物理气相沉积.ppt
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1、第八章第八章气相沉积技术气相沉积技术气相沉积技术气相沉积技术:发展迅速,应用广泛发展迅速,应用广泛表面成膜技术表面成膜技术application制备各种特殊力学性能制备各种特殊力学性能的薄膜涂层,的薄膜涂层,如超硬、高耐蚀、耐热和抗氧化等。如超硬、高耐蚀、耐热和抗氧化等。制备各种功能薄膜材料和装饰薄膜涂层等。制备各种功能薄膜材料和装饰薄膜涂层等。超硬薄膜涂层等。超硬薄膜涂层等。since1970s薄膜技术和薄膜材料薄膜技术和薄膜材料发展突飞猛进发展突飞猛进成果累累成果累累当代真空技术和材料科学中最活跃的研究领域当代真空技术和材料科学中最活跃的研究领域微电子工业乃至信息工业的基础工艺微电子工业乃
2、至信息工业的基础工艺:气相沉积技术气相沉积技术+微细加工技术微细加工技术(光刻腐蚀、离子刻蚀、反应离子刻蚀、离子注入和(光刻腐蚀、离子刻蚀、反应离子刻蚀、离子注入和离子束混合改性等在内的微细加工技术领域)离子束混合改性等在内的微细加工技术领域)可沉积的物质:可沉积的物质:金属膜、合金膜,化合物、非金属、半导体、金属膜、合金膜,化合物、非金属、半导体、陶瓷、塑料膜等。陶瓷、塑料膜等。沉积薄膜物质无限制沉积薄膜物质无限制基体无限制基体无限制application1.大量用于电子器件和大规模集成电路制作大量用于电子器件和大规模集成电路制作2.制取磁性膜及磁记录介质、绝缘膜、电介质膜、制取磁性膜及磁记
3、录介质、绝缘膜、电介质膜、压电膜、光学膜、光导膜、超导膜、传感器膜和压电膜、光学膜、光导膜、超导膜、传感器膜和耐磨、耐蚀、自润滑膜、装饰膜以及各种特殊需耐磨、耐蚀、自润滑膜、装饰膜以及各种特殊需要的功能膜等要的功能膜等在促进电子电路小型化、功能高度集成化方面发在促进电子电路小型化、功能高度集成化方面发挥着关键的作用。挥着关键的作用。薄膜技术:薄膜技术:1.薄膜材料与制备技术薄膜材料与制备技术2.薄膜沉积过程监测控制技术薄膜沉积过程监测控制技术3.薄膜检测技术与薄膜应用技术薄膜检测技术与薄膜应用技术薄膜产业薄膜产业门类齐全。门类齐全。8.1物理气相沉积(物理气相沉积(PVD)物理气相沉积物理气相
4、沉积(PhysicalVaporDeposition,简称,简称PVD法),法),是利用热蒸发、辉光放电或弧光放电等物理过程,是利用热蒸发、辉光放电或弧光放电等物理过程,在基材表面沉积所需涂层的技术。在基材表面沉积所需涂层的技术。包括包括:真空蒸发真空蒸发镀膜镀膜溅射溅射镀膜镀膜离子离子镀膜镀膜物理气相沉积物理气相沉积PVD设备设备 与其他镀膜或表面处理方法相比,物理气相沉积与其他镀膜或表面处理方法相比,物理气相沉积具有以下特点:具有以下特点:(1)镀层材料广泛,可镀各种金属、合金、氧化)镀层材料广泛,可镀各种金属、合金、氧化物、氮化物、碳化物等化合物镀层,也能镀制金属、物、氮化物、碳化物等化
5、合物镀层,也能镀制金属、化合物的多层或复合层;化合物的多层或复合层;(2)镀层附着力强;工艺温度低,工件一般无受热)镀层附着力强;工艺温度低,工件一般无受热变形或材料变质等问题,如用离子镀得到变形或材料变质等问题,如用离子镀得到TiN等硬质等硬质镀层,其工件温度可保持在镀层,其工件温度可保持在550以下,这比化学以下,这比化学气相沉积法制备同样的镀层所需的气相沉积法制备同样的镀层所需的1000要低得要低得多;多;镀层纯度高、组织致密;工艺过程主要由电参数镀层纯度高、组织致密;工艺过程主要由电参数控制,易于控制、调节;对环境无污染。控制,易于控制、调节;对环境无污染。虽然存在设备较复杂、一次投资
6、较大等缺陷,虽然存在设备较复杂、一次投资较大等缺陷,但由于以上特点,但由于以上特点,物理气相沉积技术具有广阔的发展前景。物理气相沉积技术具有广阔的发展前景。8.1.1物理气相沉积的基本过程物理气相沉积的基本过程(1)气相物质的产生)气相物质的产生一类方法是使镀料加热蒸发,称为蒸发镀膜;另一类方法是使镀料加热蒸发,称为蒸发镀膜;另一类是用具有一定能量的离子轰击靶材(镀料),一类是用具有一定能量的离子轰击靶材(镀料),从靶材上击出镀料原子,称为溅射镀膜。从靶材上击出镀料原子,称为溅射镀膜。(2)气相物质的输送)气相物质的输送气相物质的输送要求在真空中进行,这主要是为气相物质的输送要求在真空中进行,
7、这主要是为了避免气体碰撞妨碍气相镀料到达基片。了避免气体碰撞妨碍气相镀料到达基片。(3)气相物质的沉积)气相物质的沉积气相物质在基片上沉积是一个凝聚过程。气相物质在基片上沉积是一个凝聚过程。根据凝聚条件的不同,可以形成非晶态膜、根据凝聚条件的不同,可以形成非晶态膜、多晶膜或单晶膜。多晶膜或单晶膜。蒸镀和溅射蒸镀和溅射是物理气相沉积的两类基本镀膜技术。是物理气相沉积的两类基本镀膜技术。以此为基础,又衍生出以此为基础,又衍生出反应镀和离子镀反应镀和离子镀。其中反。其中反应镀在工艺和设备上变化不大,可以认为是蒸镀应镀在工艺和设备上变化不大,可以认为是蒸镀和溅射的一种应用;而离子镀在技术上变化较大,和
8、溅射的一种应用;而离子镀在技术上变化较大,所以通常将其与蒸镀和溅射并列为另一类镀膜技术。所以通常将其与蒸镀和溅射并列为另一类镀膜技术。反应镀反应镀镀料原子在沉积时,可与其它活性气体镀料原子在沉积时,可与其它活性气体分子发生化学反应而形成化合物膜,称为分子发生化学反应而形成化合物膜,称为反应镀反应镀。离子镀离子镀在镀料原子凝聚成膜的过程中,还可以同时用在镀料原子凝聚成膜的过程中,还可以同时用具有一定能量的离子轰击膜层,目的是改变膜具有一定能量的离子轰击膜层,目的是改变膜层的结构和性能,这种镀膜技术称为层的结构和性能,这种镀膜技术称为离子镀离子镀。8.1.2蒸发镀膜蒸发镀膜蒸发镀是蒸发镀是PVD方
9、法中最早用于工业生产的一种,方法中最早用于工业生产的一种,该方法工艺成熟,设备较完善,低熔点金属蒸发该方法工艺成熟,设备较完善,低熔点金属蒸发效果高,可用于制备介质膜、电阻、电容等,也效果高,可用于制备介质膜、电阻、电容等,也可以在塑料薄膜和纸张上连续蒸镀铝膜。可以在塑料薄膜和纸张上连续蒸镀铝膜。定义:定义:在真空条件下,用加热蒸发的方法使镀在真空条件下,用加热蒸发的方法使镀料转化为气相,然后凝聚在基体表面的方法称为料转化为气相,然后凝聚在基体表面的方法称为蒸发镀膜,简称蒸镀。蒸发镀膜,简称蒸镀。一、蒸发原理一、蒸发原理在高真空中用加热蒸发的方法使镀料转化为在高真空中用加热蒸发的方法使镀料转化
10、为气相,然后凝聚在基体表面的方法称蒸发镀膜气相,然后凝聚在基体表面的方法称蒸发镀膜(简称蒸镀)。(简称蒸镀)。蒸发镀膜过程是由蒸发镀膜过程是由镀材物质蒸发、蒸发材料粒子的镀材物质蒸发、蒸发材料粒子的迁移和蒸发材料粒子在基板表面沉积迁移和蒸发材料粒子在基板表面沉积三个过程组成。三个过程组成。蒸发镀膜是物理气相沉积的一种,与溅射镀膜和离蒸发镀膜是物理气相沉积的一种,与溅射镀膜和离子镀膜相比有如下优缺点:子镀膜相比有如下优缺点:设备简单可靠、工艺容易掌握、可进行大规模生产,设备简单可靠、工艺容易掌握、可进行大规模生产,镀膜的形成机理比较简单,多数物质均可采用真空镀膜的形成机理比较简单,多数物质均可采
11、用真空蒸发镀膜;蒸发镀膜;但镀层与基片的结合力差,高熔点物质和低蒸气但镀层与基片的结合力差,高熔点物质和低蒸气压物质的镀膜很难制作,如铂、铝等金属,蒸发压物质的镀膜很难制作,如铂、铝等金属,蒸发物质所用坩埚材料也会蒸发,混入镀膜之中成为物质所用坩埚材料也会蒸发,混入镀膜之中成为杂质。杂质。二、蒸发方法二、蒸发方法蒸发源:加热待蒸发材料并使之挥发的器具称为蒸发源:加热待蒸发材料并使之挥发的器具称为蒸发源,也称加热器。蒸发源,也称加热器。蒸镀方法主要有下列几种:蒸镀方法主要有下列几种:1.电阻加热法:让大电流通过蒸发源,加热待镀材电阻加热法:让大电流通过蒸发源,加热待镀材料,使其蒸发的简单易行的方
12、法。料,使其蒸发的简单易行的方法。对蒸发源材料的基本要求是:高熔点,低蒸气对蒸发源材料的基本要求是:高熔点,低蒸气压,在蒸发温度下不会与膜料发生化学反应或压,在蒸发温度下不会与膜料发生化学反应或互溶,具有一定的机械强度,且高温冷却后脆互溶,具有一定的机械强度,且高温冷却后脆性小等性质。常用钨、钼、钽等高熔点金属材料。性小等性质。常用钨、钼、钽等高熔点金属材料。按照蒸发材料的不同,可制成丝状、带状和板状等。按照蒸发材料的不同,可制成丝状、带状和板状等。电阻加热蒸发源电阻加热蒸发源 2.电子束加热:即用高能电子束直接轰击蒸发电子束加热:即用高能电子束直接轰击蒸发物质的表面,使其蒸发。物质的表面,使
13、其蒸发。由于是直接在蒸发物质中加热,避免了蒸发由于是直接在蒸发物质中加热,避免了蒸发物质与容器的反应和蒸发源材料的蒸发,故可物质与容器的反应和蒸发源材料的蒸发,故可制备高纯度的膜层。一般用于电子原件和半导制备高纯度的膜层。一般用于电子原件和半导体用的铝和铝合金,此外,用电子束加热也可体用的铝和铝合金,此外,用电子束加热也可以使高熔点金属(如以使高熔点金属(如W,Mo,Ta等)熔化、蒸等)熔化、蒸发。发。高频感应加热高频感应加热蒸发源蒸发源 3.高频感应加热:在高频感应线圈中放入氧化铝和石墨坩埚,蒸镀的材料高频感应加热:在高频感应线圈中放入氧化铝和石墨坩埚,蒸镀的材料置于坩锅中,通过高频交流电使
14、材料感应加热而蒸发。置于坩锅中,通过高频交流电使材料感应加热而蒸发。此法主要用于铝的大量蒸发,得到的膜层纯净而且不受带电粒子的损害。此法主要用于铝的大量蒸发,得到的膜层纯净而且不受带电粒子的损害。8.1.3溅射镀膜溅射镀膜在真空室中,利用荷能粒子轰击材料表面,使在真空室中,利用荷能粒子轰击材料表面,使其原子获得足够的能量而溅出进入气相,然后在其原子获得足够的能量而溅出进入气相,然后在工件表面沉积的过程。工件表面沉积的过程。在溅射镀膜中,被轰击的材料称为靶。在溅射镀膜中,被轰击的材料称为靶。由于离子易于在电磁场中加速或偏转,所以荷能粒由于离子易于在电磁场中加速或偏转,所以荷能粒子一般为离子,这种
15、溅射称为子一般为离子,这种溅射称为离子溅射离子溅射。用离子束。用离子束轰击靶而发生的溅射,则称为轰击靶而发生的溅射,则称为离子束溅射离子束溅射。一、溅射镀膜方法一、溅射镀膜方法(1)直流二极溅射)直流二极溅射二极溅射是最早采用的一种溅射方法。二极溅射是最早采用的一种溅射方法。以镀膜材料为阴极,而被镀膜材料为阳极。阴极以镀膜材料为阴极,而被镀膜材料为阳极。阴极上接上接13kV的直流负高压,阳极通常接地。工作时的直流负高压,阳极通常接地。工作时先抽真空,再通氩气,使真空室内达到溅射气压。先抽真空,再通氩气,使真空室内达到溅射气压。接通电源,阴极靶上的负高压在两极间产生辉光接通电源,阴极靶上的负高压
16、在两极间产生辉光放电并建立起一个等离子区,其中带正电的氩离子放电并建立起一个等离子区,其中带正电的氩离子在阴极附近的阴极电位降作用下,加速轰击阴极在阴极附近的阴极电位降作用下,加速轰击阴极靶、使靶物质表面溅射,并以分子或原子状态沉积靶、使靶物质表面溅射,并以分子或原子状态沉积在基片表面,形成靶材料的薄膜。在基片表面,形成靶材料的薄膜。靶材靶材基材基材阳极阳极阴极阴极辉光放电产生离子辉光放电产生离子溅射气体溅射气体Ar直流二极溅射直流二极溅射这种装置的最大优点是结构简单,控制方便。这种装置的最大优点是结构简单,控制方便。缺点有:缺点有:因工作压力较高因工作压力较高,膜层有沾污;沉积速率低,膜层有
17、沾污;沉积速率低,不能镀不能镀10m以上的膜厚;由于大量二次电子以上的膜厚;由于大量二次电子直接轰击基片使基片温升过高。直接轰击基片使基片温升过高。(2)三极溅射)三极溅射三极溅射是在二极溅射三极溅射是在二极溅射的装置上附加一个电的装置上附加一个电极极热阴极,发射热热阴极,发射热电子,热电子在电场电子,热电子在电场吸引下穿过靶与基极吸引下穿过靶与基极间的等离子体区,使间的等离子体区,使热电子强化放电,它热电子强化放电,它既能使溅射速率有所既能使溅射速率有所提高,又能使溅射工提高,又能使溅射工况的控制更为方便。况的控制更为方便。这样,溅射速率提高,这样,溅射速率提高,由于沉积真空度提高,由于沉积
18、真空度提高,镀层质量得到改善。镀层质量得到改善。(3)磁控溅射)磁控溅射磁控溅射是磁控溅射是70年代迅速发展起来的新型溅射技术。年代迅速发展起来的新型溅射技术。其特点是在阴极靶面上建立一个环状磁靶,其特点是在阴极靶面上建立一个环状磁靶,以控制二次电子的运动,离子轰击靶面所产生以控制二次电子的运动,离子轰击靶面所产生的二次电子在电磁场作用下,被压缩在近靶面的二次电子在电磁场作用下,被压缩在近靶面作回旋运动,延长了到达阳极的路程,大大提作回旋运动,延长了到达阳极的路程,大大提高了与气体原子的碰撞概率,因而提高溅射率。高了与气体原子的碰撞概率,因而提高溅射率。磁控溅射目前已在工业生产中实际应用。这是
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