低维材料二.ppt
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1、低维材料(二)低维材料(二)一维材料一维材料赵永男赵永男 教授教授 新型无机材料新型无机材料n一维材料是指各种晶须及纤维材料。一维材料是指各种晶须及纤维材料。n目前最活跃的一维材料有一维纳米材料、目前最活跃的一维材料有一维纳米材料、光导纤维、碳纤维以及碳化硅晶须等。光导纤维、碳纤维以及碳化硅晶须等。n一维纳米材料在介观领域和纳米器件研制一维纳米材料在介观领域和纳米器件研制方面有着重要的应用前景,光导纤维是最方面有着重要的应用前景,光导纤维是最有生命力的信息传输材料。有生命力的信息传输材料。n碳纤维是复合材料的主要原料,碳化硅晶碳纤维是复合材料的主要原料,碳化硅晶须是陶瓷基、树脂基、金属基复合材
2、料的须是陶瓷基、树脂基、金属基复合材料的增强体,受到人们的高度重视,并研制出增强体,受到人们的高度重视,并研制出满足微电子学、信息、宇航等领域需要的满足微电子学、信息、宇航等领域需要的各种一维材料。各种一维材料。晶须晶须n晶须是在人工控制条件下,以单晶形式生长晶须是在人工控制条件下,以单晶形式生长成的一种短纤维,其直径非常小成的一种短纤维,其直径非常小(0.1至几微至几微米米),以致难以容纳大晶体中常出现的内部,以致难以容纳大晶体中常出现的内部缺陷,原子排列高度有序,晶体结构近乎完缺陷,原子排列高度有序,晶体结构近乎完整,不含有晶粒界、亚晶界、位错、空洞等整,不含有晶粒界、亚晶界、位错、空洞等
3、晶体结构缺陷,因而强度接近于完整晶体的晶体结构缺陷,因而强度接近于完整晶体的理论值。理论值。英文名称:英文名称:crystalwhisker历史历史数百年前:银晶须(大英博物馆陈列)数百年前:银晶须(大英博物馆陈列)1948年:铜晶须(贝尔研究所发现,引起年:铜晶须(贝尔研究所发现,引起电路短路)电路短路)最近二十多年:推测出晶须为接近单晶结最近二十多年:推测出晶须为接近单晶结构,而具有非常高的强度与弹性模量,从构,而具有非常高的强度与弹性模量,从而可用于复合材料。而可用于复合材料。硫酸钙硫酸钙碳化硅碳化硅镁盐晶须镁盐晶须钛酸钾钛酸钾晶须硅晶须硅Tetrapod氧化锌氧化锌n多晶纤维与晶须的区
4、别主要是多晶与单晶多晶纤维与晶须的区别主要是多晶与单晶的区别的区别,多晶是由多个单晶晶粒组成的晶体,多晶是由多个单晶晶粒组成的晶体,在其晶界处的颗粒间的晶体学取向彼此不在其晶界处的颗粒间的晶体学取向彼此不同,其周期性与规则性也在此处受到破坏。同,其周期性与规则性也在此处受到破坏。n由于晶体结构完整,晶须不仅具有异乎寻由于晶体结构完整,晶须不仅具有异乎寻常的力学性能,而且在电学、光学、磁学、常的力学性能,而且在电学、光学、磁学、铁磁性、介电性、传导性、甚至超导性等铁磁性、介电性、传导性、甚至超导性等方面皆发生显著变化。因此,对晶须的研方面皆发生显著变化。因此,对晶须的研究和开发受到高度重视。究和
5、开发受到高度重视。n20世纪世纪60年代就已开发了近百种晶须实验年代就已开发了近百种晶须实验品,包括金属、氧化物、碳化物、氮化物、品,包括金属、氧化物、碳化物、氮化物、卤化物等。卤化物等。n用晶须增强的复合材料具有优异的耐磨损、用晶须增强的复合材料具有优异的耐磨损、滑动性、高的绝缘性及显著的力学增强性滑动性、高的绝缘性及显著的力学增强性能,成为复合材料领域中的一个重要分支能,成为复合材料领域中的一个重要分支及最为活跃的研究方向之一。及最为活跃的研究方向之一。n有机化合物晶须、金属晶须和陶瓷晶须三有机化合物晶须、金属晶须和陶瓷晶须三类。其中陶瓷基晶须的强度和耐热性均优类。其中陶瓷基晶须的强度和耐
6、热性均优于其他两类,故具有更大的工业应用价值。于其他两类,故具有更大的工业应用价值。晶须的特点晶须的特点n(1)优良的力学性能优良的力学性能n机械强度高。晶须作为细微的单晶体机械强度高。晶须作为细微的单晶体,内部内部结构十分完整。具有非常坚韧的性质结构十分完整。具有非常坚韧的性质,其抗其抗张强度为玻璃纤维的张强度为玻璃纤维的5-10倍倍,比硼纤维有更比硼纤维有更好的韧性。好的韧性。n耐高温性。晶须具有不会引起高温滑移的耐高温性。晶须具有不会引起高温滑移的完整性完整性,温度升高时温度升高时,晶须不分解、不软化晶须不分解、不软化,其强度几乎没有损失。这个特性使其在防其强度几乎没有损失。这个特性使其
7、在防火材料中的应用成为可能。火材料中的应用成为可能。n能弹性地承受较大的应变而无永久变形。试能弹性地承受较大的应变而无永久变形。试验证明,晶须经验证明,晶须经4%的应变还在弹性范围内,的应变还在弹性范围内,不产生永久形变,而块状晶体的弹性变形范不产生永久形变,而块状晶体的弹性变形范围却小于围却小于0.1%。n具有相当大的长径比。晶须的横断面多具有具有相当大的长径比。晶须的横断面多具有六角形、斜方形、三角形或薄带形六角形、斜方形、三角形或薄带形,不同于不同于玻璃纤维或硼纤维具有圆形横断面玻璃纤维或硼纤维具有圆形横断面,大大增大大增加了长径比,其长径比都在加了长径比,其长径比都在30以上,能满足以
8、上,能满足增强塑料、防火板材对长径比增强塑料、防火板材对长径比(大于大于30)的要的要求求,使复合材料获得很高的强度和性能。使复合材料获得很高的强度和性能。n无疲劳效应。晶须没有明显的疲劳特征无疲劳效应。晶须没有明显的疲劳特征,即即使被磨成粉末、切断使被磨成粉末、切断,其强度也不受损失。其强度也不受损失。n(2)良好的相容性良好的相容性n晶须的尺寸细微晶须的尺寸细微,不影响复合材料成型流动不影响复合材料成型流动性,接近于无填充的树脂。晶须可以在高性,接近于无填充的树脂。晶须可以在高分子基体中分布得很均匀分子基体中分布得很均匀,可以使极薄、极可以使极薄、极狭小甚至边角部位都能得到增强填充。狭小甚
9、至边角部位都能得到增强填充。n(3)优良平滑性及化学稳定性优良平滑性及化学稳定性n晶须增强工程塑料膨胀系数及成型收缩率晶须增强工程塑料膨胀系数及成型收缩率小,有极高的尺寸精度和光洁的平滑表面小,有极高的尺寸精度和光洁的平滑表面,远远超过碳纤维和玻璃纤维增强材料制品。远远超过碳纤维和玻璃纤维增强材料制品。n(4)再生性能好再生性能好n用晶须增强的复合材料有良好的重复使用用晶须增强的复合材料有良好的重复使用性。实验表明:添加晶须的复合材料经多性。实验表明:添加晶须的复合材料经多次加工,热稳定性好,力学性能变化也不次加工,热稳定性好,力学性能变化也不大大,再生循环使用性能好。再生循环使用性能好。晶须
10、的生长机制晶须的生长机制n晶须作为一种特殊的细小纤维状的单晶体,晶须作为一种特殊的细小纤维状的单晶体,生长机制有其独特性。通常,晶须的生长生长机制有其独特性。通常,晶须的生长过程包括孕育期、生长期和终止生长期三过程包括孕育期、生长期和终止生长期三个阶段。个阶段。n各种晶须生长机制中,气固机制和气液固各种晶须生长机制中,气固机制和气液固机制是比较常见的两种。同时,晶须的生机制是比较常见的两种。同时,晶须的生长机制与其制备方法之间并不是互不相干、长机制与其制备方法之间并不是互不相干、彼此独立的,而是有着密切的联系。对同彼此独立的,而是有着密切的联系。对同一种生长机制,可能存在着几种制备方法,一种生
11、长机制,可能存在着几种制备方法,对同一种制备方法也可能存在着几种生长对同一种制备方法也可能存在着几种生长机制。机制。晶须的气晶须的气-固生长机制固生长机制n晶须的气晶须的气-固生长机制固生长机制(VS机制机制)又称为位错又称为位错机制,是通过气机制,是通过气-固反应形核并长成晶须的固反应形核并长成晶须的过程。是一种经常采用的晶须生长机制。过程。是一种经常采用的晶须生长机制。n按照按照VS机制,晶须的生长首先要满足如下机制,晶须的生长首先要满足如下几个条件:几个条件:氧化或活化气氛;氧化或活化气氛;含有细含有细小触媒形核剂;小触媒形核剂;位错的柏氏矢量需与晶位错的柏氏矢量需与晶须的轴向平行。须的
12、轴向平行。n符合上述条件后,在晶须的生长温度下触符合上述条件后,在晶须的生长温度下触媒形核剂吸附氧化或活化气氛中的晶须材媒形核剂吸附氧化或活化气氛中的晶须材料组分,使其沉淀析出;随晶核进一步的料组分,使其沉淀析出;随晶核进一步的生长或分解,当达到某一临界值时,晶核生长或分解,当达到某一临界值时,晶核受到应力的作用而稳定地沿着位错的柏氏受到应力的作用而稳定地沿着位错的柏氏矢量方向生长成晶须。矢量方向生长成晶须。n晶须在按晶须在按VS机制生长的实际过程中,除了机制生长的实际过程中,除了化学反应条件和晶须材料的选择对晶须的化学反应条件和晶须材料的选择对晶须的生长有很大的影响外,气相反应物的过饱生长有
13、很大的影响外,气相反应物的过饱和度也起着重要作用。气相反应物的过饱和度也起着重要作用。气相反应物的过饱和度较低时容易生成晶须;过饱和度中等和度较低时容易生成晶须;过饱和度中等时会形成枝状、片状或晶须与晶粒的混合时会形成枝状、片状或晶须与晶粒的混合物;过饱和度过大时则不会生成晶须。因物;过饱和度过大时则不会生成晶须。因此采用该机制制备晶须时,对气相反应物此采用该机制制备晶须时,对气相反应物的过饱和度需严格控制。的过饱和度需严格控制。晶须种类晶须种类制备方法制备方法原料原料生长温度生长温度/CoAl2O3AlF3水解法水解法AlF3,H2O1400-SiC碳热还原法碳热还原法C,高岭土,高岭土13
14、00-1700莫来石莫来石气相法气相法Al2O3,AlF31150-1700莫来石莫来石溶胶溶胶-凝胶法凝胶法铝硅干凝胶,铝硅干凝胶,AlF31100-1250莫来石莫来石热处理法热处理法铝硅玻璃,铝硅玻璃,AlF31250Sn自发反应自发反应Sn室温室温h-BN热处理法热处理法h-BN,N21500-2100按按VS机制生长的部分晶须机制生长的部分晶须晶须的气晶须的气-液液-固生长机制固生长机制(VLS)n与与VS机制不同,气机制不同,气-液液-固生长机制固生长机制(VLS机机制,制,V代表气体原料,代表气体原料,L为液体触媒,为液体触媒,S为固为固体晶须体晶须)认为,除反应生成的晶须材料外
15、,认为,除反应生成的晶须材料外,在基底上存在的触媒对晶须的生长起着关在基底上存在的触媒对晶须的生长起着关键的作用。合适的触煤能够与体系中的其键的作用。合适的触煤能够与体系中的其他组分形成低熔共晶,在晶须生长的温度他组分形成低熔共晶,在晶须生长的温度下容易形成触煤液滴;触媒液滴吸收气相下容易形成触煤液滴;触媒液滴吸收气相晶须材料反应组分,当晶须材料组分在液晶须材料反应组分,当晶须材料组分在液相中的溶解度达到饱和后,就会在基底的相中的溶解度达到饱和后,就会在基底的LS界面沉积、析出并最后长大成晶须。界面沉积、析出并最后长大成晶须。气体气体液体液体固体固体气体气体气体气体VLS生长晶须示意图生长晶须
16、示意图n利用利用VLS机制制备晶须时,由于液体对气体机制制备晶须时,由于液体对气体的容纳系数比固体对气体的容纳系数高、触的容纳系数比固体对气体的容纳系数高、触媒形成的低熔共晶液滴能使晶须的生长激活媒形成的低熔共晶液滴能使晶须的生长激活能大幅度降低,因此,通常情况下晶须的生能大幅度降低,因此,通常情况下晶须的生长速率比采用长速率比采用VS机制的晶须生长速率要快,机制的晶须生长速率要快,并且晶须的生长温度要低得多。并且晶须的生长温度要低得多。n如果能够根据晶须生长要求选取合适的组成如果能够根据晶须生长要求选取合适的组成和性能的低熔共晶的触媒,以及有利于晶须和性能的低熔共晶的触媒,以及有利于晶须形核
17、并长大的基底,那么,通过控制低熔共形核并长大的基底,那么,通过控制低熔共晶触媒液滴位置、类型、大小和化学组成等晶触媒液滴位置、类型、大小和化学组成等条件可以较方便地制备各种形状、各种直径、条件可以较方便地制备各种形状、各种直径、多种类型和不同性能的晶须。多种类型和不同性能的晶须。nVLS机制是晶须生长的最重要机制。许多有机制是晶须生长的最重要机制。许多有价值的晶须,特别是陶瓷类晶须的生长几价值的晶须,特别是陶瓷类晶须的生长几乎都遵循乎都遵循VLS方式。因此,方式。因此,VLS机制成为目机制成为目前许多商品晶须制备的重要理论基础而被前许多商品晶须制备的重要理论基础而被广泛采用。广泛采用。晶须的其
18、它生长机制晶须的其它生长机制n通过液固反应生成晶须的液通过液固反应生成晶须的液-固固(LS)机制和机制和固固-液液-固生长机制固生长机制(SLS机制机制),这是两种新,这是两种新的晶须生长机制,其理论尚未完善,但已的晶须生长机制,其理论尚未完善,但已引起了注意。引起了注意。n因为较其他生长机制而言,采用因为较其他生长机制而言,采用LS机制和机制和SLS机制的工艺相对简单、操作方便;同时,机制的工艺相对简单、操作方便;同时,LS机制和机制和SLS机制极有可能成为原位合成机制极有可能成为原位合成新型复合材料的新路线。新型复合材料的新路线。晶须的制备方法晶须的制备方法n晶须可采用化学分解或电解的方法
19、从过饱和晶须可采用化学分解或电解的方法从过饱和的气体、液体、熔体中生长,也可从固体中的气体、液体、熔体中生长,也可从固体中生长,即通常所指的气相法、液相法和固相生长,即通常所指的气相法、液相法和固相法。法。n气相法中又分为蒸发气相法中又分为蒸发-凝聚法和化学气相法,凝聚法和化学气相法,最重要的方法。最重要的方法。n液相法通常包括低温蒸发、电解、晶化、添液相法通常包括低温蒸发、电解、晶化、添加剂、化学沉淀、胶体和高温熔体等方法。加剂、化学沉淀、胶体和高温熔体等方法。n固相法包括应力诱导和析出法。固相法包括应力诱导和析出法。n按照晶须生长状况可分为三个级别:按照晶须生长状况可分为三个级别:生生长单
20、一材料的晶须;长单一材料的晶须;在单晶基体上沿某在单晶基体上沿某结晶学取向控制生长;结晶学取向控制生长;在基体上控制生在基体上控制生长出具有一定直径、高度、密度和排列的长出具有一定直径、高度、密度和排列的晶须。晶须。n通常作为复合材料增强体的晶须,只需要通常作为复合材料增强体的晶须,只需要第一级较简单水平。对于某些特殊用途的第一级较简单水平。对于某些特殊用途的半导体材料才需要二、三级生长水平。半导体材料才需要二、三级生长水平。n现已从现已从100种以上的材料制备出相应的晶须,种以上的材料制备出相应的晶须,其中包括金属、氧化物、碳化物、卤化物、其中包括金属、氧化物、碳化物、卤化物、氮化物、石墨以
21、及有机化合物。氮化物、石墨以及有机化合物。按材料种类划分,可分为如下几种:按材料种类划分,可分为如下几种:n金属晶须的制备:金属晶须的制备:n一种是金属盐的氢还原法,所选择的最佳一种是金属盐的氢还原法,所选择的最佳还原温度接近或稍高于原料金属的熔点。还原温度接近或稍高于原料金属的熔点。多数金属晶须如镍、铜、铁及其合金都采多数金属晶须如镍、铜、铁及其合金都采用此法制备。用此法制备。n另一种是利用金属的蒸发和凝聚制备晶须。另一种是利用金属的蒸发和凝聚制备晶须。先将金属在高温气化,然后把气相金属导先将金属在高温气化,然后把气相金属导至温度较低的生长区,以低的过饱和条件至温度较低的生长区,以低的过饱和
22、条件凝聚并生长成晶须。此法常用于熔点较低凝聚并生长成晶须。此法常用于熔点较低的金属,如锌、镉等金属晶须的制备。的金属,如锌、镉等金属晶须的制备。氧化物晶须的制备氧化物晶须的制备n最简单的方法为蒸气传递法:即将金属在潮最简单的方法为蒸气传递法:即将金属在潮湿氢气、惰性气体或空气中加热、使其氧化,湿氢气、惰性气体或空气中加热、使其氧化,在炉子的较低温部位沉积出晶须,如在炉子的较低温部位沉积出晶须,如A12O3、MgO晶须的制备。晶须的制备。n而经常采用的方法是化学气相生长法:通过而经常采用的方法是化学气相生长法:通过气态原料或由固态原料转化的气体中间物的气态原料或由固态原料转化的气体中间物的化学反
23、应,生成固相晶须。晶须的形核常发化学反应,生成固相晶须。晶须的形核常发生在所引入的杂质热力学条件的化学反应及生在所引入的杂质热力学条件的化学反应及适宜晶体形核的核源和微粒上或适宜晶体形核的核源和微粒上或VLS液滴中。液滴中。该法的关键是选择满足触媒介质。该法的关键是选择满足触媒介质。其它化合物晶须的制备其它化合物晶须的制备n在诸多晶须材料中,最有实用价值的是高温在诸多晶须材料中,最有实用价值的是高温陶瓷材料的晶须,如陶瓷材料的晶须,如SiC、Si3N4、TiN、TiB2、AlN等。这类化合物晶须通常采用化学气相等。这类化合物晶须通常采用化学气相法制备,并且按法制备,并且按VLS机制生长。在所有
24、陶瓷机制生长。在所有陶瓷质晶须中,碳化硅以其高强度、高硬度、高质晶须中,碳化硅以其高强度、高硬度、高质量、良好的化学稳定性、耐磨耐腐蚀、抗质量、良好的化学稳定性、耐磨耐腐蚀、抗高温氧化性等优良性能,且易于与陶瓷、金高温氧化性等优良性能,且易于与陶瓷、金属等基体复合而受到人们的青睐属等基体复合而受到人们的青睐晶须的应用晶须的应用n陶瓷基复合材料:晶须增韧陶瓷复合材料同时陶瓷基复合材料:晶须增韧陶瓷复合材料同时存在晶须拨出、裂纹偏转和裂纹桥联三种效存在晶须拨出、裂纹偏转和裂纹桥联三种效果,已成功应用在切削刀具、耐磨件、宇航果,已成功应用在切削刀具、耐磨件、宇航及军用零件上。及军用零件上。n金属基复
25、合材料:金属或合金为基体与各种增金属基复合材料:金属或合金为基体与各种增强材料复合而制得的复合材料。高强度、高强材料复合而制得的复合材料。高强度、高模量、耐高温、不燃、不吸潮、导热导电性模量、耐高温、不燃、不吸潮、导热导电性好、抗辐射。航空航天用高温材料,用作飞好、抗辐射。航空航天用高温材料,用作飞机涡轮发动机和火箭发动机热区和超音速飞机涡轮发动机和火箭发动机热区和超音速飞机的表面材料。晶须在金属复合材料中主要机的表面材料。晶须在金属复合材料中主要起强化作用,会使金属材料得到良好的耐磨起强化作用,会使金属材料得到良好的耐磨性和较低的膨胀率。性和较低的膨胀率。n高分子材料改性高分子材料改性n功能
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