第5章场效应管.pptx
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1、P沟道耗尽型P沟道P沟道N沟道增强型N沟道N沟道(耗尽型)FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)耗尽型耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在增强型增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道场效应管的分类:场效应管的分类:第1页/共22页一、场效应管一、场效应管(以(以N沟道为例)沟道为例)场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d),对应于晶体管的e、b、c;有三个工作区域:截止区(夹断区)、恒流区、可变电阻区,对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。1.结型场效应管
2、结型场效应管导电沟道源极栅极漏极符号结构示意图第2页/共22页栅栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用源电压对导电沟道宽度的控制作用沟道最宽沟道变窄沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压?UGS(off)第3页/共22页漏漏-源电压源电压uDS对漏极电流的影响对漏极电流的影响uGSUGS(off)且不变,VDS增大 iD增大。预夹断uGDUGS(off)VDS的增大,几乎全部用来克服沟道的电阻,iD几乎不变,进入恒流区,iD几乎仅仅决定于uGS。场效应管工作在恒流区的条件是什么?uGDUGS(off)uGDUGS(off)uGD=uGS-uDSuDS uGS-uG
3、S(off)第4页/共22页夹断电压漏极饱和电流转移特性转移特性场效应管工作在恒流区,因而 uGSUGS(off);uDS uGS-UGS(off)。第5页/共22页uGS控制d-s间的等效电阻Rds=uDS/iD输出特性输出特性预夹断轨迹,uGDUGS(off)可变电阻区恒流区iD几乎仅决定于uGS击穿区夹断区(截止区)夹断电压IDSSiD 不同型号的管子UGS(off)、IDSS将不同。低频跨导:uDS=uGS-uGS(off)第6页/共22页2.绝缘栅型场效应管(MOS管)uGS增大,反型层(N型导电沟道)将变厚变长。当反型层将两个N区相接时,形成导电沟道。(一).N沟道增强型管SiO2
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