扫描式电子显微镜SEM.ppt
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1、掃描式電子顯微鏡掃描式電子顯微鏡S Scanning canning E Electron lectron M Microscope,icroscope,SEMSEM 組 員:蔡坤助 賴瑞麒 陳彥孝 指導教授:吳坤憲 2006/4/19簡報大綱簡報大綱4.4.掃描式電子顯微鏡的成像掃描式電子顯微鏡的成像3.3.掃描式電子顯微鏡運作原理掃描式電子顯微鏡運作原理5.5.掃描式電子顯微鏡樣品之製作掃描式電子顯微鏡樣品之製作7.7.掃描式電子顯微鏡的應用範圍掃描式電子顯微鏡的應用範圍2.2.掃描式電子顯微鏡儀器設備掃描式電子顯微鏡儀器設備1.1.掃描式電子顯微鏡前言掃描式電子顯微鏡前言/發展沿革發展沿
2、革8.8.結論結論6.6.掃描式電子顯微鏡的優缺點掃描式電子顯微鏡的優缺點前言前言這樣的畫面真令人驚異:一隻微不足道的小蟲子,在放大一萬倍之後,化身為科幻片裡巨大的異形,有 著駭人的利爪,張著巨顎 ,隨時準備蹂躪世界。如 此引人入勝的效果,全都 是掃描式電子顯微(scanning electron microscope,SEM)的傑作。奈米世界引人入勝的效果,全是掃描式電子顯微鏡的傑作!奈米世界引人入勝的效果,全是掃描式電子顯微鏡的傑作!SEMSEM發展沿革發展沿革 1935年德國人Max Knoll首先提出SEM的理論 與構想(解像力100微米)。1938年第一部掃描電子顯微鏡由Von Ar
3、denne 發展成功。1946年布拉契(Brachet)提出SEM解像力應 可達到100的原理。1953年劍橋大學學生麥木倫(Dennis McMullan)設計出今日所使用的SEM雛型。1960年T.Evenhart和R.Thornley兩人發明二次電 子偵測器來偵測電子信號,因而大幅提升了 掃描影像性質。1965年英國Cambridge公司首先推行出商品化的 SEM問世(解像力250)。掃描式電子顯微鏡掃描式電子顯微鏡(SEM)(SEM)儀器設備儀器設備1 1電子槍電子槍電磁透鏡電磁透鏡掃描線圈掃描線圈偵測器偵測器樣品室樣品室真空系統真空系統產生電子來源的聚成極小電子探束的改變電子束偏折方
4、向的接收所產生訊號的一、主體二、顯示影像的顯像系統儀器結構儀器結構-電子槍電子槍2 24.4.結論結論熱離子發射方式 (Thermionic Emission):電子槍有鎢(W)燈絲及六硼化鑭(LaB6)燈絲兩種。以鎢絲線圈為電子槍之陰極,當外加負電壓時,燈絲因溫度上升而放出熱電子。在燈絲的周圍是柵極,加適當負偏壓,其功能主要可以聚焦成如右圖d0大小的交叉點,而所產生的熱電子,因而被陽極所吸引。部份為陽極所加速的熱電子會由陽極底端的開孔射出,此即 為電子束來源。電子槍包括燈絲(陰極,作為電子源)和加速電子用的正極(加速至3-40KeV)。儀器結構儀器結構-電子槍電子槍3 3第第1 1種種第第2
5、 2種種第第3 3種種冷場發射式冷場發射式 (Cold Field(Cold Field Emission,CFE)Emission,CFE)熱場發射式熱場發射式(Thermal Field(Thermal Field Emission,TF)Emission,TF)蕭基發射式蕭基發射式(SchottkySchottky Emission,SE)Emission,SE)場發射方式(Field Emission):當真空中的金屬表面受到108V/cm大小的電子加速電場時,會有可觀數量的電子發射出來,此過程叫做場發射。場發射電子槍可細分成下列三種:回首頁儀器結構儀器結構-電磁透鏡電磁透鏡利用電磁鐵
6、產生磁場,電子受磁場作用,其行進路線為螺旋狀。進而控制電子束的路徑,使之聚成極小的電子探束後,照射於試片表面上。回首頁4 4 儀器結構儀器結構-掃描線圈掃描線圈 這當中被電磁透鏡聚集的電子束,經由掃描線圈來偏折電子束,使其規則在試片表面做來回移動掃描,掃描的範圍與速度均可控制,電子束在試片表面的掃描動作,與顯示器的掃描動作同步。掃描影像的放大倍率,等於顯示器螢幕的邊長除以試片掃描區域的邊長,所以可以藉著改變試片掃描區域的大小,來控制SEM影像的放大倍率。回首頁5 5儀器結構儀器結構-偵測器偵測器偵測器偵測器二次電子偵測器X-光偵測器背向散射電子偵測器6 6儀器結構儀器結構-二次電子偵測器二次電
7、子偵測器 二次電子偵測器:為掃描式電子顯微鏡主要成像之裝置,主要構造為一閃爍器(Scintillator),可將撞擊其上的電子所產生的光子經由光電管(Photomultiplier)增強放大,而在陰極射線管(CRT)上呈現二次電子影像(Secondary Electron Image,SEI)。4.4.結論結論B:背向散射電子、SE:二次電子、F:法拉第籠、S:閃爍數器、LG:光導管、PM:光放大器回首頁7 7儀器結構儀器結構-背向散射電子偵測器背向散射電子偵測器背向散射電子偵測器:與二次電子偵測器類似,但由於背向散射電子之行徑呈放射狀,故其偵測器需在其反射途徑上接收信號,由於該電子由樣品中較
8、深層部位釋出,故其影像較二次電子影像更具明顯之立體感。回首頁8 8儀器結構儀器結構 -X-X光偵測器光偵測器 X-光偵測器(X-ray Detector):X-光微量分析光譜儀有兩種,一為能量光譜儀(Energy Dispersive Spectrometer,EDS),一為波長光譜儀(Wavelenth Dispersive Spectrometer,WDS)。電顯所裝置均以能量光譜儀(EDS)為主,利用電顯所產生之電子束,照射於試樣以產生X-光子,再以偵測器收集訊號,並配合分析X光之光譜儀,可分析試樣內之元素。回首頁回首頁9 9二次電子(Secondary Electrons,SE):電子
9、束進入試件後,激發產生的電子,由於是低能量電子(50eV),所以只有在距離試片表面約50500深度範圍內產生的二次電子,才有機會逃離試片表面而被偵測到。由於二次電子產生的數量,會受到試片表面起伏狀況影響,所以二次電子影像可觀察出試片表面之形貌特徵。二次電子二次電子(Secondary Electrons)(Secondary Electrons)回首頁1010背向散射電子背向散射電子(Backscattered Electrons)(Backscattered Electrons)背向散射電子(Backscattered Electrons,BE)又稱反射電子:入射電子與試片子發生彈性碰撞,而
10、逃離試片表面的高能量電子,其動能等於或略小於入射電子的能量。由於背向散射電子產生於距試片表面約5000的深度範圍內,故其影像較二次電子影像更具明顯之立體感。回首頁1111X X光光(X-ray)(X-ray)X光(X-ray):當入射電子將原子核的內層電子擊出,此時外層電子會躍遷跳入內層軌道,當一個電子由能量不安定的外層跳入能量安定的內層,勢必產生能量差,而此能量差即以X光的形式放出。回首頁1212影像的呈現影像的呈現電腦將表面掃描所產生的各種 訊號,逐點轉換成陰極射線管 中對應的影像。標本表面的高 點在螢幕上呈現白色,低點則 呈深色。如果表面上的點朝向偵測器傾斜,則 看起來稍亮;如果傾斜方向
11、為遠離偵測器,看 起來較為灰暗(圖為紅血球)。1313掃描式電子顯微鏡掃描式電子顯微鏡(SEM)(SEM)運作原理運作原理利用電子源發射出電子後,經2至3個電磁透鏡匯聚成nm之電子束,再經由掃描線圈,使電子束於試片室內對試件表面作掃描,再透過物鏡聚焦。當電子束作用於試件表面時會激發出電子訊號,由偵測器偵測其訊號後經數位放大,在螢幕上顯像。1414能量分散式光譜儀能量分散式光譜儀(EDS)(EDS)EDS EDS 硬體架構圖硬體架構圖1515能量分散式光譜儀能量分散式光譜儀(EDS)(EDS)EDS是電子顯微鏡中使用最為實用、普遍的元素分析儀,目前在功能上除了基本的定性、定量、線掃描及圖映外,還
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