二极管整流电路工作原理.ppt

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1、项目六项目六二极管及其在汽车中的应用二极管及其在汽车中的应用学习目标：l熟悉二极管的结构组成及种类；l了解各种二极管的特性及应用；l了解半波整流电路。半导体N N型半导体和型半导体和P P型半导体型半导体导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体导体：导体：自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体，金属，金属一般都是导体。一般都是导体。绝缘体：绝缘体：有的物质几乎不导电，称为有的物质几乎不导电，称为绝缘体绝缘体，如橡皮，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。、陶瓷、塑料和石英。半导体：半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为之间，

2、称为半导体半导体，如锗、硅、砷化镓和，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。一些硫化物、氧化物等。半导体半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：不同于其它物质的特点。例如：当受外界热和光的作用时，它的导电能当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。它的导电能力明显改变。本征半导体本征半导体一、本征半导体的结构特点一、本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体

3、晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。的最外层电子（价电子）都是四个。本征半导体：本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成子与其相临的原子之间形成共价键共价键，共用一对价电子。，共用一对价电子。硅和锗的晶体硅和锗的晶体结

4、构：结构：硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子自由电子，因此本征半，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子

5、规共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。则排列，形成晶体。+4+4+4+4二、本征半导体的导电机理二、本征半导体的导电机理在绝对在绝对0度度（T=0K）和没有外界激发时和没有外界激发时,价电子完价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即粒子（即载流子载流子），它的导电能力为），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子自由电子，同时共价，同时共价键上留下一个

6、空位，称为键上留下一个空位，称为空穴空穴。1.1.载流子、自由电子和空穴载流子、自由电子和空穴+4+4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子2.本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴的移动，因此可以认为空穴是载流子。是载流子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子自由电子和和空穴空穴。温度越高，载流子的浓

7、度越高。因此本征半导体的温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。的外部因素，这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：本征半导体中电流由两部分组成：1.自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。2.空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。杂质半导体杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺使

8、半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P 型半导体：型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。称为（空穴半导体）。N 型半导体：型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。也称为（电子半导体）。一、一、N 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中

9、四个与相邻的半导子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为原子给出一个电子，称为施主原子施主原子。+4+4+5+4多余多余电子电子磷原子磷原子N 型半导体中型半导体中的载流子是什的载流子是什么？么？1 1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。2 2、本征半导体中

10、成对产生的电子和空穴。、本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子多数载流子（多子多子），空穴），空穴称为称为少数载流子少数载流子（少子少子）。）。二、二、P 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的层有三个价电子，与相邻的半导体原子

11、形成共价键时，产半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所子。由于硼原子接受电子，所以称为以称为受主原子受主原子。+4+4+3+4空穴空穴硼原子硼原子P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。型半导体中空穴是多子，电子是少子。三、杂质半导体的示意表示法三、杂质半导体的示意表示法P 型半导体型半导体+N 型半导体型半导体杂质杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作

12、用的主要是多子。近似认为多子与杂量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。质浓度相等。二、二、PN结结 PN 结的形成结的形成在同一片半导体基片上，分别制造在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导型半导体和体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了交界面处就形成了PN 结。结。P型半导体型半导体N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E漂移运动漂移运动扩散的结果是使空间电荷区逐扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。渐加宽，空间电荷区越宽。内电场越强，就使漂移运动越强，内电场越强，就使漂移运动越强，而漂

13、移使空间电荷区变薄。而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区，空间电荷区，也称耗尽层。也称耗尽层。漂移运动漂移运动P型半导体型半导体N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。+空间空间电荷电荷区区N型区型区P型区型区电位电位VV01 1、空间电荷区中没有载流子。、空间电荷区中没有载流子。2 2、空间电荷区中内电场阻碍、空间电荷区中内电场阻碍P P中的空穴、中的空穴、N区区 中的电子（中的电子（都

14、是多子都是多子）向对方运动（）向对方运动（扩散扩散运动运动）。）。3 3、P 区中的电子和区中的电子和 N区中的空穴（区中的空穴（都是少都是少），），数量有限，因此由它们形成的电流很小。数量有限，因此由它们形成的电流很小。注意注意:PN结的单向导电性结的单向导电性 PN 结结加上正向电压加上正向电压、正向偏置正向偏置的意思都是的意思都是：P 区区加正、加正、N 区加负电压。区加负电压。PN 结结加上反向电压加上反向电压、反向偏置反向偏置的意思都是：的意思都是：P区区加负、加负、N 区加正电压。区加正电压。+RE二、二、PN 结正向偏置结正向偏置内电场内电场外电场外电场变薄变薄PN+_内电场被削

15、弱，多子的扩散加内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。强能够形成较大的扩散电流。三、三、PN 结反向偏置结反向偏置+内电场内电场外电场外电场变厚变厚NP+_内电场被被加强，多子的扩散内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的子数量有限，只能形成较小的反向电流。反向电流。RE 四、晶体二极管四、晶体二极管1 1、基本结构、基本结构PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。引线引线外壳线外壳线触丝线触丝线基片基片点接触型点接触型PN结结面接触型面接触型PN二极管的电路符号二极管的电路

16、符号：2 2、伏安特性、伏安特性UI死区电压死区电压 硅管硅管0.6V,锗管锗管0.2V。导通压降导通压降:硅管硅管0.60.7V,锗管锗管0.20.3V。反向击穿电反向击穿电压压UBR3、主要参数、主要参数1）.最大整流电流最大整流电流 IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。均电流。2）.反向击穿电压反向击穿电压UBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压册上给出

17、的最高反向工作电压UWRM一般是一般是UBR的一的一半。半。3）.反向电流反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性

18、，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。介绍两个交流参数。二极管：二极管：死区电压死区电压=0.5V，正向压降，正向压降 0.7V(硅二极管硅二极管)理想二极管：理想二极管：死区电压死区电压=0，正向压降，正向压降=0 RLuiuouiuott二极管的应用举例二极管的应用举例1：二极管半波整流二极管半波整流普通二极管普通二极管发光二极管发光二极管稳压二极管稳压二极管进入稳压区的最小电流进入稳压区的最小电流不至于损坏的最大电流不至于损坏的最大电流 由一个由一个PN结组结组成，反向击穿后成，反向击穿后在一定的电流范在一定的电流范围

19、内端电压基本围内端电压基本不变，为稳定电不变，为稳定电压。压。光电二极管光电二极管又名光敏传感器整流电路的任务：整流电路的任务：把交流电压转变为直流脉动的把交流电压转变为直流脉动的电压。电压。五、单相整流电路五、单相整流电路常见的小功率整流电路，有单相半波、全波、常见的小功率整流电路，有单相半波、全波、桥式和倍压整流等。桥式和倍压整流等。为分析简单起见，把二极管当作理想元件处理，即为分析简单起见，把二极管当作理想元件处理，即二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为无穷大。二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为无穷大。uo(4)输出电压平均值（输出电压平均值（Uo）：）：(1)输出电压波形输出电压波形

20、：u1u2aTbDRLuoiL(3)二极管上承受的最高电压：二极管上承受的最高电压：(2)二极管上的平均电流：二极管上的平均电流：ID =IL单相半波整流电路的工作原理单相半波整流电路的工作原理u2 0 时，二极管时，二极管导通。导通。iLu1u2aTbDRLuo忽略二极管正忽略二极管正向压降：向压降：uo=u2u1u2aTbDRLuoiL=0u20 时时D1,D3导通导通D2,D4截止截止电流通路电流通路:A D1RLD3Bu20 时时D2,D4导通导通D1,D3截止截止电流通路电流通路:B D2RLD4A输出是脉动的直流电压！输出是脉动的直流电压！u2桥式整流电路输出波形桥式整流电路输出波

21、形及二极管上电压波形及二极管上电压波形uD4,uD2uD3,uD1uou2D4D2D1D3RLuoAB三、主要参数：三、主要参数：输出电压平均值：输出电压平均值：Uo=0.9U2输出电流平均值输出电流平均值:Io=Uo/RL=0.9 U2/RL 流过二极管的平均电流：流过二极管的平均电流：Iv=IL/2二极管承受的最大反向电压：二极管承受的最大反向电压：URM=22U+41232+43VuuVVO21LVR-u2uOUUoIoUUoIoUUoUIo整流电压平均值t0uot0uot0uo电路整流电压波形二极管平均电流二极管反向电压i DTrRabuuoD例例有一单相整流电路,负载电阻为750,变

22、压器副边电压为20V，试求Uo，Io及UDRM,并选用二极管。解解查二极管参数，选用2AP4(16mA,50V)。为了使用安全此项参数选择应比计算值大一倍左右。UUoIo+41232+43VuuVVO21LVR-三相桥式整流电路三相桥式整流电路整流器件整流器件:二极管二极管六个桥臂都是二极管六个桥臂都是二极管,其中三个其中三个二极管二极管组成组成共阴极的整流电路共阴极的整流电路,阴极联成一点阴极联成一点d;另外另外三个二极管组成三个二极管组成共阳极的不控整流共阳极的不控整流电路电路,阳极联成一点阳极联成一点e。输出电压输出电压ud=ude式中式中U是输入交流相电压的有效值是输入交流相电压的有效

23、值uduaubucVD1 VD2 VD3 iVD1iVD2iVD3iVD4iVD5iVD6VD4VD5VD6aj jbj jcj jRLde一、工作原理一、工作原理（1）轮换导电情况：）轮换导电情况：VD4,VD5,VD6连成共阴极的三相整流电路连成共阴极的三相整流电路,阴极阴极连到连到d点点,，a点电位点电位 最高，最高，VD4 导通，导通，b点电位点电位 最高，最高，VD5 导通，导通，c点电位点电位 最高，最高，VD6 导通，导通，每个二极管导电每个二极管导电120o，d点电位为点电位为 三相交流电的三相交流电的波顶连线波顶连线。共阴极二极管的导通规律共阴极二极管的导通规律:那个二极管的

24、阳极电那个二极管的阳极电位高位高,它对应的二极管导通它对应的二极管导通.uduaubucVD1 VD2 VD3 iVD1iVD2iVD3iVD4iVD5iVD6VD4VD5VD6aj jbj jcj jRLde VD1、VD2、VD3构成共阳极的三相整流构成共阳极的三相整流电路。电路。共阳极二极管的导电规律共阳极二极管的导电规律为：阴极电位最为：阴极电位最低的一个二极管导电。低的一个二极管导电。（120o期间），期间），c点电位点电位 最低，最低，VD3导通，导通，（120o期间），期间），a点电位点电位 最低，最低，VD1导通导通 ，b点电位点电位 最高，最高，VD2导通导通 是二极管的自然

25、换流点。是二极管的自然换流点。故一周期内，故一周期内，e点的电位点的电位 为为 的的负负的波顶连线的波顶连线uduaubucVD1 VD2 VD3 iVD1iVD2iVD3iVD4iVD5iVD6VD4VD5VD6aj jbj jcj jRLde（2）整流电压波形：）整流电压波形：以变压器中点为以变压器中点为0，整流后的输出电压：，整流后的输出电压：0wta期间，期间，最高，对应的二极管最高，对应的二极管VD6导通导通,最低最低,对应的二极管对应的二极管VD2导通导通,电流方向：电流方向：cVD6dRLeVD2b输出电压波形图输出电压波形图uduaubucVD1 VD2 VD3 iVD1iVD

26、2iVD3iVD4iVD5iVD6VD4VD5VD6aj jbj jcj jRLde wtawtc:最高最高,VD4导通导通;最底最底VD2导通导通;电流方向电流方向:aVD4dRLeVD2b wtcwtb:最高最高,VD4导通导通;最低最低,VD3导通导通;电流方向电流方向:aVD4dRLeVD3c输出电压波形图输出电压波形图uduaubucVD1 VD2 VD3 iVD1iVD2iVD3iVD4iVD5iVD6VD4VD5VD6aj jbj jcj jRLde wtbwta，最高最高,VD5导通导通;最低最低,VD3导通导通;电流方向电流方向:bVD5dRLeVD3cwtawtc:为最高，

27、为最高，VD5导通导通;最最低低,VD1导通导通;电流方向电流方向:bVD5dRLeVD1a输出电压波形图输出电压波形图uduaubucVD1 VD2 VD3 iVD1iVD2iVD3iVD4iVD5iVD6VD4VD5VD6aj jbj jcj jRLdewtcwtb:为最高，为最高，VD6导通导通;最低最低,VD1导通导通;电流方向电流方向:cVD6dRLeVD1a wtbwta:为最高，为最高，VD6导通导通;最低最低,VD2导通导通;电流方向电流方向:cVD6dRLeVD2b uduaubucVD1 VD2 VD3 iVD1iVD2iVD3iVD4iVD5iVD6VD4VD5VD6aj

28、 jbj jcj jRLdeUl 是输入线电压的有效值是输入线电压的有效值三相桥式整流的输出电三相桥式整流的输出电压波形为三相线电压波压波形为三相线电压波形的波顶连线形的波顶连线输出电压波形图输出电压波形图输出电压的平均值输出电压的平均值:有效值与峰值的关系有效值与峰值的关系:U是相电压的有效值是相电压的有效值几种常见的硅整流桥外形：几种常见的硅整流桥外形：+-+-二、滤波电路二、滤波电路滤波电路的结构特点滤波电路的结构特点:电容与负载电容与负载 RL 并联，或并联，或电感与负载电感与负载RL串联。串联。交流交流电压电压脉动脉动直流电压直流电压整流整流滤波滤波直流直流电压电压原理：原理：利用储

29、能元件利用储能元件电容电容两端的电压两端的电压(或通过或通过电电感感中的电流中的电流)不能突变的特性不能突变的特性,滤掉整流电滤掉整流电路输出电压中的交流成份，保留其直流成路输出电压中的交流成份，保留其直流成份，达到平滑输出电压波形的目的。份，达到平滑输出电压波形的目的。滤波器滤波器整流电路仅将交流电转换成单向脉动的直流电压。这种电压对许多电子设备远达不到要求，往往再加接滤波器滤波器以改善电压的脉动程度。一、电容滤波器一、电容滤波器(C滤波器滤波器)TrDRLabuC=uoCt0ut0uD截止D导通D导通D截止截止D导通电容滤波器的作用电容滤波器的作用电容滤波电路电容滤波电路以单向桥式整流电容

30、滤波为例进行分析，以单向桥式整流电容滤波为例进行分析，其电路如图所示。其电路如图所示。一、滤波原理一、滤波原理桥式整流电容滤波电路桥式整流电容滤波电路au1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC+1.RL未接入时未接入时(忽略整流电路内阻忽略整流电路内阻)u2tuot设设t1时刻接通时刻接通电源电源t1整流电路为电容整流电路为电容充电充电充电结束充电结束没有电容没有电容时的输出时的输出波形波形au1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC+2.RL接入（且接入（且RLC较大）时较大）时 (忽略整流电路内阻忽略整流电路内阻)u2tuot电容通过电容通过R RL L放电，在整放电，在整流电路电压小于

31、电容电流电路电压小于电容电压时，二极管截止，整压时，二极管截止，整流电路不为电容充电，流电路不为电容充电，u uo o会逐渐下降。会逐渐下降。au1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC+u2tuot只有整流电路输出电压只有整流电路输出电压大于大于uo时，才有充电电时，才有充电电流流iD。因此整流电路的。因此整流电路的输出电流是脉冲波。输出电流是脉冲波。整流电路的整流电路的输出电流输出电流iDau1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC+iD 电感滤波（补充）电感滤波（补充）电路结构电路结构:在桥式整流电路与负载间串入一电感在桥式整流电路与负载间串入一电感L就构成了电感滤波电路。就构成了电感滤

32、波电路。电感滤波电路电感滤波电路u2u1RLLuouoRu2u1C1C2uo1RLRC 型滤波电路型滤波电路 L-C 型滤波电路型滤波电路u2u1LuoCRLuo1LC 型滤波电路型滤波电路u2u1LuoC2RLuo1C1t正弦交流u全波整流半波整流小电容滤波大电容滤波纹波电压00000ttttuuuu直流分量稳压管稳压电路稳压管稳压电路RLUiDZRCUoIZIo经整流和滤波后，虽脉动程度有了最大改善，但直流电压幅度还会随着电网的波动或负载的变化而变化。最简单的直流稳压电源是利用稳压管组成的。如图采用桥式整流桥式整流和电容滤波电容滤波，得到直流电压Ui，再经过限流电阻R和稳压管DZ，使负载得

33、到一个比较稳定的直流电压。稳压管稳压电路RLUiDZRCUoIZIo稳压管稳压电路电压的稳定过程选择稳压管一般规律：UZ=Uo IZmax=(15)Iomax Ui=(23)Uou Ui Uo IZ UR 保持负载电压Uo近似不变。当电源电压升高时当负载增加时Io UR Uo IZ UR 保持负载电压Uo近似不变。1.试分析下列几种情况各属于什么电路？已知V2=10V，求输出电压值为多少？（1）K1、K2均闭合 （2）K1、K2均分断（3）K1闭合，K2分断 （4）K1分断，K2闭合2.如图所示的电路中，已知稳压管VZ=6V，U2=10V，R=300，RL=3000。试求：当开关K闭合时，流过稳压管的电流IZ是多少？