第2章电子技术基础.pptx
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1、2.1 2.1 半导体三极管 三极管的结构三极管的结构 三极管是由两个PN结构成的,其基本特性是具有电流放大作用。三极管按其结构不同分为NPN型和PNP型两种。相应的结构示意图及电路符号如图2.1所示。第1页/共117页图2.1 三极管的结构及符号第2页/共117页 三极管内部结构分为发射区、基区和集电区,相应的引出电极分别为发射极e、基极b和集电极c。发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为集电结。电路符号中,发射极的箭头方向表示三极管在正常工作时发射极电流的实际方向。第3页/共117页 三极管在制作时,其内部结构特点是:(1)发射区掺杂浓度高;(2)基区很薄,且掺杂
2、浓度低;(3)集电结面积大于发射结面积。以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。第4页/共117页 三极管按其所用半导体材料不同,分为硅管和锗管;按用途不同,分为放大管、开关管和功率管;按工作频率不同,分为低频管和高频管;按耗散功率大小不同,分为小功率管和大功率管等。一般硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。第5页/共117页三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 1.三极管放大的条件 三极管实现电流放大的外部偏置条件:发射结正偏,集电结反偏,此时,各电极电位之间的关系是:NPN型 UCUBUE PNP型 UCUBUE 如图2.2所示。第6页/共117页图2.2 三极管放大的外部偏置条件第7页
3、/共117页 2.电流分配关系 图2.3是NPN管放大实验电路。图2.3 放大实验电路第8页/共117页 电路中的三极管的偏置满足发射结正偏,集电结反偏。发射结正偏,可使发射区的多子(自由电子)通过PN结注入到基区,以形成基极电流IB;集电结反偏,使集电极电位高于基极电位,于是在集电结上有一个较强的电场,把由发射区注入到基区的自由电子大部分拉到集电区,形成集电极电流IC。调节Rb,改变IB的大小,得出相应的IC和IE的数据,如表2.1所示。第9页/共117页表2.1 电流放大实验数据 IB(mA)-0.004 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 IC(mA)0.004 0.0
4、1 1.09 2.08 3.07 4.06 5.05 IE(mA)0 0.01 1.10 2.10 3.10 4.10 5.10由表可得:三极管各电极电流分配关系是:I IE=I IB+I IC由于基极电流很小,因而I IEI IC。第10页/共117页 通常称 为共射极直流电流放大系数,因而有:通常 称为共射极交流电流放大系数。由表2.1还可知:第11页/共117页 3.放大作用的实质 由上述实验结果可知,当IB有一微小变化时,能引起IC较大的变化,这种现象称为三极管的电流放大作用。电流放大作用的实质是通过改变基极电流电流放大作用的实质是通过改变基极电流I IB的大小,达到控制的大小,达到控
5、制I IC的目的的目的,而并不是真正把微小电流放大了,因此称三极管为电流控制型器件。第12页/共117页 例2.1 测得工作在放大状态的三极管两个电极的电流如图2.4所示。(1)求另一个电极的电流,并在图中标出实际方向。(2)标出e、b、c极,并判断出该管是NPN型还是PNP型管。(3)估算其值。第13页/共117页图2.4 例2.1图第14页/共117页 解:(1)图2.4(a)中、管脚的电流均为流入,则管脚的电流必为流出,且大小为0.1+4=4.1(mA),如图2.4(b)所示。(2)由于管脚的电流最大,管脚的电流最小,因此管脚为b极,管脚为c极,管脚为e极。又由于管脚的发射极电流为流出,
6、故该管为NPN型管。(3)由于IB=0.1mA,IC=4mA,故:第15页/共117页 三极管的特性曲线三极管的特性曲线 1.输入特性曲线 三极管的输入特性曲线如图2.5所示。图2.5 三极管的输入特性曲线第16页/共117页 由图2.5所示的输入特性曲线可以看出:曲线是非线性的,也存在一段死区,当外加UBE电压小于死区电压时,三极管不能导通,处于截止状态。三极管正常工作时,UBE变化不大,对于硅管,UBE约为0.7V左右,锗管的约为0.3V左右。第17页/共117页 2.输出特性曲线 当IB取值不同时,就有一条不同的输出特性曲线,如图2.6所示。图2.6 三极管的输出特性曲线第18页/共11
7、7页 3.三极管的三个工作区 (1)三极管输出特性曲线中,IB=0的输出特性曲线以下,横轴以上的区域称为截止区。其特点是:发射结和集电结均为反偏发射结和集电结均为反偏,各电极电流很小,相当于一个断开的开关。各电极电流很小,相当于一个断开的开关。(2)输出特性曲线中,截止区以上平坦段组成的区域称为放大区。其特点是:发射结正偏,集电结反偏。此时IC受控于IB;同时IC与UCE基本无关,可近似看成恒流。此区内三极管具有电流放大作用。第19页/共117页 (3)输出特性曲线中,UCEUBE的区域,即曲线的上升段组成的区域称为饱和区。饱和区的特点是:发射结和集电结均为正偏。饱和区的特点是:发射结和集电结
8、均为正偏。饱和时的UCE称为饱和压降,用UCES表示,UCES很小,一般约为0.3V。工作在此区的三极管相当于一个闭合的开关,没有电流放大作用。工作在此区的三极管相当于一个闭合的开关,没有电流放大作用。第20页/共117页 三极管的主要参数三极管的主要参数 1.电流放大系数 电流放大系数是反映三极管电流放大能力的基本参数,主要有 和 2.极间反向电流 (1)ICBO是指发射极开路时从集电极流到基极的反向电流。如图2.7(a)所示。第21页/共117页图2.7 极间反向电流 第22页/共117页 (2)穿透电流ICEO 是指基极开路(IB=0)、集电极与发射极之间加上规定的电压时,从集电极流到发
9、射极的电流。如 图2.7(b)所示。它与ICBO之间的关系为:ICEO=(1+)ICBO 3.极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM (2)集电极发射极间击穿电压U(BR)CEO (3)集电极最大允许功耗PCM第23页/共117页 例2.2 若测得放大电路中工作在放大状态的三个三极管的三个电极对地电位U1、U2、U3分别为下述数值,试判断它们是硅管还是锗管?是NPN型还是PNP型?并确定c、b、e极。(1)U1=2.5V U2=6V U3=1.8V (2)U1=6V U2=3V U3=2.7V (3)U1=1.7V U2=2V U3=0V第24页/共117页 解:(1)由于U13=U1 U3
10、=0.7V,故该管为硅管,且1、3管脚中一个是e极,一个是b极,则2脚为c极。又因为2脚电位最高,故该管为NPN型,从而得出1脚为b极,3脚为e极。(2)由于U23=0.3V,故该管为锗管,且2、3管脚中一个是e极,一个是b极,则1脚为c极。又因为1脚电位最低,故该管为PNP型,从而得出2脚为b极,3脚为e极。第25页/共117页 (3)由于U12=0.3V,故该管为锗管,且1、2管脚中一个是e极,一个是b极,则3脚为c极。又因为,3脚电位最高,故该管为NPN型,从而得出1脚为b极,2脚为e极。第26页/共117页 三极管的测试及手册的使用三极管的测试及手册的使用 1.万用表测试三极管 常见几
11、种国产三极管管脚图排列如表2.2所示。第27页/共117页表2.2 常用三极管管脚排列第28页/共117页 基极及管型的判别:具体测试方法如图2.8(a)所示。集电极和发射极的判别:具体测试方法如图2.8(b)所示,在实际测试中,常用手指代替100k的电阻。第29页/共117页(a)基极的测试 (b)集电极和发射极的测试图2.8 三极管管脚的测试第30页/共117页 (2)判别ICEO的大小 对于NPN管,将万用表置于电阻档的R100或R1K档后,将黑表笔接c极,红表笔接e极,测量阻值,所测阻值越大,表明ICEO越小。PNP管的接法与之相反。(3)判别的大小 将万用表置于hFE档,将三极管的c
12、、b、e管脚插入面板上相映的插孔中,利用表头读数即可。第31页/共117页 2.手册的使用 (1)根据电路对三极管的要求查阅手册,从而确定选用三极管的型号,其极限参数ICM、U(BR)CEO和PCM应分别大于电路对管子的集电极最大允许电流、集电极发射极间击穿电压和集电极最大允许功耗的要求。(2)当三极管的型号确定后,应选极间反向电流小的管子。第32页/共117页 (3)在维修电子设备时,若发现三极管损坏,应该用同型号的管子替换。若找不到同型号的管子而需要用其它型号的管子来替换时,应注意:要用同种材料、同种类型的管子替换;替换管子的参数ICM、U(BR)CEO和PCM一般不得低于原管。三极管的命
13、名方法见附录1,型号参数举例见附录4及附录5。第33页/共117页 特种三极管简介特种三极管简介 1.光电三极管 光电三极管如图2.9所示。(a)结构示意图 (b)电路符号 (c)基本电路图2.9 光电三极管第34页/共117页 2.光电耦合器 光电耦合器如图2.10所示。图2.10 光电耦合器第35页/共117页l 试说出三极管的各种分类。l 如何在三极管输出特性曲线的放大区求出某一工作点Q的 和?l 如何利用万用表检测三极管的管脚及其好坏?l 比较普通三极管和特殊三极管的异同。2.1思考题返回第36页/共117页2.2 基本放大电路 放大电路的基本知识放大电路的基本知识 1.放大的概念 所
14、谓放大,就是用较小的输入信号去控制较大的输出信号,且输出与输入之间有相应的变化关系。所谓放大,就是用较小的输入信号去控制较大的输出信号,且输出与输入之间有相应的变化关系。其方框图如图2.11所示。第37页/共117页图 2.11 放大电路方框图第38页/共117页 2.放大电路的性能指标 (1)放大倍数第39页/共117页 (2)输入电阻ri ri就是向放大电路输入端看进去的等效电阻,ri越大,表明放大电路从信号源索取的电流越小,放大电路输入端所得的电压越接近信号源电压,对于电压放大器,要求ri要大。(3)输出电阻ro 对于负载来说,放大器相当于一个带有内阻的信号源,这个内阻就是输出电阻,ro
15、的大小反映了放大器带负载能力的强弱。如图2.12所示。第40页/共117页图2.12 求输出电阻的等效电路第41页/共117页 (4)非线性失真 放大器的输出信号波形与输入信号波形如图2.13所示。(a)不失真波形 (b)失真波形图2.13 放大器的非线性失真第42页/共117页 基本放大电路的组成及原理基本放大电路的组成及原理 1.电路组成 电路如图2.14所示。图2.14 基本放大电路第43页/共117页 2.工作原理 设输入正弦交流信号为ui,则 uBE=UBE+ui iB=IB+ib iC=IC+ic uCE=UCC iC RC,最后,通过隔直电容的作用,uCE中的交流成分uce到达输
16、出端,形成输出电压uo。上述各电流、电压波形如图2.15所示。第45页/共117页图2.15 放大器有关电流、电压波形 第46页/共117页 由图2.15可以看出:uo的幅度远大于ui的幅度,可见该电路将ui进行了放大,且uo与ui的相位相反。晶体管放大电路中各电流、电压的名称和符号如表2.3所示。第47页/共117页 名称 静态值 正弦交流分量 总电流或电压 直流电源 瞬时值 有效值 瞬时值 对地电压基极电流 IB ib Ib iB集电极电流 IC ic Ic iC发射极电流 IE ie Ie iE集-射极电压 UCE uce Uce uCE基-射极电压 UBE ube Ube uBE集电极
17、电源 VCC基极电源 VBB发射极电源 VEE表2.3 放大电路中各电流、电压的名称和符号第48页/共117页2.2思考题思考题l 简述基本放大电路的工作原理。l 放大电路的性能指标有那些?返回第49页/共117页2.3 放大电路的静态工作点 对输出波形的影响 放大电路输入端未加交流信号(即ui=0)时,电路的工作状态称为直流状态,简称静态。将静态时IB、UBE、IC、UCE称为静态工作点,用Q表示。Q点过高或过低都将产生非线性失真,所以必须设置合适的Q点。静态工作点对输出波形的影响如图2.16所示。第50页/共117页图2.16 静态工作点的影响第51页/共117页 当静态工作点位置适当(Q
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