脉冲波形产生与整形.pptx
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1、16.1 6.1 概概概概 述述述述图6.1.1 描述矩形脉冲特性的主要参数 因为在数字系统中,所处理的信号大都是数字信号和脉冲信号,因此首先应该对如何描述一个脉冲信号的各种参数有一个明确的规定。第2页/共95页第1页/共95页2脉冲周期T周期性重复的脉冲序列中,两个相邻脉冲之间的时间间隔。频率 f表示单位时间内脉冲重复的次数。f=1/T脉冲幅度 Vm脉冲电压的最大变化幅度。脉冲宽度 tw从脉冲前沿到达0.5 Vm起,到脉冲后沿到达0.5 Vm为止的 一段时间。上升时间 tr脉冲上升沿从 0.1 Vm上升到0.9 Vm所需要的时间。下降时间 tf脉冲下降沿从 0.9 Vm下降到 0.1Vm所需
2、要的时间。占空比q脉冲宽度与脉冲周期的比值,亦即q=tw/T。第3页/共95页第2页/共95页36.2 施施密密特特触发器触发器施密特触发器(Schmitt Trigger)特点输入信号从低电平上升到触发电平使电路转换状态,当输入信号下降到另外一个电平,电路又回到原来状态。但触发电平和返回电平不一样,存在滞后现象,或叫回差。电路转换状态时,通过内部的正反馈作用,使输出信号的变化沿非常陡峭。因此可以将缓慢变化的信号整形为边沿陡峭的矩形波,而且因为回差电压的存在,还可以有效抑制干扰。vIvOtt第4页/共95页第3页/共95页46.2.1 用门电路组成的施密特触发器 1.用CMOS门电路组成的施密
3、特触发器图6.2.1 用CMOS反相器构成的施密特触发器(a)电路 (b)图形符号R10.7V时,由于射级耦合,将发生正反馈,即最终使T2截止,T1饱和,vO=VOL。当vI下降到VT使vBE10.7V时,又开始正反馈过程,即最终使T1又截止,T2饱和,vO=VOH。第11页/共95页第10页/共95页11(2)参数计算 T1截止,T2饱和时的电路方程为得出:将参数代入后解出:(6.2.7)(6.2.8)(6.2.9)(6.2.10)当vI上升到T1刚导通时,开始正反馈,因此此时的输入为正向阈值电压:第12页/共95页第11页/共95页12 当vI下降到使T2刚开始导通时,即VCE1=0.7V
4、时,正反馈开 始,因此,此时的输入电压为负向阈值电压,有:因此负向阈值电压为:回差电压为:第13页/共95页第12页/共95页13图6.2.5 集成施密特触发器7413的电压传输特性第14页/共95页第13页/共95页142.CC40106 CMOS集成施密特触发器图6.2.6 CMOS集成施密特触发器CC40106第15页/共95页第14页/共95页15图6.2.7 集成施密特触发器CC40106的特性(a)电压传输特性(b)VDD对VT、VT的影响第16页/共95页第15页/共95页166.2.3 施施密密特特触发器触发器的应用的应用一、用于波形变换图6.2.8 用施密特触发器实现波形变换
5、第17页/共95页第16页/共95页17二、用于脉冲整形图6.2.9 用施密特触发器对脉冲整形(b)(a)(c)第18页/共95页第17页/共95页18三、作为幅度鉴别器(Amplitude discriminator)图6.2.10 用施密特触发器鉴别脉冲幅度第19页/共95页第18页/共95页196.3 单稳态单稳态触发器触发器(Monostable multivibrator)单稳态电路的特点:有一个稳态和一个暂稳态 在触发脉冲作用下,它从稳态进入暂稳态,维持一段时间后自动回到原来的稳态。暂稳态时间的长短取决于电路中的参数,与触发脉冲宽度无关。主要应用 脉冲整形 延迟 定时第20页/共9
6、5页第19页/共95页206.3.1 用门电路组成的单稳态触发器一、微分型单稳态触发器 1.由CMOS门构成的微分型单稳态触发器图6.3.1 用CMOS门组成的微分型单稳态触发器定时微分电路输入微分电路第21页/共95页第20页/共95页21(1)静态时,vo1=1,vo=0 当正向触发信号来到时,首先使,vo1=0,vo=1,然后电路自锁,即便是触发信号消失,也能维持vo=0,电路进入暂稳态。其过程为:(2)进入暂稳态后,vO1为低电平,电源为C充电,v12开始上升,当上升到VTH时,又将开始一个正反馈,最后回到原来的稳态,vO=0第22页/共95页第21页/共95页22 (3)恢复时间 由
7、于电容电压不能突变,所以v12也跟随v01上跳,然后电容开始放电,最后恢复到静态值。图6.3.2 图6.3.1电路的电压波形图VDD第23页/共95页第22页/共95页23(4)暂稳态时间计算 由于RC一阶电路的响应可表示为:因此暂稳宽度:输出脉冲幅度恢复时间分辨时间最高工作频率(6.3.1)(6.3.2)(6.3.3)(6.3.4)(6.3.5)第24页/共95页第23页/共95页24图6.3.3 图6.3.1电路中电容C充电的等效电路图6.3.4 图6.3.1电路中电容C放电的等效电路第25页/共95页第24页/共95页25vIvo1v12voCCdRdRDvd 2.由TTL门构成的微分型
8、单稳态触发器(1)工作原理 在静态时,vo1=0,vO=1.当负触发信号到来时,vo1=1,v12跟随上跳使vo=0,然后自锁。暂稳态开始。电容开始充电,v12指数下降,当v12=VTH时,开始正反馈,最后回到原来的稳态。二极管的作用是减小反向恢复时间。工作波形如下图所示。图6.3.5 用CMOS门组成的微分型单稳态触发器第26页/共95页第25页/共95页26tw1.4VVOLVOHVTHv120+Vmv120trevIvdvo1v12vo图6.3.6 TTL微分单稳态的电压波形图6.37 电容C充电的等效电路图6.3.8 电容C放电电的等效电路加恢复二极管后第27页/共95页第26页/共9
9、5页27(2)参数计算结论:对于微分单稳态,要求输入触发发脉冲宽度要小于暂稳宽度,它是靠输入微分电路来实现的。因而对快速变化的脉冲沿比较敏感,抗干扰能力差。第28页/共95页第27页/共95页28二、积分单稳态(1)结构与工作原理图6.3.9 积分型单稳态触发器定时积分电路图6.3.10 图6.3.9电路的电压波形图第29页/共95页第28页/共95页29静态时,vI=vIL,vO1=VOH,vA=VOH,vO=VOH 当正触发脉冲来到时,vO1=VOL,vA来不及突变,开始放电,而且此时输入尚没撤掉,因此vO变为低电平VOL,暂稳开始。当vA放电到VTH后,vO回到高电平VOH。当输入结束,
10、vO1又上升为高电平,电容开始充电,经过恢复时间,使vA=VOH。因此,可以看出积分单稳态电路的特点为:触发脉冲的宽度应该大于暂稳时间,否则输出宽度将等于触发脉冲宽度。没有正反馈过程,输出脉冲前沿不是很陡峭。抗干扰能力比较强第30页/共95页第29页/共95页30图6.3.11 图6.3.9电路中电容C的放电回路(2).参数计算第31页/共95页第30页/共95页316.3.2 集成单稳态触发器 一、TTL集成单稳态触发器图6.3.12 集成单稳态触发器74121的逻辑图外接定时元件触发输入第32页/共95页第31页/共95页32第33页/共95页第32页/共95页33图6.3.13 集成单稳
11、态触发器74121的工作波形图第34页/共95页第33页/共95页34图6.3.14 集成单稳态触发器74121的外部连接方法(a)使用外接电阻Rext(下降沿触发)(b)使用内部电阻Rint(上升沿触发)第35页/共95页第34页/共95页35(a)不可重复触发型(b)可重复触发型图6.3.15 不可重复触发型与可重复触发型单 稳态触发器的工作波形目前常用的TTL单稳态集成电路有不可重触发74LS121、74LS221(双单稳)、74221(双单稳)可重触发74122、74LS122、74123(双单稳)、74LS123(双单稳)等。第36页/共95页第35页/共95页36图6.3.16 集
12、成单稳态触发器CC14528的逻辑图A-下降沿触发B-上升沿触发静态时A=1,B=0二、CMOS集成单稳态触发器第37页/共95页第36页/共95页37图6.3.13 集成单稳态触发器CC14528的工作波形第38页/共95页第37页/共95页386.4 多谐振荡器(Multivibrator)一种能自动产生连续矩形脉冲信号的电路。它具有两个暂稳态,来回交替,产生振荡。图6.4.1 对称式多谐振荡器电路图6.4.2 TTL反相器(7404)的电压传输特性负载线,调整RF使之与传输特性交于P点6.4.1 对称式多谐振荡器 1.电路原理第39页/共95页第38页/共95页39图6.4.3 计算TT
13、L反相器静态工作点的等效电路 要使电路静态时没有稳态,必须使每个门的工作点处于门电路的转折区。如图6.4.2所示。从图6.4.3看出输入电压为(6.4.1)曲线斜率为:vo=0时与横轴交于第40页/共95页第39页/共95页40(1)当vI有轻微正跳边变时,必然引起以下正反馈过程。迅速使vO1=VOL,vO2=VOH。电路进入第一个暂稳态。然后电容C1开始充电,vI2指数上升;C2开始放电,vI1指数下降。充放电等效电路如图图6.4.4*电容电压不能突变第41页/共95页第40页/共95页41图6.4.4 图6.4.1电路中电容的充、放电等效电路(a)C1充电的等效电路(b)C2放电的等效电路
14、等效充电电压为:充电时间常数为:放电时间常数为:(6.4.2)(6.4.3)(6.4.4)第42页/共95页第41页/共95页42 当vI2上升到转折电压VTH时,又发生一个正反馈过程如下。迅速使vO1=VOH,vO2=VOL。电路进入第二个暂稳态。然后电容C2开始充电,vI1指数上升;C1开始放电,vI2指数下降。当vI1上升到转折电压VTH时,又重新开始下一个周期。*电容电压不能突变*第43页/共95页第42页/共95页43图6.4.5 图6.4.1电路中各点电压的波形VTH+Vm输入保护二极管导通电压。第44页/共95页第43页/共95页442.参数计算根据RC电路充放电原理当参数完全对
15、称时如设VOH=3.4V,VIK=-1V,RFR1,可以近似计算出振荡周期和频率为(6.4.5)(6.4.6)(6.4.7)第45页/共95页第44页/共95页45第46页/共95页第45页/共95页466.4.2 非对称式多谐振荡器图6.4.6 CMOS非对称式多谐振荡器电路图6.4.7 图6.4.6电路中CMOS反相器静态工作点的确定选择RF使工作点位于P点,因此该点是不稳定的。第47页/共95页第46页/共95页47(1)当vI1有轻微正跳边变时,必然引起以下正反馈过程。结果迅速使vO1=VOL,vO2=VOH。电路进入第一个暂稳态。然后电容C开始放电,vI1指数下降。充放电等效电路如图
16、6.4.8。放电时间常数为(6.48)第48页/共95页第47页/共95页48 当vI1下降到转折电压VTH=0.5VDD时,电路又发生一个正反馈过程如下。结果迅速使vO1=VOH,vO2=VOL。电路进入第二个暂稳态。然后电容C开始充电,vI1指数上升。充电时间常数为(6.4.8)第49页/共95页第48页/共95页49图6.4.8 图6.4.6电路中电容的充、放电等效电路(a)放电的等效电路(b)充电的等效电路第50页/共95页第49页/共95页50图6.4.9 图6.4.6电路的工作波形图第51页/共95页第50页/共95页51(6.4.9)(6.4.10)(6.4.11)因此可以求出:
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