介质中的麦克斯韦方程.ppt

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1、介质中的麦克斯韦方程介质中的麦克斯韦方程 本章将讨论一般介质中的麦克斯韦方程，这首先本章将讨论一般介质中的麦克斯韦方程，这首先需要了解介质的电与磁的性能以及一些简单概念。需要了解介质的电与磁的性能以及一些简单概念。通过分析发现，如果引入极化矢量通过分析发现，如果引入极化矢量 和磁化矢和磁化矢量量 ，就可以很方便地来描述普通介质中麦克斯韦，就可以很方便地来描述普通介质中麦克斯韦方程的一般形式。本章还将引入介质中相对介电常数方程的一般形式。本章还将引入介质中相对介电常数的定义的定义,而且会看到与介质折射率而且会看到与介质折射率n n之间存在着直接的之间存在着直接的联系。联系。1.1.极化概念、极化

2、概念、电偶极矩电偶极矩 、分子极化率、分子极化率 、极化矢量、极化矢量 4.4.一般媒质中的麦克斯韦方程一般媒质中的麦克斯韦方程重点重点：3.3.磁化概念、磁化概念、磁偶极矩、磁化强度矢量磁偶极矩、磁化强度矢量 2.2.介质的折射率、相对介电系数介质的折射率、相对介电系数 5.5.介质中的三个物态方程介质中的三个物态方程6.6.场量的边界条件场量的边界条件 假设电场中分子内部的电荷假设电场中分子内部的电荷q q在电场的作用下从它的在电场的作用下从它的平衡位置移动了一段距离平衡位置移动了一段距离x x，如果被移动的电荷质量为，如果被移动的电荷质量为m m，其受到的恢复力与位移成正比，那么电荷的受

3、力方程可以其受到的恢复力与位移成正比，那么电荷的受力方程可以表示为表示为 3.1 分子模型分子模型 式中：式中：为阻尼力，为阻尼力，为恢复力为恢复力，为加速度。为加速度。在时谐电场中在时谐电场中 因此有因此有则电荷位移则电荷位移式中式中 虚部与虚部与 有关，这表明我们所讨论模型的衰减使得有关，这表明我们所讨论模型的衰减使得位移与电场力不同相。位移与电场力不同相。定义：定义：分子内的电偶极矩分子内的电偶极矩 并且并且若引入分子极化率若引入分子极化率 则则电偶极矩为电偶极矩为 是反映分子固有特性的一个函数，同时也是所施加是反映分子固有特性的一个函数，同时也是所施加场强场强 的角频率的角频率 的函数

4、。对于单个分子来说，上的函数。对于单个分子来说，上述各种关系式就是我们对介质进行微观描述的基础知识。述各种关系式就是我们对介质进行微观描述的基础知识。3.2 电介质及其极化电介质及其极化 1.1.极化的概念极化的概念 一般来讲电介质可分为两大类：一类是无极一般来讲电介质可分为两大类：一类是无极分子电介质，当没有外电场作用时，这类电介质分子电介质，当没有外电场作用时，这类电介质中正负电荷的中心是重合的，处于电中性状态，中正负电荷的中心是重合的，处于电中性状态，对外不显电性，如对外不显电性，如2、2等气体物质。第二类是等气体物质。第二类是有极分子电介质，当没有外电场作用时，这类电有极分子电介质，当

5、没有外电场作用时，这类电介质中的正负电荷中心不重合，每个分子可等效介质中的正负电荷中心不重合，每个分子可等效为一个电偶极子，但由于分子的无规则热运动，为一个电偶极子，但由于分子的无规则热运动，使得电偶极子的分布排列是无规则的。因此，整使得电偶极子的分布排列是无规则的。因此，整体仍呈电中性，对外也不显电性。体仍呈电中性，对外也不显电性。电介质电介质束缚电荷（束缚电荷（bound charge）不能离开电介质，也不能在电介质内部自由不能离开电介质，也不能在电介质内部自由移动的电荷移动的电荷。电介质的极化电介质的极化 在外电场作用下，电介质中出现有序排列电在外电场作用下，电介质中出现有序排列电偶极子

6、以及表面上出现束缚电荷的现象偶极子以及表面上出现束缚电荷的现象。对介质中的一般分子模型所进行的讨论，说明我们可以对介质中的一般分子模型所进行的讨论，说明我们可以在两组不同的条件下来描述介质中的电荷特性。根据电荷偏在两组不同的条件下来描述介质中的电荷特性。根据电荷偏离其平衡位置时的位移离其平衡位置时的位移,我们对分子中的电荷特性进行过讨论，我们对分子中的电荷特性进行过讨论，虽然这时电荷能够发生位移虽然这时电荷能够发生位移,然而它们的移动范围却是受到分然而它们的移动范围却是受到分子约束的。尽管很高的场强会使介质中的电荷摆脱这种约束子约束的。尽管很高的场强会使介质中的电荷摆脱这种约束而变成自由电荷并

7、造成介质中产生而变成自由电荷并造成介质中产生“击穿击穿”现象现象,但对这种情但对这种情况我们暂且不作讨论。对属于介质中分子的电荷来说（这种况我们暂且不作讨论。对属于介质中分子的电荷来说（这种电荷又称为电荷又称为“束缚电荷束缚电荷”），其它的电荷是被吸引进介质的），其它的电荷是被吸引进介质的例如自由离子或自由电子例如自由离子或自由电子,其运动不受分子约束力限制其运动不受分子约束力限制,故被称为故被称为“自由电荷自由电荷”，于是我们可以将这两种不同类型的，于是我们可以将这两种不同类型的电荷集中表示为电荷集中表示为 2.2.极化矢量极化矢量类似地类似地,总电流密度也可以被分为总电流密度也可以被分为

8、下面我们将引入矢量下面我们将引入矢量来描述分子电荷的运动，即定义矢量来描述分子电荷的运动，即定义矢量用以描述任一点用以描述任一点上分子电荷运动的方向。上分子电荷运动的方向。极化矢量（也称为极化强度矢量）为单位体积内极化矢量（也称为极化强度矢量）为单位体积内的电偶极矩矢量和的电偶极矩矢量和 定义定义的大小等于的大小等于按照介质中分子电荷受极化后的重新按照介质中分子电荷受极化后的重新分布，流过点分布，流过点 的每单位面积上的分子电荷的每单位面积上的分子电荷量。量。因此根据因此根据 能够考察每一点上的电荷运动情况，它在任意能够考察每一点上的电荷运动情况，它在任意时刻的值由通过该点的电荷净流量所确定时

9、刻的值由通过该点的电荷净流量所确定,这是因为介质中这是因为介质中的电荷分布呈中性。的电荷分布呈中性。由于电流密度由于电流密度与分子电荷的运动相关联，即有与分子电荷的运动相关联，即有 设一介质的体积为设一介质的体积为V，表面积为，表面积为S，如果，如果该介质被极化，则一般就可以假定流入体该介质被极化，则一般就可以假定流入体积积V和流出体积和流出体积V的电荷相等，而通过检的电荷相等，而通过检测流过单位面积元测流过单位面积元dS上的电荷流量就可得上的电荷流量就可得出该介质上总的电荷流量，如图所示。出该介质上总的电荷流量，如图所示。又由于电中性，我们有又由于电中性，我们有 流出体积流出体积V的正电荷的

10、总流量为的正电荷的总流量为 由于上述体积内的电荷量要保持电中性，所以在体积由于上述体积内的电荷量要保持电中性，所以在体积V中，中，必定有等量的负电荷存在，这些电荷可以由体积必定有等量的负电荷存在，这些电荷可以由体积V中的电荷中的电荷密度密度 来确定，即来确定，即 两式必定相等两式必定相等故有故有这说明极化矢量这说明极化矢量的散度与束缚电荷密度的散度与束缚电荷密度有关，而有关，而对时间的导数则等于束缚电流密度对时间的导数则等于束缚电流密度除了除了与电荷密度与电荷密度和电流密度和电流密度之间的关系外，之间的关系外，我们还希望建立我们还希望建立 与分子偶极矩与分子偶极矩之间的联系。之间的联系。如图所

11、示，假设某介质的单位体如图所示，假设某介质的单位体积内包含有积内包含有N N个分子，并且假定介质中个分子，并且假定介质中有一垂直于极化方向（有一垂直于极化方向（x x方向）方向）,面积面积为为A A的平面，如果每个分子电荷的平面，如果每个分子电荷q q在电在电场场 所极化的介质中沿所极化的介质中沿x x轴方向移动轴方向移动了距离了距离x x，则穿过该平面的总电荷（平，则穿过该平面的总电荷（平均值）为均值）为qNxAqNxA。3.3.介质的分子模型与极化矢量介质的分子模型与极化矢量由于由于 式中式中 是面积是面积A A上上P P的平均值。的平均值。所以有所以有这是在电场这是在电场E E使分子产生

12、极化的基础上，相对于单个分子所使分子产生极化的基础上，相对于单个分子所得出的结论，在介质密度足够低的情况下得出的结论，在介质密度足够低的情况下,如果单个分子的如果单个分子的极化不会影响到相邻电荷所受到的电场，那么这个结论就极化不会影响到相邻电荷所受到的电场，那么这个结论就是成立的。是成立的。考察一种介质考察一种介质,它是由呈气态或液态的中性分子所组成。它是由呈气态或液态的中性分子所组成。对于这种流体介质，一般可以认为它是各向同性的对于这种流体介质，一般可以认为它是各向同性的（isotropicisotropic）。由于单个分子中的电荷是分离的，所以如）。由于单个分子中的电荷是分离的，所以如果施

13、加一个电场就会产生介质的极化，极化的方向与所施加果施加一个电场就会产生介质的极化，极化的方向与所施加电场的相同。比如，在静电场的情况下，介质充斥于平行板电场的相同。比如，在静电场的情况下，介质充斥于平行板电容器（电容器（parallel-plate Capacitorparallel-plate Capacitor）的两个极板之间，介）的两个极板之间，介质中任一点处的场与下列因素有关：质中任一点处的场与下列因素有关：（i i）金属板上的电荷与介质极化面电荷所构成的介质外表）金属板上的电荷与介质极化面电荷所构成的介质外表面的电荷分布；面的电荷分布；（iiii）所考察的场点周围分子偶极子所产生的附

14、加影响。）所考察的场点周围分子偶极子所产生的附加影响。4.4.高密度介质中的电场高密度介质中的电场前面一种因素的作用较为简单，它可由单位面积上的净电前面一种因素的作用较为简单，它可由单位面积上的净电荷荷 来确定，即来确定，即 在对上述第二种因素的影响进行讨论时在对上述第二种因素的影响进行讨论时,我们遵循的是洛伦我们遵循的是洛伦兹的方法，即作一个包围场点的球面，如图所示，在球面兹的方法，即作一个包围场点的球面，如图所示，在球面的内部的内部,可认为介质能够体现出单个分子的特性可认为介质能够体现出单个分子的特性,而在球面而在球面外部则认为介质是呈电中性的。外部则认为介质是呈电中性的。由于全部分子偶极

15、子在球体中心的总的场强矢量和的值为零，由于全部分子偶极子在球体中心的总的场强矢量和的值为零，因此因此,能在球体中心产生电场就只剩下两个来源了：能在球体中心产生电场就只剩下两个来源了：(i)(i)介质外表面极板上的电荷介质外表面极板上的电荷 (ii)(ii)球的内表面上的极化电荷。球的内表面上的极化电荷。因此因此,局部电场可以表示为局部电场可以表示为即即此式说明，局部电场的影响可使电场增强此式说明，局部电场的影响可使电场增强 5.5.考虑极化效应的麦克斯韦方程考虑极化效应的麦克斯韦方程 上述有关极化的结论与介质结构的情况无关上述有关极化的结论与介质结构的情况无关,具有普遍意具有普遍意义。这样义。

16、这样,我们就可以对任何介质写出其应满足的麦克斯韦方我们就可以对任何介质写出其应满足的麦克斯韦方程。程。麦克斯韦第一方程的原有形式为麦克斯韦第一方程的原有形式为 根据极化概念可将其改写为根据极化概念可将其改写为 即即修改后的修改后的麦克斯韦麦克斯韦第一方程第一方程 麦克斯韦第四方程的原有形式为麦克斯韦第四方程的原有形式为 根据极化概念可将其改写为根据极化概念可将其改写为 即即修改后的修改后的麦克斯韦麦克斯韦第四方程第四方程 在上式中令在上式中令 又由于又由于 故有故有此式称为反映介质极化的物态方程此式称为反映介质极化的物态方程 考虑了极化效应后的一般介质中的麦克斯韦方程考虑了极化效应后的一般介质

17、中的麦克斯韦方程 3.3 3.3 折射率与相对介电常数折射率与相对介电常数介质的折射率介质的折射率(refractive index)n定义为定义为 其中其中c c是电磁波在真空中的速度，是电磁波在真空中的速度，v v则是电磁波在折射率为则是电磁波在折射率为n n的介质中的速度。的介质中的速度。前面我们已经定义了一个反映介质特性的量前面我们已经定义了一个反映介质特性的量相对介电常数相对介电常数 下面我们来寻求折射率下面我们来寻求折射率n n与与 之间的关系：之间的关系：令令则介质中的麦克斯韦方程变为则介质中的麦克斯韦方程变为 方程方程4 4则为则为 对方程对方程4 4两端取旋度，并代入两端取旋

18、度，并代入方程方程2 2和方程和方程3 3，可得，可得 这是一个关于这是一个关于B B的波动方程的波动方程 波速为波速为 因因为为所所以以3.4 3.4 介质的磁化介质的磁化 介质中的电子和原子核都是束缚电荷，它们进行的轨介质中的电子和原子核都是束缚电荷，它们进行的轨道运动和自旋运动都是微观运动，由束缚电荷的微观运动道运动和自旋运动都是微观运动，由束缚电荷的微观运动形成的电流，称为束缚电流形成的电流，称为束缚电流(bound current)(bound current)，也称磁化电，也称磁化电流（流（Magnetization currentMagnetization current）。在没

19、有外加磁场的作用下，）。在没有外加磁场的作用下，绝大部分材料中所有原子的磁偶极矩绝大部分材料中所有原子的磁偶极矩(magnetic dipole(magnetic dipole moment)moment)的取向是杂乱无章的，结果总的磁矩为，对外不呈的取向是杂乱无章的，结果总的磁矩为，对外不呈现磁性。现磁性。1 1、概念、概念 在外磁场的作用下，物质中的原子磁矩将受到一个力矩在外磁场的作用下，物质中的原子磁矩将受到一个力矩的作用，所有原子磁矩都趋于与外磁场方向一致的排列，彼的作用，所有原子磁矩都趋于与外磁场方向一致的排列，彼此不再抵消，结果对外产生磁效应，影响磁场分布，这种现此不再抵消，结果对

20、外产生磁效应，影响磁场分布，这种现象称为物质的磁化。象称为物质的磁化。磁化磁化可以证明，磁介质磁化后对磁场的影响，可用磁化电流密度可以证明，磁介质磁化后对磁场的影响，可用磁化电流密度 来等效来等效 磁化电流不同于自由电流，其电荷运动是被束缚在媒质内部磁化电流不同于自由电流，其电荷运动是被束缚在媒质内部的，因而也叫束缚电流。的，因而也叫束缚电流。为了描述及衡量介质的磁化程度，我们定义磁化强度矢量为了描述及衡量介质的磁化程度，我们定义磁化强度矢量为单位体积内磁偶极矩的矢量和为单位体积内磁偶极矩的矢量和 式中式中 是一个分子电流的磁矩，也称磁偶极矩，是一个分子电流的磁矩，也称磁偶极矩，2 2、磁化电

21、流和磁化矢量、磁化电流和磁化矢量引入磁化电流后，磁介质中安培环路定律的微分形成可写成引入磁化电流后，磁介质中安培环路定律的微分形成可写成 即即令令则则称称 为磁场强度，它也是描述磁场的一个物理量。为磁场强度，它也是描述磁场的一个物理量。3 3、磁场强度、磁场强度对于各向同性及线性磁介质，由实验可证明对于各向同性及线性磁介质，由实验可证明 式中式中 为磁化率（为磁化率（Magnetic susceptibilityMagnetic susceptibility），是一个），是一个标量常数。标量常数。可得可得 称此式为反映介质磁化的物态方程。称此式为反映介质磁化的物态方程。式中式中 为磁介质的磁导

22、率，为磁介质的磁导率，为磁介质的相对磁导率。为磁介质的相对磁导率。所谓磁介质，就是在外加磁场的作用下，能产生磁化现所谓磁介质，就是在外加磁场的作用下，能产生磁化现象，并能影响外磁场分布的物质。事实上，除了真空外，其象，并能影响外磁场分布的物质。事实上，除了真空外，其它任何物质都是可磁化的磁介质，只不过磁化效应的强弱存它任何物质都是可磁化的磁介质，只不过磁化效应的强弱存在差别而已。根据物质的磁效应的不同，磁介质通常可分为：在差别而已。根据物质的磁效应的不同，磁介质通常可分为：抗磁质、顺磁质、铁磁质、亚铁磁质等。抗磁质、顺磁质、铁磁质、亚铁磁质等。抗磁质抗磁质 主要是电子轨道磁矩产生磁化现象引起的

23、，自主要是电子轨道磁矩产生磁化现象引起的，自旋磁矩可忽略，在外磁场的作用下，电子轨道旋磁矩可忽略，在外磁场的作用下，电子轨道磁矩的方向和外磁场的方向相反。这时磁化率磁矩的方向和外磁场的方向相反。这时磁化率 ，相对磁导率，相对磁导率 ，与与 的方向的方向相反，磁介质内相反，磁介质内 变小。变小。4 4、磁介质、磁介质顺磁质顺磁质 主要是电子自旋磁矩引起的。轨道磁矩的抗磁主要是电子自旋磁矩引起的。轨道磁矩的抗磁效应不能完全抵消它，在外磁场作用下电子的效应不能完全抵消它，在外磁场作用下电子的自旋磁矩和外磁场方向一致自旋磁矩和外磁场方向一致,这时磁化率这时磁化率 相对磁导率相对磁导率 ，与与 的方向的

24、方向相同。相同。铁磁质铁磁质 相同的原子组成，在无外磁场作用时，各磁畴排列混乱，总磁相同的原子组成，在无外磁场作用时，各磁畴排列混乱，总磁矩相互抵消，对外不显示磁性。但在外磁场作用下，磁畴企图矩相互抵消，对外不显示磁性。但在外磁场作用下，磁畴企图转向外磁场方向排列，形成强烈磁化。因此，铁磁性物质的磁转向外磁场方向排列，形成强烈磁化。因此，铁磁性物质的磁化，是由于外磁场与磁畴作用的结果。撤去外磁场后，部分磁化，是由于外磁场与磁畴作用的结果。撤去外磁场后，部分磁畴的取向仍保持一致，对外仍然呈现磁性，称为剩余磁化。时畴的取向仍保持一致，对外仍然呈现磁性，称为剩余磁化。时间长了，或温度升高，会消失。铁

25、磁材料是一种非线性磁介质，间长了，或温度升高，会消失。铁磁材料是一种非线性磁介质，其曲线与磁化历史有关，形成了一个磁滞回线。其曲线与磁化历史有关，形成了一个磁滞回线。在外磁场的作用下，呈现强烈的磁化，能明显地在外磁场的作用下，呈现强烈的磁化，能明显地影响磁场的分布。在铁磁材料中，存在许多天然影响磁场的分布。在铁磁材料中，存在许多天然小磁化区，即磁畴。每个磁畴由多个磁矩阵方向小磁化区，即磁畴。每个磁畴由多个磁矩阵方向亚铁磁质亚铁磁质 是指其中某些分子（或原子）的磁矩与磁畴平行，但是指其中某些分子（或原子）的磁矩与磁畴平行，但方向相反。在外磁场作用下，这类材料也是呈现较大磁效方向相反。在外磁场作用

26、下，这类材料也是呈现较大磁效应，但由于部分反向磁矩的存在，其磁性比铁磁材料要小。应，但由于部分反向磁矩的存在，其磁性比铁磁材料要小。在工程技术上用得较多的是铁氧体，其最大特点是磁导率在工程技术上用得较多的是铁氧体，其最大特点是磁导率是各向异性的，而介电常数则呈各向同性。是各向异性的，而介电常数则呈各向同性。3.5 3.5 介质中的麦克斯韦方程组介质中的麦克斯韦方程组引入反映介质极化的物态方程引入反映介质极化的物态方程 引入反映介质磁化的物态方程引入反映介质磁化的物态方程 可写出一般媒质中的麦克斯韦方程可写出一般媒质中的麦克斯韦方程 另外，还有电流连续性方程另外，还有电流连续性方程 可以证明可以

27、证明:由麦克斯韦方程组中的两个旋度方程及电流连由麦克斯韦方程组中的两个旋度方程及电流连续性方程，可导出麦克斯韦方程组中的两个散度方程。也续性方程，可导出麦克斯韦方程组中的两个散度方程。也就是说，麦克斯韦方程组的四个方程，再加上电流连续性就是说，麦克斯韦方程组的四个方程，再加上电流连续性方程这方程这5 5个方程，事实上只有三个方程是独立的。为了获个方程，事实上只有三个方程是独立的。为了获得电磁场的解，还需要利用三个物态方程：得电磁场的解，还需要利用三个物态方程：才可得到一般媒质中完整的麦克斯韦方程组的解。才可得到一般媒质中完整的麦克斯韦方程组的解。3.6 3.6 电磁场的边界条件电磁场的边界条件

28、 研究边界条件的出发点仍然是麦克斯韦方程组，但在研究边界条件的出发点仍然是麦克斯韦方程组，但在不同媒质的交界面处，由于媒质不均匀，媒质的性质发生不同媒质的交界面处，由于媒质不均匀，媒质的性质发生了突变，使得场量也可能产生突变，因此，微分形式的方了突变，使得场量也可能产生突变，因此，微分形式的方程可能不再适用，而只能从麦克斯韦方程组的积分形式出程可能不再适用，而只能从麦克斯韦方程组的积分形式出发，推导出边界条件。发，推导出边界条件。电磁场的边界条件通常包括电磁场的边界条件通常包括边界面上场量的法向分量（边界面上场量的法向分量（Normal component）切向分量（切向分量（Tangenti

29、al component）1 1、一般媒质界面的边界条件、一般媒质界面的边界条件 如图为两种一般媒质的交界面，第一种媒质的介电常数、如图为两种一般媒质的交界面，第一种媒质的介电常数、磁导率、电导率分别为磁导率、电导率分别为 ，；第二种媒；第二种媒质的分别为质的分别为 ,媒质媒质1 媒质媒质2（1 1）的边界条件的边界条件 如图所示，在分界面上取如图所示，在分界面上取一个小的柱形闭合面，其上下一个小的柱形闭合面，其上下底面与分界面平行底面与分界面平行.在柱形闭合面上应用高斯定律：在柱形闭合面上应用高斯定律：则则 此式即为此式即为 的法向边界条件，它表明：的法向边界条件，它表明：的法向分量在分界面

30、处产生了突变的法向分量在分界面处产生了突变 （2 2）的边界条件的边界条件 如图，应用高斯定律得：如图，应用高斯定律得：当当 时，时，的法向分量变为连续的法向分量变为连续 即即 此式即为此式即为 的法向边界条件，它表明：的法向边界条件，它表明：的法向分量在分界面处总是连续的。的法向分量在分界面处总是连续的。（3 3）的边界条件的边界条件 如图，由电流连续性原理如图，由电流连续性原理 可得可得 说明：当分界面处电荷面密度发生变化时，其电流密度的法说明：当分界面处电荷面密度发生变化时，其电流密度的法向分量产生突变，突变量为电荷面密度的变化率。向分量产生突变，突变量为电荷面密度的变化率。（4 4）的

31、边界条件的边界条件 如图，电场强度的边界条如图，电场强度的边界条件通常用电场的切向分量件通常用电场的切向分量来表示。来表示。可得可得 说明：电场强度的切向分量是连续的。说明：电场强度的切向分量是连续的。由麦克斯韦第二个方程：由麦克斯韦第二个方程：（5 5）的边界条件的边界条件 可得可得 说明：当分界面处存在传导电流时，磁场强度的切向方向将当分界面处存在传导电流时，磁场强度的切向方向将发生突变；当分界面处不存在传导电流时，磁场强度的切向发生突变；当分界面处不存在传导电流时，磁场强度的切向方向是连续的。方向是连续的。与上图类似，由安培环路定律与上图类似，由安培环路定律 综上所述，五个场量综上所述，

32、五个场量的边界条件是：的边界条件是：在研究电磁场问题时，下述分界面的讨论经常出现：在研究电磁场问题时，下述分界面的讨论经常出现：（1 1）两种无损耗线性介质的分界面，也就是两种理想介）两种无损耗线性介质的分界面，也就是两种理想介质的分界面质的分界面 这时有这时有 这说明：理想介质中不可能有传导电流。这说明：理想介质中不可能有传导电流。2、几种特殊介质的边界条件、几种特殊介质的边界条件理想介质属无损耗介质，其电导率理想介质属无损耗介质，其电导率 对于无源的情况，因为对于无源的情况，因为 所以有所以有 这说明：在无源空间，理想介质分界面上，各场量连续。这说明：在无源空间，理想介质分界面上，各场量连

33、续。（2 2）理想介质和理想导体的界面）理想介质和理想导体的界面 理想介质的电导率理想介质的电导率理想导体的电导率理想导体的电导率可知：理想导体内部不存在电场。可知：理想导体内部不存在电场。根据根据 这时有这时有 这说明：对于时变电磁场中的理想导体，电场总是与这说明：对于时变电磁场中的理想导体，电场总是与导体表面相垂直；而磁场总是与导体表面相切；导体导体表面相垂直；而磁场总是与导体表面相切；导体内部既没有电场，也没有磁场。内部既没有电场，也没有磁场。（3 3）静态电磁场的边界条件）静态电磁场的边界条件 静态电磁场是时变电磁场的特殊情况，在静态场中，静态电磁场是时变电磁场的特殊情况，在静态场中，

34、场量不随时间发生变化，从上面所得到的结论中可得，场量不随时间发生变化，从上面所得到的结论中可得，静态电磁场的边界条件为静态电磁场的边界条件为 本章要点本章要点 1 1、在介质中，电偶极矩、在介质中，电偶极矩 其中，分子极化率其中，分子极化率 2 2、极化矢量与电荷密度的关系为、极化矢量与电荷密度的关系为 极化矢量与电流密度的关系为极化矢量与电流密度的关系为 3 3、电介质的介电系数为、电介质的介电系数为 其中相对介电系数与折射率的关系为其中相对介电系数与折射率的关系为 4 4、洛伦兹局部电场的表达式为、洛伦兹局部电场的表达式为 5 5、介质的折射率定义为、介质的折射率定义为 6 6、磁化矢量定义为、磁化矢量定义为磁化矢量与磁化电流密度的关系为磁化矢量与磁化电流密度的关系为 在各向同性及线性磁介质中在各向同性及线性磁介质中 7 7、反映介质磁化的物态方程为反映介质磁化的物态方程为 8 8、综合考虑介质极化与磁化效应时，可得一般媒质中的、综合考虑介质极化与磁化效应时，可得一般媒质中的麦克斯韦方程组为麦克斯韦方程组为 9 9、介质中的电流连续性方程、介质中的电流连续性方程 1010、介质中的三个物态方程、介质中的三个物态方程 1111、五个场量的边界条件、五个场量的边界条件