第五章光调制技术.ppt
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1、光调制光调制技术技术光的调制:光的调制:将所传递的信息加载到激光上,将激光作为信息将所传递的信息加载到激光上,将激光作为信息的载体,通过改变激光的振幅、波长的载体,通过改变激光的振幅、波长(频率频率)、相位、偏振参、相位、偏振参数、方向等各参量,使光携带信息的过程。数、方向等各参量,使光携带信息的过程。内调制:是将待传输的信号直接加载到激光器上。内调制:是将待传输的信号直接加载到激光器上。外调制:是在激光谐振腔以外的光路上放置调制器,将待外调制:是在激光谐振腔以外的光路上放置调制器,将待传输的信号加载到调制器上当激光通过这种调制器时,传输的信号加载到调制器上当激光通过这种调制器时,激光的强度、
2、位相、频率等将发生变化,从而实现调制。激光的强度、位相、频率等将发生变化,从而实现调制。我们主要讲外调制技术。我们主要讲外调制技术。概概 述述这种调制方法由于不涉及激光器的内部结构,可以采用这种调制方法由于不涉及激光器的内部结构,可以采用现成的性能优良的激光器因而成为目前广泛应用的调现成的性能优良的激光器因而成为目前广泛应用的调制类型。制类型。光调制光调制技术技术 晶体光学基础晶体光学基础 光在晶体中的传播光在晶体中的传播 电光调制电光调制 声光调制声光调制 磁光调制磁光调制光调制光调制技术技术晶体光学基础晶体光学基础晶体结构及其对称性(简介)晶体结构及其对称性(简介)晶体是组成物质的微粒晶体
3、是组成物质的微粒(原子、分子或离子原子、分子或离子)或微粒群在空或微粒群在空间按照一定的规则周期性排列形成的一种晶态固体。间按照一定的规则周期性排列形成的一种晶态固体。微粒或粒子群微粒或粒子群基元基元结点结点点阵点阵晶格晶格格点格点习惯上常选基元的重心作为格点习惯上常选基元的重心作为格点是同一个物体是同一个物体空间点阵和晶体的格子构造空间点阵和晶体的格子构造1.一维点阵一维点阵光调制光调制技术技术2.二维点阵(平面点阵)二维点阵(平面点阵)3.三维点阵(空间点阵)三维点阵(空间点阵)晶体光学基础晶体光学基础光调制光调制技术技术晶体基本重复单元,称为晶胞。晶体基本重复单元,称为晶胞。晶胞常量:晶
4、胞常量:三个棱长:三个棱长:棱与棱之间的夹角:棱与棱之间的夹角:晶体原胞的选择原则为:晶体原胞的选择原则为:1)所选择的平行六面体应该能够反映整个空间点阵的对所选择的平行六面体应该能够反映整个空间点阵的对称性,也即平行六面体的对称性应与空间点阵的对称性一称性,也即平行六面体的对称性应与空间点阵的对称性一致。致。2)在不违反空间点阵对称性的条件下,平行六面体上棱在不违反空间点阵对称性的条件下,平行六面体上棱与棱之间的直角关系应力求最多。与棱之间的直角关系应力求最多。3)在符合以上两项原则的基础上,平行六面体的体积应在符合以上两项原则的基础上,平行六面体的体积应最小。最小。晶体光学基础晶体光学基础
5、光调制光调制技术技术 布喇菲点阵:根据空间对称性,可以有布喇菲点阵:根据空间对称性,可以有14 种点阵,称布种点阵,称布喇菲点阵,或称喇菲点阵,或称 14 种晶胞种晶胞 14 种晶胞分为种晶胞分为 7 个晶系:个晶系:三斜、单斜、正交(斜方)、三斜、单斜、正交(斜方)、正方(四角)、立方、三角、六角正方(四角)、立方、三角、六角晶体光学基础晶体光学基础米勒指数:米勒指数:如图:如图:记为:记为:米勒指数(米勒指数(236)光调制光调制技术技术立方立方正交(斜方)正交(斜方)四方四方单斜单斜三斜三斜六方六方三方三方布喇菲点阵布喇菲点阵光调制光调制技术技术晶体的基本性质:晶体的基本性质:1、自限性
6、、自限性是指晶体具有自发地形成封闭的凸几何多面体的能力。是指晶体具有自发地形成封闭的凸几何多面体的能力。晶体自限性说明,其外形规则是内部排列有序的体现。晶体自限性说明,其外形规则是内部排列有序的体现。2、晶面角守恒、晶面角守恒同一品种的晶体,生长条件不同,其外形不同。然而同一品同一品种的晶体,生长条件不同,其外形不同。然而同一品种的晶体,不论其外形如何,晶面间的交角总是确定的。种的晶体,不论其外形如何,晶面间的交角总是确定的。晶体光学基础晶体光学基础光调制光调制技术技术3、均匀性、均匀性是指晶体在不同位置上具有相同的物理性质。是指晶体在不同位置上具有相同的物理性质。4、各向异性、各向异性是指晶
7、体的宏观性质随观察方向的是指晶体的宏观性质随观察方向的不同而不同。这一性质的本质是晶不同而不同。这一性质的本质是晶体沿不同晶轴方向晶格常量不同,体沿不同晶轴方向晶格常量不同,也就是由晶格中各个方向格点的排也就是由晶格中各个方向格点的排列方式不同而引起的。晶体的解理列方式不同而引起的。晶体的解理与双折射是晶体各向异性的典型体与双折射是晶体各向异性的典型体现。现。晶体光学基础晶体光学基础光调制光调制技术技术5、晶体的对称性、晶体的对称性是指晶体的几何形态由于晶体内是指晶体的几何形态由于晶体内部结构在某些不同方向或在同一部结构在某些不同方向或在同一方向的不同位置存在着有规则的方向的不同位置存在着有规
8、则的重复性,从而体现出的在一些不重复性,从而体现出的在一些不同方向上自相重合现象的特性。同方向上自相重合现象的特性。6、最小内能性:、最小内能性:在相同的热力学条件下,晶体的内能是最小的。在相同的热力学条件下,晶体的内能是最小的。光调制中最为关心的是晶体的光调制中最为关心的是晶体的各向异性各向异性和和对称性对称性晶体光学基础晶体光学基础光调制光调制技术技术 n次旋转反演(次旋转反演(Sn):):进行进行 n 次旋转后,绕旋转轴的某个次旋转后,绕旋转轴的某个点再进行中心反演点再进行中心反演 镜象反演(镜象反演():以某个面为对称面以某个面为对称面 中心反演(中心反演(I):):绕某个中心点,把坐
9、标为绕某个中心点,把坐标为r的点换到的点换到-r上上 n次旋转(次旋转(Cn):):绕某轴转绕某轴转n次后回到原位次后回到原位如:某晶体,绕某周转如:某晶体,绕某周转120120后与原来重合,可转三次,后与原来重合,可转三次,该轴称为该轴称为3 3次旋转轴,次旋转轴,n=3n=3,n n可取可取1 1,2 2,3 3,4 4,6 6 恒等操作(恒等操作(E):):绕任何轴旋转绕任何轴旋转0或或2 角度角度晶体的对称性:晶体的对称性:对晶体实行某种适当的操作,晶体保持不变对晶体实行某种适当的操作,晶体保持不变晶体光学基础晶体光学基础光调制光调制技术技术v点群点群v一种晶体可以有多种对称操作,这些
10、对称操作的集一种晶体可以有多种对称操作,这些对称操作的集合称为合称为“群群”;KDP晶体(晶体(KH2PO4)四角晶系,四角晶系,点群点群 001 4次旋转反演轴次旋转反演轴 2 010或或100 2次旋转轴次旋转轴 m 110 对称面对称面砷化镓晶体(砷化镓晶体(GaAs)立方晶系,立方晶系,点群点群 100 4次旋转反演轴次旋转反演轴 3 111 3次旋转轴次旋转轴 m 110 对称面对称面“点群点群”是晶体结构对称类型的一种标志方法,例:是晶体结构对称类型的一种标志方法,例:各种点阵(晶体)拥有不同的对称性,因此,各种各种点阵(晶体)拥有不同的对称性,因此,各种晶体可以用晶体可以用“点群
11、点群”来表示;来表示;晶体光学基础晶体光学基础第第5 5章章 光调制技术光调制技术 晶体光学基础晶体光学基础 光在晶体中的传播光在晶体中的传播 电光调制电光调制 声光调制声光调制 磁光调制磁光调制光调制光调制技术技术物理量物理量标量:标量:温度(温度(T),质量(),质量(m););只有大小,没有方向只有大小,没有方向矢量:矢量:电场强度(电场强度(E),电极化矢量(),电极化矢量(P););有大小,有方向有大小,有方向张量:张量:什么是张量?如何表示?什么是张量?如何表示?vP 和和 E 的关系的关系v 在各向同性介质中在各向同性介质中,P 和和 E 同向同向PE线性关系,线性关系,:比例常
12、数,极化率或极化系数比例常数,极化率或极化系数光在晶体中的传播光在晶体中的传播光调制光调制技术技术在各向异性介质中在各向异性介质中,P 和和 E 一般不同向一般不同向若若PEE 的每一个分量对的每一个分量对 P 的每一个分量都有贡献的每一个分量都有贡献有有P 和和 E 的关系由的关系由9个个 常数,或一个物理量常数,或一个物理量 的的9个分量个分量来决定,这来决定,这9个分量有规则地排列成一个个分量有规则地排列成一个3x3的矩阵的矩阵 二阶张量,称为极化系数张量二阶张量,称为极化系数张量 光在晶体中的传播光在晶体中的传播光调制光调制技术技术矩阵表示法矩阵表示法分量表示法分量表示法 i(自由脚标
13、)(自由脚标)=1,2,3;j(哑脚标)(哑脚标)=1,2,3 哑脚标表示对它的全部可能值求和,但省去求和号不写哑脚标表示对它的全部可能值求和,但省去求和号不写光在晶体中的传播光在晶体中的传播光调制光调制技术技术由此可见由此可见 1)各向异性晶体中各向异性晶体中P每一个分量都与每一个分量都与E的三个分量存在着线的三个分量存在着线性关系,性关系,P不再与不再与E同向;同向;2)坐标系确定后坐标系确定后 均为常量,均为常量,的大小取决于晶体的结构的大小取决于晶体的结构和三个坐标轴相对于晶格结构的选择情况。和三个坐标轴相对于晶格结构的选择情况。通过坐标系的恰当选择使得张量的非对角元素等于零通过坐标系
14、的恰当选择使得张量的非对角元素等于零晶体的主介晶体的主介电坐标系电坐标系光在晶体中的传播光在晶体中的传播光调制光调制技术技术考虑对称性后:考虑对称性后:低级晶族低级晶族在直角坐标系中在直角坐标系中中级晶族中级晶族高级晶族高级晶族光在晶体中的传播光在晶体中的传播光调制光调制技术技术晶体光学特性的几何表示晶体光学特性的几何表示光在晶体中的传播光在晶体中的传播该波动方程组有非零解的条件为方程组的系数行列式为零,即该波动方程组有非零解的条件为方程组的系数行列式为零,即光调制光调制技术技术光在晶体中的传播光在晶体中的传播两层曲面通常有两层曲面通常有四个公共点,通四个公共点,通过原点和这些公过原点和这些公
15、共点连线方向传共点连线方向传播的两个波有相播的两个波有相同的相速度,这同的相速度,这些方向称为光轴。些方向称为光轴。晶体中至多有两晶体中至多有两个光轴。个光轴。光调制光调制技术技术光调制光调制技术技术光调制光调制技术技术1)折射率椭球任一矢径的方向,表示光波电位移矢量折射率椭球任一矢径的方向,表示光波电位移矢量D的一的一个方向。矢径长度表示个方向。矢径长度表示D沿矢径方向振动的光波的折射率。沿矢径方向振动的光波的折射率。2)对于任意给定的波矢对于任意给定的波矢K,利用折射率椭球可求光波,利用折射率椭球可求光波D的偏振的偏振方向及相应折射率:通过原点作方向及相应折射率:通过原点作K的垂面,与折射
16、率椭球相的垂面,与折射率椭球相交得一椭圆截面,则这一椭圆截面的两个轴即为两个偏振允交得一椭圆截面,则这一椭圆截面的两个轴即为两个偏振允许方向,两个轴的长度许方向,两个轴的长度 nI I、n n 为相应的折射率。为相应的折射率。光调制光调制技术技术光调制光调制技术技术折射率面(各传播方向上折射率的空间取值分布)折射率面(各传播方向上折射率的空间取值分布)任意给定点离开原点的距离等于沿这个方向传播的光波的折任意给定点离开原点的距离等于沿这个方向传播的光波的折射率射率yzknone正单轴晶体正单轴晶体yzknone负单轴晶体负单轴晶体vo t ve t 光轴光轴 负晶体负晶体(vo ve)相速度面(
17、各传播方向上光速的空间取值分布,等价于波相速度面(各传播方向上光速的空间取值分布,等价于波面):给定点离开远点的距离等于沿这个方向传播的光波面):给定点离开远点的距离等于沿这个方向传播的光波的速度的速度光调制光调制技术技术晶体的双折射晶体的双折射光在晶体中的传播光在晶体中的传播光调制光调制技术技术分分析析这这三三种种情情况况光调制光调制技术技术对于一线偏振光入射,光被分解为对于一线偏振光入射,光被分解为o光和光和e光,其折射率分别光,其折射率分别为为no和和nb。在晶体中传播了距离在晶体中传播了距离d后,两种偏振光之间出现相位差。后,两种偏振光之间出现相位差。rbnxEExEb波片:波片:波片
18、:波片:/2可导致偏振态的改变,如何改可导致偏振态的改变,如何改变呢?变呢?光在晶体中的传播光在晶体中的传播光调制光调制技术技术电光效应电光效应利用电光效应能在天然双折射晶体利用电光效应能在天然双折射晶体(如如KDP)中形成新的光中形成新的光轴,或者使各向异性的天然晶体轴,或者使各向异性的天然晶体(如如GaAs)产生双折射。这产生双折射。这种效应弛豫时间很短仅有种效应弛豫时间很短仅有1011秒的量级,外场的施加或秒的量级,外场的施加或撤消导致的折射率变化瞬间即可完成可用作高速调制器、撤消导致的折射率变化瞬间即可完成可用作高速调制器、高速开关等。高速开关等。电光效应:电光效应:理论与实验证明,介
19、电常量是随电场强度而变理论与实验证明,介电常量是随电场强度而变化的如果外加电场较弱,可以做弱场近似,认为介电常化的如果外加电场较弱,可以做弱场近似,认为介电常量与电场强度无关;但当光介质的两端所加外加电场较强量与电场强度无关;但当光介质的两端所加外加电场较强时,介质内的电子分布状态将发生变化,以致介质的极化时,介质内的电子分布状态将发生变化,以致介质的极化强度以及折射率也各向异性地发生变化,这种现象称为电强度以及折射率也各向异性地发生变化,这种现象称为电光效应。光效应。光调制光调制技术技术为了突出物理思路,简化推导,本节讨论基于以下条件:为了突出物理思路,简化推导,本节讨论基于以下条件:1)外
20、加电场相对光场为低频。外加电场相对光场为低频。外加电场频率接近或达到光频时属于非线性光学研究范畴。外加电场频率接近或达到光频时属于非线性光学研究范畴。2)所研究介质为无对称中心的晶体。所研究介质为无对称中心的晶体。本节研究线性电光效应,只能存在于无对称中心的晶体中。本节研究线性电光效应,只能存在于无对称中心的晶体中。3)外加电场沿着某一介电主轴作用于晶体。外加电场沿着某一介电主轴作用于晶体。此时此时D与与E的方向一致,因而的方向一致,因而D只随只随E的大小变化。的大小变化。线性介电线性介电常数常数加电场后的介电加电场后的介电常量常量在光频段,介电常量即便在光频段,介电常量即便有微小的变化都可以
21、导致有微小的变化都可以导致明显的光学效应。明显的光学效应。电光效应电光效应光调制光调制技术技术取二阶近似可得:取二阶近似可得:线性电光系数线性电光系数Pockels效应效应二次电光系数,二次电光系数,Kerr效应效应由介质本身的性由介质本身的性质决定质决定电光效应电光效应光调制光调制技术技术折射率椭球可以很方便的表示出折射率在晶体空间各方向折射率椭球可以很方便的表示出折射率在晶体空间各方向上的取值分布,这样外加电场对于晶体折射率的影响就可上的取值分布,这样外加电场对于晶体折射率的影响就可以用折射率椭球的大小、形状和取向等因素的改变来描述。以用折射率椭球的大小、形状和取向等因素的改变来描述。也就
22、是说要研究外加电场对晶体折射率的影响,只要研究也就是说要研究外加电场对晶体折射率的影响,只要研究折射率椭球如何随外加电场而改变就可以了。折射率椭球如何随外加电场而改变就可以了。光波在各向异性晶体中的传播特性可用折射率椭球来描光波在各向异性晶体中的传播特性可用折射率椭球来描述,引入逆介电张量述,引入逆介电张量则不加外场时在则不加外场时在xyz主介电坐标系中的折射率椭球又可表示为主介电坐标系中的折射率椭球又可表示为电光效应电光效应光调制光调制技术技术当加上电场后:当加上电场后:电光效应电光效应E对对n的影响可以用的影响可以用 的变化来表示的变化来表示由外加电场由外加电场引起的引起的共共9个方程个方
23、程光调制光调制技术技术电光效应电光效应共共27个个元素元素共共18个个光调制光调制技术技术电光效应电光效应具有反演对称性的晶体具有反演对称性的晶体 光调制光调制技术技术电光效应电光效应光调制光调制技术技术KDP晶体晶体电光效应电光效应光调制光调制技术技术KDPKDP晶体的线性电光效应晶体的线性电光效应KDP晶体是人工生长的晶体是人工生长的KH2PO4单晶的简称属于四方晶单晶的简称属于四方晶系;系;点群,为单轴晶体。点群,为单轴晶体。不加外场时其折射率椭球为不加外场时其折射率椭球为:当晶体受到外加电场作用后,其线性电光效应矩阵为当晶体受到外加电场作用后,其线性电光效应矩阵为:光调制光调制技术技术
24、从外加电场平行和垂直光轴两种情况分析从外加电场平行和垂直光轴两种情况分析KDP晶体受电场晶体受电场作用后的折射率变化情况,定义入射光波矢方向与外加电作用后的折射率变化情况,定义入射光波矢方向与外加电场一致的电光效应称为场一致的电光效应称为纵向电光效应纵向电光效应,而称波矢方向垂直,而称波矢方向垂直于外场的电光效应为于外场的电光效应为横向电光效应横向电光效应。1外加电场平行于光轴外加电场平行于光轴采用采用z切割切割(即沿垂直于光轴方向切割即沿垂直于光轴方向切割)型晶片型晶片这样其折射率椭球为这样其折射率椭球为:主轴发生变主轴发生变化,设新旧化,设新旧主轴之间的主轴之间的夹角为夹角为KDPKDP晶
25、体的线性电光效应晶体的线性电光效应光调制光调制技术技术坐标变换矩阵为:坐标变换矩阵为:00001新主轴新主轴0KDPKDP晶体的线性电光效应晶体的线性电光效应光调制光调制技术技术标准的双轴标准的双轴晶体折射率晶体折射率椭球方程椭球方程下面来求三个主折射率下面来求三个主折射率 的量级为的量级为 ,而而E的量级为的量级为 所以所以可近似处理如下:可近似处理如下:KDPKDP晶体的线性电光效应晶体的线性电光效应光调制光调制技术技术 坐标变换结果表明;坐标变换结果表明;1)施加外场施加外场E3后,椭球的后,椭球的xoy截面由圆变为椭圆,折射率椭截面由圆变为椭圆,折射率椭球由旋转椭球面变为一般椭球面,球
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- 第五 调制 技术
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