子在平衡位置振动晶体中晶格位置的原子在平衡位置振动缺陷的出现：点缺陷点缺陷线缺陷线缺陷面缺陷面缺陷空位空位位错位错层错层错ii)和晶体基质原子不同的杂质原子的存在和晶体基质原子不同的杂质原子的存在杂质的出现：无意掺杂无意掺杂源材料和工艺源材料和工艺有目的控制有目的控制材料性质材料性质有意掺杂有意掺杂l物理机制：杂质能级的产生晶体的势场的周期性受到破坏而产生附加势场，使得电子或空穴束缚在杂质周围

9、，产生局域化的量子态即局域态，使能带极值附近出现分裂能级杂质能级。BAs 受 主 掺 杂施 主 掺 杂l半导体的掺杂分类施主能级施主能级受主能级受主能级杂质能级：杂质可以使电子在其周围运动形成量子态本征半导体杂质半导体：n型、p型本征半导体本征半导体 纯净的单晶半导体称为本征半导体，即不含任何杂质，结构完整的半导体。绝对零度下，本征半导体相当于绝缘体；室温下，一部分价电子挣脱共价键束缚，形成电子-空穴对。本征激发很弱。硅晶体共价键结构示意图 电子-空穴对的产生和空穴的移动 在纯净的单晶体硅中，掺入微量的五价杂质元素，如磷、砷、锑等，使原来晶格中的某些硅原子被五价杂质原子所取代，便构成N N型半

10、导体型半导体。在纯净的单晶硅中掺入微量的三价杂质元素，如硼、镓、铟等，便构成P P型半导体型半导体。杂质半导体杂质半导体 N型半导体结构示意图 P型半导体结构示意图 2 2、半导体的电学性质、半导体的电学性质(1)载流子的电导率 s=s s=se+s+sp s s与载流子浓度浓度和载流子迁移率迁移率有关杂质离化区过渡区本征激发区n型硅中电子浓度n与温度T的关系图（注：本征半导体ni与T是线性增加的关系）与半导体内的散射机制(电离杂质、晶格振动)有关2 2、半导体的电学性质、半导体的电学性质T TT低温低温饱和饱和本征本征本征半导体本征半导体杂质半导体杂质半导体杂质电离，杂质电离，本征激发低本征

11、激发低杂质全电离，杂质全电离，本征激发少，本征激发少，散射作用强散射作用强本征激发本征激发为主为主(2)半导体的电阻率3 3、半导体的光电性质、半导体的光电性质(1)光吸收l半导体材料中的电子吸收光子的能量，从能量较低的状态跃迁到能量较高的状态。这种跃迁可以发生在：1、不同的能带之间；2、同一能带的不同状态之间；3、禁带中的分立能级之间；4、禁带中的分立能级和能带之间。l以上各种吸收引起不同的吸收过程。i)本征吸收l定义：电子由价带向导带的跃迁所引起的光吸收，又称为基本吸收。是半导体中最主要的吸收过程。l特点：伴随着电子-空穴对的产生，使半导体的电导率增加，即产生光电导。l必要条件：引起本征吸

12、收的光子能量必须等于或大于禁带宽度，即l对应的波长称为本征吸收限。根据上式，可得出本征吸收长波限的公式为l实验观测：吸收系数曲线在短波端陡峭地上升，标志着本征吸收的开始。通常把吸收限附近的吸收谱称为吸收边，它相应于电子由价带顶附近到导带底附近的跃迁。l跃迁发生的条件：能量守恒和动量守恒l跃迁分类：直接跃迁和间接跃迁l直接跃迁直接跃迁若电子在跃迁前后的波矢可以认为保持不变，则这种跃迁称为直接跃迁。相当于电子由价带竖直地跃迁到导带，所以也称为垂直跃迁。对应的材料为直接带隙半导体。l间接跃迁间接跃迁若导带底和价带顶位于k空间的不同位置，则任何竖直跃迁所吸收的光子能量都应该比禁带宽度大。但实验指出，引

13、起本征吸收的最低光子能量还是约等于Eg。推论：除竖直跃迁，还存在另一类跃迁过程：由价带顶向具有不同值的导带底的跃迁。电子的动量变化很大。而光子的动量很小，故必须吸收或发射声子才能满足准动量守恒.u除了吸收光子之外还要吸收或发射声于的跃迁，称为间接跃迁或非竖直跃迁。相应的材料称为间接能隙半导体材料。l间接跃迁材料的缺点n实际上在直接禁带半导体中，涉及声子发射和吸收的间接跃迁也可能发生，即直接禁带半导体中也会发生间接跃迁。同样，在间接禁带半导体中，也可能发生直接跃迁。但它们不是能量最低的带间跃迁。n间接跃迁要求同时有光子和声子参加，是一个二级过程，跃迁几率要比直接跃迁的跃迁几率小得多，相应的吸收系

14、数也较小。n因为光电器件一般均涉及电子的跃迁，因此间接能隙半导体材料一般不适宜（直接）作为光电材料，尤其不能作为发光材料。ii)激子吸收n若光子能量hnEg,则跃迁后的价带电子不足以跃迁到导带，但它可以和价带的空穴组成电子空穴对束缚态（激子）。即：半导体吸收光子能量，但电子不能跃迁为自由载流子而处于受激状态。n激子吸收不会改变半导体的导电性。iii)杂质吸收n杂质可以在半导体的禁带中引入杂质能级，占据杂质能级的电子或空穴的跃迁可以引起光吸收，这种吸收称为杂质吸收，可以分为下面三种类型：a.吸收光子可以引起中性施主上的电子从基态到激发态或导带的跃迁；b.中性受主上的空穴从基态到激发态或价带的跃迁

15、；c.电离受主到电离施主间的跃迁；n由于杂质能级是束缚态，因而动量没有确定的值，所以不必满足动量守恒的要求，因此跃迁几率较大。n杂质吸收的长波长总要长于本征吸收的长波长。杂质吸收会改变半导体的导电性，也会引起光电效应。电子在杂质能级及杂质能级与带间的跃迁浅能级杂质：红外区深能级杂质：可见、紫外区iv)自由载流子吸收n当入射光的波长较长，不足以引起带间跃迁或形成激子时，半导体中仍然存在光吸收，而且吸收系数随着波长的增加而增加。这种吸收是自由载流子在同一能带内的跃迁引起的，称为自由载流子吸收。（准连续、长波长段）n自由载流子吸收也需要声子参与，因此也是二级过程，与间接跃迁过程类似。但这里所涉及的是

16、载流子在同一带内不同能级间的跃迁。n自由载流子吸收不会改变半导体的导电性。v)子带间的跃迁n电子在价带或导带中子带（sub-band）之间的跃迁。在这种情况下，吸收曲线有明显的精细结构，而不同于由自由载流子吸收系数随波长单调增加的变化规律。n大多半导体的价带在价带顶附近由三个子带组成，不同子带间可以发生三种引起光吸收的跃迁过程:(a)从轻空穴带到重空穴带的跃迁(b)从分裂的带到重空穴带的跃迁(c)从分裂的带到轻空穴带的跃迁vi)晶格振动吸收(声子吸收)n由于光子和晶格振动的相互作用引起的中远红外谱区的光吸收称为晶格振动吸收。直接转换为晶格振动的动能增加。小小结结：以上六种吸收机制中只有本征吸收

17、和杂质吸收能够引起非平衡载流子，产生光电效应。其它吸收都不同程度的把辐射能转换为热能，使器件温度升高，而不改变半导体的导电性。带间吸收：可见红外激子吸收：可见近红外晶格振动吸收：红外中红外杂质吸收：远红外（浅能级杂质）自由载流子吸收：准连续、毫米波波长增大方向3、半导体的光电性质（2）光电导u若半导体的光吸收机制可产生额外的载流子，那么载流子浓度提高，则电导率增加，增加的这部分电导率称为光电导。u光生载流子是非平衡载流子，有产生就有复合过程，最终达到动态平衡，此时光电导达到稳态。u利用光电导，可制造用于高灵敏检测的光电器件。4、半导体的界面特性：PN结（1）基本结构：PN结是由同一种本征半导体

18、形成的N型半导体和P型半导体在晶格完全匹配的情况下紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。半导体器件的核心是PN结。半导体二极管是单个PN结；半导体三极管具有两个PN结；场效应管的基本结构也是PN结。（2）制作方法：外延方法：突变PN结；（*）扩散方法：缓变PN结；离子注入方法：介于突变结与缓变结之间（3）PN结的形成多子扩散运动：两种材料接触形成：两种材料接触形成PNPN结时，冶金结两侧出现载流结时，冶金结两侧出现载流子浓度差，形成可动载流子的扩散流：子浓度差，形成可动载流子的扩散流：*电子离开N型区向P型区扩散，在N型区留下带正电荷的施主离子。*空穴离开P型区向N型区扩散，在P型区留下

19、带负电荷的受主离子。(离化的杂质中心固定不动，出现净正、负电荷)少子漂移运动：在半导体带电的区域空间电荷区，形成内建电场，在半导体带电的区域空间电荷区，形成内建电场，内建电场引起少子漂移运动。内建电场引起少子漂移运动。空间电荷区内漂移运动与扩散运动的方向相反，最后达到平衡状态（空间电荷区宽度一定、PN结电流为0）。而空间电荷区以外的P型区和N型区仍处于热平衡状态且保持电中性。空间电荷区及内建电场的形成过程示意图达到热平衡状态时，扩散流等于漂移流 势垒区内电子（空穴）的扩散和漂移抵消。势垒区内电子（空穴）的扩散和漂移抵消。整个整个pnpn结具有统一的费米能级。结具有统一的费米能级。能带弯曲势垒高

20、度。能带弯曲势垒高度。PN结的形成(a)载流子的扩散运动；(b)空间电荷区；(c)电位分布（4）PN结的单向导电性 a.正向特性 PN结外加正向电压时导通 b.反向特性PN结外加反向电压时截止 综上所述:PN结正向偏置时，结电阻很小，回路中产生一个较大的正向电流，PN结呈导通状态；PN结反向偏置时，结电阻很大，回路中的反向电流很小，几乎接近于零，PN结呈截止状态。所以，PN结具有单向导电性。c.伏安特性PN结伏安特性曲线（5）PN结的击穿特性当PN结外加反向电压超过某一电压值时，反向电流将急剧增加，这种现象称为PN结的反向击穿。反向电流急剧增加时所对应的反向电压U(BR)称为反向击穿电压。PN

21、结的击穿特性（6）PN结的温度特性 实验证明，在室温下，温度每升高1，在同一正向电流下，PN结正向压降VF减小22.5 mV；温度每升高10，反向饱和电流Is大约增加 1 倍。所以当温度升高时，PN结的正向特性曲线向左移动，反向特性曲线向下移动。此外,PN结的反向击穿特性也与温度有关。理论分析表明，雪崩击穿电压随温度升高而增大，具有正的温度系数；齐纳击穿电压随温度的升高而降低，具有负的温度系数。（7）光生伏特效应-Photovoltaicn 用适当波长的光照射非均匀半导体，例如P-N结和金属-半导体接触等，由于势垒区中内建电场（也称为自建电场）的作用，电子和空穴被分开，产生光生电流或者光生电压。n这种由内建电场引起的光-电效应，称为光生伏特效应。n利用光电效应可以制成太阳能电池，直接把光能转换成电能，这是它最重要的实际应用。另外，光生伏特效应也广泛应用于光电探测器。下面以P-N结为例介绍这种效应。