第三章--场效应晶体管及其放大电路应用..ppt
《第三章--场效应晶体管及其放大电路应用..ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《第三章--场效应晶体管及其放大电路应用..ppt(19页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、模拟电子技术模拟电子技术第三章第三章场效应晶体管及其放大电路应用场效应晶体管及其放大电路应用主讲主讲谢榕谢榕 开课单位:电气与电子工程学院电工教学基地开课单位:电气与电子工程学院电工教学基地1第三章第三章 场效应晶体管及其放大电路应用场效应晶体管及其放大电路应用3.3 场效应管放大电路场效应管放大电路 3.1 场效应管概述场效应管概述3.2 绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管23.1 场效应管概述场效应管概述场效应管场效应管(FET)结型结型(JFET)(属于耗尽型属于耗尽型)绝缘栅型绝缘栅型(MOSFET)增强型增强型耗尽型耗尽型N沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道P沟道沟道33
2、.2.1 3.2.1 3.2.1 3.2.1 N N N N沟道增强型沟道增强型沟道增强型沟道增强型MOSMOSMOSMOS管管管管3.2绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管(a)结构示意图结构示意图(b)电路符号电路符号P型半导体为衬底型半导体为衬底 g栅极栅极d漏极漏极s源极源极1.结构结构42.工作原理工作原理绝缘栅场效应管是通过改变栅绝缘栅场效应管是通过改变栅-源电压源电压uGS的大小,从的大小,从而改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少,即改变感应电而改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少,即改变感应电荷形成的导电沟道的状况,达到控制漏极电流荷形成的导电沟道的状况,达到控制漏极电流iD之目的之目的。
3、1)导电沟道的建立导电沟道的建立(a)uGS=0,无导电沟道无导电沟道(b)uGSUGS(th),建立导电沟道建立导电沟道UGS(th)称为开启电压称为开启电压52.工作原理工作原理2)uDS对对iD的影响的影响(c)uDS uGS-UGS(th)(a)uDS较小较小(b)uDS=uGS-UGS(th)漏、源间呈可变漏、源间呈可变电阻特性电阻特性 处于预夹断状态处于预夹断状态 具有恒流源特性具有恒流源特性 6 当漏源之间接上当漏源之间接上+VDS时,从源时,从源-沟道沟道-漏组成的漏组成的型半型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度:源区为零电位,导体区域内产生了一个横向的电位梯度:源区为零电位
4、,漏区为漏区为+VDS,而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。在,而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。在沟道在不同位置上,沟道厚度不同,源端最厚,漏端最薄,沟道在不同位置上,沟道厚度不同,源端最厚,漏端最薄,当当VDS增大到栅增大到栅-漏电位差漏电位差VGSVDSVGS(th)时,漏端预夹断。时,漏端预夹断。这个夹断区成了漏源间电流通路上电阻最大的区。这个夹断区成了漏源间电流通路上电阻最大的区。VDS的任的任何进一步增加就必然会集中降在这里,使夹断区具有很强何进一步增加就必然会集中降在这里,使夹断区具有很强的电场。由于现在被夹的只是漏端的一个小区域,在夹断的电场。由于现在被夹的只是漏端的一个小区
5、域,在夹断区左边还有沟道,这些自由电子仍可在沟道中漂移,在区左边还有沟道,这些自由电子仍可在沟道中漂移,在到达夹断区时,就受夹断区强电场的吸引,滑入漏区。所到达夹断区时,就受夹断区强电场的吸引,滑入漏区。所以,在漏端夹断后,漏源之间仍有漏极电流以,在漏端夹断后,漏源之间仍有漏极电流ID。此种情形此种情形与与NPNNPN型半导体三极管在集电结反偏时仍能把电子拉过耗尽型半导体三极管在集电结反偏时仍能把电子拉过耗尽区基本上是相似的。区基本上是相似的。场效应管在漏端夹断后,为什么还有漏电?场效应管在漏端夹断后,为什么还有漏电?7MOS管在正常工作情况下管在正常工作情况下,uDS、UGS(th)是确定的
6、,则是确定的,则3)uGS对对iD的控制作用的控制作用式中式中:IDO为为uGS=2UGS(th)时的时的iD值值在满足上式的情况下,只要改变在满足上式的情况下,只要改变uGS的值,就有一的值,就有一个确定的个确定的iD与之对应,从而实现与之对应,从而实现uGS对对iD的控制的控制。2.工作原理工作原理8MOS管在正常工作情况下管在正常工作情况下,uDS、UGS(th)是确定的,则是确定的,则(a)转移特性转移特性(b)输出特性输出特性 3.特性曲线特性曲线9场效应管与晶体管的比较场效应管与晶体管的比较(1 1)导电机理)导电机理场效应管利用多子导电,而晶体管则利用多子和少子导电。场效应管利用
7、多子导电,而晶体管则利用多子和少子导电。(2 2)结构对称性)结构对称性场效应管的结构具有对称性,如果绝缘栅型管的衬底在电路场效应管的结构具有对称性,如果绝缘栅型管的衬底在电路内部事先不与源极相连,场效应管的源极和漏极可以互换。而晶内部事先不与源极相连,场效应管的源极和漏极可以互换。而晶体管的结构不对称,集电极与发射极是不能互换的。体管的结构不对称,集电极与发射极是不能互换的。(3 3)控制方式)控制方式场效应管工作在放大状态时,漏极电流场效应管工作在放大状态时,漏极电流 基本上只随栅基本上只随栅源极间电压的变化而变化。所以,常称其为电压控制型器件。源极间电压的变化而变化。所以,常称其为电压控
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 第三 场效应 晶体管 及其 放大 电路 应用
限制150内