2022年半导体器件物理复习重点3.docx

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1、精选学习资料 - - - - - - - - - 读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思第一章 PN 结1.1 PN 结是怎么形成的？1.2 PN 结的能带图（平稳和偏压）* 1.3 内建电势差运算V biFpFnkTlnNaNden i21.4 空间电荷区的宽度运算Wax2s V biV RNaaNd1/2pex nNNdNN d1.5 PN 结电容的运算名师归纳总结 C2 V biesNaNdNd1 /2s第 1 页,共 11 页VRNaW- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思其次章 PN 结二极管2.1 抱负 P

2、N 结模型是什么？2.2 少数载流子分布（边界条件和双极输运方程的应 用）2.3 抱负 PN 结电流JJsexpeV anp01en i 21Dn1DpkTJseDpp n0eD nLpLnNaNdp0n02.4 PN 结二极管的等效电路 （扩散电阻和扩散电容的 概念）？2.5 产生-复合电流的运算JrecWeR dxen iWexpeV a10022kT2.6 PN 结的两种击穿机制有什么不同？名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页,共 11 页精选学习资料 - - - - - - - - - 读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思第三章 双极晶体管3.1 双极晶体管的工作原理是

3、什么？3.2 双极晶体管有几种工作模式,哪种是放大模式？3.3 双极晶体管的少子分布（图示）3.4 双极晶体管的电流成分 （图示）,它们是怎样形成 的？3.5 低频共基极电流增益的公式总结T1pE0DELB1/LB/1BNB1Bx BtanhxBDEEEnB0DBLEtanhx E/LNDxE1LB111L2coshxB/xB211Jr0expeV BEJ2kTs0T1 3.6 等效电路模型（ Ebers-Moll 模型和 Hybrid-Pi 模名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页,共 11 页精选学习资料 - - - - - - - - - 读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精

4、思型）（画图和简述）3.7 双极晶体管的截止频率受哪些因素影响？3.8 双极晶体管的击穿有哪两种机制？名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页,共 11 页精选学习资料 - - - - - - - - - 读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思第四章 MOS 场效应晶体管基础 4.1 MOS 结构怎么使半导体产生从积累、耗尽到反型 的变化？4.2 MOS 结构的平稳能带图（表面势、功函数和亲和 能）及平稳能带关系VOX0s0ms4.3 栅压的运算 非平稳能带关系 VGV OXsms4.4 平带电压的运算V FBmsQssCOX4.5 阈值电压的运算名师归纳总结 V TNQSDmaxQ

5、ssms2fpQSDmaxV FB2fp第 5 页,共 11 页x dTCOXCOXQ SDmaxeN ax dT4sfp12eN afpV lnNan i- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思E gmsm2efpms2fnQSDmaxV FB2fnCoxoxsstoxQSDmaxQV TPC OXfnC OXQ SDmaxeN dx dT1x dT4sfn2eNdV ln thNdfnn iEgmsm2 eCoxoxtox4.6 MOS 电容的运算总的电容公式：CdepltOXOXxdOXs最大电容：CmaxCOXt

6、OX,LDs V thOX平带电容：CFBt OXOXL DOXeN as名师归纳总结 - - - - - - -第 6 页,共 11 页精选学习资料 - - - - - - - - - 读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思最小电容：C mintOXOXx dT,x dT4sfpOXeNas4.7 MOSFET 的工作原理是什么？4.8 电流-电压关系（运算）N 沟道：IDWnCox2 V GSV T VDSW2 V DS V GSV T22 LVDSsatV GSV TsatnCoxWnCox2 V DSIDsat2L2LP 沟道：IDWpCox2 VSGV T VSDV SD 2 V S

7、GV T22LVSDsatV SGV TWpC oxIDsat WpC ox2 V SDsat 2L2L4.9 MOSFET 的跨导运算gmIDV GS4.10 MOSFET 的等效电路（简化等效电路）4.11 MOSFET 的截止频率主要取决于什么因素？名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页,共 11 页精选学习资料 - - - - - - - - - 读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思fT2CgmCM2gmgsTC G名师归纳总结 fTn V GSV T第 8 页,共 11 页2L 2- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 读书之法 ,在

8、循序而渐进 ,熟读而精思第五章 光器件5.1 电子-空穴对的产生率：gxIxh5.2 PN 结太阳能电池的电流IILIseV exp kT15.3 光电导运算e nppe npG Lp5.4 光电导增益phILtp1peG LALnn5.5 光电二极管的光电流JLeG L WLpLn5.6 PIN 二极管怎么提高光电探测效率？5.7 发光二极管的内量子效率主要取决于哪些因素？名师归纳总结 5.8 PN 结二极管激光器怎样实现粒子数反转（借助于第 9 页,共 11 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思能带图说明）名师归纳总结 - - - - - - -第 10 页,共 11 页精选学习资料 - - - - - - - - - 读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思第六章 MOS 场效应晶体管：概念的深化6.1 MOSFET 按比例缩小理论（恒定电场缩小） ,哪些参数缩小,哪些参数增大？6.2 结型场效应晶体管的工作原理是什么？它有什么特点名师归纳总结 - - - - - - -第 11 页,共 11 页