2022年场效应管的原理和基础知识.docx

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1、精选学习资料 - - - - - - - - - 场效应管的原理和基础学问 2007-12-25 17:29 基本概念场效应管是一种受电场掌握的半导体器件 一般三极管的工作是受电流掌握的器件. 场效应管应具有高输入阻抗 , 较好的热稳固性、 抗辐射性和较低的噪声 . 对夹断电压适中的场效应管 , 可以找到一个几乎不受温度影响的零温度系数工作点 ,利用这一特性 , 可使电路的温度稳固性达到正确状态 作放大电路的缓冲级、模拟开关和恒流源电路 . . 电子电路中常用场效应管场效应管按结构可分为结型场效应管 缩写为 JFET和绝缘栅场效应管 缩写为JGFET,从导电方式看 , 场效应管分为 N型沟道型

2、与 P 型沟道型 . 绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种 , 而 JFET只有耗尽型 . 一、基本结构场效应管是利用转变电场来掌握半导体材料的导电特性, 不是像三极管那样用电流掌握 PN结的电流 . 因此 , 场效应管可以工作在极高的频率和较大的功率 . 此外 ,场效应管的制作工艺简洁, 是集成电路的基本单元 . 场效应管有结型和绝缘栅型两种主要类型 . 每种类型的场效应管都有栅极 g、源极 s 和漏极 d 三个工作电极 , 同时 , 每种类型的场效应管都有 N沟道和 P沟道两种导电结构 . 绝缘栅型场效应管又叫做MOS管. 依据在外加电压 Vgs=0时是否存在导电沟道 ,绝缘栅场效应管又可

3、分为上增强型和耗尽型 . 增强型 MOS管在外加电压 Vgs=0时不存在导电沟道 , 而耗尽型 MOS的氧化绝缘层中加入了大量的正离子 , 即使在Vgs=0时也存在导电沟道 . N沟道绝缘栅型g 为栅极 ,s 为源极 ,d 为漏极 ,B 衬底结型场效应管的结构与绝缘栅场效应管的结构基本相同, 主要的区分在于栅极g名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 5 页精选学习资料 - - - - - - - - - 与通道半导体之间没有绝缘 . N沟道和 P沟道结型从场效应管的基本结构可以看出 , 无论是绝缘栅型仍是结型 , 场效应管都是两个 背靠背的 PN结. 电流通路不是由 PN结形

4、成的 , 而是依靠漏极 d 和源极 s 之间半导体的导电状态来打算的 . 二、电路符号基本参数场效应管的主要技术参数, 可分为直流参数和沟通参数两大类. 一、夹断电压 VP和开启电压 VT 一般是对结型管而言 , 当栅源之间的反向电压VGS增加到肯定数以后 , 不管漏源电压 VDS大小都不存在漏电流 ID. 这个使 ID 开头为零的电压叫作管子的夹断电 压.VT 一般是对 MOS管而言 , 表示开头显现 ID 时的栅源电压值 . 对 N沟道增强型、P沟道耗尽型 VT为正值 , 对 N沟道耗尽型、 P 沟道增强型 VT为负值 . 二、饱和漏电流 IDSS 当 VDS=0而 VDS足够大时 , 漏

5、电流的饱和值 , 就是管子的饱和漏电流 , 常用符号 IDSS表示 . 三、栅极电流 IG 当栅极加上肯定的反向电压时, 会有微小的栅极电流 , 用符号 IG 表示 . 对结型场名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页,共 5 页精选学习资料 - - - - - - - - - 效应管 ,IG 在 10-910-12 之间 ; 对于 MOS而言 IG 一般小于 10-12 安. 正是由于栅 极电流微小 , 所以场效应管具有极高的阻抗 . 四、通导电阻 RON 五、截止漏电流六、跨导 gm 七、漏源动态电阻 rDS 基本特性一、转移特性和输出特性工程应用中最常用的是共源极电路的输入和输

6、出关系曲线, 场效应管的共源极连名师归纳总结 接是把源极 s 作为公共端、栅极g 作为输入端、漏极d 作为输出端 . 由于共源极第 3 页,共 5 页场效应管的输入电流几乎为零, 因此 , 其输入曲线反映的是栅极电压Vg与漏极电流 Id 的关系 , 叫做转移特性 . 反映 d-s 间电压与 Id 之间关系的叫做输出曲线. - - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 场效应管共源极电路转移特性曲线和输出特性曲线场效应管输出特性有可变电阻 也叫夹断区 、放大 也叫恒流区 、截止区和击穿区四个工作区 . 这与三极管的饱和、截止、放大和击穿相像 . 二、截止与电阻导通特

7、性场效应管 d-s 间不导通状态叫做截止 , 此时 Id 接近 0, 场效应管没有电流传导的 才能 , 相当于开关断开 . 产生截止现象的缘由 , 是此时场效应管没有形成导电沟道 . 场效应管输出特性曲线中 ,Vds 与 Id 之间呈线性关系的区域叫做电阻区 , 二者之 间的关系可近似为 Vds=RonId 其中 Ron为导通电阻 , 一般都很小 . 在电阻区 , 场效应管的 d-s 之间近似为一个不 变电阻 . 无论是在电阻区仍是截止区, 场效应管的电流掌握才能很柔弱, 这是在应用设计中必需非常留意的问题 . 在设计模拟信号电路时 , 肯定要使电路工作在场效应管的放大区 , 防止进入电阻区和

8、截止区. 在设计开关电路时 , 要使电路能很快地在电阻和截止状态之间转换 , 防止进入放大区 . 使用场效应管时 , 应当留意以下几个问题 : 1 为了防止栅极击穿 , 要求一切测试仪器、电路本身、电烙铁都必需良好接地 . 焊接时 , 用小功率烙铁快速焊接 , 或拔去电源用余热焊接 , 并应先焊源极 , 后焊栅 极. 名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页,共 5 页精选学习资料 - - - - - - - - - 2MOS场效应管输送阻抗较高 , 故在不使用时 , 必需将引出线短路 , 以防感应电 势将栅极击穿 ,JFET 就不行短路 . 3 要求高输入阻抗的线路 , 须实行防潮措施 , 以免使输入阻抗显著降低 . 4MOS场效应管栅极有的可加正压或负压, 而常用的结型场效应管因是N沟道耗尽型 , 栅极只能加负压 . 5 场效应管的漏极和源极通常制成对称的 子外 , 漏极和源极可互换使用 . , 除源极和衬底制造时连在一起的管名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页,共 5 页