2022年长光华芯研究报告.docx
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1、2022年长光华芯研究报告1.长光华芯:高功率半导体激光芯片国产化领军者公司成立于 2012 年,自成立以来深耕于半导体激光芯片及其器件、模块的研发、生产与销 售,逐步成长为国内少数具备高功率激光芯片量产能力的企业之一,实现高功率激光芯片 的国产化与进口替代。纵向上,公司持续推进高功率激光芯片技术突破, 2019 年推出 15W 单管芯片,2020 年推出 18W、25W 单管芯片,2021 年实现 30W 单管芯片量产;公司亦 将产线向下游延伸至光纤耦合模块、直接半导体激光器等;横向上,公司基于高功率半导 体激光芯片技术积累,将产线拓展至 VCSEL 芯片等,2018 年成立 VCSEL 事
2、业部与激光 系统事业部,并建立 VCSEL 芯片 6 吋产线。纵向+横向布局打造激光产业“中国芯”三大产线,面向多元化下游市场。公司主营产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系 列产品、高效率 VCSEL 系列产品等。高功率单管系列产品为公司营收贡献最高的板块,板 块核心下游市场为工业加工,其他市场还包括科研与国家战略高技术、医疗美容等;高功率 单管芯片和高功率巴条系列的主要差异在于其所用的芯片存在差异,前者为单管芯片,后者 为巴条芯片。巴条芯片由于发光点较多,具有更高的发光功率,核心下游市场为科研与国家 战略高技术,其他市场包括医疗美容、工业加工等;公司 VCSEL 芯片产品包括 PS 系列
3、、 TOF 系列、SL 系列三类,主要应用于短距离传感、3D 传感、激光雷达、AR/VR 等领域。纵向延伸:打通芯片器件模组半导体激光器产业链条。公司通过纵向延伸,在高功 率单管系列、高功率巴条系列产品实现了全产业链布局。以公司高功率单管系列产品为例, 板块可细分为单管芯片、单管器件、光纤耦合模块、直接半导体激光器四类产品,该四类 产品存在上下游联系。一颗单管芯片可封装成一个单管器件,多个单管器件耦合为一个光 纤耦合模块,基于多个光纤耦合模块可组成为一台直接半导体激光器。我们认为公司通过 产业链纵向延伸有效拓展了自身发展空间,有助于营收规模的持续扩大。横向扩展:切入 VCSEL 及光通信芯片赛
4、道。公司基于高功率半导体激光芯片的技术优势以 及设计和量产能力,2018 年公司成立 VCSEL 事业部,已建立了 VCSEL 产品包含外延生 长、条形刻蚀、端面镀膜、划片裂片、特性测试、封装筛选和芯片老化的完整工艺线。此 外公司亦布局光通信激光芯片市场,产品能实现电信号和光信号之间的相互转换,是光电 产品的核心功能部件。我们认为公司有望横向扩展光通信芯片(晶圆)的生产能力,以满 足光通信市场的需求,推动光通信激光芯片的国产化进程。汇聚核心技术人才,无控股股东和实际控制人公司技术人才储备丰富,核心管理层均在激光行业拥有丰富的技术及管理背景。闵大勇先 生作为公司的董事长、总经理,具有多年激光行业
5、管理经验,主要负责公司研发成果的市 场转化及激光应用工艺开发。王俊先生作为公司的董事、常务副总经理,研发并掌握了外 延、镀膜、封装、老化测试等核心技术,领导公司实现以芯片为主的产业化,建立国内领 先、国际先进、国内规模较大的高功率半导体激光芯片生产线,以此带动相关器件、模块 及系统的产业化升级。廖新胜先生作为公司的董事、副总经理,早期主导创建了公司半导 体激光器研发、生产基地。潘华东先生作为公司副总经理,主持了公司生产制造的自动化 升级,基于其在光电领域长达 16 年的从业经验及对半导体激光器产品与应用的深刻理解, 不断带动公司光纤耦合产品技术的提高。公司无控股股东和实际控制人,积极引入华为战
6、略投资者。根据公司 2022 年一季报,截至 1Q22 末,公司无控股股东和实际控制人,第一大股东为华丰投资,持股 24.51%(发行后 持股比例为 18.38%),根据公司招股书,华丰投资系财务投资人,不参与公司日常经营管 理工作。第二大股东苏州英镭持股 19.76%(发行后持股比例为 14.82%),苏州英镭为公司 核心管理团队持股平台,根据公司招股书,苏州英镭合伙人包括王俊、廖新胜、闵大勇和 潘华东,出资比例分别为 50.40%、25.80%、13.38%和 10.42%。第三大股东长光集团, 持股 8.72%(发行后持股比例为 6.54%),是中科院长光所全资的事业单位资产管理公司。技
7、术实力领先,材料体系、产品、生产线布局完善IDM 全流程工艺平台,助力公司产品技术快速迭代升级根据公司招股书,包括欧美激光芯片巨头在内的光电子器件企业多采用 IDM 模式,主要由 于光电子器件遵循特色工艺,即器件价值的提升不完全依靠尺寸的缩小,而是通过功能的 增加。相比以线宽为基准的逻辑工艺,特色工艺的竞争能力更加综合,包括工艺、产品、 服务、平台等多个维度,核心竞争点在于工艺的成熟度和稳定性,以及工艺平台的多样性。经过多年的研发和产业化积累,公司已建成覆盖芯片设计、外延、光刻、解理/镀膜、封装测 试、光纤耦合等 IDM 全流程工艺平台。我们认为借助 IDM 模式优势,公司一方面可以更好地 理
8、解客户需求,按需生产不同功能的激光芯片及其器件,从而使生产更具弹性,有效提升生 产效率;另一方面在下游终端客户的引领下,IDM 模式有助于公司技术以及产品的快速迭代。布局砷化镓、磷化铟两大材料体系,边发射及面发射两大产品结构,先进 6 吋生产线公司依托边发射芯片的技术水平向面发射芯片扩展,从 GaAs(砷化镓)材料体系扩展到 InP (磷化铟)材料体系,构架了边发射和面发射两种结构的技术工艺平台。公司技术工艺平 台具备边发射和面发射 VCSEL 两大制造工艺及产品体系。砷化镓,磷化铟作为外延材料 应用于金属有机化合物气相沉积(MOCVD)外延片的生产,而半导体材料的外延生长是半 导体激光器生产
9、的最源头。外延+晶圆+镀膜,三大核心工艺铸就技术壁垒半导体激光芯片属于光电有源芯片,与以硅片为衬底的数字芯片或模拟芯片相比,不仅需 克服共有的晶圆工艺,还需解决外延生长、解理镀膜等特有的光学工艺。具体而言,外延 生长是指在衬底上长出半导体激光材料生成外延片,解理镀膜是指将通过晶圆工艺生成的 晶圆进行解理,并通过腔面钝化处理技术镀上特殊材料膜并使其具备激光特性,解理镀膜 环节对芯片缺陷的容忍度极低,对腔面耐光学损伤要求较高。公司目前已掌握外延生长、 晶圆工艺、解理镀膜等半导体激光芯片生产的核心工艺,构筑了深厚的技术护城河:外延生长方面,公司通过自主研发的高功率高效率高亮度芯片结构设计、分布式载流
10、子注 入技术、MOCVD 外延生长技术、多有源区级联的垂直腔面发射(VCSEL)半导体激光器 的设计等技术的应用,成功突破了外延技术的行业难点,为半导体激光芯片的制造提供高 质量的外延晶体材料。晶圆制造方面,公司自主研发了低损伤刻蚀工艺技术、薄膜氧化热处理工艺技术、高功率芯片 腔面技术/高 COMD 阈值的腔面保护技术等,在诸多应用技术的支撑下,成功实现 30W 高功率 半导体激光芯片的量产,电光转换效率达到 60%65%,技术水平与国际先进水平同步,提升 了半导体激光芯片的产量及良率,实现了半导体激光芯片的产业化应用。腔面钝化处理方面,半导体激光芯片的光能量是经由一个芯片解理端面(前腔面,尺
11、寸仅 为微米平方量级的窗口)向外辐射输出,在高功率输出条件下腔面的光子吸收导致温升已 足以融化腔面,最终导致激光芯片失效,这是限制激光器功率与可靠性提高的核心技术瓶 颈。若通过腔面特殊处理,可以大大减低腔面的光子吸收水平,从而提高芯片的功率与可 靠性。在腔面膜处理方面,公司全自主建设的腔面钝化处理设备和自主开发的工艺技术, 采用真空解理钝化与无吸收窗口结构,有效降低腔面表面复合效应和腔面温度,提高芯片 腔面灾变(COMD)水平。产品技术指标国内领先、国际先进公司单管芯片最高功率达 30W,达行业领先水平。评价半导体激光行芯片的核心技术指标 包括输出功率、电光转换效率、波长等,其中芯片输出功率越
12、高,所需的技术和工艺要求 就越高;产品波长范围越广,则应用范围也更广泛,代表的技术能力越高;电光转换效率 是指将电能转换为激光的能量转换效率,较高的电光转换效率可实现同等电流下更高功率 的激光输出,有效降低产品使用成本并提高器件的可靠性。根据公司招股书,公司目前高 功率单管芯片输出功率达到 30W(对应波长为 915/976nm),性能优于可比公司;电光转 换效率达 60%以上,亦为行业领先水平。波长范围方面,根据公司招股书,公司目前产品 可覆盖 808、880、915、976nm 等主流波段。2.激光芯片市场持续扩张,VCSEL 发展前景广阔半导体激光芯片:激光产业链上游核心器件,用于泵浦源
13、/直接半导体激光器半导体激光芯片(LD)位处激光产业链上游,可应用于激光器泵浦源,也可以制作直接半 导体激光器。激光产业链上游制造激光芯片、光电器件等,准入门槛较高。产业链中游利 用芯片及器件、模组、光学元件等作为泵浦源制造各类激光器,下游包括各类激光应用行 业。LD 是半导体泵浦源的核心部件,主要原理是通过二极管 pn 结进行电注入,并将电能 转化为激光,位处产业链上游。一方面,半导体激光芯片作为产业链中游各类激光器的核 心泵浦光源,对激光器的性能有着直接影响,应用于工业加工装备、激光雷达、光通信、 医疗美容等多行业。另一方面 LD 也可以制作直接半导体激光器,广泛应用于材料加工、医 疗、光
14、通信、传感、国防等领域。激光器市场:新应用有望驱动市场规模扩张全球激光器市场持续增长,材料加工和光刻领域应用占比最大。根据 Laser Focus World 统计,2020 年全球激光器销售收入达 162 亿美元,同比增长 10%。伴随着全球智能设备、 消费电子、新能源等领域对激光器的需求不断增长,以及医疗美容、仪器设备等新兴应用 领域的持续拓展,全球激光器的市场规模将继续保持稳定增长,Laser Focus World 预计 2021 年市场规模将达 175 亿美元,同比增长 7.84%。激光行业下游应用市场可分为六大主 要细分市场,2020 年细分市场份额分别为材料加工及光刻领域(39.
15、28%)、通信与光存储 市场(24.35%)、科研与军事市场(14.04%)、医疗与美容市场(5.84%)、仪器仪表与传 感器市场(12.84%)以及娱乐、显示与打印市场(3.65%)国内光纤激光器市场持续增长,2021 年规模突破 120 亿元。按照工作介质的不同,激光器 可以分为光纤激光器、半导体激光器、固体激光器(此处为狭义固体激光器,不包括光纤/半 导体激光器)、液体激光器、气体激光器等类型,其中光纤激光器凭借转换效率高、光束质量 好、维修成本低、适配柔性化生产等优势快速普及。在上游核心光电子元器件国产化的推动 下,国内光纤激光器产品成本逐步下降,进一步带动光纤激光器渗透率提升。根据2
16、022 中 国激光产业发展报告,2021 年国内光纤激光市场规模为 124.8 亿元,同比增长 32%。切割市场为我国激光产业主要下游应用,未来焊接、清洗等新兴应用有望成为新的驱动力。 根据2020 中国激光产业发展报告,国内激光设备在工业领域应用主要包括切割、焊接、 打标等下游市场,目前仍以切割为最主要市场,2019 年占比达 39%;其次为打标(19%)、 焊接(12%)等。展望未来,我们认为随着激光焊接、激光清洗等新兴应用快速发展背景 下,有望为激光产业注入新动力。激光焊接有望步入快速增长阶段,20172020 年国内市场规模 CAGR 为 34%。随着激光 技术的不断成熟,激光设备功率
17、的持续提升以及成本端的持续下行驱动国内新能源、汽车、 家电、机械、消费电子等行业对激光焊接工艺需求的释放,根据2021 中国激光产业发展 报告,国内激光焊接市场规模已由 2016 年的 34.7 亿元增长至 2020 年的 110.5 亿元,对 应 CAGR 达 34%。低功率激光焊接市场:手持激光焊逐步替代传统焊接工艺。传统焊接手段主要包括电弧焊、 氩弧焊、电阻焊等,因焊缝较宽,传统焊接工艺存在出错高、对工人操作熟练度要求高等 问题。随着激光器成本下行和激光焊接头技术的成熟,手持激光器市场凭借易操作带来较 低人工培训成本等优势快速发展。根据光电汇报道,自 2018 年下半年开始,手持激光焊设
18、 备开始崛起,成为近年来激光应用市场发展较快的产品之一;目前手持激光焊的应用领域 主要集中在钣金、机箱、水箱、配电箱等机柜、橱柜厨卫、不锈钢门窗护栏等领域。高功率激光焊接市场:动力锂电池焊接工艺优势显著。动力锂电池焊接主要有电阻焊接, 超声波焊接和激光焊接三种,其中电阻点焊为目前主要传统工艺。激光焊接采用了非接触 式工艺,具有热量输入集中,焊缝强度大和加工效率高等优点。激光焊接克服了电阻点焊 易发生喷溅和飞溅、熔核内部易产生缺陷等问题,未来有望广泛应用于动力电池生产线的 前、中、后段加工过程中。根据联赢激光 2020 年年报,2020 年联赢激光承接宁德时代新 能源科技股份有限公司的子公司德国
19、时代新能源科技(图林根)有限公司动力电池激光焊 接生产线项目;根据华工科技 2021 年半年报,华工科技在焊接装备及产线领域,已成功打 造并复制多条比亚迪新能源电池托盘激光焊接自动化产线。激光清洗市场前景广阔。激光清洗是利用聚焦的激光作用在材料表面,使表面的污染物迅 速汽化或剥离,从而实现材料表面清洗的技术。相对于各类传统的物理或化学的清洗方式, 激光清洗具备无接触、无耗材、无污染、精度高、无损伤或损伤小等特点,是新一代重点 工业清洗技术之一。国内光纤激光器市场竞争格局:进程持续推进国内光纤激光市场进口替代持续在推进。根据2022 中国激光产业发展报告,目前国内 光纤激光器市场份额最大的厂商为
20、 IPG,2021 年份额为 28.1%,同比下滑 20.9pct;第二 位为锐科激光,2021 年在国内市场份额为 27.3%,同比提升 10.0pct;第三位为创鑫激光 2021 年在国内市场份额为 18.3%,同比提升 9.4pct。定量测算:2023 年国内激光芯片市场规模有望达 17.3 亿元我们测算至 2023 年,国内激光芯片(除光通信)市场规模有望由 2021 年的 8.9 亿元增长 至 17.3 亿元,对应 20212023 年 CAGR 为 33.3%。展望未来国内激光芯片市场空间, 我们做出如下假设:1) 根据2021 中国激光产业发展报告,2020 年国内光纤激光器出货
21、量(工业用)为 56000 台, 其中 1-3kW 、 3-6kW 、6-10kW 及 10kW 以上 功率激光器出 货量分别 为 38000/14000/2400/1600 台。我们认为 1-3kW 光纤激光器有望受手持激光焊接市场需 求推动而实现快速增长,6kW 以上光纤激光器市场规模主要随高功率市场激光器需求 持续增长,假设 20212023 年 1-3kW 同比增速分别为 90%/70%/60%,3-6kW 同比 增速分别为 95%/70%/60%,6-10kW 同比增速分别为 100%/95%/85%,10kW 以上同 比增速分别为 120%/105%/100%,则我们预计 2021
22、2023 年国内光纤激光器出货功 率同比增速分别为 96%/77%/69%。2) 根据长光华芯招股书,截至 2021 年底公司单管芯片电光转换效率达 60%65%,产品 技术水平与国外先进水平同步,我们保守估计 20212023 年国内光纤激光器电光转 换效率保持 60%不变。根据创鑫激光招股书,公司合束器产品耦合输出总体合束效率 超过 98%,耦合效率达国内先进水平,我们假设激光芯片耦合输出效率 20212023 年保持稳定,维持在 98%;3) 激光芯片单瓦价格方面,根据长光华芯招股书,公司 2020 年及 1H21 单管芯片单价分 别为 18.95/14.1 元,单管芯片平均功率分别为
23、15W/18W,即 2020/2021 年单瓦价格 分别为 1.26/0.78 元(2021 年以 1H21 价格为代表),对应的 2021 年同比降幅为 38%。 未来来看,我们认为中游激光器厂商基于降本角度的考虑,以及在高功率半导体激光芯 片规模化量产、技术突破下单瓦价格预计保持下降趋势;降幅方面,我们认为经历近 年国内激光芯片价格的快速下行,以及随着激光芯片向更高功率发展背景下,行业出 货结构或向更高价值量产品倾斜,我们预计 20222023 年激光芯片单瓦价格降幅或 较 2021 年趋缓,假设分别同比下降 20%/15%;4) 根据 Laser Focus World 数据,2020
24、年工业用激光器占比、非工业用激光器占比(除 光通信)分别为 39%、36%。工业用激光器方面,我们认为行业市场规模有望在激光 焊接、激光清洗等新兴应用快速发展下保持稳健增长,预计 20212023 年国内工业 用激光器占比分别为 40%/41%/42%。非工业用激光器方面,我们假设 20212023 年占比保持稳定,分别为 37%/36%/35%;基于以上假设,我们测算 20212023 年国内激光芯片(除光通信)市场规模分别为 8.9/12.3/17.3 亿元,对应 20212023 年 CAGR 为 33.3%。VCSEL:3D 传感、激光雷达等市场需求有望推动行业高增长半导体激光芯片根据
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- 2022 年长 光华 研究 报告
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