模拟集成电路.ppt
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1、第九章第九章 模拟集成电路基本单元模拟集成电路基本单元洪慧洪慧上次课上次课:第八章第八章 数字集成电路基本单元及版图数字集成电路基本单元及版图1.TTL1.TTL基本电路(反相器、与非门、或非门)基本电路(反相器、与非门、或非门)2.CMOS2.CMOS反相器反相器3.CMOS3.CMOS与非门和或非门与非门和或非门4.CMOS4.CMOS传输门和开关逻辑传输门和开关逻辑5.CMOS5.CMOS三态门三态门6.CMOS6.CMOS驱动电路驱动电路7.7.数字电路标准单元库设计数字电路标准单元库设计8.8.焊盘输入焊盘输入/输出单元输出单元9.CMOS9.CMOS存储器存储器1.1.电流源电路电
2、流源电路2.2.基准电压源基准电压源3.3.单端反相放大器单端反相放大器4.4.差分放大器电路差分放大器电路5.5.运算放大器电路运算放大器电路6.6.振荡器振荡器7.D/A7.D/A与与A/DA/D转换器转换器第九章第九章 模拟集成电路基本单元模拟集成电路基本单元引言:模拟与数字集成电路区别引言:模拟与数字集成电路区别n模拟集成电路模拟集成电路主要用于处理连续信号,即模拟信主要用于处理连续信号,即模拟信号。号。n模拟集成电路模拟集成电路要求电路的每一组成单元必须是精要求电路的每一组成单元必须是精确的,其性能与版图设计的相关性比数字集成电确的,其性能与版图设计的相关性比数字集成电路要强得多。路
3、要强得多。n模拟集成电路模拟集成电路的版图设计从平面布局到各器件几的版图设计从平面布局到各器件几何图形的设计都要十分何图形的设计都要十分“讲究讲究”,需要考虑的,需要考虑的问题往往比数字集成电路要多。问题往往比数字集成电路要多。n一个一个数字集成电路数字集成电路如果在电路级而不是在逻辑级如果在电路级而不是在逻辑级考虑和优化性能,将与考虑和优化性能,将与模拟集成电路模拟集成电路有许多共同有许多共同点。对高速数字集成电路设计尤其如此。点。对高速数字集成电路设计尤其如此。1.1.电流源电路设计电流源电路设计n双极型镜像电流源双极型镜像电流源n双极型基本镜像电流源双极型基本镜像电流源n带缓冲级的镜像电
4、流源带缓冲级的镜像电流源n威尔逊威尔逊(Wilson)电流源电流源nMOS电流镜电流镜nNMOS基本电流镜基本电流镜nNMOS威尔逊电流镜威尔逊电流镜双极型镜像电流源双极型镜像电流源(1)双极型基本镜像电流源双极型基本镜像电流源 双极型镜像电流源双极型镜像电流源(2)带缓冲级的镜像电流源)带缓冲级的镜像电流源 双极型镜像电流源双极型镜像电流源(3)威尔逊威尔逊(Wilson)电流源电流源(1)NMOS基本电流镜基本电流镜 NMOS基本电流镜由两个NMOS晶体管组成,如下图所示。MOS电流镜电流镜MOS电流镜电流镜 如如果果有有多多个个输输出出支支路路,如如图图所所示示,则则各各支支路路的的电电
5、流流的的比比值值就就等等于于各各NMOS晶晶体体管管的的宽宽长长比比的的比值。比值。IrIo1Io2Ion (W/L)r(W/L)1(W/L)2(W/L)n MOS电流镜优点电流镜优点n它可以精确地复制电流而不受工艺和它可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响温度的影响nIO和和Ir的比值由器件尺寸的比率决定的比值由器件尺寸的比率决定n要保证高输出阻抗,采用较长沟道器要保证高输出阻抗,采用较长沟道器件,但会影响寄生电容和电路动态特件,但会影响寄生电容和电路动态特性性MOS电流镜电流镜(2)NMOS威尔逊电流镜威尔逊电流镜 NMOS基基本本电电流流镜镜因因为为沟沟道道长长度度调调制制效效应应的的
6、作作用用,交交流流输输出出电电阻阻变变小小。从从电电路路理理论论可可知知,采采用用串串联联负负反反馈馈也也可可以以提提高高电电路路的的输输出出电电阻阻。威威尔尔逊逊电电流流镜镜正正是是这这样样的的结构。结构。MOS电流镜电流镜 与与NMOS基本电流镜相比,威尔逊电流镜基本电流镜相比,威尔逊电流镜的输出电阻较大,这意味着其恒特性优于基本的输出电阻较大,这意味着其恒特性优于基本电流镜。提高输出电阻的基本原理是在电流镜。提高输出电阻的基本原理是在M1的源的源极由极由M2而形成的串联电流负反馈。而形成的串联电流负反馈。2.2.基准电压源设计基准电压源设计 理想的基准电压源,要求它不仅有精确稳理想的基准
7、电压源,要求它不仅有精确稳定的电压输出值,而且具有低的温度系数。定的电压输出值,而且具有低的温度系数。n温度系数:温度系数:输出电参量随温度的变化量,可以输出电参量随温度的变化量,可以是正的,也可以是负的。是正的,也可以是负的。n正温度系数:正温度系数:输出电参量随温度上升而增大输出电参量随温度上升而增大n负温度系数:负温度系数:输出电参量随温度上升而减小。输出电参量随温度上升而减小。要使温度系数小,自然会想到利用具有正要使温度系数小,自然会想到利用具有正温度系数的器件和具有负温度系数的器件适当温度系数的器件和具有负温度系数的器件适当地组合,实现温度补偿,得到低温度系数甚至地组合,实现温度补偿
8、,得到低温度系数甚至零温度系数的电路结构。零温度系数的电路结构。双极型三管能隙基准源双极型三管能隙基准源MOS基准电压源基准电压源3.3.单端反相放大器电路设计单端反相放大器电路设计 反相放大器的基本结构通常是漏反相放大器的基本结构通常是漏输出的输出的MOS工作管和负载的串联结工作管和负载的串联结构。构。根据负载的不同,反相放大器的根据负载的不同,反相放大器的输出特性有很大区别。输出特性有很大区别。先分析先分析MOSFET的模拟模型的模拟模型*MOSFET的高频模拟模型的高频模拟模型.*电容已经在以前提到电容已经在以前提到.*ro 是输出电阻是输出电阻.小信号等效电路简化后的小信号等效电路简化
9、后的小信号等效电路电流源电流源输出电阻输出电阻简化后的小信号等效电路简化后的小信号等效电路常用常用MOS反相放大器电路结构反相放大器电路结构n纯电阻负载纯电阻负载NMOS放大器放大器nE/E NMOS放大器放大器nE/D NMOS放大器放大器nPMOS负载放大器负载放大器纯电阻负载纯电阻负载NMOS放大器放大器小信号等效电路小信号等效电路E/E NMOS放大器放大器E/D NMOS放大器放大器PMOS负载放大器负载放大器PMOS负载放大器负载放大器(e)小信号等效电路图PMOS负载放大器负载放大器(e)因为因为M2的的G极电压不变,极电压不变,所以所以vgs2=0因为因为vout=-(gm1*
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