第6章存储器课件.ppt

《第6章存储器课件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《第6章存储器课件.ppt（50页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、6.3 6.3 6.3 6.3 半导体只读存储器半导体只读存储器半导体只读存储器半导体只读存储器6.3.1 6.3.1 6.3.1 6.3.1 掩膜式只读存储器掩膜式只读存储器掩膜式只读存储器掩膜式只读存储器ROMROMROMROM6.3.2 6.3.2 6.3.2 6.3.2 可编程的只读存储器可编程的只读存储器可编程的只读存储器可编程的只读存储器6.3.3 6.3.3 6.3.3 6.3.3 可编程可擦除只读存储器可编程可擦除只读存储器可编程可擦除只读存储器可编程可擦除只读存储器6.4 6.4 6.4 6.4 存储器与存储器与存储器与存储器与CPUCPUCPUCPU的连接的连接的连接的连接

2、6.4.1 6.4.1 6.4.1 6.4.1 存储器与存储器与存储器与存储器与CPUCPUCPUCPU连接时问题连接时问题连接时问题连接时问题6.4.2 6.4.2 6.4.2 6.4.2 常用译码电路常用译码电路常用译码电路常用译码电路6.4.3 6.4.3 6.4.3 6.4.3 存储器连接举例存储器连接举例存储器连接举例存储器连接举例存存储储器器第第 6 6 章章6.1 6.1 6.1 6.1 概述概述概述概述6.1.16.1.16.1.16.1.1存储系统的层次结构存储系统的层次结构存储系统的层次结构存储系统的层次结构6.1.26.1.26.1.26.1.2存储器的分类存储器的分类存

3、储器的分类存储器的分类6.1.36.1.36.1.36.1.3存储器的基本组成存储器的基本组成存储器的基本组成存储器的基本组成6.1.46.1.46.1.46.1.4存储器的技术指标存储器的技术指标存储器的技术指标存储器的技术指标6.2 6.2 6.2 6.2 半导体读写存储器半导体读写存储器半导体读写存储器半导体读写存储器 6.2.16.2.16.2.16.2.1静态静态静态静态RAMRAMRAMRAM6.2.26.2.26.2.26.2.2动态动态动态动态RAMRAMRAMRAM6.2.36.2.36.2.36.2.3存储器的工作时序存储器的工作时序存储器的工作时序存储器的工作时序 08:

4、321、卡片和纸带、卡片和纸带2、磁介质存储器、磁介质存储器3、半导体存储器、半导体存储器4、光存储器、超导存储器和激光存储器、光存储器、超导存储器和激光存储器时间：时间：1/1/20236 61 11 1 存储系统的层次结构存储系统的层次结构61概述概述3 3 3 3虚拟存储技术虚拟存储技术虚拟存储技术虚拟存储技术2 2 2 2主存储器主存储器主存储器主存储器高速缓冲存储器高速缓冲存储器高速缓冲存储器高速缓冲存储器高速缓冲存储器高速缓冲存储器1 1 1 1主存储器主存储器主存储器主存储器外存储器外存储器外存储器外存储器CPUCPUCPUCPU 主存储器主存储器主存储器主存储器 外存储器外存储

5、器外存储器外存储器存储器系统的层次存储器系统的层次存储器系统的层次存储器系统的层次结构图结构图结构图结构图08:32目前目前PC机的外存储器（简称机的外存储器（简称“外存外存”）主要有）主要有软盘、硬盘、光盘和各种移动存储器。在下列有关软盘、硬盘、光盘和各种移动存储器。在下列有关PC机外存的叙述中，错误的是机外存的叙述中，错误的是_。（2006年年春二级考试）春二级考试）软盘因其容量小、存取速度慢、易损坏等原因，软盘因其容量小、存取速度慢、易损坏等原因，目前使用率越来越低目前使用率越来越低目前目前CD光盘的容量一般为数百兆字节，而光盘的容量一般为数百兆字节，而DVD光盘的容量为数千兆字节光盘的

6、容量为数千兆字节硬盘是一种容量大、硬盘是一种容量大、存取速度快的外存，目前存取速度快的外存，目前主流硬盘的转速均为每分钟几百转主流硬盘的转速均为每分钟几百转闪存盘也称为闪存盘也称为“优盘优盘”，目前其容量从几十兆字，目前其容量从几十兆字节到几千兆字节不等节到几千兆字节不等答案：答案：C时间：时间：1/1/202322、关于虚拟存储技术的下列叙述中，错误的是、关于虚拟存储技术的下列叙述中，错误的是_。（。（2004年三级偏硬）年三级偏硬）A.它它实际上是由操作系统对内存和外存资源统一分实际上是由操作系统对内存和外存资源统一分配和调度的存储器管理技术配和调度的存储器管理技术B.它将部分外存和内存一

7、样看待、一样使用（对程它将部分外存和内存一样看待、一样使用（对程序员或用户而言）序员或用户而言）C.虚拟存储空间的大小有内存和外存的大小所决定虚拟存储空间的大小有内存和外存的大小所决定D.虚拟存储器在执行程序时允许将程序的一部分调虚拟存储器在执行程序时允许将程序的一部分调入内存而其他部分保留在外存入内存而其他部分保留在外存答案：答案：C时间：时间：1/1/2023612存储器的分类存储器的分类存存存存储储储储器器器器随机存储器（随机存储器（随机存储器（随机存储器（RAMRAMRAMRAM）只读存储器（只读存储器（只读存储器（只读存储器（ROMROMROMROM）顺序存储器（顺序存储器（顺序存储

8、器（顺序存储器（SAMSAMSAMSAM）按存取方式分类按存取方式分类按存取方式分类按存取方式分类磁介质存储器磁介质存储器磁介质存储器磁介质存储器半导体存储器半导体存储器半导体存储器半导体存储器光存储器光存储器光存储器光存储器按存储器载体分类按存储器载体分类按存储器载体分类按存储器载体分类时间：时间：1/1/20236.1.3存储器的基本组成存储器的基本组成典型存储器的组成框图典型存储器的组成框图典型存储器的组成框图典型存储器的组成框图存储单元矩阵存储单元矩阵存储单元矩阵存储单元矩阵 N N N N M M M M （4096409640964096 1 1 1 1）数据总线数据总线数据总线数

9、据总线DBDB数据数据数据数据缓冲器缓冲器缓冲器缓冲器R/WR/WR/WR/W读写输入读写输入读写输入读写输入CSCSCSCS片选择片选择片选择片选择控制电路控制电路26Y Y Y Y地址译码器地址译码器地址译码器地址译码器A11A6X X X X地址地址地址地址译码译码译码译码器器器器2 26 6A A0 0A5时间：时间：1/1/2023存储单元矩阵存储单元矩阵存储单元矩阵存储单元矩阵 N N N N M M M M （4096409640964096 1 1 1 1）26Y Y Y Y地址译码器地址译码器地址译码器地址译码器A11A6X X X X地址地址地址地址译码译码译码译码器器器器

10、2 26 6A A0 0A5数据总线数据总线数据总线数据总线DBDB数据数据数据数据缓冲器缓冲器缓冲器缓冲器R/WR/WR/WR/W读写输入读写输入读写输入读写输入CSCSCSCS片选择片选择片选择片选择控制电路控制电路10读出读出00写入写入R/WCS时间：时间：1/1/20234-16译码器译码器Y0Y1Y2Y14Y15161存储器存储器0H1H2HEHFHAB0AB1AB2AB3时间：时间：1/1/20232-4译码器译码器2-4译码器译码器AB0AB1AB2AB3X0X1X2X3Y0Y1Y2Y3时间：时间：1/1/2023Y Y2 2Y Y1 1Y Y0 0Y Y3 3&11A A1

11、1A A0 024译码器逻辑图译码器逻辑图时间：时间：1/1/2023Y Y0 0Y Y7 7Y Y6 6Y Y5 5Y Y4 4Y Y3 3Y Y2 2Y Y1 1&111A A2 2A A1 1A A0 0&Y Y8 8Y Y1515Y Y1414Y Y1313Y Y1212Y Y1111Y Y1010Y Y9 91A A2 2416译码器逻辑图译码器逻辑图时间：时间：1/1/2023614存储器的技术指标存储器的技术指标衡量存储器的技术指标衡量存储器的技术指标衡量存储器的技术指标衡量存储器的技术指标存存储储器器容容量量存存存存取取取取周周周周期期期期可可可可靠靠靠靠性性性性经经经经济济济

12、济性性性性取取取取数数数数时时时时间间间间 通常用字数通常用字数位数位数或或字节数表示。字节数表示。32K16：存储器有：存储器有32K字，每字长字，每字长16位位512MB：存储器有：存储器有512M个字节个字节时间：时间：1/1/202362随机读写存储器随机读写存储器半半导导体体存存储储器器RAMROM双双极性极性MOS静态静态动态动态掩膜掩膜ROMPROMEPROMEEPROM时间：时间：1/1/20235.根据存储器芯片的功能及物理特性，目前通常用作高速根据存储器芯片的功能及物理特性，目前通常用作高速缓冲存储器缓冲存储器(Cache)的是的是5。（。（2005年秋年秋)A.SRAMB

13、.DRAMC.SDRAMD.FlashROM答案：答案：A时间：时间：1/1/20236、根据存储器芯片的功能及物理特性，目前用作优、根据存储器芯片的功能及物理特性，目前用作优盘存储器芯片的是盘存储器芯片的是_。（。（2006年春二级考试）年春二级考试）A.SRAMB.SDRAMC.EPROMD.FlashROM答案：答案：D时间：时间：1/1/202326.关于关于ROM的下列叙述中，错误的是的下列叙述中，错误的是_。（。（2004三级偏三级偏硬）硬）A.ROM是一种非易失性存储器，信息是一旦写入就固定不是一种非易失性存储器，信息是一旦写入就固定不变，掉电后也不会丢失变，掉电后也不会丢失B掩

14、膜掩膜ROM中的信息由生产厂家一次性直接写入中的信息由生产厂家一次性直接写入CPROM存储器的信息只能一次编程写入，不能擦除改写存储器的信息只能一次编程写入，不能擦除改写DEPROM是一种电擦除可编程是一种电擦除可编程ROM答案：答案：D时间：时间：1/1/20234.在下列有关当前在下列有关当前PC机主板和内存的叙述中，正确机主板和内存的叙述中，正确的是的是4。(2009年春二级考试）年春二级考试）A.主板上的主板上的BIOS芯片是一种只读存储器，其内容不芯片是一种只读存储器，其内容不可在线改写可在线改写B.绝大多数主板上仅有一个内存插座，因此绝大多数主板上仅有一个内存插座，因此PC机只机只

15、能安装一根内存条能安装一根内存条C.内存条上的存储器芯片属于内存条上的存储器芯片属于SRAM(静态随机存取静态随机存取存储器存储器)D.目前内存的存取时间大多在几个到十几个目前内存的存取时间大多在几个到十几个ns(纳秒纳秒)之间之间答案：答案：D时间：时间：1/1/20236 6 6 62 2 2 21 1 1 1 静态静态静态静态RAMRAMRAMRAM1 1 1 1静态静态静态静态RAMRAMRAMRAM的工作原理的工作原理的工作原理的工作原理选择线选择线选择线选择线VF5VF5I/OI/OABVF1VF1VF2VF2VF4VF4VF6VF6VccVcc六管静态六管静态六管静态六管静态RA

16、MRAMRAMRAM基本存储电路基本存储电路基本存储电路基本存储电路VF3VF3I/OI/O时间：时间：1/1/20232 2 2 2静态静态静态静态RAMRAMRAMRAM组成组成组成组成6 6 6 62 2 2 21 1 1 1 静态静态静态静态RAMRAMRAMRAM1K1时间：时间：1/1/20233 3 3 3静态静态静态静态RAMRAMRAMRAM举例举例举例举例VDDIntel2114A7A8A9I/O1I/O2I/O3I/O4R/WA6A5A4A3A0A1A2CSGND123456789181716151413121110Intel2114引脚图引脚图Intel2114Inte

17、l2114，容量，容量，容量，容量1K41K4，共，共，共，共40964096个六管静态基本个六管静态基本个六管静态基本个六管静态基本存储单元存储单元存储单元存储单元时间：时间：1/1/2023动态动态动态动态RAMRAMRAMRAM的工作原理的工作原理的工作原理的工作原理VF1VF1单管动态单管动态单管动态单管动态RAMRAMRAMRAM基本存储电路基本存储电路基本存储电路基本存储电路6 6 6 62 2 2 22 2 2 2 动态动态动态动态RAMRAMRAMRAMI/OI/O线线字选择字选择CD时间：时间：1/1/2023掩膜式掩膜式掩膜式掩膜式ROMROMROMROM有双极型和有双极型

18、和有双极型和有双极型和MOSMOSMOSMOS型两种类型型两种类型型两种类型型两种类型6 6 6 63 3 3 31 1 1 1 掩膜式只读存储器掩膜式只读存储器掩膜式只读存储器掩膜式只读存储器ROMROMROMROM63半导体只读存储器半导体只读存储器速度快速度快速度快速度快 容量小容量小容量小容量小容量大容量大容量大容量大速度慢速度慢速度慢速度慢时间：时间：1/1/2023存储单元结构存储单元结构 二极管二极管ROM TTL-ROM MOS-ROM DjDjVCC Dj+VDD 1接半导体管后成为储接半导体管后成为储1单元；单元；若不接半导体管，则为储若不接半导体管，则为储0单元。单元。“

19、1”“1”“1”时间：时间：1/1/20236 63 32 2 可编程的只读存储器可编程的只读存储器PROMPROM P PROMROMROMROM在制作时不写入信息，用户使用时可写在制作时不写入信息，用户使用时可写在制作时不写入信息，用户使用时可写在制作时不写入信息，用户使用时可写入自己的程序。但这种写入是一次性的，一旦写入自己的程序。但这种写入是一次性的，一旦写入自己的程序。但这种写入是一次性的，一旦写入自己的程序。但这种写入是一次性的，一旦写入内容后就不能更改，所以称一次性可编程序只入内容后就不能更改，所以称一次性可编程序只入内容后就不能更改，所以称一次性可编程序只入内容后就不能更改，所

20、以称一次性可编程序只读存储器，又称为现场可编程序只读存储器。读存储器，又称为现场可编程序只读存储器。读存储器，又称为现场可编程序只读存储器。读存储器，又称为现场可编程序只读存储器。时间：时间：1/1/2023PROM的存储单元结构的存储单元结构 熔丝烧断后不可恢复，因此熔丝烧断后不可恢复，因此PROM只能一次编程。只能一次编程。二极管二极管ROM TTL-ROM MOS-ROM DjDjVCC Dj+VDD 1熔丝熔丝熔丝熔丝熔丝熔丝“1”“1”“1”时间：时间：1/1/2023633可编程、可擦除的只读存储器可编程、可擦除的只读存储器EPROMEPROM1 1 1 1紫外线擦除的紫外线擦除的

21、紫外线擦除的紫外线擦除的EPROMEPROMEPROMEPROM这种这种这种这种EPROMEPROMEPROMEPROM是采用紫外线擦去原存内容，再用是采用紫外线擦去原存内容，再用是采用紫外线擦去原存内容，再用是采用紫外线擦去原存内容，再用专门写入器改写内容。因此又称专门写入器改写内容。因此又称专门写入器改写内容。因此又称专门写入器改写内容。因此又称UVEPROMUVEPROMUVEPROMUVEPROM。时间：时间：1/1/20232 2 2 2电可改写的、可重编程的只读存储器电可改写的、可重编程的只读存储器电可改写的、可重编程的只读存储器电可改写的、可重编程的只读存储器这种电可改写这种电可

22、改写这种电可改写这种电可改写PROMPROMPROMPROM，简称为简称为简称为简称为EEPROMEEPROMEEPROMEEPROM。时间：时间：1/1/20233 3 3 3EPROMEPROMEPROMEPROM芯片举例芯片举例芯片举例芯片举例Intel 2716Intel 2716Intel 2716Intel 2716Intel 2716Intel 2716Intel 2716Intel 2716是是是是16K16K16K16K位，可组成容量为位，可组成容量为位，可组成容量为位，可组成容量为2K82K82K82K8的紫外线擦除的的紫外线擦除的的紫外线擦除的的紫外线擦除的EPROMEP

23、ROMEPROMEPROM。VCCIntel2716A8A9VPPCSA10PD/PGMD7D6D5D4D3A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND123456789101112242322212019181716151413VPP为为编程高电平输入端。编编程高电平输入端。编程时加程时加+25V电压，工作时加电压，工作时加+5V电压。电压。PD/PGM有两种功能：有两种功能：(1)工作时为片选使能端，低电工作时为片选使能端，低电平有效。低电平时，芯片被平有效。低电平时，芯片被选中，处于工作状态。选中，处于工作状态。(2)编程时为编程脉冲输入端。编程时为编程脉冲输入端。CS 为为允许数

24、据输出端，低电允许数据输出端，低电平有效。平有效。CS=0时，允许读出数时，允许读出数据；据；CS=1时，不能读出数据。时，不能读出数据。时间：时间：1/1/20236.4.1存储器的工作时序存储器的工作时序1 1 1 1存储器的读周期存储器的读周期存储器的读周期存储器的读周期就是从存储器读出数据所需时间就是从存储器读出数据所需时间就是从存储器读出数据所需时间就是从存储器读出数据所需时间tRCtAADDtCOCStCXDout读周期读周期6 64 4 存储器与存储器与CPUCPU的连接的连接时间：时间：1/1/20232 2 2 2存储器的写周期存储器的写周期存储器的写周期存储器的写周期是地址

25、建立、写脉冲宽度和写操作恢复是地址建立、写脉冲宽度和写操作恢复是地址建立、写脉冲宽度和写操作恢复是地址建立、写脉冲宽度和写操作恢复时间三者的总和时间三者的总和时间三者的总和时间三者的总和。tWCADDtAWCStDWtDHDin写周期写周期WEtW时间：时间：1/1/20233 3 3 3 8086CPU8086CPU8086CPU8086CPU对存储器的读对存储器的读对存储器的读对存储器的读/写时序写时序写时序写时序CLKT1T2T3T4M/IOAD15AD0ALERDBHERDYAD读时序读时序读时序读时序时间：时间：1/1/2023写时序写时序写时序写时序CLKT1T2T3T4M/IOA

26、LEAD15AD0ADWR时间：时间：1/1/2023642存储器与存储器与CPUCPU连接时要考虑的问题连接时要考虑的问题1 1 1 1CPUCPUCPUCPU总线的负载能力总线的负载能力总线的负载能力总线的负载能力 一般情况下，一般情况下，一般情况下，一般情况下，CPUCPUCPUCPU总线的直流负载能力可总线的直流负载能力可总线的直流负载能力可总线的直流负载能力可带动一个标准的带动一个标准的带动一个标准的带动一个标准的TTLTTLTTLTTL门。门。门。门。6 64 4 存储器与存储器与CPUCPU的连接的连接时间：时间：1/1/20232 2 2 2CPUCPUCPUCPU的时序与存储

27、器的存取速度之间的配合的时序与存储器的存取速度之间的配合的时序与存储器的存取速度之间的配合的时序与存储器的存取速度之间的配合 在选用存储器时，它的最大存取时间要小于在选用存储器时，它的最大存取时间要小于在选用存储器时，它的最大存取时间要小于在选用存储器时，它的最大存取时间要小于CPUCPUCPUCPU安排的读写周期。否则，要使安排的读写周期。否则，要使安排的读写周期。否则，要使安排的读写周期。否则，要使CPUCPUCPUCPU插入等待插入等待插入等待插入等待周期，才能保证读写数据的可靠传送。周期，才能保证读写数据的可靠传送。周期，才能保证读写数据的可靠传送。周期，才能保证读写数据的可靠传送。C

28、PUCPUCPUCPU的信号电平多为的信号电平多为的信号电平多为的信号电平多为TTLTTLTTLTTL标准电平。当选用标准电平。当选用标准电平。当选用标准电平。当选用的存储器电平不相匹配时，必须用缓冲器进的存储器电平不相匹配时，必须用缓冲器进的存储器电平不相匹配时，必须用缓冲器进的存储器电平不相匹配时，必须用缓冲器进行电平转换。行电平转换。行电平转换。行电平转换。3 3存储器的电平信号与存储器的电平信号与存储器的电平信号与存储器的电平信号与CPUCPUCPUCPU的电平匹配的电平匹配的电平匹配的电平匹配时间：时间：1/1/20234 4 4 4存储器的地址要合理分配存储器的地址要合理分配存储器

29、的地址要合理分配存储器的地址要合理分配 通常在微型机的主存中有通常在微型机的主存中有通常在微型机的主存中有通常在微型机的主存中有RAMRAMRAMRAM和和和和ROMROMROMROM（EPROMEPROMEPROMEPROM）两部分。两部分。两部分。两部分。5 5 5 5控制信号的连接控制信号的连接控制信号的连接控制信号的连接 CPUCPUCPUCPU到存储器的控制信号，一般包括读到存储器的控制信号，一般包括读到存储器的控制信号，一般包括读到存储器的控制信号，一般包括读写控制信号、片选信号、复位信号、刷新写控制信号、片选信号、复位信号、刷新写控制信号、片选信号、复位信号、刷新写控制信号、片选

30、信号、复位信号、刷新信号（对动态信号（对动态信号（对动态信号（对动态RAMRAMRAMRAM）等，在常规情况下存等，在常规情况下存等，在常规情况下存等，在常规情况下存储器可直接连接这些控制信号。储器可直接连接这些控制信号。储器可直接连接这些控制信号。储器可直接连接这些控制信号。时间：时间：1/1/20231.固定式端口地址译码固定式端口地址译码接口中只有一个端口时可采用门电路构成。接口中只有一个端口时可采用门电路构成。DBDBA10A10CPUCPUABAB1KB1KBROMROMCSCS 1KB1KBRAMRAMCSCSA0A9A0A9D0D7D0D71643常用的译码电路常用的译码电路时间

31、：时间：1/1/2023有多个端口时一般采用译码器电路构成，常见的译有多个端口时一般采用译码器电路构成，常见的译码器有码器有74LS138、74LS154等。等。74LS138译码器：译码器：工作条件：工作条件：G1=1，G2A=G2B=0。工作原理：工作原理：将复合的输入信号变为将复合的输入信号变为枚举的输出信号。枚举的输出信号。A A B B C C G G2A2A G G2B2B G1G1 Y Y7 7 Y Y0 0 Y Y1 1 Y Y2 2 Y Y3 3 Y Y4 4 Y Y5 5 Y Y6 674LS138时间：时间：1/1/2023G2AG2BG1CBAY7Y0有效输出有效输出0

32、0100011111110Y000100111111101Y100101011111011Y200101111110111Y300110011101111Y400110111011111Y500111010111111Y600111101111111Y7真真值值表表时间：时间：1/1/2023Y0Y7ABCG2BG2AG11514131211109712345674LS138A5A6A7A8A9DMACS(8237)INTRCS(8259)T/CCS(8253)PPICS(8255)WRTDMAPG11WRTNMIREGIOWAEN74LS138在在PC机系统板端口译码的应用：机系统板端口译码

33、的应用：时间：时间：1/1/20232.可选式端口地址译码可选式端口地址译码(1)使用比较器使用比较器+地址开关方法地址开关方法74LS688比较器：比较器：当当P07Q07时，时，P=1，输出高电平。输出高电平。当当P07=Q07时，时，P=0，输出低电平。输出低电平。比较器和地址开关产生一个信号参与片选。比较器和地址开关产生一个信号参与片选。时间：时间：1/1/2023思考题思考题1?时间：时间：1/1/2023300H301H302H303H304H305H306H307H思考题思考题1的答案的答案时间：时间：1/1/2023思考题思考题2Y0Y7ABCG2BG2AG1151413121

34、1109712345674LS138_AEN001FH405FH809FH_10011FH_A9A0共共10根线参与地址译码，请将上图的空填对。根线参与地址译码，请将上图的空填对。时间：时间：1/1/2023思考题思考题2的答案的答案Y0Y7ABCG2BG2AG11514131211109712345674LS138A6A7A8A5A9AEN001FH405FH809FHC0DFH10011FH14015FH18019FH1C01DFH时间：时间：1/1/2023思考题思考题3Y0ABC74LS138按图上的按图上的连接方法，写出译码输出端连接方法，写出译码输出端Y0对应的地址。对应的地址。A

35、13A14A15G11A16A17G2AA19G2B&IORIOW时间：时间：1/1/2023思考题思考题3答案答案Y0ABC74LS138A13A14A15G11A16A17G2AA19G2B&IORIOWA19A18A17A16A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0001000101112000H13FFFH52000H53FFFH22000H23FFFH62000H63FFFH32000H33FFFH72000H73FFFH时间：时间：1/1/2023【例例6-1】若在一微机中，存储器结构如图，若在一微机中，存储器结构如图，试问该存储系统的首地址和末

36、地址为多少？试问该存储系统的首地址和末地址为多少？时间：时间：1/1/2023【例例6-2】今有今有2114芯片（芯片（1K4）、）、2716芯片芯片（2K8）芯片若干，构成一个）芯片若干，构成一个4KB容量的存容量的存储系统，需要有储系统，需要有2KB的的RAM和和2KB的的EPROM，该如何连线？，该如何连线？时间：时间：1/1/2023小结小结小结小结6.1 6.1 6.1 6.1 概述概述概述概述6.1.16.1.16.1.16.1.1存储系统的层次结构存储系统的层次结构存储系统的层次结构存储系统的层次结构6.1.26.1.26.1.26.1.2存储器的分类存储器的分类存储器的分类存储

37、器的分类6.1.36.1.36.1.36.1.3存储器的基本组成存储器的基本组成存储器的基本组成存储器的基本组成6.1.46.1.46.1.46.1.4存储器的技术指标存储器的技术指标存储器的技术指标存储器的技术指标6.2 6.2 6.2 6.2 半导体读写存储器半导体读写存储器半导体读写存储器半导体读写存储器 6.2.16.2.16.2.16.2.1静态静态静态静态RAMRAMRAMRAM6.2.26.2.26.2.26.2.2动态动态动态动态RAMRAMRAMRAM6.2.36.2.36.2.36.2.3存储器的工作时序存储器的工作时序存储器的工作时序存储器的工作时序 6.3 6.3 6.

38、3 6.3 半导体只读存储器半导体只读存储器半导体只读存储器半导体只读存储器6.3.1 6.3.1 6.3.1 6.3.1 掩膜式只读存储器掩膜式只读存储器掩膜式只读存储器掩膜式只读存储器ROMROMROMROM6.3.2 6.3.2 6.3.2 6.3.2 可编程的只读存储器可编程的只读存储器可编程的只读存储器可编程的只读存储器6.3.3 6.3.3 6.3.3 6.3.3 可编程可擦除只读存储器可编程可擦除只读存储器可编程可擦除只读存储器可编程可擦除只读存储器6.4 6.4 6.4 6.4 存储器与存储器与存储器与存储器与CPUCPUCPUCPU的连接的连接的连接的连接6.4.1 6.4.1 6.4.1 6.4.1 存储器与存储器与存储器与存储器与CPUCPUCPUCPU连接时问题连接时问题连接时问题连接时问题6.4.2 6.4.2 6.4.2 6.4.2 常用译码电路常用译码电路常用译码电路常用译码电路6.4.3 6.4.3 6.4.3 6.4.3 存储器连接举例存储器连接举例存储器连接举例存储器连接举例时间：时间：1/1/2023