亥姆赫兹实验报告31893.pdf
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1、一 实验项目名称 亥姆霍兹线圈磁场 二 实验目的 1.掌握霍尔效应原理测量磁场。2.测量单匝载流圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布。三 实验原理 1.载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的的磁场(1)载流圆线圈磁场 根据比奥-萨伐尔定律,载流圆线圈在轴线(通过圆心并与线圈平面垂直的直线)上某点磁场强度B 为 232200)(2xRIRNB 式中m10470H为真空磁导率,R 为线圈的平均半径,0N为线圈的匝数,I 为通过线圈的电流,x 为轴线上某点到圆心 O 的距离。因此它在轴线上磁场分布如图 25-1 所示.图 25-1(2)亥姆霍兹线圈 I Y X B B 所谓亥姆霍兹线圈是两个相同的圆线圈,彼此平
2、行且共轴,通以同方向电流 I,理论计算证明:当线圈见距 a 等于线圈半径时,两线圈合磁场在轴线上(两线圈圆心连线)附近较大范围内是均匀的,如图 25-2 所示,这种均匀磁场在工程运用和科学实验中应用十分广泛。图 25-2 2.霍尔效应法测磁场(1)霍尔效应法测量原理 将通有电流 I 的导体置于磁场中,且在垂直于电流I 与磁场B 方向上将产生一个附加电势差,这现象是霍尔 1879 年首次发现,故称霍尔效应。电势差HU等于霍尔电压。n 型半导体,若导体内电流 I 沿 x 轴方向流动(有速度为 v 运动的电子),此时在 z 轴方向加上强度为 B 的磁场后,运动着的电子受洛伦兹力BF的作用而偏移、聚集
3、在 S 平面;同时随着电子向S 平面偏移和聚集,在 p 平面出现等量的正电荷,结果 S、P 平面之间出现一个电场HE(此电场称之为霍尔电场)。Y X B B 这个电场反过来阻止电子继续向 S 平面偏移。当电子受到的洛伦磁力和霍尔电场的反作用力达到平衡时,就不能向 S 面偏移。在此时 S、P 平面间形成一个稳定的电压HU(霍尔电压)。(2)霍尔系数、霍尔灵敏度、霍尔电压 设材料的长度为 l,宽度为 b,厚度为 d,载流子浓度为 n,载流子速度为 v,它们与通过材料的电流 I 有如下关系 nevbdI 霍尔电压 IBKIBRIBUHHHdned 式中霍尔系数ne1HR,单位为Cm3;霍尔灵敏度dH
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- 赫兹 实验 报告 31893
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