电路和电路元件下.pptx

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1、半导体器件具有体积小、重量轻、使用寿命长、耗电少等特点，是组成各种电子电路的核心器件，在当今的电子技术中占有主导地位。因此，了解半导体器件是学习电子技术的基础。1.4 1.4 电子器件电子器件 引言GaAs-AlGaAs 谐振腔发光二极管谐振腔发光二极管Ge二极管二极管Si二极管二极管 第1页/共107页半导体物理基础知识半导体物理基础知识依照导电性能，可以把媒质分为导体、绝缘体和半导体。导体有良好的导电能力，常见的有铜、铝等金属材料；绝缘体基本上不能导电，常见的有玻璃、陶瓷等材料；半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，常见的有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等材料。媒质半导体的导电

2、能力会随温度、光照的变化或因掺入某些杂质而发生显著变化，这些特点决定了半导体在电子线路中的广泛用途。铜导线铜导线(左上左上)、玻璃绝缘体、玻璃绝缘体(左下左下)和硅晶体和硅晶体(上上)1.4 1.4 电子器件电子器件 第2页/共107页半导体物理基础知识-本征半导体一、一、本征本征本征本征半导体半导体 指纯单晶，理想化的。指纯单晶，理想化的。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。层电子（价电子）都是四个。结构：结构：GeSi1.4 1.4 电子器件电子器件 第3页/共107页A A、纯、纯B B、单晶、单晶

3、 只有一种元素，没有杂质的东西（材料）常用只有一种元素，没有杂质的东西（材料）常用Si 溶化后结晶，晶体的形状结构相同。溶化后结晶，晶体的形状结构相同。特征：特征：通过一定的工艺过程，可以将半导体制成通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体晶体。在硅和锗晶体中，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，在硅和锗晶体中，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子共用一对价电子 共价键：共价键：共价键就是相邻两个原子中的价电子为共用电子对而共价键就是相邻两个原子中的价电子为共用电子对而形成的相互作用力。形成的相互作用力。1.4 1.4 电子器件电子器件 第4页/共107页硅和锗的共价键结构硅

4、和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子自由电子，因此本征半，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。1.4 1.4 电子器件电子器件 第5页/共107页 辐射方法辐射方法 加热加热 本征半导体导电性能本征半导体导电性能比金属导体比金属导体差差很多。很多。但它具有热敏但它

5、具有热敏、光光敏的特性敏的特性。如何导电？如何导电？强能量的量子撞击共价键强能量的量子撞击共价键?光照是一般采用的方法。光照是一般采用的方法。分子振动分子振动 破坏结构破坏结构电子掉下来，引起自由电电子掉下来，引起自由电子子空穴空穴动画1.4 1.4 电子器件电子器件 第6页/共107页 几个概念几个概念（1 1）本征激发本征激发：当本征半导体的温度升高或受到光照时，：当本征半导体的温度升高或受到光照时，某些共价键中的价电子从外界获得能量而挣脱共价键的某些共价键中的价电子从外界获得能量而挣脱共价键的束缚，离开原子而成为自由电子的同时，在共价键中会束缚，离开原子而成为自由电子的同时，在共价键中会

6、留下数量相同的空位子留下数量相同的空位子空穴。空穴。这种现象称为本征这种现象称为本征激发激发。本征激发形成本征激发形成:电子电子 -空穴对空穴对（2 2）自由电子：自由电子：价电子获得外部能量后挣脱共价键的束价电子获得外部能量后挣脱共价键的束缚成为自由电子，带负电荷。缚成为自由电子，带负电荷。（3 3）空空 穴：穴：价电子成为自由电子后在共价键中留下的价电子成为自由电子后在共价键中留下的空位，带正电荷。空位，带正电荷。（4 4）电子电子-空穴对：空穴对：本征激发形成电子本征激发形成电子-空穴对。空穴对。1.4 1.4 电子器件电子器件 第7页/共107页（5 5）漂移电流：漂移电流：自由电子在

7、电场作用下定向运动形成的电流称为自由电子在电场作用下定向运动形成的电流称为漂移电流。漂移电流。（6 6）空穴电流：空穴电流：空穴在电场作用下定向运动形成的电流称为空穴电空穴在电场作用下定向运动形成的电流称为空穴电流。流。因为因为 相对于电子电流，价电子填补空穴的运动相当于相对于电子电流，价电子填补空穴的运动相当于带正电荷的空穴在与价电子运动相反的方向运动，因带正电荷的空穴在与价电子运动相反的方向运动，因而空穴相对来说带正电荷，故其运动形成空穴电流。而空穴相对来说带正电荷，故其运动形成空穴电流。（7 7）复复 合：合：自由电子在热运动过程中和空穴相遇而释放能量，自由电子在热运动过程中和空穴相遇而

8、释放能量，造成电子造成电子-空穴对消失，这一过程称为复合。空穴对消失，这一过程称为复合。1.4 1.4 电子器件电子器件 第8页/共107页结论结论u 一般来说：一般来说：本征半导体，在热力学温度本征半导体，在热力学温度T=0kT=0k（开尔文）（开尔文）和没有外界影响如：和没有外界影响如：光照、加热、外加电场光照、加热、外加电场等等的条件下，其价电子均被束缚在共价键中，的条件下，其价电子均被束缚在共价键中，不不存在自由运动的电子，所以不带电。存在自由运动的电子，所以不带电。1.4 1.4 电子器件电子器件 第9页/共107页u 在半导体中存在两种载流子（运动电荷的在半导体中存在两种载流子（运

9、动电荷的载体）即：载体）即：自由电子自由电子带负电带负电 ；空空 穴穴带正电带正电 。u 在电场作用下，电子的运动将形成在电场作用下，电子的运动将形成电子电电子电流流，而空穴的运动则形成，而空穴的运动则形成空穴电流空穴电流，u在同一电场作用下，两种载流子的运动方向相在同一电场作用下，两种载流子的运动方向相反，是因为它们所带的电荷极性也相反，所以反，是因为它们所带的电荷极性也相反，所以两种电流的实际方向是相同的。两种电流的实际方向是相同的。u电子电流与空穴电流的电子电流与空穴电流的总和总和即半导体中的电流。即半导体中的电流。第10页/共107页u当本征激发和复合处于平衡时，本征载流子的浓度为当本

10、征激发和复合处于平衡时，本征载流子的浓度为u从上式可知，本征载流子浓度从上式可知，本征载流子浓度n ni i与温度有关，能随温度与温度有关，能随温度升高而迅速增大，这一点在今后的学习中非常重要。升高而迅速增大，这一点在今后的学习中非常重要。u 注意：注意：n ni i的数值虽然很大，但它仅占原子密度很小的的数值虽然很大，但它仅占原子密度很小的百分数，比如：硅的原子密度为百分数，比如：硅的原子密度为 4.961022cm-34.961022cm-3u 因此，因此，n ni is si i仅为它的三万亿分之一，仅为它的三万亿分之一，可见本征半导体可见本征半导体的导电能力是很低的的导电能力是很低的（

11、本征硅的电阻率约为（本征硅的电阻率约为2.2105cm2.2105cm）。）。第11页/共107页杂质半导体：掺杂后的半导体，包括N型半导体和P型半导体。N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素(磷、砷、锑)等，每个杂质原子(施主原子)提供一个自由电子，从而大量增加自由电子数量。P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素(硼、铝、铟)等，每个杂质原子(受主原子)提供一个空穴，从而大量增加空穴数量。N型半导体中自由电子浓度远大于空穴浓度，为多数载流子(多子)，空穴为少数载流子(少子)。P型半导体中空穴浓度远大于自由电子浓度，为多数载流子(多子)，自由电子为少数载流子(少子)。+4+4+4+4+5+4+

12、4+4+4自由电子自由电子+4+4+4+4+3+4+4+4+4空穴空穴1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体物理基础知识-杂质半导体第12页/共107页1.4 1.4 电子器件电子器件 杂质半导体的示意表示法：杂质半导体的示意表示法：P 型半导体型半导体+N 型半导体型半导体杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。第13页/共107页结论u 不论不论P P型或型或N N型半导体，掺杂越多，掺杂浓度型半导体，掺杂越多，掺杂浓度越大，多子数目就越多，多子浓度就越大，少越大，多子数目就越多，多子浓度就越大，少子数目越少，其浓度

13、也小。子数目越少，其浓度也小。u 掺杂后，多子浓度都将远大于少子浓度，且掺杂后，多子浓度都将远大于少子浓度，且即使是少量掺杂，载流子都会有几个数量级的即使是少量掺杂，载流子都会有几个数量级的增加，表明其导电能力增加，表明其导电能力显著增大显著增大。u 在杂质半导体中，多子浓度近似等于掺杂浓在杂质半导体中，多子浓度近似等于掺杂浓度，其值与温度几乎无关，而少子浓度也将随度，其值与温度几乎无关，而少子浓度也将随温度升高而显著增大，直到少子浓度增大与多温度升高而显著增大，直到少子浓度增大与多子浓度相当（不绝对相等），杂质半导体又回子浓度相当（不绝对相等），杂质半导体又回复到类似的本征半导体。复到类似的

14、本征半导体。第14页/共107页 注意：注意：u 在今后的分析中，我们会遇到这样的问题：在今后的分析中，我们会遇到这样的问题：少子浓度的温度敏感特性是导致半导体器件温少子浓度的温度敏感特性是导致半导体器件温度特性变差的主要原因。度特性变差的主要原因。u 而掺入不同的杂质，就能改变杂质半导体的而掺入不同的杂质，就能改变杂质半导体的导电类型，这也是制造导电类型，这也是制造PNPN结结和半导体器件的一和半导体器件的一种主要方法。种主要方法。第15页/共107页本节小结本节小结 1 1、半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。、半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。2 2、在一定温度下，本征半导体因本征

15、激发而产生、在一定温度下，本征半导体因本征激发而产生自由电子和空穴对，故其有一定的导电能力。自由电子和空穴对，故其有一定的导电能力。3 3、本征半导体的导电能力主要由温度决定；杂质、本征半导体的导电能力主要由温度决定；杂质半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定。半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定。4 4、P P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。N N型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。5 5、半导体的导电能力与温度、光强、杂质浓度和、半导体的导电能力与温度、光强、杂质浓度和材料性质有关。材料性质有关。第1

16、6页/共107页思考题：思考题：1.1.电子导电与空穴导电有什么区别？空穴电流是电子导电与空穴导电有什么区别？空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的？不是自由电子递补空穴所形成的？2.2.杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎么杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎么产生的？为什么杂质半导体中的少数载流子比本产生的？为什么杂质半导体中的少数载流子比本征半导体中的浓度还小。征半导体中的浓度还小。3.N3.N型半导体中的自由电子多于空穴，型半导体中的自由电子多于空穴，P P型半导体中型半导体中的空穴多于自由电子，是否的空穴多于自由电子，是否N N型半导体带负电，型半导体带负电，P P型半导体带

17、正电？型半导体带正电？第17页/共107页P型半导体和N型半导体有机地结合在一起时，因为P区一侧空穴多，N区一侧电子多，所以在它们的界界面面处处存存在在空空穴穴和和电电子子的的浓浓度度差差。于是P区中的空穴会向N区扩散，并在N区被电子复合。而N区中的电子也会向P区扩散，并在P区被空穴复合。这样在P区和N区分别留下了不能移动的受主负离子和施主正离子。上述过程如图(a)所示。结果在界面的两侧形成了由等量正、负离子组成的空间电荷区，如图(b)所示。P(a)N(b)U-+P N-+空间电荷区 内电场 B PN结的形成结的形成半导体物理基础知识-PN结形成1.4 1.4 电子器件电子器件 PN结形成时，

18、其内部载流子的运动主要是由于浓度差引起的，第18页/共107页开始时，扩散运动占优势，随着扩散运动的不断进行，界面两侧显露出的正、负离子逐渐增多，空间电荷区展宽，使内电场不断增强，于是漂移运动随之增强，而扩散运动相对减弱。最后，因浓度差而产生的扩散力被电场力所抵消，使扩散和漂移运动达到动态平衡。这时，虽然扩散和漂移仍在不断进行，但通过界面的净载流子数为零。平衡时，空间电荷区的宽度一定，UB也保持一定，如图(b)所示。由于空间电荷区内没有载流子，所以空间电荷区也称为耗尽区(层)。又因为空间电荷区的内电场对扩散有阻挡作用，好像壁垒一样，所以又称它为阻挡区或势垒区。半导体物理基础知识-PN结形成1.

19、4 1.4 电子器件电子器件 第19页/共107页几个重要概念：几个重要概念：几个重要概念：几个重要概念：扩散运动扩散运动扩散运动扩散运动 P P P P型和型和型和型和N N N N型半导体结合在一起时，由型半导体结合在一起时，由型半导体结合在一起时，由型半导体结合在一起时，由于交界面（接触界）两侧多子和少子的浓度有很大差别，于交界面（接触界）两侧多子和少子的浓度有很大差别，于交界面（接触界）两侧多子和少子的浓度有很大差别，于交界面（接触界）两侧多子和少子的浓度有很大差别，N N N N区的电子必然向区的电子必然向区的电子必然向区的电子必然向P P P P区运动，区运动，区运动，区运动，P

20、P P P区的空穴也向区的空穴也向区的空穴也向区的空穴也向N N N N区运动，这种区运动，这种区运动，这种区运动，这种由于浓度差而引起的运动称为扩散运动。由于浓度差而引起的运动称为扩散运动。由于浓度差而引起的运动称为扩散运动。由于浓度差而引起的运动称为扩散运动。漂移运动漂移运动漂移运动漂移运动 在扩散运动同时，在扩散运动同时，在扩散运动同时，在扩散运动同时，PNPNPNPN结构内部形成结构内部形成结构内部形成结构内部形成电荷区，（或称阻挡层，耗尽区等），在空间电荷区在内电荷区，（或称阻挡层，耗尽区等），在空间电荷区在内电荷区，（或称阻挡层，耗尽区等），在空间电荷区在内电荷区，（或称阻挡层，耗

21、尽区等），在空间电荷区在内部形成电场的作用下，少子会定向运动产生漂移，即部形成电场的作用下，少子会定向运动产生漂移，即部形成电场的作用下，少子会定向运动产生漂移，即部形成电场的作用下，少子会定向运动产生漂移，即N N N N区区区区空穴向空穴向空穴向空穴向P P P P区漂移，区漂移，区漂移，区漂移，P P P P区的电子向区的电子向区的电子向区的电子向N N N N区漂移。区漂移。区漂移。区漂移。第20页/共107页 空间电荷区空间电荷区空间电荷区空间电荷区 在在在在PNPNPNPN结的交界面附近，结的交界面附近，结的交界面附近，结的交界面附近，由于扩散运动使电子与空穴复合，多子的浓度下降，

22、由于扩散运动使电子与空穴复合，多子的浓度下降，由于扩散运动使电子与空穴复合，多子的浓度下降，由于扩散运动使电子与空穴复合，多子的浓度下降，则在则在则在则在P P P P 区和区和区和区和N N N N区分别出现了由不能移动的带电离子构区分别出现了由不能移动的带电离子构区分别出现了由不能移动的带电离子构区分别出现了由不能移动的带电离子构成的区域，这就是空间电荷区，又称为阻挡层，耗尽成的区域，这就是空间电荷区，又称为阻挡层，耗尽成的区域，这就是空间电荷区，又称为阻挡层，耗尽成的区域，这就是空间电荷区，又称为阻挡层，耗尽层，垫垒区。层，垫垒区。层，垫垒区。层，垫垒区。内部电场内部电场内部电场内部电场

23、由空间电荷区（即由空间电荷区（即由空间电荷区（即由空间电荷区（即PNPNPNPN结的交结的交结的交结的交界面两侧的带有相反极性的离子电荷）将形成由界面两侧的带有相反极性的离子电荷）将形成由界面两侧的带有相反极性的离子电荷）将形成由界面两侧的带有相反极性的离子电荷）将形成由N N N N区区区区指向指向指向指向P P P P区的电场区的电场区的电场区的电场E E E E，这一内部电场的作用是阻挡多子，这一内部电场的作用是阻挡多子，这一内部电场的作用是阻挡多子，这一内部电场的作用是阻挡多子的扩散，加速少子的漂移。的扩散，加速少子的漂移。的扩散，加速少子的漂移。的扩散，加速少子的漂移。耗尽层耗尽层耗

24、尽层耗尽层在无外电场或外激发因素时，在无外电场或外激发因素时，在无外电场或外激发因素时，在无外电场或外激发因素时，PNPNPNPN结处于动态平衡没有电流，内部电场结处于动态平衡没有电流，内部电场结处于动态平衡没有电流，内部电场结处于动态平衡没有电流，内部电场E E E E为恒定值，为恒定值，为恒定值，为恒定值，这时空间电荷区内没有载流子，故称为耗尽层。这时空间电荷区内没有载流子，故称为耗尽层。这时空间电荷区内没有载流子，故称为耗尽层。这时空间电荷区内没有载流子，故称为耗尽层。第21页/共107页PNPNPNPN结内部载流子的运动过程如下：（无外加电场作结内部载流子的运动过程如下：（无外加电场作

25、结内部载流子的运动过程如下：（无外加电场作结内部载流子的运动过程如下：（无外加电场作用时）用时）用时）用时）N 区电子P 区 IDnPN结两端掺杂浓度不均 扩散运动 P 区空穴N 区 P 区：电子 与空穴复合 空间电荷区宽n复合 N 区：空穴 与电子复合 内部电场Uho P 区电子 N区空间电荷区窄 n 漂移 少子的漂移运动 N 区空穴 P区内部电场Uho 第22页/共107页n 扩散 ID=IT 是动态平衡n 趋于平衡 n 电场 扩散电流 ID 等于漂移电流 ITn 流过空间电荷区的总电流为 0n n 即：PN 结中的净电流为 0。结论：在无外激发因素（光照、加热、电场作用）时，PN结内部的

26、扩散与漂移运动达到动态平衡，扩散电流 ID=漂移电流 IT，但方向相反，故此时PN结中无电流通过，形成一定的宽度的耗尽层。第23页/共107页半导体物理基础知识-PN结形成1.4 1.4 电子器件电子器件 实际中，如果P区和N区的掺杂浓度相同，则耗尽区相对界面对称，称为对称结，见上图(b)。如果一边掺杂浓度大(重掺杂)，一边掺杂浓度小(轻掺杂)，则称为不对称结，用P+N或PN+表示(+号表示重掺杂区)。这时耗尽区主要伸向轻掺杂区一边，如图18(a)，(b)所示。P N+-+耗尽区耗尽区 图图18不对称的不对称的PN结结(b)P+N-+耗尽区耗尽区(a)第24页/共107页使P区电位高于N区电位

27、的接法，称PN结加正向电压或正向偏置(简称正偏)，如图19所示。+内电场 U U B U R E 图图19 正向偏置的正向偏置的PN结结 P N-+耗尽区 使P区电位低于N区电位的接法，称PN结加反向电压或反向偏置(简称反偏)，如图110所示。图图110 反向偏置的反向偏置的PN结结 内电场 U U B U R E P N-+耗尽区 半导体物理基础知识-PN结导电特性1.4 1.4 电子器件电子器件 动画第25页/共107页理论分析证明，流过PN结的电流i与外加电压u之间的关系为 式中，IS为反向饱和电流，其大小与PN结的材料、制作工艺、温度等有关；UT=kT/q，称为温度的电压当量或热电压。

28、在T=300K(室温)时，UT=26mV。这是一个今后常用的参数。1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体物理基础知识-PN结导电特性第26页/共107页由式可知，加正向电压时，u只要大于UT几倍以上，iIseu/UT，即i随u呈指数规律变化；加反向电压时，|u|只要大于UT几倍以上，则iIS(负号表示与正向参考电流方向相反)。因此，式(14)的结果与上述的结论完全一致。由式(14)可画出PN结的伏安特性曲线，如图所示。图中还画出了反向电压大到一定值时，反向电流突然增大的情况。u i 0 T T U BR PN结的伏安特性结的伏安特性 1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体物理基础知识-PN

29、结导电特性第27页/共107页UI死区电压死区电压 硅管硅管0.6V,锗管锗管0.2V。导通压降导通压降:硅硅管管0.60.7V,锗锗管管0.20.3V。反向击穿反向击穿电压电压UBR PN结的伏安特性结的伏安特性 第28页/共107页一、PN结的击穿特性由图111看出，当反向电压超过UBR后稍有增加时，反向电流会急剧增大，这种现象称为PN结击穿，并定义UBR为PN结的击穿电压。PN结发生反向击穿的机理可以分为两种。1 雪崩击穿雪崩击穿 在轻掺杂的PN结中，当外加反向电压时，耗尽区较宽，少子漂移通过耗尽区时被加速，动能增大。当反向电压大到一定值时，在耗尽区内被加速而获得高能的少子，会与中性原子

30、的价电子相碰撞，将其撞出共价键，产生电子、空穴对。新产生的电子、空穴被强电场加速后，又会撞出新的电子、空穴对。2齐纳击穿齐纳击穿 在重掺杂的PN结中，耗尽区很窄，所以不大的反向电压就能在耗尽区内形成很强的电场。当反向电压大到一定值时，强电场足以将耗尽区内中性原子的价电子直接拉出共价键，产生大量电子、空穴对，使反向电流急剧增大。这种击穿称为齐纳击穿或场致击穿。一般来说，对硅材料的PN结，UBR7V时为雪崩击穿；UBR5V时为齐纳击穿；UBR介于57V时，两种击穿都有。1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体物理基础知识-PN结特性第29页/共107页二、PN结的电容特性结的电容特性 PN结具有电

31、容效应，它由势垒电容和扩散电容两部分组成。1 势垒电容势垒电容 从PN结的结构看，在导电性能较好的P区和N区之间，夹着一层高阻的耗尽区，这与平板电容器相似。当外加电压增大时，多子被推向耗尽区，使正、负离子减少，相当于存贮的电荷量减少；当外加电压减小时，多子被推离耗尽区，使正、负离子增多，相当于存贮的电荷量增加。因此，耗尽区中存贮的电荷量将随外加电压的变化而改变。这一特性正是电容效应，并称为势垒电容，用CT表示。经推导，CT可表示为1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体物理基础知识-PN结特性第30页/共107页(15)式中：CT0为外加电压u=0时的CT值，它由PN结的结构、掺杂浓度等决定；

32、UB为内建电位差；n为变容指数，与PN结的制作工艺有关，一般在1/36之间。2扩散电容扩散电容 正向偏置的PN结，由于多子扩散，会形成一种特殊形式的电容效应。下面利用图112中P区一侧载流子的浓度分布曲线来说明。1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体物理基础知识-PN结特性第31页/共107页同理，在N区一侧，非平衡空穴的浓度也有类似的分布和同样的变化，引起存贮电荷的增加量Qp。这种外加电压改变引起扩散区内存贮电荷量变化的特性，就是电容效应，称为扩散电容，用CD表示。如果引起Qn,Qp的电压变化量为u，则(16)对PN+结，可以忽略Qp/u项。经理论分析可得1.4 1.4 电子器件电子器件

33、半导体物理基础知识-PN结特性第32页/共107页式中：n为P区非平衡电子的平均命；I为PN结电流，由式(14)确 由式(15)、(16)可知，CT、CD都随外加电压的变化而变化，所以势垒电容和扩散电容都是非线性电容。由于CT和CD均等效地并接在PN结上，因而，PN结上的总电容Cj为两者之和，即Cj=CT+CD。正偏时以CD为主，CjCD，其值通常为几十至几百pF；反偏时以CT为主，CjCT,其值通常为几至几十pF。因为CT和CD并不大，所以在高频工作时，才考虑它们的影响。1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体物理基础知识-PN结特性第33页/共107页三、三、PN结的温度特性结的温度特性

34、PN结特性对温度变化很敏感，反映在伏安特性上即为：温度升高，正向特性左移，反向特性下移，如图111中虚线所示。具体变化规律是：保持正向电流不变时，温度每升高1，结电压减小约22.5mV，即 u/T(22.5)mV/(17)温度每升高10，反向饱和电流IS增大一倍。如果温度为T1时，IS=IS1；温度为T2时，IS=IS2，则(18)当温度升高到一定程度时，由本征激发产生的少子浓度有可能超过掺杂浓度，使杂质半导体变得与本征半导体一样，这时PN结就不存在了。因此，为了保证PN结正常工作，它的最高工作温度有一个限制，对硅材料约为(150200)，对锗材料约为(75100)。1.4 1.4 电子器件电

35、子器件 半导体物理基础知识-PN结特性第34页/共107页晶体二极管是由PN结加上电极引线和管壳构成的，其结构示意图和电路符号分别如图113(a),(b)所示。符号中，接到P型区的引线称为正极(或阳极)，接到N型区的引线称为负极(或阴极)。利用PN结的特性，可以制作多种不同功能的晶体二极管，例如普通二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管等。其中，具有单向导电特性的普通二极管应用最广。本节主要讨论普通二极管及其基本应用电路。另外，简要介绍稳压二极管及其稳压电路。P N 正极 负极(a)负极 正极(b)图图113 晶晶体体二二极极管管结结构构示示意意图图及及电电路路符符号号(a)结结构示意图；

36、构示意图；(b)电路符号电路符号1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管第35页/共107页1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管第36页/共107页普通二极管的典型伏安特性曲线如图114所示。实际二极管由于引线的接触电阻、P区和N区体电阻以及表面漏电流等影响，其伏安特性与PN结的伏安特性略有差异。由图可以看出，实际二极管的伏安特性有如下特点：一、正向特性一、正向特性 正向电压只有超过某一数值时，才有明显的正向电流。这一电压称为导通电压或死区电压，用UD(on)表示。室温下，硅管的UD(on)=(0.50.6)V，锗管的UD(on)=(0.10.2)V。二、反向特性二、反向特性

37、于表面漏电流影响，二极管的反向电流要比理想PN结的IS大得多。而且反向电压加大时，反向电流也略有增大。尽管如此，对于小功率二极管，其反向电流仍很小，硅管一般小于0.1A，锗管小于几十微安。u/V 0 i/mA 10 20 30 5 10 0.5 0.5 图图114 二极管伏安二极管伏安特性曲线特性曲线1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管-伏安特性第37页/共107页1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管-伏安特性伏安特性（伏安特性（VARVAR）：）：与与PNPN结的结的VARVAR差不多，二极管的差不多，二极管的VARVAR也服从也服从PNPN结方结方程程 ：I=IS(eU

38、/UT-1)其他特性：其他特性：由由于于一一只只二二极极管管就就是是一一个个PNPN结结，故故二二极极管管的的特特性性与与PNPN结的特性差不多，也同样具有：结的特性差不多，也同样具有：单向导电性、温度特性、反向击穿特性单向导电性、温度特性、反向击穿特性第38页/共107页下面介绍晶体二极管的主要参数及其意义：一、直流电阻RD RD定义为：二极管两端所加直流电压UD与流过它的直流电流ID之比，即 RD不是恒定值，正向的RD随工作电流增大而减小，反向的RD随反向电压增大而增大。RD的几何意义见图115(a)，即Q(ID,UD)点到原点直线斜率的倒数。显然，图中Q1点处的RD小于Q2点处的RD。(

39、19)1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管-参数第39页/共107页二、交流电阻二、交流电阻rD rD定义为：二极管在其工作状态(IDQ,UDQ)处的电压微变量与电流微变量之比，即(110)rD的几何意义见图115(b)，即二极管伏安特性曲线上Q(IDQ,UDQ)点处切线斜率的倒数。rD可以通过对式(14)求导得出，即(111)1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管-参数第40页/共107页可见rD与工作电流IDQ成反比，并与温度有关。室温条件下(T=300K):通过对二极管交、直流电阻的分析可知，由于二极管的非线性伏安特性，所以交、直流电阻均是非线性电阻，即特性曲线上不同点

40、处的交、直流电阻不同，同一点处交流和直流电阻也不相同。(112)1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管-参数第41页/共107页0 U D u I D u(a)i Q 1 Q 2 0 u(b)i Q i 图图115二极管电阻的几何意义二极管电阻的几何意义 (a)直流电阻直流电阻RD；(b)交流电阻交流电阻rD1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管-参数第42页/共107页三、最大整流电流三、最大整流电流IF IF指二极管允许通过的最大正向平均电流。实际应用时，流过二极管的平均电流不能超过此值。四、最大反向工作电压四、最大反向工作电压URM URM指二极管工作时所允许加的最大反向

41、电压，超过此值容易发生反向击穿。通常取UBR的一半作为URM。五、反向电流五、反向电流IR IR指二极管未击穿时的反向电流。IR越小，单向导电性能越好。IR与温度密切相关，使用时应注意IR的温度条件。六、最高工作频率六、最高工作频率fM fM是与结电容有关的参数。工作频率超过fM时，二极管的单向导电性能变坏。1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管-参数第43页/共107页1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管-参数二极管的选择二极管的选择 要求导通电压低时选锗管，要求反向电流小要求导通电压低时选锗管，要求反向电流小时选硅管。时选硅管。要求导通电流大时选平面型，要求反向工作要求导

42、通电流大时选平面型，要求反向工作频率高时选点接触型。频率高时选点接触型。要求反向击穿电压高时选硅管；要求反向击穿电压高时选硅管；要求耐高温时选硅管。要求耐高温时选硅管。第44页/共107页稳压二极管是利用PN结反向击穿后具有稳压特性制作的二极管，其除了可以构成限幅电路之外，主要用于稳压电路。一、稳压二极管的特性一、稳压二极管的特性 稳压二极管的电路符号及伏安特性曲线如图121所示。由图可见，它的正、反向特性与普通二极管基本相同。区别仅在于击穿后，特性曲线更加陡峭，即电流在很大范围内变化时(IZminIIZmax)，其两端电压几乎不变。这表明，稳压二极管反向击穿后，能通过调整自身电流实现稳压。稳

43、压二极管击穿后，电流急剧增大，使管耗相应增大。因此必须对击穿后的电流加以限制，以保证稳压二极管的安全。(a)u i 0 I Zmin I Zmax U Z(b)图图1-21 稳压二极管及其特性曲线稳压二极管及其特性曲线(a)电路符号；电路符号；(b)伏安特性曲线伏安特性曲线1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体稳压二极管第45页/共107页二、稳压二极管的主要参数二、稳压二极管的主要参数 1.稳定电压稳定电压UZ UZ是指击穿后在电流为规定值时，管子两端的电压值。由于制作工艺的原因，即使同型号的稳压二极管，UZ的分散性也较大。使用时可通过测量确定其准确值。2.额定功耗额定功耗PZ PZ是由管

44、子结温限制所限定的参数。PZ与PN结所用的材料、结构及工艺有关，使用时不允许超过此值。1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体稳压二极管第46页/共107页3.稳压电流稳压电流IZ IZ是稳压二极管正常工作时的参考电流。工作电流小于此值时，稳压效果差，大于此值时，稳压效果好。稳定电流的最大值IZmax有一限制，即IZmax=PZ/UZ。工作电流不允许超过此值，否则会烧坏管子。另外，工作电流也有最小值IZmax的限制，小于此值时，稳压二极管将失去稳压作用。4.动态电阻动态电阻rZ rZ是稳压二极管在击穿状态下，两端电压变化量与其电流变化量的比值。反映在特性曲线上，是工作点处切线斜率的倒数。rZ随

45、工作电流增大而减小。rZ的数值一般为几欧姆到几十欧姆。5.温度系数温度系数 是反映稳定电压值受温度影响的参数，用单位温度变化引起稳压值的相对变化量表示。通常，UZ7V时具有正温度系数(因雪崩击穿具有正温系数)；而UZ在5V到7V之间时，温度系数可达最小1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体稳压二极管第47页/共107页三、稳压二极管稳压电路三、稳压二极管稳压电路 稳压二极管稳压电路如图122所示。图中Ui为有波动的输入电压，并满足UiUZ。R为限流电阻，RL为负载。V Z U i U o R R L I L I Z 图图122稳压二极管稳压电路稳压二极管稳压电路 1.4 1.4 电子器件电子

46、器件 半导体稳压二极管第48页/共107页下面来说明限流电阻R的选择方法。由图121可知，当Ui,RL变化时，IZ应始终满足IzminIZRmax的结果，则说明在给定条件下，已超出了VZ管的稳压工作范围。这时，需要改变使用条件或重新选择大容量稳压二极管，以满足RminRmax。第49页/共107页1.4 1.4 电子器件电子器件 负载电阻负载电阻 。要求要求当输入电压由正常值发生当输入电压由正常值发生 20%20%波动波动时，负载电压基本不变。时，负载电压基本不变。u uo oi iZ ZD DZ ZR Ri iL Li iu ui iR RL L稳压管的技术参数:解：令输入电压达到上限时，流

47、过稳压管的电流为解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为I Iz zmax max。求：求：电阻电阻R R和输入电压和输入电压 u ui i 的正常值。的正常值。方程方程1 1稳压二极管的应用举例第50页/共107页1.4 1.4 电子器件电子器件 稳压二极管的应用举例令输入电压降到下限时，流过稳令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为压管的电流为Izmin。方程方程2uoiZDZRiLiuiRL联立方程联立方程1、2，可解得：，可解得：第51页/共107页二极管的最重要的应用是作为“开关”。由此而引申出来的有整流、限幅及电平选择等诸多方面的应用。在任何应用电路中，最核心的问题是如何判断二

48、极管是处于导通或是截止状态。如果是导通的，二极管即可视为短路或0.7V(锗材料为0.3V)，反之，是截止的，即可视为为开路。1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管应用第52页/共107页一、二极管整流电路一、二极管整流电路 把交流电变为直流电，称为整流。一个简单的二极管半波整流电路如图117(a)所示。若二极管为理想二极管，当输入一正弦波时，由图可知：正半周时，二极管导通(相当开关闭合)，uo=ui；负半周时，二极管截止(相当开关打开)，uo=0。其输入、输出波形见图117(b)。整流电路可用于信号检测，也是直流电源的一个组成部分。1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管应用第5

49、3页/共107页t t u o 0 u i 0(b)V u i u o R L(a)图117二极管半波整流电路及波形(a)电路；(b)输入、输出波形关系1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管应用动画第54页/共107页二、二极管限幅电路二、二极管限幅电路 限幅电路也称为削波电路，它是一种能把输入电压的变化范围加以限制的电路，常用于波形变换和整形。限幅电路的传输特性如图118所示.u i 0 U IL u o U omax U omin U IH 图图118 限幅电路的传输特性限幅电路的传输特性1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管应用动画第55页/共107页一个简单的上限幅电路

50、如图 119(a)所 示。利 用 图 116(c)的二极管模型可知，当uiE+UD(on)=2.7V时，V导通，uo=2.7V，即将ui的最大电压限制在2.7V上；当ui2.7V时，V截止，二极管支路开路，uo=ui。图119(b)画出了输入一5V的正弦波时，该电路的输出波形。可见，上限幅电路将输入信号中高出2.7V的部分削平了。t V u i u o R(a)E 2V u i/V 0(b)5 5 t u o/V 0 5 2.7 图图119二极管上限幅电路及波形二极管上限幅电路及波形(a)电路；电路；(b)输入、输出波形关系输入、输出波形关系1.4 1.4 电子器件电子器件 半导体二极管应用第