电子技术基础与技能训练试题10970.pdf
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1、.电子技术根底(模拟篇)第一章 半导体二极管 一、单项选择题 1.当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别。A.左移,下移 B.右移,上移 C.左移,上移 D.右移,下移 2.在 PN 结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,当 PN 结外加反向电压时,扩散电流漂移电流。A.小于,大于 B.大于,小于 C.大于,大于 D.小于,小于 3.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程为 A.UI eSB.TUUI eSC.)1e(STUUID.1eSTUUI 4.以下符号中表示发光二极管的为。5.稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足()。A.ID=0 B.ID IZM C.IZ ID
2、IZM D.IZ ID 1.PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF时会损坏。3.二极管在工作频率大于最高工作频率 fM时会损坏。4.二极管在反向电压超过最高反向工作电压 URM时会损坏。5.在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。6.因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。三、填空题 1.当温度升高时,由于二极管部少数载流子浓度,因而少子漂移而形成的反向电流,二极管反向伏安特性曲线移。2.半导体稳压管的稳压功能是利用 PN 结的特性来实现的。3.二极管 P 区接电
3、位端,N 区接电位端,称正向偏置,二极管导通;反之,称反向偏置,二极管截止,所以二极管具有性。4.在本征半导体中掺入价元素得 N 型半导体,掺入价元素则得 P 型半导体。5.PN 结在时导通,时截止,这种特性称为。6.光电二极管能将信号转换为信号,它工作时需加偏置电压。7.发光二极管能将信号转换为信号,它工作时需加偏置电压。8.二极管按 PN 结面积大小的不同分为点接触型和面接触型,型二极管适用于高频、小电流的场合,型二极管适用于低频、大电流的场合。9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况,其中是可逆的,而会损坏二极管。10.半导体中有和两种载流子参与导电,其中带正电,而带负电。11.本征半
4、导体掺入微量的五价元素,则形成型半导体,其多子为,少子为。12.PN 结正偏是指 P 区电位 N 区电位。13.温度升高时,二极管的导通电压,反向饱和电流。14.普通二极管工作时通常要防止工作于,而稳压管通常工作于。15.构成稳压管稳压电路时,与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。16.纯洁的具有晶体构造的半导体称为,采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。17.在 PN 结形成过程中,载流子扩散运动是作用下产生的,漂移运动是作用下产生的。18.PN 结的电场对载流子的扩散运动起作用,对漂移运动起作用。19.发光二极管通以就会发光。光电二极管的随光照强度的增加而上升。20.硅管的导通电压比锗管的,反向
5、饱和电流比锗管的。四、计算分析题 1.电路如图a、b所示,稳压管的稳定电压UZ4V,R的取值适宜,uI的波形如图c所示。试分别画出uO1和uO2的波形。2.稳压管的稳压值UZ6V,稳定电流的最小值IZmin3mA,最大值IZM20mA,试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作,UO1和UO2各为多少伏。3.二极管电路如下图,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压 Uo。设二极管的导通压降为 0.7V。4.稳压管的稳定电压UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW。试求稳压管正常工作时电阻R的取值围。.5.如下图电路中,发光二极管导通电压UD1V,正常
6、工作时要求正向电流为 515mA。试问:1开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光?2R的取值围是多少?6.二极管双向限幅电路如下图,设tVuisin10,二极管为理想器件,试画出输出 ui和uo的波形。7.电路如下图,二极管导通电压UD0.7V,常温下UT26mV,电容 C 对交流信号可视为短路;ui为正弦波,有效值为 10mV,试问二极管中流过的交流电流有效值是多少?8.二极管电路如下图,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压 Uo。设二极管的导通压降为 0.7V。9.电路如图a所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图b所示,设二极管导通电压可忽略。试画出输出电压uO的波形,
7、并标出幅值。10.以下图所示电路中,稳压管的稳定电压 Uz=12V,图中电压表流过的电流忽略不计,试求:1当开关 S 闭合时,电压表 V 和电流表 A1、A2 的读数分别为多少?2当开关 S 断开时,电压表 V 和电流表 A1、A2 的读数分别为多少?11.电路如下图,试估算流过二极管的电流和 A 点的电位。设二极管的正向压降为 0.7V。12.电路如下图,试估算流过二极管的电流和 A 点的电位。设二极管的正向压降为 0.7V。第二章 半导体三极管 一、单项选择题 1.具有不同的低频小信号电路模型。A.NPN 管和 PNP 管 B.增强型场效应管和耗尽型场效应管 C.N 沟道场效应管和 P 沟
8、道场效应管 D.三极管和二极管 2.放大电路如下图,三极管的05,则该电路中三极管的工作状态为。A.截止 B.饱和 C.放大 D.无法确定 3.场效应管的转移特性曲线如下图,则此场效应管的类型是。A.增强型 PMOS B.增强型 NMOS C.耗尽型 PMOS D.耗尽型 NMOS 4.硅三极管放大电路中,静态时测得集-射极之间直流电压 UCE=0.3V,则此时三极管工作于状态。A.饱和 B.截止 C.放大 D.无法确定 5.放大电路如下图,硅三极管的50,则该电路中三极管的工作状态为。A.截止 B.饱和 C.放大 D.无法确定 6.三极管当发射结和集电结都正偏时工作于状态。A.放大 B.截止
9、 C.饱和 D.无法确定 7.*三极管的V15,mA20,mW100(BR)CEOCMCMUIP,则以下状态下三极管能正常工作的是。A.mA10,V3CCEIU B.mA40,V2CCEIU C.mA20,V6CCEIU D.mA2,V20CCEIU.8.下面的电路符号代表管。A.耗尽型 PMOS B.耗尽型 NMOS C.增强型 PMOS D.增强型 NMOS 9.关于三极管反向击穿电压的关系,以下正确的选项是。A.EBOBRCBOBRCEOBRUUU)()()(B.EBOBRCEOBRCBOBRUUU)()()(C.CEOBREBOBRCBOBRUUU)()()(D.CBOBRCEOBRE
10、BOBRUUU)()()(10.在三极管放大电路中,以下等式不正确的选项是。A.CBEIII B.BCII C.CEOCBOII)1(D.11.情况下,可以用 H 参数小信号模型分析放大电路。A.正弦小信号 B.低频大信号 C.低频小信号 D.高频小信号 12.场效应管本质上是一个 。A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件 C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件 二、判断题 1.三极管的输出特性曲线随温度升高而上移,且间距随温度升高而减小。2.IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在 uGS=0 时的漏极电流。3.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的 PN 结反偏,以保证
11、场效应管的输入电阻很大。4.三极管工作在放大区时,假设 iB为常数,则 uCE增大时,iC几乎不变,故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。5.对三极管电路进展直流分析时,可将三极管用 H 参数小信号模型替代。6.三极管的 C、E 两个区所用半导体材料一样,因此,可将三极管的 C、E 两个电极互换使用。7.开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。8.双极型三极管由两个 PN 构造成,因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。9.双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。10.分析三极管低频小信号放大电路时,可采用微变等效电路分析法把
12、非线性器件等效为线性器件,从而简化计算。11.三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路,交流分析时可视为开路。12.场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型一样。三、填空题 1.双极型半导体三极管按构造可分为型和型两种,它们的符号分别_和 2.反映态时集电极电流与基极电流之比;反映态时的电流放大特性。3.当温度升高时,三极管的参数会,CBOI会,导通电压会 4.*放大电路中,三极管三个电极的电流如下图,测得 IA=2mA,IB=0.04mA,IC=2.04mA,则电极为基极,为集电极,为发射极;为型管;。5.硅三极管三个电极的电压如下图,则此三极管工作于状态。6.场效应管
13、是利用效应,来控制漏极电流大小的半导体器件。7.*三极管的极限参数mA20CMI、mW100CMP、V20(BR)CEOU。当工作电压V10CEU时,工作电流IC不得超过 mA;当工作电压V1CEU时,IC不得超过_ mA;当工作电流mA2CI时,UCE不得超过 V。8.三极管工作在放大区时,发射结为偏置,集电结为偏置。9.对三极管放大电路进展直流分析时,工程上常采用法或法。.10.工作在放大区的一个三极管,如果基极电流从 10 微安变化到 22 微安时,集电极电流从 1 毫安变为 2.1 毫安,则该三极管的约为;约为。11._通路常用以确定静态工作点;通路提供了信号传输的途径。12.场效应管
14、是利用电压来控制电流大小的半导体器件。13.用于构成放大电路时,双极型三极管工作于区;场效应管工作于区。14.当 ugs=0 时,漏源间存在导电沟道的称为型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为型场效应管。15.*处于放大状态的三极管,测得三个电极的对地电位为 U1=-9V,U2=-6V,U3=-6.2V,则电极为基极,为集电极,为发射极,为型管。16.三极管电流放大系数反映了放大电路中极电流对极电流的控制能力。17.场效应管具有输入电阻很、抗干扰能力等特点。四、计算分析题 1.三极管电路如下图,三极管的80,UBEon=0.7V,rbb=200,输入信号)mV(sin20stu,电容C 对交流
15、的容抗近似为零。试:1计算电路的静态工作点参数 IBQ、ICQ、UCEQ;2画出电路的微变等效电路,求 uBE、iB、iC和 uCE。2.场效应管的转移特性曲线如下图,试指出各场效应管的类型并画出电路符号;对于耗尽型管求出 UGSoff、IDSS;对于增强型管求出 UGSth。3.三极管电路如下图,=100,UBEon=0.7V,试求电路中 IC、UCE的值。4.图中三极管为硅管,=100,试求电路中 IB、IC、UCE的值,判断三极管工作在什么状态。5.场效应管的转移特性曲线如下图,试指出各场效应管的类型并画出电路符号;对于耗尽型管求出 UGSoff、IDSS;对于增强型管求出 UGSth。
16、6.图中三极管为硅管,=100,试求电路中 IB、IC、UCE的值,判断三极管工作在什么状态。7.场效应管电路如下图,)mV(sin20itu,场效应管的mS58.0mg试求该电路的交流输出电压uo的大小。8.图中三极管均为硅管,试求各电路中的IC、UCE及集电极对地电压UO。9.图中三极管为硅管,=100,试求电路中 IB、IC、UCE的值,判断三极管工作在什么状态。10.场效应管的输出特性曲线如下图,试指出各场效应管的类型并画出电路符号;对于耗尽型管求出 UGS off、IDSS;对于增强型管求出 UGSth。摸拟电子技术(第 2 版)第三章选择 A 第三章 放大电路根底 一、单项选择题
17、1.图示电路 A等效为 PNP 管 B等效为 NPN 管 C为复合管,其等效类型不能确定 D三极管连接错误,不能构成复合管 2.关于 BJT 放大电路中的静态工作点简称 Q 点,以下说法中不正确的选项是。A Q 点过高会产生饱和失真 BQ 点过低会产生截止失真 C导致 Q 点不稳定的主要原因是温度变化 DQ 点可采用微变等效电路法求得 3.把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以.A增大差模输入电阻 B提高共模增益 C提高差模增益 D提高共模抑制比 4.对恒流源而言,以下说法不正确的为。A可以用作偏置电路 B可以用作有源负载 C交流电阻很大 D直流电阻很大 5.图示电路中,为共发射极放大
18、电路的是。6.差分放大电路由双端输入改为单端输入,则差模电压放大倍数。A不变 B提高一倍 C提高两倍 D减小为原来的一半 7.图示电路 A等效为 PNP 管,电流放大倍数约为 1 B等效为 NPN 管,电流放大倍数约为 2 C连接错误,不能构成复合管 D等效为 PNP 管,电流放大倍数约为 12 8.乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真的原因是 A输入电压信号过大 B三极管电流放大倍数太大 C晶体管输入特性的非线性 D三极管电流放大倍数太小 9.直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为。A.晶体管的非线性 B.电阻阻值有误差 C.晶体管参数受温度影响 D.静态工作点设计不当 10.关于复合管,下
19、述正确的选项是 A复合管的管型取决于第一只三极管 B复合管的输入电阻比单管的输入电阻大 C只要将任意两个三极管相连,就可构成复合管 D复合管的管型取决于最后一只三极管 11.图示电路中,出现以下哪种故障必使三极管截止。A.RB1开路 B.RB2开路 C.RC短路 D.CE短路 12.选用差分放大电路的主要原因是。A减小温漂 B提高输入电阻 C稳定放大倍数 D减小失真 13.放大电路 A、B 的放大倍数一样,但输入电阻、输出电阻不同,用它们对同一个具有阻的信号源电压进展放大,在负载开路条件下测得 A 的输出电压小,这说明 A 的。A.输入电阻大 B.输入电阻小 C.输出电阻大 D.输出电阻小 1
20、4.交越失真是 A饱和失真 B频率失真 C线性失真 D非线性失真 15.复合管的优点之一是 A电流放大倍数大 B电压放大倍数大 C输出电阻增大 D输入电阻减小 16.两共射极放大电路空载时电压放大倍数绝对值分别为 A1u和 A2u,假设将它们接成两级放大电路,则其放大倍数绝对值。图号 3204 图号 3203 A.B.C.图号 3205 RC 100 .A.A1uA2u B.A1u+A2u C.大于 A1uA2u D.小于 A1uA2u 17.设图示电路工作于放大状态,当温度降低时,。A三极管的 b 增大 B三极管的 ICBO增大 C ICQ增大 DUCQ增大 18.*放大器的中频电压增益为
21、40dB,则在上限频率fH处的电压放大倍数约为倍。A.43 B.100 C.37 D.70 19.*放大器输入电压为 10mv 时,输出电压为 7V;输入电压为 15mv 时,输出电压为 6.5V,则该放大器的电压放大倍数为。A.100 B.700 C.-100 D.433 20.*共射极放大电路空载时输出电压有截止失真,在输入信号不变的情况下,经耦合电容接上负载电阻时,失真消失,这时由于。A.Q 点上移 B.Q 点下移 C.三极管交流负载电阻减小 D.三极管输出电阻减小 二、判断题 1.放大电路只要静态工作点合理,就可以放大电压信号。2.乙类放大电路中假设出现失真现象一定是交越失真。3.放大
22、电路必须加上适宜的直流电源才可能正常工作 4.只有直接耦合的放大电路中三极管的参数才随温度而变化,电容耦合的放大电路中三极管的参数不随温度而变化,因此只有直接耦合放大电路存在零点漂移。5.功率放大电路中,输出功率越大,三极管的管耗也越大。6.图示电路中beLCbeBQLCBQiourRRrIRRIuuA)/()/(。7.单端输出的电流源差分放大电路,主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。8.多级放大电路的输入电阻等于第一级的输入电阻,输出电阻等于末级的输出电阻。9.频率失真是由于线性的电抗元件引起的,它不会产生新的频率分量,因此是一种线性失真。10.构造完全对称的差分放大电路,空载时单端输出电压放
23、大倍数为双端输出时的一半。11.差分放大电路单端输出时,主要靠电路的对称性来抑制温漂。12.将乙类双电源互补对称功率放大电路去掉一个电源,就构成乙类单电源互补对称功率放大电路。13.负载电阻所获得的能量取自于直流电源,而不是信号源或有源器件。14.放大电路的输出电阻等于负载电阻RL。15.直接耦合的多级放大电路,各级之间的静态工作点相互影响;电容耦合的多级放大电路,各级之间的静态工作点相互独立。16.恒流源电路具有输出电流稳定,交流阻非常大的特点,因此常用作偏置电路和有源负载。17.输入电阻反映了放大电路带负载的能力。18.三极管放大电路中,设 ub、ue分别表示基极和发射极的信号电位,则 u
24、b=UBEQ+ue。19.差分放大电路中单端输出与双端输出相比,差模输出电压减小,共模输出电压增大,共模抑制比下降。20.乙类双电源互补对称功率放大电路中,正负电源轮流供电。21.双极型三极管的小信号模型中,受控电流源流向不能任意假定,它由基极电流ib的流向确定。22.产生交越失真的原因是因为输入正弦波信号的有效值太小。23.直接耦合放大电路存在零点漂移主要是由于晶体管参数受温度影响。24.乙类互补对称功率放大电路中,输入信号越大,交越失真也越大。25.集成放大电路采用直接耦合方式的主要原因之一是不易制作大容量电容。.26.与三极管放大电路相比,场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳
25、定性好等优点。27.单端输出的长尾式差分放大电路,主要靠公共发射极电阻引入负反应来抑制温漂。28.场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。三、填空题 1.放大器的静态工作点过高可能引起_失真,过低则可能引起_失真。分压式偏置电路具有自动稳定_的优点。2.当差分放大电路输入端参加大小相等、极性相反的信号时,称为输入;当参加大小和极性都一样的信号时,称为输入。3.放大电路中采用有源负载可以电压放大倍数。4.场效应管放大电路中,共极电路具有电压放大能力,输出电压与输入电压反相;共极电路输出电阻较小,输出电压与输入电压同相。5.三种根本组态双极型三极管放大电路中,假设希望源电压放大倍数大,宜选
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