高电压技术2流注理论.ppt

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1、气体放电的流注理论n工工程程上上感感兴兴趣趣的的是是压压强强较较高高气气体体的的击击穿穿，如大气压强下空气的击穿如大气压强下空气的击穿n 特特点点：认认为为电电子子碰碰撞撞电电离离及及空空间间光光电电离离是是维维持持自自持持放放电电的的主主要要因因素素，并并强强调调了了空空间间电荷畸变电场的作用电荷畸变电场的作用 n通通过过大大量量的的实实验验研研究究（主主要要在在电电离离室室中中进进行的）说明放电发展的机理行的）说明放电发展的机理 流注理论的要点n电子崩阶段电子崩阶段 空间电荷畸变外电场空间电荷畸变外电场 n流注阶段流注阶段 光电离形成二次电子崩，等离子体光电离形成二次电子崩，等离子体 1.

2、电子崩阶段n电子崩外形电子崩外形：电子崩中的电子数：nex例如，正常大气条件下，若E30kVcm，则 11cm-1，计算得到随着电子崩向阳极推进，崩头中的电子数目空间电荷的分布及电场的变化 崩的头部集中了大量的电子，崩尾则是正离子。崩的头部集中了大量的电子，崩尾则是正离子。大大加强了崩头及崩尾的电场，削弱了崩头内正、负电荷区域之间的电场 电电子子崩崩头头部部：电场明显增强，有利于发生激激励励或或电电离离现象，当它们回复到正常状态时，放射出光子崩崩头头内内部部正正、负负电电荷荷区区域域：电场大大削弱，有助于发生复合过程，发射出光子2.流注阶段n当电子崩走完整个间隙后，大密度的头部空间电荷大大加强

3、了外部的电场，并向周围放射出大量光子n光子引起空间光电离，其中的光电子被主电子崩头部的正空间电荷所吸引，在受到畸变而加强了的电场中，造成了新的电子崩，称为二次电子崩 光电离、二次崩光电离、二次崩1主电子崩 2二次电子崩3流注正流注的形成n二次电子崩中的电子进入主电子崩头部的正空间电荷区（电场强度较小），大多形成负离子。大量的正、负带电质点构成了等等离离子子体体，这就是正流注正流注 n流注通道导电性良好，其头部又是二次电子崩形成的正电荷，因此流注头部前方出现了很强的电场 1主电子崩2二次电子崩3流注正流注向阴极推进n流注不断向阴极推进，且随着流注接近阴极，其头部电场越来越强，因而其发展也越来越快

4、n流注头部的电离放射出大量光子，继续引起空间光电离。流注前方出现新的二次电子崩，它们被吸引向流注头部，延长了流注通道n流注发展到阴极，间隙被导电良好的等离子通道所贯通，间隙的击穿完成，这个电压就是击穿电压 在电离室中得到的初始电子崩照片图a和图b的时间间隔为110-7秒 p=270毫米汞柱，E=10.5千伏/厘米 初始电子崩转变为流注瞬间照片p273毫米汞柱E=12千伏/厘米电子崩在空气中的发展速度约为电子崩在空气中的发展速度约为1.25 107cm/s在电离室中得到的阳极流注发展过段的照片在电离室中得到的阳极流注发展过段的照片正流注的发展速度约为正流注的发展速度约为1 108 2 108cm

5、/s负流注当间隙上所加电压较高，间隙中电场很强时，电子崩在离开阴极不远就已经发展到畸变电场的程度了。这种情况下流注将在阴极附近形成并向阳极推进，最后击穿间隙。我们称之为阴极流注或负流注。一一旦旦形形成成流流注注，放放电电就就进进入入了了新新的的阶阶段段，放放电电可可以以由由本本身身产产生生的的空空间间光光电电离离而而自自行行维维持持，即即转转入入自自持持放放电电了了。如如果果电电场场均均匀匀，间间隙隙就就将将被被击击穿穿。所所以以流流注注形形成成的的条条件件就就是是自自持持放放电电条条件件，在在均均匀匀电电场场中中也也就就是是导导致击穿的条件致击穿的条件流注理论的自持放电条件3.流注理论对pd

6、很大时放电现象的解释 1放放电电外外形形 Pd很很大大时时，放放电电具具有有通通道道形式形式 流注出现后，对周围空间内的电场有屏蔽作用流注出现后，对周围空间内的电场有屏蔽作用当当某某个个流流注注由由于于偶偶然然原原因因发发展展更更快快时时，将将抑抑制制其其它它流流注注的的形形成成和和发发展展，并并且且随随着着流流注注向向前前推进而越来越强烈推进而越来越强烈二二次次电电子子崩崩在在空空间间的的形形成成和和发发展展带带有有统统计计性性，所以火花通道常是曲折的，并带有分枝所以火花通道常是曲折的，并带有分枝电电子子崩崩不不致致影影响响到到邻邻近近空空间间内内的的电电场场，不不会会影影响响其其它它电电子

7、子崩崩的的发发展展，因因此此汤汤逊逊放放电电呈呈连连续续一片一片-辉光放电辉光放电2放放电电时时间间 光子以光速传播，所以流注发展速度极快，这就可以说明pd很大时放电时间特别短的现象。3阴阴极极材材料料的的影影响响 根据流注理论，维持放电自持的是空间光电离，而不是阴极表面的电离过程，这可说明为何很大Pd下击穿电压和阴极材料基本无关了。1.1.5 不均匀电场中的气体放电均匀电场是很少见的情况，工程中遇到的电场大多数是不均匀电场，特别是极不均匀电场。比如，高压输电线路线间的电场或导线对地的电场。另外还存在一些稍不均与电场。由于极不均匀电场的种类较多，我们不能一一进行讨论，只能选择典型的电场进行研究

8、，然后将结论加以推广。最典型的极不均匀电场尖板电场 尖尖电场1.稍不均匀电场和极不均匀电场的划分为了区分各种不同的电场，引入电场不均匀系数为了区分各种不同的电场，引入电场不均匀系数 f 表示各种结构的电场的均匀程度表示各种结构的电场的均匀程度 f4后，极不均匀电场后，极不均匀电场根据电场均匀程度和气体状态，可出现不同情况n电场比较均匀的情况电场比较均匀的情况 放放电电达达到到自自持持时时，在在整整个个间间隙隙中中部部巳巳达达到到相相当数值。这时和均匀电场中情况类似当数值。这时和均匀电场中情况类似 n电场不均匀程度增加但仍比较均匀的情况电场不均匀程度增加但仍比较均匀的情况 当当大大曲曲率率电电极

9、极附附近近 达达到到足足够够数数值值时时，间间隙隙中中很很大大一一部部分分区区域域 也也都都已已达达相相当当数数值值，流流注注一一经经产产生生，随随即即发发展展至至贯贯通通整整个个间间隙隙，导导致致间间隙隙完全击穿完全击穿 n电场极不均匀的情况电场极不均匀的情况 当当大大曲曲率率电电极极附附近近很很小小范范围围内内 已已达达相相当当数数值值时时，间间隙隙中中大大部部分分区区域域值值 都都仍仍然然很很小小，放放电电达达到到自自持持放放电电后后，间间隙隙没没有有击击穿穿。电电场场越越不不均均匀，击穿电压和电晕起始电压间的差别也越大匀，击穿电压和电晕起始电压间的差别也越大 极不均匀电场的放电特征1.

10、存在有局部放电现象2.放点存在明显的极性效应1.局部放电现象电晕极不均匀电场所特有的一种局部放电现象。它既可能是一种长期存在的局部放电，也可能是间隙击穿的第一阶段。实验室内观察到的电晕电晕放电现象及危害n电晕放电现象电晕放电现象 电电离离区区的的放放电电过过程程造造成成。咝咝咝咝的的声声音音，臭臭氧氧的的气气味味，回回路路电电流流明明显显增增加加(绝绝对对值值仍仍很很小小)，可以测量到能量损失可以测量到能量损失n脉冲现象脉冲现象 (a)时间刻度时间刻度T=125 s(b)0.7 A电晕电流平均值电晕电流平均值(c)2 A电晕电流平均值电晕电流平均值电晕放电会引起线路周围的物理效应和化学反应物理

11、效应：光、声、电风、噪声物理效应：光、声、电风、噪声化学反应：产生具有强氧化性和强腐蚀性的物质化学反应：产生具有强氧化性和强腐蚀性的物质电磁脉冲：干扰无线通讯和广播电视信号电磁脉冲：干扰无线通讯和广播电视信号能量损耗：产生能量损耗，降低线路经济效益能量损耗：产生能量损耗，降低线路经济效益 有利方面：电晕可削弱输电线上雷电冲击电压波的幅有利方面：电晕可削弱输电线上雷电冲击电压波的幅 值及陡度；利用电晕放电改善电场分布，值及陡度；利用电晕放电改善电场分布，提高击穿电压提高击穿电压；利用电晕放电除尘等；利用电晕放电除尘等 降低电晕危害的措施基本出发点是增加导线表面的曲率半径，提高电晕起始电压。采用大

12、直径导线或扩径导线采用分裂导线分裂导线输电线路上的电晕扩径导线六分裂导线导线位于正六边形的顶点四分裂导线导线间距450毫米三分裂导线二分裂2.极性效应极性效应以棒板间隙为例以棒板间隙为例1.非自持放电阶段非自持放电阶段n当棒具有正极性时当棒具有正极性时 在在棒棒极极附附近近，积积聚聚起起正正空空间间电电荷荷，减减少少了了紧紧贴贴棒棒极极附附近近的的电电场场，而而略略微微加加强强了了外外部部空空间间的的电电场场，棒棒极极附附近近难难以以造造成成流流注注，使使得得自自持持放放电电、即即电电晕晕放放电难以形成电难以形成 Eex外电场 Esp空间电荷的电场n当棒具有负极性时当棒具有负极性时 电电子子崩

13、崩中中电电子子离离开开强强电电场场区区后后，不不再再引引起起电电离离，正正离离子子逐逐渐渐向向棒棒极极运运动动，在在棒棒极极附附近近出出现现了了比比较较集集中中的的正正空空间间电电荷荷，使使电场畸变电场畸变 棒棒极极附附近近的的电电场场得得到到增增强强，因因而而自自持持放放电电条条件件就就易易于于得得到到满满足足、易易于于转转入入流流注注而而形形成成电电晕晕放放电电 Eex外电场 Esp空间电荷的电场极性效应 实验表明：实验表明：棒棒板板间间隙隙中中棒棒为为正正极极性性时时电电晕晕起起始始电电压压比负极性时略高比负极性时略高 U+（电晕）（电晕）U-（电晕）（电晕）2.流注发展阶段流注发展阶段

14、n当棒具有正极性时当棒具有正极性时流流注注等等离离子子体体头头部部的的正正电电荷荷减减弱弱等等离离子子体体中中的的电电场场，而而加加强强其其头头部部电电场场（曲线（曲线2）电电场场加加强强的的流流注注头头部部前前方方产产生生新新电电子子崩崩，其其电电子子吸吸引引入入流流注注头头部部正正电电荷荷区区内内，加加强强并并延延长长流流注注通通道道，其其尾尾部部的的正正离离子子构成流注头部的正电荷构成流注头部的正电荷 流流注注及及其其头头部部的的正正电电荷荷使使强强电电场场区区更更向向前前移移（曲曲线线3），促促进进流流注注通通道道进进一一步步发发展展，逐逐渐渐向向阴阴极极推进推进n当棒具有负极性时当棒

15、具有负极性时棒棒极极的的强强电电场场区区产产生生大大量量的的电电子子崩崩，汇汇入入围围绕绕棒棒极极的的正正空空间间电电荷荷，等等离离子子体体层层呈呈扩扩散散状状分分布布，削削弱弱前前方方电电场场（曲曲线线2）在在相相当当一一段段电电压压升升高高的的范范围围内内，电电离离只只在在棒棒极极和和等等离离子子体体层层外外沿沿之之间间的的空间内发展空间内发展等等离离子子体体层层前前方方电电场场足足够够强强后后，发发展展新新电电子子崩崩，其其正正电电荷荷加加强强等等离离子子体体层层前前沿沿的的电电场场，形形成成了大量二二次次电电子子崩崩，汇汇集集起起来来后后使使得得等等离离子子体体层层向阳极推进向阳极推进

16、极性效应 实验表明：实验表明：棒棒板板间间隙隙中中棒棒为为负负极极性性时时击击穿穿电电压压比比正正极性时高极性时高 U+（击穿）（击穿）U-（击穿）（击穿）极不均匀电场中的放电过程（长间隙）n非自持放电阶段非自持放电阶段n流注发展阶段流注发展阶段n先先导导放放电电 热热电电离离过程过程n主放电阶段主放电阶段3先导放电 正棒正棒负板间隙中先导通道的发展负板间隙中先导通道的发展（）先导和其头部的流注；（）流注头部电子崩的形成；（）先导和其头部的流注；（）流注头部电子崩的形成；（）由流注转变为先导和形成流注；（）流注头部电子崩的形成；（）由流注转变为先导和形成流注；（）流注头部电子崩的形成；（）沿着

17、先导和空气间隙电场强度的分布（）沿着先导和空气间隙电场强度的分布 流注根部流注根部温度升高温度升高热电离热电离过程过程先导先导通道通道电离加强，更为明亮电离加强，更为明亮电导增大电导增大轴向场强更低轴向场强更低发展速度更快发展速度更快长空气间隙的平均击穿场强远低于短间隙长空气间隙的平均击穿场强远低于短间隙 4主放电当当先先导导通通道道头头部部极极为为接接近近板板极极时时，间间隙隙场场强强可可达达极极大大数数值值，引引起起强强烈烈的的电电离离，间间隙隙中中出出现现离离子子浓浓度度远远大大于于先先导导通通道道的的等离子体等离子体 新新出出现现的的通通道道大大致致具具有有极极板板的的电电位位，在在它

18、它与与先先导导通通道道交交界界处处保保持持极极高高的的电电场场强强度度，继继续续引引起起强强烈的电离烈的电离高高场场强强区区（强强电电离离区区）迅迅速速向向阳阳极极传传播播，强强电电离离通通道道也也迅迅速速向向前前推推进进，这就是主放电过程。这就是主放电过程。主放电通道主放电通道 主放电和先导通道的交界区主放电和先导通道的交界区 先导通道先导通道 主放电发展和通道中轴向电场强度分布图主放电发展和通道中轴向电场强度分布图1.2 气体介质的电气强度1.2.1 持续作用电压下的击穿什么是持续作用电压？1.均匀电场：无极性效应 击穿时间短 不同性质电压作用下击穿电压基本相同，在间隙不太长的情况下约为3

19、0 kV/cm。2.稍不均匀电场：情况类似于均匀电场。3.极不均匀电场：与前两者有很大的不同，电场不均匀度对击穿的影响减弱，极间距离对击穿电压的影响增大。而且电场和电压的形式不同，击穿的形式也不尽相同。1.2.2 雷电冲击电压下的击穿除了前述的持续作用的电压外，电力系统中还会出现另外一种电压，称为冲击电压，其特点是作用时间极短，电压幅值较高。冲击电压可分为雷电冲击电压和操作冲击电压1.雷电冲击电压的标准波形雷电是自然界中最宏伟壮观的现象之一，也是间隙最长的空气击穿现象。为了对雷电现象进行科学研究要规定雷电冲击波的标准波形 （三）三）标准雷电冲击电压波标准雷电冲击电压波 用来模拟雷电过电压波，采

20、用非周期性双指数波。T1视在波前时间；T2视在半峰值时间；Um冲击电压峰值 国际电工委员会(IEC)和我国国家标准规定为：T1=1.2s 30%；T2=50s20%通常写成1.2/50s。（四）（四）标准雷电截波标准雷电截波用来模拟雷电过电压引起气隙击穿或外绝缘闪落后出现的截尾冲击波，如图。IEC标准和我国国家标准规定为：T1=1.2s 30%；Tc=25s。可写成1.2/25s.0.30.50.9100T1T2 u/Umt0.900.31 u/Um0T1Tct2.放电时延 n最低静态击穿电压最低静态击穿电压U0 n击穿时间击穿时间tb 升升压压时时间间t0、统统计计时时延延ts、放放电电发发

21、展展时时间间tf、放放电时延电时延 tl n短间隙短间隙(1厘米以下厘米以下)tfU U（气）气）U U（沿面沿面）在表面潮湿污染的情况下，沿面闪落电压会更低。在表面潮湿污染的情况下，沿面闪落电压会更低。（1）平行：）平行：固体介质处于均匀电场中，且界面与电力线平行，此时的沿面放电特性与均匀电场的情况有些相似。E 固体介质与气体介质交界面上的电场分布状况对沿面放电特性有很大影响。界面电场分布可分为典型二种情况。二、沿面放电的类型与特点 下面就三种情况分别介绍放电特性。情况一中，虽界面与电力线平行，但沿面闪落电压仍要比空气间隙的击穿电压低很多。说明电场发生了畸变，主要原因如下：（2）强法线：）强

22、法线：固体介质处于极不均匀电场中，且界面电场的垂直分量 En 比平行于表面的切线分量 Et 大得多。如右上图EtEnE（3）弱法线：）弱法线：固体介质处于极不均匀电场中，但大部分分界面上的电场切线分量 Et 大于垂直分量 En 。右下图。EtEnE（一）均匀和稍不均匀电场中的沿面放电 （1）固体介质与电极表面接触不良，存在小气隙。小气隙中的电场强度很大，首先发生放电，所产生的带电粒子沿固体介质表面移动，畸变了原有电场。（2）大气的湿度影响。大气中的潮气吸附在固体介质表面形成水膜，其中的离子受电场的驱动而沿着介质表面移动，降低了闪落电压。与固体介质吸附水分的性能也有关。（3）固体介质表面电阻的不

23、均匀和表面的粗糙不平也会造成沿面电场畸变。当当U升高的过程中：升高的过程中：1 法兰处电晕放电，如右法兰处电晕放电，如右 a 图图2 平行的火花细线组成的光带，平行的火花细线组成的光带，如如b 图图 3 细线突然迅速增长，转为分细线突然迅速增长，转为分叉的树枝状明亮火花通道叉的树枝状明亮火花通道（滑（滑闪放电）闪放电），如，如 c 图图4 完成表面气体的完全击穿，完成表面气体的完全击穿，称为沿面闪络或简称称为沿面闪络或简称“闪络闪络”导杆法兰（二）极不均匀电场具有强垂直分量时的（二）极不均匀电场具有强垂直分量时的沿面放电。沿面放电。支柱绝缘子的两个电极之间的距离较长，其间固体介质本身支柱绝缘子

24、的两个电极之间的距离较长，其间固体介质本身不可能被击穿，只可能出现沿面闪络。不可能被击穿，只可能出现沿面闪络。干闪络电压随极间距离的增大而提高，平均闪络场强大于前干闪络电压随极间距离的增大而提高，平均闪络场强大于前一种有滑闪放电时的情况。一种有滑闪放电时的情况。三、沿面放电电压的影响因素和提高方法三、沿面放电电压的影响因素和提高方法 影响因素：影响因素：（一）固体介质材料主要取决于该材料的亲水性或憎水性。（一）固体介质材料主要取决于该材料的亲水性或憎水性。（二）电场形式（二）电场形式 同样的表面闪落距离下同样的表面闪落距离下均匀与稍不均匀电场闪落电压最高均匀与稍不均匀电场闪落电压最高弱垂直分量

25、极不均匀电场则低（距离，绝缘子）弱垂直分量极不均匀电场则低（距离，绝缘子）界面电场主要为强垂直分量的极不均匀电场中，闪落电压更低界面电场主要为强垂直分量的极不均匀电场中，闪落电压更低（电场最强处厚度，套管）（电场最强处厚度，套管）（三）极不均匀电场垂直分量很弱时的沿面放电 主要是增大极间距离（横向），防止或推迟滑闪放电。主要是增大极间距离（横向），防止或推迟滑闪放电。以瓷套管为例，加大法兰处瓷套的外直径和壁厚或涂半导体漆或半导体釉，防止滑闪放电过早出现。四、固体表面有水膜时的沿面放电四、固体表面有水膜时的沿面放电 此处讨论的是洁净的瓷表面被雨水淋湿时的沿面放电，相应的电压称为湿闪电压。湿闪电压

26、。绝缘子表面有湿污层时的闪落电压称为污闪电压污闪电压，将在后面再作专门探讨。提高方法（强垂直分量的极不均匀电场）：部分淋湿，绝缘子表面的水膜是不部分淋湿，绝缘子表面的水膜是不连续的（连续的（AB湿湿 BCA干）干）有水膜覆盖的表面电导大，无水膜有水膜覆盖的表面电导大，无水膜处的表面电导小处的表面电导小大多数外加电压将由干表面（图中大多数外加电压将由干表面（图中的的BCA）段来承受。）段来承受。或者空气间隙或者空气间隙BA先击穿或者干表面先击穿或者干表面BCA先闪落，但结果都是形成先闪落，但结果都是形成ABA电弧放电通道电弧放电通道闪络闪络如雨量特别大时，伞间（如雨量特别大时，伞间（BB）被被雨

27、水短接构成电弧通道雨水短接构成电弧通道闪络闪络ABCAB沿湿表面沿湿表面AB和干表面和干表面BCA发展发展沿湿表面沿湿表面AB和空气间隙和空气间隙BA发展发展沿湿表面沿湿表面AB和水流和水流BB发展发展1)湿闪只有干闪电压的40%50%，还受雨水电导率的影响。2)绝缘子的湿闪电压不会降低太多。3)湿闪电压将降低到很低的数值。4)在设计时对各级电压的绝缘子应有的伞裙数、伞在设计时对各级电压的绝缘子应有的伞裙数、伞的倾角、伞裙直径应仔细考虑、合理选择。的倾角、伞裙直径应仔细考虑、合理选择。绝缘子污染通常可分为积污、受潮、干区形成、局部电弧的出现和发展等四个阶段。采取措施抑制或阻止其中任何一个阶段的

28、完成就能防止污闪事故的发生。五、绝缘子污染状态下的沿面放电积污：积污：气候条件：气候条件：包括雨、露、霜、雪、风等环境作用：环境作用：和工业粉尘、废气、自然盐碱、灰尘、鸟粪等污秽外绝缘被污染的过程一般是渐进的。染污绝缘子表面上的污层在干燥状态下一般不导电。污层湿润：污层湿润：遇到雨、雾、露等不利天气时，污层被湿润，电导增大，在工作电压下的泄漏电流大增。干区形成：干区形成：电流所产生的焦耳热，既可能使污层电导增大，又可能使水分蒸发、污层变干而减小其电导。电场畸变：电场畸变：干区的电阻比其余湿区的电阻大的多。整个绝缘子上的电压都集中到干区上，一般干区宽度不大，所以电场强度很大。局部电弧：局部电弧：

29、如果电场强度已足已引起表面空气的电离，开始出现电晕放电或辉光放电，由于此时泄漏电流较大，电晕或辉光放电很容易转为绝缘子局部表面的有明亮通道的电弧击穿：击穿：随着干区的扩大，电弧被拉长。在雾、露天，污层湿润度不断增大，泄漏电流也随之增大，在一定电压下能维持的局部电弧长度也不断增大。自动延伸直至贯穿两极完成沿面闪落 污闪后果严重：污闪后果严重：由于一个区域内绝缘子积污受潮情况差不多，所以容易发生大面积污闪事故。自动重合闸成功率远低于雷击闪落时，造成事故的扩大和长时间停电。就经济损失而言，污闪在各类事故中居首位。污秽度除了与积污量有关还与污秽的化学成分有关。通常采用“等值附盐密度等值附盐密度”（简称

30、“等值盐密等值盐密”）来表征绝缘子表面的污秽度，它指的是每平方厘米表面所沉积的等效氯化钠（NaCl）毫克数。等值的方法：把表面沉积的污秽刮下，溶于300ml蒸馏水，测出其在20水温时的电导率；然后在另一杯20、300ml的蒸馏水中加入NaCl，直到其电导率等于混合盐溶液的电导率时，所加入的NaCl毫克数，即为等值盐量，再除以绝缘子的表面积，即可得出“等值盐密”(mg/cm2)（一）调整爬距（增大泄露距离）爬电比距 指外绝缘“相地”之间的爬电距离(cm)与系统最高工作（线）电压（kv,有效值）之比。一定要遵循规定的爬电比距来选择绝缘子串的总爬电距离和片数。污闪事故的对策 下表为各污秽等级所要求的

31、爬电比距值 3.10(3.41)3.10(3.57)2.91 3.45(3.20 3.80)2.78 3.30(3.20 3.80)2.50(2.75)2.50(2.88)2.27 2.91(2.50 3.20)2.17 2.78(2.50 3.20)2.00(2.20)2.00(2.30)1.82 2.27(2.00 2.50)1.74 2.17(2.00 2.50)1.60(1.76)1.60(1.84)1.45 1.82(1.60 2.00)1.39 1.74(1.60 2.00)_1.45(1.60)1.39(1.60)0330kv及以下220kv及以下330kv及以下220kv及以下 发电厂、变电所 线 路爬 电 比 距 (cm/kv)污秽等级 注注 括号内的数据为以系统额定电压为基准的爬电比距值。各污秽等级所要求的爬电比距值各污秽等级所要求的爬电比距值 （二）定期或不定期的清扫。（三）涂料 （四）半导体釉绝缘子 （五）新型合成绝缘子 1、重量轻（仅相当于瓷绝缘子的1/10左右）；2、抗弯、抗拉、耐冲击附和等机械性能都很好；3、电气绝缘性能好，特别是在严重污染和大气潮湿的情况下性能十分优异；4、耐电弧性能也很好。新型合成绝缘子的优点：