光电隐身效果评估技术系列讲座第三讲_红外隐身性能测试.pdf
《光电隐身效果评估技术系列讲座第三讲_红外隐身性能测试.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《光电隐身效果评估技术系列讲座第三讲_红外隐身性能测试.pdf(6页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、光电隐身效果评估技术系列讲座主讲人?杨照金第三讲:红外隐身性能测试与计量杨照金(西安应用光学研究所,陕西?西安?710065)摘?要:光电隐身一般包括红外隐身、激光隐身、可见光隐身、雷达隐身和声波隐身。本讲座较系统地介绍红外隐身、激光隐身、可见光隐身的技术内涵,光电隐身技术的应用和国内外发展现状,隐身原理和隐身措施。重点介绍光电隐身的性能评估,包括性能评价方法和模型,隐身性能测试,隐身性能测试仪器的计量检定和校准等。关键词:光电隐身、红外隐身、激光隐身、可见光隐身、隐身效果评估、红外发射率、雷达截面。中图分类号:T N219;T P219.41?文献标志码:A?对红外隐身性能的测试,主要集中在
2、如下几个方面,对红外隐身材料测试它的红外发射率,对隐身后的目标,通过热像仪进行对比测试。下面我们分别予以介绍。1?红外发射率测试1.1?半球积分发射率的测量当我们研究辐射热传递和热损耗时,最关心的是材料表面的半球发射率,对材料半球积分发射率的测量分两种:辐射测量方法,如通过测量材料的反射率从而求得发射率;量热法,具体又分为辐射热平衡方法和温度衰减方法。其中辐射热平衡法被广泛采用,并且测量准确。1.1.1?辐射热平衡法测量材料半球积分发射率辐射热平衡法测量材料积分发射率中又根据材料样品的形状分为以下二种:热丝法测量材料半球发射率;材料圆柱样品的特征温度分布法测量材料半球积分发射率。1)辐射热平衡
3、法测量材料半球积分发射率原理这里主要介绍第一种方法即热丝法测量材料半球积分发射率。图 1?辐射热平衡法测量材料半球积分发射率示意图?这种方法的基本原理和装置如图 1 所示,待测半球积分发射率的材料样品截面多为长窄带状,给该样品通电加热,并保持输入电功率稳定,直到样品与周围真空室达到热平衡。由于材料样品处于真空环境中,样品本身通过热传导和对流的热损耗基本上可以被忽略。在达到热平衡的条件下,材料样品中部区域基本上无温度梯度。而且,输入给材料样品的稳定的电功率几乎全部以辐射的形式散失掉。以上所述就是辐射热平衡法测量半球积分发射率的原理。2)辐射热平衡法测量半球积分发射率公式为得到辐射热平衡法测量半球
4、积分发射率公(14)杨照金:光电隐身技术及其隐身效果评估系讲座式,首先推导材料样品的热平衡方程。首先分析外界给材料样品的输入功率,包括:(a)输入稳定的电功率 IV;(b)真空室内壁发射并被材料样品吸收的辐射功率 A?2?T42,其中 A 和?又分别是材料样品的表面积和吸收比,?2和 T2为真空室内壁的发射率和温度。由于温度均匀的密闭真空室内壁的辐射就是黑体辐射,因此,可认为?2=1。(c)材料样品本身的辐射经真空室内壁反射又回到材料样品后,也可被材料样品吸收,但这一项可以忽略不计。样品的总输入功率 P1为P1=I V+A?T42(1)再分析材料样品的输出功率,主要有下列几项:(a)样品的热辐
5、射 A?h?T41,其中?h和 T1分别是半球积分发射率和平衡温度;(b)材料样品两端及测温传感器传导消耗的功率 2k?T/?x,其中,k 是金属热导率,?是材料样品吸收比,?T/?x 是温度梯度。可以证明,样品两端和测温传感器的传导热损耗可忽略。(c)真空室内残留气体的热传导和对流引起的热损耗,也可忽略不计。综上所述,在辐射热平衡条件下,样品的输入和输出功率必须相等,亦即IV+A?T42=A?h?T41(2)在材料样品的吸收率?等于其半球积分发射率?h时,得半球发射率为?h=I V?A(T41-T42)(3)3)辐射热平衡方法测量材料发射率注意事项(a)辐射热平衡法测量材料样品发射率的误差主
6、要取决于样品与真空室内壁的相对温度及其测量误差。(b)如果材料样品是导电材料,则把样品直接做成上述横截面均匀的长窄带状,直接导电加热;如果被测样品是电介质材料,则可将薄片状样品绕着圆柱形加热元件缠起来,或把平板状样品以良好的热接触与半板加热器粘合起来,并在背面与侧面用保护性材料包围加热器,使辐射限制在材料样品的前表面。也可将样品材料制成品喷涂在加热器上测量。1.1.2?温度衰减法测量材料发射率由于辐射热平衡方法测量发射率时,必须使材料样品与真空室达成热平衡状态,所需的测量时间一般就比较长。那么,为缩短测量时间,可在非稳态下测量,这种是温度衰减法。它是把一个表面积较大而质量很小的样品悬挂在具有冷
7、却内壁的真空室内,并加热到显著高于真空室内壁温度。停止加热后,测量材料样品的冷却速度。从冷却速率和可知的材料样品表面积、质量和比热,计算出辐射热损耗速率,从而求出材料的半球积分发射率。其中的加热方法可选光照加热与线围加热器加热等。以光照加热样品时,若忽略真空内壁辐射对样品的影响,则此球的能量平衡方程是2A?h?T4+mCpdTdt=A?E(4)式中:A 为薄样品的单侧截面积;?h为材料发射率;m 为样品的质量;CP为材料样品的比热;dT/dt 为样品温度随时间上升率;E 为入射光辐照度。待样品有足够的温升后,停止光照并使材料样品冷却,则能量平衡方程为2A?n?T4=mCpdTdt(5)一般可认
8、为材料样品的比热 CP与温度无关,(5)式两边对时间积分,得?t2t12A?n?dt=mCp?T2T1dTT4?n=mCp6A?(t2-t1)1T31-1T32(6)式中:T1和 T2分别为开始降温时刻 t1和 t2时刻材料样品的温度。1.2?法向光谱发射率测量材料法向光谱发射率测量主要采用被测样品与黑体在同一温度下进行辐射度比较的方法,具体又分为两种,即单光路法和双光路法。1.2.1?单光路法测法向光谱发射率单光路替代法测试系统如图 2 所示。图中 P 为水冷光栏。先将黑体炉 B1与样品炉 B2控制在同一温度 T。转动导轨 L,分别让黑体炉 B1和样品炉 B2(其内装有待测样品 S)的辐射功
9、率经调制盘 C 调制后,投射到单色仪 SP 的入射狭缝上,由单色仪分光后,经出射狭缝投射到一无光谱选择性的探测器 D上。其输出信号经选频放大器放大后由毫伏表 M 记读。由于多次测量条件相同,即样品的辐射束和比较用的黑体辐射束途经同一光路,视场角相等,具有相同的光程和衰减。因此,有杨照金:光电隐身技术及其隐身效果评估系讲座(15)V?s=R?M?s=R?(?,T)?T4(7)V?b=R?M?b=R?b?T4(8)式中:R?为测试系统的光谱辐射功率响应度;V?s与 V?b分别为待测样品 S 和黑体 B1的输出?信号电压?;M?s与M?b分别为待测样品 S 和黑体 B 的辐射功率密度。将(7)式与(
10、8)式相除,便得?(?,T)=V?sV?b?b(9)式中?b为黑体 B1的发射率,是已知的。图 2?单光路测法向光谱发射率示意图?单光路法的主要优点是系统简单,调节方便,但由于前后两次交替的测量时间间隔相对来说较长。因而,电子系统的漂移,环境不稳定等因素将带来测量误差。为了克服单光路的这一缺点,可把商品红外分光光度计改装成双光路的测试系统,测量精度较高,但价格昂贵。下面介绍的工业用数字显示双光路红外发射率测试仪,兼有操作方便与成本低廉之优点。1.2.2?双光路法测法向光谱发射率图 3?双光路法测法向发射率框图?测量系统的框图如图 3 所示。由参考黑体 b辐射的光信号 Ib经球面反射镜 Rb和平
11、面镜 R 反射,然后透过调制盘,聚焦于单色仪的入射狭缝处。另一方面,由样品 S 辐射的信号 Is,经球面反射镜 Rs,及调制盘 C 上的反射镜反射,同样聚焦于单色仪入射狭缝处。于是,在单色仪入射狭缝处的光信号即为空间上一路,时间上则是参考信号与样品信号交替脉冲。这个脉冲信号,经一定放大后,送入选通电路,由选通脉冲选出参考信号与样品信号,然后在各自相应的通道放大处理,最后同时送至除法器相除,以比较样品的辐射与参考黑体的辐射。由于被测样品的发射率?(?,T)=?bV?sV?b,于是就可以直接显示某波长处该材料法向光谱发射率之值,或扫描绘制?(?,T)与?的曲线。以上两种测量,样品均固定不动,其缺点
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 光电 隐身 效果 评估 技术 系列 讲座 第三 红外 性能 测试
限制150内