电子技术基础(数字部分-第五版-康华光)华中科大课件第四章第5节解析.ppt
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1、一、数字电路的发展与可编程器件的出现一、数字电路的发展与可编程器件的出现概概 述述集成度:集成度:高效、低耗、高精度、高稳定、智能化。高效、低耗、高精度、高稳定、智能化。VLSICLSICSSICMSIC4.5 组合可编程逻辑器件组合可编程逻辑器件专用型:专用型:ASIC(Application Specific Integratel Circuit)逻辑功能逻辑功能:通用型:通用型:54/74系列、系列、74HC系列、系列、74HCT系列等系列等随系统规模扩大:随系统规模扩大:焊点多,可靠性下降焊点多,可靠性下降功耗增加、成本升高功耗增加、成本升高占用空间扩大占用空间扩大要承担设计风险、要承
2、担设计风险、周期长、成本高周期长、成本高可编程器件可编程器件 (PLD:Programmable Logic Device)系统设计师们希望自己设计系统设计师们希望自己设计 ASICASIC芯片,缩短设计周期,芯片,缩短设计周期,能在实验室设计好后,立即投入实际应用。能在实验室设计好后,立即投入实际应用。VLSIC二、二、PLD的发展态势的发展态势n向低电压和低功耗方向发展,向低电压和低功耗方向发展,5V 3.3V 2.5V 1.8V 更低更低n向高集成度、高速度方向发展向高集成度、高速度方向发展 集成度已达到集成度已达到400万门以上万门以上n向数、模混合可编程方向发展向数、模混合可编程方向
3、发展n向内嵌多种功能模块向内嵌多种功能模块方向发展方向发展 RAM,ROM,DSP,CPU等等PROMPLAPALGAL低密度可编程逻辑器件低密度可编程逻辑器件(LDPLD)EPLDCPLDFPGA高密度可编程逻辑器件高密度可编程逻辑器件(HDPLD)可编程逻辑器件可编程逻辑器件(PLD)1、按集成密度划分为、按集成密度划分为三、可编程逻辑器件的分类三、可编程逻辑器件的分类4.5.1 PLD的结构、表示方法的结构、表示方法与门与门阵列阵列或门或门阵列阵列乘积项乘积项和项和项PLD主体主体输入输入电路电路输入信号输入信号互补互补输入输入输出输出电路电路输出函数输出函数反馈输入信号反馈输入信号 可
4、由或阵列直接输出,构成组合输出;可由或阵列直接输出,构成组合输出;通过寄存器输出,构成时序方式输出通过寄存器输出,构成时序方式输出。1、PLD的基本结构的基本结构与门与门阵列阵列或门或门阵列阵列乘积项乘积项和项和项互补互补输入输入2.2.PLD的的逻辑符号表示方法逻辑符号表示方法(1)(1)连接的方式连接的方式(2)(2)基本门电路的表示方式基本门电路的表示方式F1=ABC与门与门或门或门A B C DF1 AB C&L AB C1L DF1=A+B+C+D 三态输出缓冲器三态输出缓冲器输出恒等于输出恒等于0 0的与门的与门输出为输出为1 1的与门的与门输入缓冲器输入缓冲器(3)(3)编程连接
5、技术编程连接技术 PLD表示的与门表示的与门熔丝工艺的与门原理图熔丝工艺的与门原理图L=ABCVCC+(5V)R 3kW L D1 D2 D3 A B C 高电平高电平A、B、C有一个输入低电平有一个输入低电平0VA、B、C三个都输入高电平三个都输入高电平+5V5V0V5V低电平低电平5V5V5VL=ABC L VCC A B C D L VCC A B C D L=AB连接连接连接连接连接连接断开断开A、B、C 中有一个为中有一个为0A、B、C 都为都为1输出为输出为0;输出为输出为1。L=AC断开断开连接连接连接连接断开断开L=ABCXX器件的开关状态不同器件的开关状态不同,电路实现逻辑函
6、数也就不同电路实现逻辑函数也就不同1 0 11 1 1(4)(4)浮浮栅栅MOS管开关管开关用不同的浮栅用不同的浮栅MOS管连接的管连接的PLD,编程信息的擦除方法,编程信息的擦除方法也不同。也不同。SIMOS管连接的管连接的PLD,采用紫外光照射擦除;,采用紫外光照射擦除;Flotox MOS管和快闪叠栅管和快闪叠栅MOS管,采用电擦除方法。管,采用电擦除方法。浮浮栅栅MOS管管叠栅注入叠栅注入MOS(SIMOS)管管浮栅隧道氧化层浮栅隧道氧化层MOS(Flotox MOS)管管快闪快闪(Flash)叠栅叠栅MOS管管 当浮栅上带有负电荷时,使得当浮栅上带有负电荷时,使得MOS管的开启电压变
7、高,如管的开启电压变高,如果给控制栅加上果给控制栅加上VT1控制电压,控制电压,MOS管仍处于截止状态。管仍处于截止状态。当浮栅上没有电荷时,给控制栅加上大于当浮栅上没有电荷时,给控制栅加上大于VT1的控制电压的控制电压,MOS管导通。管导通。a.叠栅注入叠栅注入MOS(SIMOS)管管 25V25VGND5V5VGND iD VT1 VT2 vGS 浮栅无电子 O 编程前 iD VT1 VT2 vGS 浮栅无电子 浮栅有电子 O 编程前 编程后 5V5VGND5V5VGND导通导通截止截止若要擦除,可用若要擦除,可用紫外线或紫外线或X射线,距管子射线,距管子2厘米处照射厘米处照射15-20分
8、钟。分钟。L=BC连接连接连接连接断开断开断开断开连接连接连接连接断开断开断开断开1 1 1 1浮栅延长区与漏区浮栅延长区与漏区N+之间的之间的交叠处有一个厚度约为交叠处有一个厚度约为80A(埃埃)的薄绝缘层的薄绝缘层遂道区。遂道区。当遂道区的电场强度大到一当遂道区的电场强度大到一定程度,使漏区与浮栅间出定程度,使漏区与浮栅间出现导电遂道,形成电流将浮现导电遂道,形成电流将浮栅电荷泄放掉。栅电荷泄放掉。遂道遂道MOS管管是用电擦除的,是用电擦除的,擦除速度快。擦除速度快。b.浮栅隧道氧化层浮栅隧道氧化层MOS(Flotox MOS)管管 结构特点结构特点:1.闪速存储器存储单元闪速存储器存储单
9、元MOS管的源极管的源极N+区大于漏极区大于漏极N+区,而区,而SIMOS管的源极管的源极N+区和漏极区和漏极N+区是对称的;区是对称的;2.浮栅到浮栅到P型衬底间的氧化型衬底间的氧化绝缘层比绝缘层比SIMOS管的更薄。管的更薄。c.快闪快闪叠栅叠栅MOS管开关管开关(Flash Memory)(自学)(自学)特点:结构简单、集成度高、特点:结构简单、集成度高、编程可靠、擦除快捷。编程可靠、擦除快捷。PLD中的三种与、或阵列中的三种与、或阵列与阵列、或阵列与阵列、或阵列均可编程均可编程(PLA)与阵列固定,或阵与阵列固定,或阵列可编程列可编程(PROM)与阵列可编程,或与阵列可编程,或阵列固定
10、阵列固定(PAL和和GAL等等)三种与、或阵列有什么应用特点?三种与、或阵列有什么应用特点?输出函数为最小输出函数为最小项表达式项表达式输出函数的乘积项数不输出函数的乘积项数不可变可变每个每个乘积项所含变乘积项所含变量数可变量数可变输出函数的乘积项数可变输出函数的乘积项数可变每每个个乘积项所含变量数可变乘积项所含变量数可变4.5.2 组合逻辑电路的组合逻辑电路的 PLD 实现实现 例例1 1 由由PLA构成的逻辑电路如图所构成的逻辑电路如图所示,试写出该电路的逻辑表达式,示,试写出该电路的逻辑表达式,并确定其逻辑功能并确定其逻辑功能。写出该电路的逻辑表达式:写出该电路的逻辑表达式:AnBnCn
11、AnBnAnCnBnCn全加器全加器AnBnCnAnBnCnAnBnCn试写出该电路的逻辑表达式。试写出该电路的逻辑表达式。4.6 用用VerilogHDL描述组合逻辑电路描述组合逻辑电路用用VerilogHDL描述组合逻辑电路有三种不同抽象级描述组合逻辑电路有三种不同抽象级别:组合逻辑电路的门级描述、组合逻辑电路的数别:组合逻辑电路的门级描述、组合逻辑电路的数据流描述、组合逻辑电路的行为级描述。据流描述、组合逻辑电路的行为级描述。VerilogHDL描述的电路就是该电路的描述的电路就是该电路的VerilogHDL模模型。型。行为描述方式:行为描述方式:一般使用下述语句描述,可以对组合、时序逻
12、辑电路建模。一般使用下述语句描述,可以对组合、时序逻辑电路建模。1)initial 语句语句 2)always 语句语句数据流描述方式:数据流描述方式:一般使用一般使用assign语句描述,主要用于对组合逻辑电路建模。语句描述,主要用于对组合逻辑电路建模。门级描述:门级描述:一般使用一般使用Primitive(内部元件)、自定义的下层模块对电内部元件)、自定义的下层模块对电路描述。主要用于层次化设计中。路描述。主要用于层次化设计中。基本门级元件模型基本门级元件模型 元件符号元件符号功能说明功能说明元件符号元件符号功能说明功能说明andand多输入端的与门多输入端的与门nandnand多输入端的
13、与非门多输入端的与非门oror多输入端的或门多输入端的或门nornor多输入端的或非门多输入端的或非门xorxor多输入端的异或门多输入端的异或门xnorxnor多输入端的异或非门多输入端的异或非门bufbuf多输出端的缓冲器多输出端的缓冲器notnot多输出端的反相器多输出端的反相器bufif1bufif1控制信号高电平有效的三态缓控制信号高电平有效的三态缓冲器冲器notif1notif1控制信号高电平有效的控制信号高电平有效的三态反相器三态反相器bufif0bufif0控制信号低电平有效的三态缓控制信号低电平有效的三态缓冲器冲器notif0notif0控制信号低电平有效的控制信号低电平有效
14、的三态反相器三态反相器多输入门多输入门多输出门多输出门三态门三态门4.6.1 组合逻辑电路的门级建模组合逻辑电路的门级建模门级建模门级建模:将逻辑电路图用将逻辑电路图用HDL规定的文本语言表示出来。规定的文本语言表示出来。VerilogVerilog 基本门级元件基本门级元件基本门级元件基本门级元件 and n-input AND gate nand n-input NAND gate or n-input OR gate nor n-input NOR gate xor n-input exclusive OR gate xnor n-input exclusive NOR gate buf
15、 n-output buffer not n-output inverter bufif0 tri-state buffer;Io enable bufif1 tri-state buffer;hi enable notif0 tri-state inverter;Io enable notif1 tri-state inverter;hi enable1 1、多输入门、多输入门只允许有一个输出,但可以有多个输入。只允许有一个输出,但可以有多个输入。and A1(out,in1,in2,in3););输输入入2xxx1zxxx1xxx01111 11 11 10 0zx x1 10 0 输入输
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- 电子技术 基础 数字 部分 第五 康华 华中 大课 第四 解析
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