模拟CMOS集成电路设计拉扎维带隙基准.pptx
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1、西电微电子：模拟集成电路原理 Bandgap RefCh.11#1本讲内容本讲内容概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析第1页/共29页西电微电子：模拟集成电路原理 Bandgap RefCh.11#2概述概述基准是直流量，与电源和工艺参数的关系小，与温度的关系是确定的。目的：建立与电源和工艺无关，具有确定温度特性的直流电压和电流。形式：与绝对温度成正比（PTAT）常数Gm特性 与温度无关第2页/共29页西电微电子：模拟集成电路原理 Bandgap RefCh.11#3概述概述第3页/共29页西电微电子：模拟集成电路原理 Bandgap RefCh.11#4
2、本讲内容本讲内容概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析第4页/共29页西电微电子：模拟集成电路原理 Bandgap RefCh.11#5与电源无关的偏置与电源无关的偏置如何产生IREF？第5页/共29页西电微电子：模拟集成电路原理 Bandgap RefCh.11#6与电源无关的偏置与电源无关的偏置第6页/共29页西电微电子：模拟集成电路原理 Bandgap RefCh.11#7与电源无关的偏置与电源无关的偏置第7页/共29页西电微电子：模拟集成电路原理 Bandgap RefCh.11#8本讲内容本讲内容概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产
3、生恒定Gm偏置实例分析第8页/共29页西电微电子：模拟集成电路原理 Bandgap RefCh.11#9与温度无关的偏置与温度无关的偏置负温度系数电压当VBE750mV，T300K，为1.5mV/K第9页/共29页西电微电子：模拟集成电路原理 Bandgap RefCh.11#10与温度无关的偏置与温度无关的偏置正温度系数电压第10页/共29页西电微电子：模拟集成电路原理 Bandgap RefCh.11#11与温度无关的偏置与温度无关的偏置VREF=1VBE+2(VTln n)1=1 根据室温时温度系数之和为根据室温时温度系数之和为零，零，得到：得到：2 ln n17.2 VREFVBE+1
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