集成运算放大电路简介.pptx
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1、1.偏置电路+VCCT8-VEET9T12T13T10T11R4R5I8I3,4IC9IC10IREFIC13至输入级至中间级和输出级基准电流:基准电流产生各放大级所需的偏置电流。各路偏置电流的关系:IREFIC11IC10IB3,IB4IC9IC8IC12IC13微电流源镜像电流源输入级镜像电流源中间级输出级图 4.3.1-1 F007 的偏置电路第1页/共23页2.输入级 T1、T2、T3、T4 组成共集共基差分放大电路;T1、T2 基极接收差分输入信号。T5、T6有源负载。T4集电极送出单端输出信号至中间级。RW调零电阻,R外接电阻。T7与R2组成射极输出器。uO+VCC-VEET6R1
2、I3,4IC10IC9R2R3RRWT4T2T7T5T3T1T8T9图 4.3.1-2uI2uI1第2页/共23页若暂不考虑 T7 和调零电路则电路可简化为:+VCC-VEEI3,4T4T2T3T1I8RCRCuI1uI2uO(1)T1、T2共集组态,具有较高的差模输入电阻和共模输入电压。(2)共基组态的T3、T4,与有源负载T5、T6组合,可以得到很高的电压放大倍数。(3)T3、T4 共基接法能改善频率响应。(4)该电路具有共模负反馈,能减小温漂,提高共模抑制比。图4.3.1-2简化示意图 第3页/共23页3.中间级输入来自T4和T6集电极。输出接在输出级的两个互补对称放大管的基极。中间级T
3、16、T17组成复合管,T13作为其有源负载。接入30pF的校正电容起相位补偿的作用,防止电路产生自激振荡。图 4.3.1-3 中间级示意图+VCC-VEET15T16IC13R7T17R830pF第4页/共23页4.输出级IC13R8uO+VCC-VEET14uID1R9R10T19T18R7T15D2图4.3.1-4 F007输出级原理电路T14、T18、T19准互补对称电路;D1、D2、R9、R10为过流保护电路;T15、R7、R8为输出级设置合适的静态工作点。调节 R7、R8 阻值可调节两个功率管之间的电压差。这种电路称为 UBE 倍增电路。第5页/共23页4.3.2 单极型集成运放3
4、.第二级增强型PMOSFET对管T3、T4增强型NMOS管T8构成漏极带有源负载的共源放大电路。双端输入、单端输出的MOS差分放大电路。2.第一级T1、T2、T7构成多路电流源。1.偏置电路电容C起相位补偿作用。由于第二级电路从T8的栅极输入,其输入电阻非常大,所以使第一级具有很强的电压放大能力。图4.3.5 C14573电路图第6页/共23页4.4 集成运放的性能指标及低频等效电路一、开环差模电压增益 Aod一般用对数表示,定义为单位:分贝理想情况下Aod为无穷大;通用型集成运放的Aod为65100dB。4.4.1 集成运放的主要性能指标第7页/共23页二、输入失调电压 UIO三、输入失调电
5、压温漂 UIO 定义:为了使输出电压为零,在输入端所需要加的补偿电压。一般运放:UIO 为 1 10 mV;高质量运放:UIO 为 1 mV 以下。定义:一般运放为 每摄氏度 10 20 V;高质量运放为 每摄氏度 0.5 V 以下。第8页/共23页四、输入失调电流 IIO五、输入失调电流温漂 IIO当输出电压等于零时,两个输入端偏置电流之差,即定义:一般运放为 几十 一百nA;高质量的低于 1 nA。定义:一般运放为 每摄氏度几nA;高质量的每摄氏度几十pA。第9页/共23页六、输入偏置电流 IIB七、差模输入电阻 rid八、共模抑制比 KCMR定义:输出电压等于零时,两个输入端偏置电流的平
6、均值。定义:一般集成运放为几兆欧。定义:多数集成运放在 80 dB 以上,高质量的可达 160 dB。第10页/共23页九、最大共模输入电压 UIcmax 输入级能正常放大差模信号情况下允许输入的最大共模信号。十、最大差模输入电压 UIdmax不至于使PN结反向击穿所允许的最大差模输入电压。十一、3 dB带宽 fH表示 使Aod下降3dB时的信号频率。一般集成运放 fH 只有几赫兹至几千赫兹。F007C 的 fH 仅为 7 Hz。第11页/共23页十二、单位增益带宽 fc 使Aod降至0dB时的信号频率,此时开环差模电压放大倍数 Aod 等于1。十三、转换速率 SR额定负载条件下,输入一个大信
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