模拟电子技术基础双极结型三极管及放大 电路基础.pptx
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1、的结构简介的结构简介(a)小功率管 (b)小功率管 (c)大功率管 (d)中功率管第1页/共56页 半导体三极管的结构示意图如图半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型所示。它有两种类型:NPNNPN型和型和PNPPNP型。型。的结构简介的结构简介(a)NPN(a)NPN型管结构示意图型管结构示意图(b)PNP(b)PNP型管结构示意图型管结构示意图(c)NPN(c)NPN管的电路符号管的电路符号(d)PNP(d)PNP管的电路符号管的电路符号第2页/共56页集成电路中典型NPN型BJT的截面图的结构简介的结构简介第3页/共56页 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输
2、体现出来的。三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。外部条件:外部条件:发射结正偏发射结正偏 集电结反偏集电结反偏放大状态下放大状态下BJTBJT的工作原理的工作原理1.1.内部载流子的传输过程内部载流子的传输过程发射区:发射载流子发射区:发射载流子集电区:收集载流子集电区:收集载流子基区:传送和控制载流子基区:传送和控制载流子 (以(以NPNNPN为例)为例)由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电,故称为双极型三极管或BJT(Bipolar Junction Transistor)。IC=InC+ICBOIE=IB+IC放大状态下BJT中载流子的传输过
3、程第4页/共56页2.2.电流分配关系电流分配关系根据传输过程可知 IC=InC+ICBO通常 IC ICBO 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般 =0.90.99。IE=IB+IC放大状态下BJT中载流子的传输过程第5页/共56页 是另一个电流放大系数。同样,它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般 1。根据IE=IB+IC IC=InC+ICBO且令ICEO=(1+)ICBO(穿透电流)2.2.电流分配关系电流分配关系第6页/共56页3.3.三极管的三种组态三极管的三种组态共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示。共基极接法,基极
4、作为公共电极,用CB表示;共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示;BJT的三种组态第7页/共56页共基极放大电路4.4.放大作用放大作用若vI=20mV电压放大倍数使iE=-1 mA,则iC=iE =-0.98 mA,vO=-iC RL=0.98 V,当=0.98 时,第8页/共56页 综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是:(1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄。(2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。第9页/共56页的的V-I V-I 特性曲线特性曲线 iB=f(vBE)
5、vCE=const(2)当vCE1V时,vCB=vCE-vBE0,集电结已进入反偏状态,开始收 集电子,基区复合减少,同样的vBE下 IB减小,特性曲线右移。(1)当vCE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。1.输入特性曲线(以共射极放大电路为例)共射极连接第10页/共56页饱和区:iC明显受vCE控制的区域,该区域内,一般vCE0.7V(硅管)。此时,发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。iC=f(vCE)iB=const2.输出特性曲线输出特性曲线的三个区域输出特性曲线的三个区域:截止区:iC接近零的区域,相当iB=0的曲线的下方。此时,vBE小于死区电压。放大区:iC平行于vCE轴
6、的区域,曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏。的的V-I V-I 特性曲线特性曲线第11页/共56页 (1)1)共发射极直流电流放大系数共发射极直流电流放大系数 =(I IC CI ICEOCEO)/I/IB BIIC C/I/IB B v vCECE=const=const1.1.电流放大系数电流放大系数 的主要参数的主要参数与iC的关系曲线(2)共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const第12页/共56页1.1.电流放大系数电流放大系数 (3)(3)共基极直流电流放大系数共基极直流电流放大系数 =(I IC CI ICBOCBO)/I/IE EIIC C/I/IE
7、E (4)4)共基极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数 =I IC C/I IE E v vCBCB=const=const 当当I ICBOCBO和和I ICEOCEO很小时,很小时,、,可以不加区分。,可以不加区分。的主要参数的主要参数第13页/共56页 2.2.极间反向电流极间反向电流(1)(1)集电极基极间反向饱和电流集电极基极间反向饱和电流I ICBOCBO 发射极开路时,集电结的反向饱和电流。发射极开路时,集电结的反向饱和电流。的主要参数的主要参数第14页/共56页 (2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=(1+)ICBO 的主要参数的主要参数 2.2.极间反向电
8、流极间反向电流第15页/共56页(1)(1)集电极最大允许电流集电极最大允许电流I ICMCM(2)(2)集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗P PCMCM P PCMCM=I=IC CV VCECE 3.3.极限参数极限参数的主要参数的主要参数第16页/共56页 3.3.极限参数极限参数的主要参数的主要参数(3)3)反向击穿电压反向击穿电压 V V(BR)CBO(BR)CBO发射极开路时的集电结反发射极开路时的集电结反 向击穿电压。向击穿电压。V(BR)EBO集电极开路时发射结的反 向击穿电压。V(BR)CEO基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。几个击穿电压有如下关系 V(BR)
9、CBOV(BR)CEOV(BR)EBO第17页/共56页温度对温度对BJTBJT参数及特性的影响参数及特性的影响(1)温度对ICBO的影响温度每升高10,ICBO约增加一倍。(2)温度对 的影响温度每升高1,值约增大0.5%1%。(3)温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响温度升高时,V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。2.温度对BJT特性曲线的影响1.温度对BJT参数的影响end第18页/共56页4.2 4.2 共射极放大电路的工作原理共射极放大电路的工作原理基本共射极放大电路的组成基本共射极放大电路的组成基本共射极放大电路 第19页/共56页基本共射极放大电
10、路的工作原理基本共射极放大电路的工作原理1.静态(直流工作状态)输入信号vi0时,放大电路的工作状态称为静态或直流工作状态。直流通路 VCEQ=VCCICQRc 第20页/共56页基本共射极放大电路的工作原理基本共射极放大电路的工作原理2.动态 输入正弦信号vs后,电路将处在动态工作情况。此时,BJT各极电流及电压都将在静态值的基础上随输入信号作相应的变化。交流通路 第21页/共56页4.3 4.3 放大电路的分析方法放大电路的分析方法图解分析法图解分析法小信号模型分析法小信号模型分析法1.1.静态工作点的图解分析静态工作点的图解分析2.2.动态工作情况的图解分析动态工作情况的图解分析3.3.
11、非线性失真的图解分析非线性失真的图解分析4.4.图解分析法的适用范围图解分析法的适用范围1.BJT1.BJT的的HH参数及小信号模型参数及小信号模型2.2.用用HH参数小信号模型分析基本共射极放大电路参数小信号模型分析基本共射极放大电路3.3.小信号模型分析法的适用范围小信号模型分析法的适用范围第22页/共56页图解分析法图解分析法1.1.静态工作点的图解分析静态工作点的图解分析 采用该方法分析静态工作点,必须已知三极管的输入输出特性曲线。采用该方法分析静态工作点,必须已知三极管的输入输出特性曲线。共射极放大电路第23页/共56页图解分析法图解分析法1.1.静态工作点的图解分析静态工作点的图解
12、分析 列输入回路方程 列输出回路方程(直流负载线)VCE=VCCiCRc 首先,画出直流通路首先,画出直流通路直流通路 第24页/共56页 在输出特性曲线上,作出直流负载线 VCE=VCCiCRc,与IBQ曲线的交点即为Q点,从而得到VCEQ 和ICQ。在输入特性曲线上,作出直线 ,两线的交点即是Q点,得到IBQ。第25页/共56页 根据根据v vs s的波形,在的波形,在BJTBJT的输入特性曲线图上画出的输入特性曲线图上画出v vBEBE 、i iB B 的波形的波形2.2.动态工作情况的图解分析动态工作情况的图解分析第26页/共56页 根据根据i iB B的变化范围在输出特性曲线图上画出
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