电容知识讲座.pdf

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1、现代电容器产业的技现代电容器产业的技现代电容器产业的技现代电容器产业的技术发展趋势术发展趋势术发展趋势术发展趋势电子科技大学电子科技大学电子科技大学电子科技大学微电子与固体电子学院微电子与固体电子学院微电子与固体电子学院微电子与固体电子学院杨邦朝杨邦朝杨邦朝杨邦朝2008.11.18 2008.11.18 北京北京北京北京内内 容容 提提 要要 现代电容器的作用与地位现代电容器的作用与地位 推动电容器产业技术发展的驱动力推动电容器产业技术发展的驱动力 现代电容器产业的技术发展方向现代电容器产业的技术发展方向 值得关注的产业发展领域值得关注的产业发展领域Er o n s u n 亿容讯科技1.1

2、.现代电容器的作用与地位现代电容器的作用与地位作用-旁路滤波隔离（作用-旁路滤波隔离（“通交流，隔直流通交流，隔直流”）耦合存储和释放电荷分压等）耦合存储和释放电荷分压等Er o n s u n 亿容讯科技地位：地位：组成所有电子整机的重要基础元件电子整机中用量最大（35%）的元件在电路应用的频率范围广：从直流-交流-高频-射频-微波-毫米波组成所有电子整机的重要基础元件电子整机中用量最大（35%）的元件在电路应用的频率范围广：从直流-交流-高频-射频-微波-毫米波领域应用的电压范围宽：从低压-中高压-高压-超高压领域应用的电压范围宽：从低压-中高压-高压-超高压领域电容量从 Pf-f-F级领

3、域电容量从 Pf-f-F级也是在整机中出现故障或问题最多的一类元件，即影响电子整机或系统的可靠性与寿命最显著的元件之一也是在整机中出现故障或问题最多的一类元件，即影响电子整机或系统的可靠性与寿命最显著的元件之一Er o n s u n 亿容讯科技2007年我国电子元器件市场需求达到1005亿美元，约占国内电子信息产品总市场的46.7%，占世界电子元器件市场的份额为24.2%，是世界第一大元器件市场。产品市场，涵盖安防、通信、家电、IT、汽车电子、电源、变频器、广电、彩电、VCD、音响、闪光灯、节能灯、通讯、电脑、变频空调等2007年我国电子元器件市场需求达到1005亿美元，约占国内电子信息产品

4、总市场的46.7%，占世界电子元器件市场的份额为24.2%，是世界第一大元器件市场。产品市场，涵盖安防、通信、家电、IT、汽车电子、电源、变频器、广电、彩电、VCD、音响、闪光灯、节能灯、通讯、电脑、变频空调等Er o n s u n 亿容讯科技予计，2008年我国电子元件行业的销售收入将达到8000亿元左右。在世界上我国电子元件的产量已占全球的30%以上，中国已成为名符其实电子元件产业大国，电子元件的产量已居世界前列；予计，2008年我国电子元件行业的销售收入将达到8000亿元左右。在世界上我国电子元件的产量已占全球的30%以上，中国已成为名符其实电子元件产业大国，电子元件的产量已居世界前列

5、；我国已成为全球电容器产品仅次于日本的生产大国。我国已成为全球电容器产品仅次于日本的生产大国。以用量最大的一类电子元件-多层陶瓷电容器（MLCC）为例，2000年我国MLCC产量960亿只，2007年增加到5025亿只，在全球市场的份额提高到约49%。以用量最大的一类电子元件-多层陶瓷电容器（MLCC）为例，2000年我国MLCC产量960亿只，2007年增加到5025亿只，在全球市场的份额提高到约49%。Er o n s u n 亿容讯科技例如，电阻器、电容器、微特电机、电声器件、石英晶体元器件和通信光电线缆等门类产品的产量都居世界第一位；其中，微特电机和电声器件的产量分别占世界的60%；石

6、英晶体元器件的产量占世界的50%。另外，从产品结构来看，0402的元件已成为片式元件的主流产品；例如，电阻器、电容器、微特电机、电声器件、石英晶体元器件和通信光电线缆等门类产品的产量都居世界第一位；其中，微特电机和电声器件的产量分别占世界的60%；石英晶体元器件的产量占世界的50%。另外，从产品结构来看，0402的元件已成为片式元件的主流产品；Er o n s u n 亿容讯科技电子信息产业的高速发展，电子制造业的格局也发生了变化。以电容器为代表的电子元件产业的规模越来越大，技术水平和质量水平越来越高。又由于集成电路高速发展，制造业的专业化和标准化；整机制造和组装相对容易了；相反，电容器等电子

7、元件的制造技术含量不断提高。这就给我们元件行业提出新课题，同时也为我们提供了新的发展空间。电子信息产业的高速发展，电子制造业的格局也发生了变化。以电容器为代表的电子元件产业的规模越来越大，技术水平和质量水平越来越高。又由于集成电路高速发展，制造业的专业化和标准化；整机制造和组装相对容易了；相反，电容器等电子元件的制造技术含量不断提高。这就给我们元件行业提出新课题，同时也为我们提供了新的发展空间。Er o n s u n 亿容讯科技各种电子电容器性能的比较各种电子电容器性能的比较各种电子电容器性能的比较各种电子电容器性能的比较Er o n s u n 亿容讯科技Er o n s u n 亿容讯科

8、技Er o n s u n 亿容讯科技2.2.推动电容器产业技术发展的驱动力推动电容器产业技术发展的驱动力作为电子信息产业的基础产品，电子元器件起着先导性、带动性及决定性的作用；（技术推动）同时整机及系统的发展也对电子元器件的发展起到了促进的作用（需求牵引）技术推动和需求牵引，二者相互促进，不断发展作为电子信息产业的基础产品，电子元器件起着先导性、带动性及决定性的作用；（技术推动）同时整机及系统的发展也对电子元器件的发展起到了促进的作用（需求牵引）技术推动和需求牵引，二者相互促进，不断发展Er o n s u n 亿容讯科技（1 1）电子整机技术迅速发展的需求牵引电子整机技术迅速发展的需求牵引

9、 电容器的尺寸进一步缩小，从产品结构看，0402的元件已成为片式元件的主流产品；正向0201、01005发展电容器的尺寸进一步缩小，从产品结构看，0402的元件已成为片式元件的主流产品；正向0201、01005发展电子整机迅速向短小轻薄发展电子整机迅速向短小轻薄发展微型化、高速度、大容量、智能化、个人化、集成化是个人电脑、汽车电子、医疗电子、消费类电子等电子整机产品发展的六大趋势电子元件的技术发展趋势，是由电子整机产品的发展要求来决定的由此决定了电子元件产品必须向片式化、微型化、高频化发展，以适应整机发展的需求微型化、高速度、大容量、智能化、个人化、集成化是个人电脑、汽车电子、医疗电子、消费类

10、电子等电子整机产品发展的六大趋势电子元件的技术发展趋势，是由电子整机产品的发展要求来决定的由此决定了电子元件产品必须向片式化、微型化、高频化发展，以适应整机发展的需求。Er o n s u n 亿容讯科技小小小小高高高高长长长长Er o n s u n 亿容讯科技 电子整机的工作频率由中波电子整机的工作频率由中波电子整机的工作频率由中波电子整机的工作频率由中波短波（短波（短波（短波（6060606070707070年代）年代）年代）年代）高频高频高频高频超高频（超高频（超高频（超高频（8080808090909090年代）年代）年代）年代）微微微微波波波波毫米波毫米波毫米波毫米波光波（光波（光

11、波（光波（21212121世纪）世纪）世纪）世纪）促使电容器从材料、电极形式、电容器的结构与尺寸、电极引出形式等等发生了很大的变化（与工作频率和互连工艺相适应）促使电容器从材料、电极形式、电容器的结构与尺寸、电极引出形式等等发生了很大的变化（与工作频率和互连工艺相适应）Er o n s u n 亿容讯科技 电源功率密度迅速提高，电源的工作电源功率密度迅速提高，电源的工作电源功率密度迅速提高，电源的工作电源功率密度迅速提高，电源的工作频率越来越高频率越来越高频率越来越高频率越来越高 对电解电容器的耐纹波特性提出更高的要求，要求耐纹波电流要大。对电解电容器的耐纹波特性提出更高的要求，要求耐纹波电流

12、要大。Er o n s u n 亿容讯科技（2 2）电容器材料与工艺技术的进步对电容器电容器材料与工艺技术的进步对电容器技术的巨大推动技术的巨大推动电容器新材料、新技术、新工艺的发展对电容器技术创新和新兴市场的占领起决定性作用电容器新材料、新技术、新工艺的发展对电容器技术创新和新兴市场的占领起决定性作用谁抢占制高点，谁就夺取新兴市场的主导权谁抢占制高点，谁就夺取新兴市场的主导权Er o n s u n 亿容讯科技 电容器的片式化、复合化和高性能化发展，对材料提出新的要求。新材料的研制成功，又带动新型电容器的发展。电容器的片式化、复合化和高性能化发展，对材料提出新的要求。新材料的研制成功，又带动

13、新型电容器的发展。不同产品互相替代竞争加剧不同产品互相替代竞争加剧：大容量市场10F以下MLCC已占优势100F以下MLCC正在取代片式电解电容器，因为前者有较低的ESR和ESL；功能高分子固体铝电解电容器在20V以下低压、大容量（几百F）也可取代钽电容器；片式有机薄膜电容器和片式云母电容器在要求电容量高精度、高稳定或高压场合可以取代X7R特性的MLCC：大容量市场10F以下MLCC已占优势100F以下MLCC正在取代片式电解电容器，因为前者有较低的ESR和ESL；功能高分子固体铝电解电容器在20V以下低压、大容量（几百F）也可取代钽电容器；片式有机薄膜电容器和片式云母电容器在要求电容量高精度

14、、高稳定或高压场合可以取代X7R特性的MLCC。Er o n s u n 亿容讯科技 在工频整流滤波的应用中，铝电解电容器应该是不可替代的，其原因是，工频整流滤波需要大电容量的滤波电容器，使陶瓷电容器很难应用在工频整流滤波的应用中，铝电解电容器应该是不可替代的，其原因是，工频整流滤波需要大电容量的滤波电容器，使陶瓷电容器很难应用 大容量陶瓷电容器非常适合在旁路、高频整流滤波中的应用大容量陶瓷电容器非常适合在旁路、高频整流滤波中的应用Er o n s u n 亿容讯科技 对于100kHz或100kHz以上的开关功率变换时的高频整流滤波时，电容器的容抗就已经很小了。对于100kHz或100kHz以

15、上的开关功率变换时的高频整流滤波时，电容器的容抗就已经很小了。如100F的电容量在100kHz时的容抗为15.9m，如100F的电容量在100kHz时的容抗为15.9m，而低ESR的100F铝电解电容器的最低的ESR约400m而低ESR的100F铝电解电容器的最低的ESR约400m 1000F的低ESR铝电解电容器的ESR为70 m1000F的低ESR铝电解电容器的ESR为70 m 100F的标准钽电解电容器的最低的ESR约250 m100F的标准钽电解电容器的最低的ESR约250 m 即使是超低ESR钽电解电容器的最低的ESR也约为0.06即使是超低ESR钽电解电容器的最低的ESR也约为0.

16、06 铝聚合物电解电容器的最低的ESR也至少在20m以上，都比15.9m高。这时，对于电解电容器来说，在这样高的频率下与其说是电容器不如说更像一个电阻。铝聚合物电解电容器的最低的ESR也至少在20m以上，都比15.9m高。这时，对于电解电容器来说，在这样高的频率下与其说是电容器不如说更像一个电阻。Er o n s u n 亿容讯科技 而一只10F的陶瓷电容器的ESR仅为3m，明显低于100F（159m）的容抗，这时电容器的作用还是起绝对主导作用。而对于100kHz的方波中的3次、5次7次而一只10F的陶瓷电容器的ESR仅为3m，明显低于100F（159m）的容抗，这时电容器的作用还是起绝对主导

17、作用。而对于100kHz的方波中的3次、5次7次等其容抗相应的降低到53 m、32 m、23 m，还是容性特性。等其容抗相应的降低到53 m、32 m、23 m，还是容性特性。如果将低ESR电解电容器与大电容量陶瓷电容器相并联可以获得在20kHz以上5MHz以下的频带内的低阻抗。如果将低ESR电解电容器与大电容量陶瓷电容器相并联可以获得在20kHz以上5MHz以下的频带内的低阻抗。Er o n s u n 亿容讯科技 陶瓷材料与电容器陶瓷材料与电容器：高介宽温瓷料、高频低tg材料、微波高Q低损材料、高压大容量叠层瓷介电容器、射频大功率：高介宽温瓷料、高频低tg材料、微波高Q低损材料、高压大容量

18、叠层瓷介电容器、射频大功率陶瓷陶瓷电容器、微波射频多层电容器、高压多层瓷介电容器、小体积大容量多层瓷介电容器、片式高压陶瓷电容器等电容器、微波射频多层电容器、高压多层瓷介电容器、小体积大容量多层瓷介电容器、片式高压陶瓷电容器等Er o n s u n 亿容讯科技 陶瓷电容器的发展趋势：小型化、微波、高频率、大容量、高电压、高可靠性、宽工作温度范围和高功率化、抗干扰和阵列化仍将是陶瓷电容器发展的方向，而片式化是陶瓷电容器的发展主流。陶瓷电容器的发展趋势：小型化、微波、高频率、大容量、高电压、高可靠性、宽工作温度范围和高功率化、抗干扰和阵列化仍将是陶瓷电容器发展的方向，而片式化是陶瓷电容器的发展主

19、流。Er o n s u n 亿容讯科技有机薄膜电容器有机薄膜电容器 如何进一步降低介质薄膜厚度（2）如何进一步降低介质薄膜厚度（2）开发耐高温（200度）介质薄膜开发耐高温（200度）介质薄膜 开发有机-无机复合介质薄膜材料开发有机-无机复合介质薄膜材料 高频低损薄膜电容器（；ESL10nH高频低损薄膜电容器（；ESL10nH）高储能有机薄膜电容器（比能0.5J/cm高储能有机薄膜电容器（比能0.5J/cm3 3）大容量高频无电容器感（600V150f,L大容量高频无电容器感（600V150f,L100nH）有机薄膜电容器的发展趋势：小型化、片式化、高比能和高可靠有机薄膜电容器的发展趋势：小

20、型化、片式化、高比能和高可靠Er o n s u n 亿容讯科技电解电容器电解电容器 小尺寸、大容量、长寿命、耐高温、低等效串联电阻（ESR）等仍是铝电解电容器的发展方向小尺寸、大容量、长寿命、耐高温、低等效串联电阻（ESR）等仍是铝电解电容器的发展方向进一步提高K值（阳极）、提高介质薄膜的r、提高阴极箔的比容（1000）进一步提高K值（阳极）、提高介质薄膜的r、提高阴极箔的比容（1000）阴极材料的进步：电解液阴极材料的进步：电解液MnO2-TCQNMnO2-TCQN导电高分子（由液态-固体）导电高分子（由液态-固体）阳极材料：由Al-Ta-Nb-Ti-合金箔阳极材料：由Al-Ta-Nb-T

21、i-合金箔超高压介质薄膜的制备技术（超高压介质薄膜的制备技术（630V,700V电解电容器）电解电容器）Er o n s u n 亿容讯科技小尺寸、片式化、大容量、长寿命、耐高温、小尺寸、片式化、大容量、长寿命、耐高温、小尺寸、片式化、大容量、长寿命、耐高温、小尺寸、片式化、大容量、长寿命、耐高温、低等效串联电阻（低等效串联电阻（低等效串联电阻（低等效串联电阻（ESRESRESRESR）、高耐纹波特性等仍）、高耐纹波特性等仍）、高耐纹波特性等仍）、高耐纹波特性等仍是铝电解电容器的发展方向是铝电解电容器的发展方向是铝电解电容器的发展方向是铝电解电容器的发展方向Er o n s u n 亿容讯科技

22、（3 3）微电子器件及其封装技术的推动微电子器件及其封装技术的推动微电子器件及其封装技术的推动微电子器件及其封装技术的推动 芯片的集成度越来越高芯片的集成度越来越高 芯片的尺寸越来越大芯片的尺寸越来越大 芯片的封装形式发生了根本的变化QFB芯片的封装形式发生了根本的变化QFBBGABGACSPCSPMCMMCMSIPSIPEr o n s u n 亿容讯科技ICIC封装的演变封装的演变IC发展趋势发展趋势增加芯片增加芯片/封装比例阵列封装节距封装比例阵列封装节距微型化微型化3D封装系统级封装封装系统级封装集成度硅片面积集成度硅片面积I/O数目数目Er o n s u n 亿容讯科技边缘引线底部

23、引线（阵列/非阵列）PGA针栅阵列BGA球栅阵列CGA柱栅阵列SOIC(SOP)双列引线QFP四周引线底部引线QFNCOB板上芯片TAB载带自动连接硅片（裸芯片）封装前缀主要封装材料 陶瓷 C 窄间距 T 塑料 P 微型 硅片直接安装在PCB上SOCSIPEr o n s u n 亿容讯科技边缘引脚边缘引脚边缘引脚边缘引脚形状形状L 针、球、柱针、球、柱J引脚数目引脚数目SOP 40 BGA 100-2500QFP 250pith 1.270.3 1.270.5面积（相同引线数）面积（相同引线数）1 0.25底部引线底部引线底部引线底部引线Er o n s u n 亿容讯科技（4 4 4 4）

24、PCBPCBPCBPCB技术发展的影响技术发展的影响技术发展的影响技术发展的影响 高密度、高层数、窄间距、越来越薄是未来PCB制造的发展趋势；电子封装与集成电路的制造也都表现出密度越来越高的特点；高密度、高层数、窄间距、越来越薄是未来PCB制造的发展趋势；电子封装与集成电路的制造也都表现出密度越来越高的特点；此外，更高分辨率和显像度，更高集成度，有人工智能的LCD显示屏，将成为技术突破的重点，被动元件将会有越来越大的发展空间；此外，更高分辨率和显像度，更高集成度，有人工智能的LCD显示屏，将成为技术突破的重点，被动元件将会有越来越大的发展空间；Er o n s u n 亿容讯科技 片式有机电容

25、器片式有机电容器：采用叠层和卷绕两种工艺。全球生产片式有机薄膜电容器的厂商主要有日本松下电器产业（占日本90%）、意大利Arco公司（日本Nissei电机子公司）、德国Epcos公司等。已研制成功1608型16V、0.1F和3216型25V、1F产品：采用叠层和卷绕两种工艺。全球生产片式有机薄膜电容器的厂商主要有日本松下电器产业（占日本90%）、意大利Arco公司（日本Nissei电机子公司）、德国Epcos公司等。已研制成功1608型16V、0.1F和3216型25V、1F产品3.电容器技术新的发展趋势电容器技术新的发展趋势(1)微小型化、片式化和集成化(1)微小型化、片式化和集成化Er o

26、 n s u n 亿容讯科技晶界层陶瓷电容器晶界层陶瓷电容器晶界层陶瓷电容器晶界层陶瓷电容器：以钛酸锶钡为主晶相，具：以钛酸锶钡为主晶相，具：以钛酸锶钡为主晶相，具：以钛酸锶钡为主晶相，具有有有有X7RX7RX7RX7R温度特性，介电常数比温度特性，介电常数比温度特性，介电常数比温度特性，介电常数比2 2 2 2类类类类X7RX7RX7RX7R陶瓷高一个陶瓷高一个陶瓷高一个陶瓷高一个数量级数量级数量级数量级，达达达达30000300003000030000以上，介质损耗比以上，介质损耗比以上，介质损耗比以上，介质损耗比2 2 2 2类类类类X7RX7RX7RX7R陶瓷陶瓷陶瓷陶瓷低一个数量级，

27、低一个数量级，低一个数量级，低一个数量级，tgtgtgtg3 3 3 3101010103 3 3 3，具有，具有，具有，具有随频随频随频随频率升高而下降的色散特性，特别适用于率升高而下降的色散特性，特别适用于率升高而下降的色散特性，特别适用于率升高而下降的色散特性，特别适用于RFI/EMIRFI/EMIRFI/EMIRFI/EMI滤波或作微波宽带（滤波或作微波宽带（滤波或作微波宽带（滤波或作微波宽带（15KHz15KHz15KHz15KHz40GHz40GHz40GHz40GHz）耦合电容）耦合电容）耦合电容）耦合电容器器器器Er o n s u n 亿容讯科技贵金属与贱金属的应用比例贵金属

28、与贱金属的应用比例Er o n s u n 亿容讯科技陶瓷电容器未来产品技术发展趋势陶瓷电容器未来产品技术发展趋势Er o n s u n 亿容讯科技片式云母电容器：片式云母电容器：片式云母电容器：片式云母电容器：主要厂商有日本主要厂商有日本主要厂商有日本主要厂商有日本SoshinSoshinSoshinSoshin公公公公司、美国司、美国司、美国司、美国ARCOARCOARCOARCO-ElectronicsElectronicsElectronicsElectronics和和和和CDECDECDECDE公司公司公司公司主要性能参数：外形尺寸有主要性能参数：外形尺寸有主要性能参数：外形尺寸有

29、主要性能参数：外形尺寸有2 2 2 21.251.251.251.25，3.23.23.23.22.52.52.52.5，4.54.54.54.53.23.23.23.2，5.75.75.75.75 5 5 5四种规格；四种规格；四种规格；四种规格；工作电压有工作电压有工作电压有工作电压有100V100V100V100V、500V500V500V500V、1000V1000V1000V1000V三种规格；三种规格；三种规格；三种规格；绝缘电阻绝缘电阻绝缘电阻绝缘电阻105M105M105M105M；使用频率可达；使用频率可达；使用频率可达；使用频率可达3GHz3GHz3GHz3GHz，等效串联

30、电阻小，高频下，等效串联电阻小，高频下，等效串联电阻小，高频下，等效串联电阻小，高频下Q Q Q Q值高，值高，值高，值高，如如如如1GHz1GHz1GHz1GHz：10pF ESR10pF ESR10pF ESR10pF ESR80m80m80m80m；100pF100pF100pF100pF ESRESRESRESR30m30m30m30m。Er o n s u n 亿容讯科技 片式铝电解电容器片式铝电解电容器：小型化、片式化、高压、大容量、宽温、高可靠、长寿命是铝电解电容器主要发展方向。片式铝电解电容器尺寸为1816.5(mm)，工作电压10V，容量可达400F，如100V，容量可达33

31、0F。最小尺寸35.4，工作工作电压6.3V，电容量可达22F。小型化、片式化、高压、大容量、宽温、高可靠、长寿命是铝电解电容器主要发展方向。片式铝电解电容器尺寸为1816.5(mm)，工作电压10V，容量可达400F，如100V，容量可达330F。最小尺寸35.4，工作工作电压6.3V，电容量可达22F。Vishay新型表面贴装铝电容器新型表面贴装铝电容器 100kHz 时可实现超低时可实现超低“Z”只有只有0.10 欧姆欧姆Er o n s u n 亿容讯科技 片式钽电容器片式钽电容器：在今后相当长一段时间内，片式化产品将继续引领钽电容向小型化、大容量、低阻抗、低等效串联电阻方向发展。主要

32、是提高钽粉比容。：在今后相当长一段时间内，片式化产品将继续引领钽电容向小型化、大容量、低阻抗、低等效串联电阻方向发展。主要是提高钽粉比容。国外已开发出S壳产品，体积是20.850.85，容量范围0.47F47F，工作电压2V16V。国内通过对1015万超高比容钽粉的应用研究，已开发出P壳产品，体积21.251.25，容量范围0.1F到10F，工作电压范围2V20V。国外已开发出S壳产品，体积是20.850.85，容量范围0.47F47F，工作电压2V16V。国内通过对1015万超高比容钽粉的应用研究，已开发出P壳产品，体积21.251.25，容量范围0.1F到10F，工作电压范围2V20V。0

33、.039毫米高毫米高P封装尺寸封装尺寸厚度仅为厚度仅为 2.5 毫米的封装毫米的封装Er o n s u n 亿容讯科技以MnO2作为电解质的传统钽电容器的工作频率一般在20kHz左右，通过特殊手段生产的固体钽电容器的工作频率也可以达到100kHz，但在更高的频率下工作时，需要用导电率更高的材料来替代MnO2，已经研究成功用高导电率有机聚合物作为电解质制造出ESR值为传统钽电容器十分之一的新型钽电容器以MnO2作为电解质的传统钽电容器的工作频率一般在20kHz左右，通过特殊手段生产的固体钽电容器的工作频率也可以达到100kHz，但在更高的频率下工作时，需要用导电率更高的材料来替代MnO2，已经

34、研究成功用高导电率有机聚合物作为电解质制造出ESR值为传统钽电容器十分之一的新型钽电容器Vishay新型无引线框钽电容器新型无引线框钽电容器Er o n s u n 亿容讯科技聚合物电解电容器聚合物电解电容器：在低频大容量应用领域，功能高分子材料在铝电解电容器、钽电解电容器和铌电解电容器中的应用特别引人注目。有机半导体铝电解电容器是三洋电机1982年开发成功的，具有ESR低，允许纹波电流大，高频特性和温度特性好，寿命长，耐反向电压能力强等特点。聚吡咯、聚塞酚等新型导电高分子材料也已用于固体铝电容器，并取得优良效果：在低频大容量应用领域，功能高分子材料在铝电解电容器、钽电解电容器和铌电解电容器中

35、的应用特别引人注目。有机半导体铝电解电容器是三洋电机1982年开发成功的，具有ESR低，允许纹波电流大，高频特性和温度特性好，寿命长，耐反向电压能力强等特点。聚吡咯、聚塞酚等新型导电高分子材料也已用于固体铝电容器，并取得优良效果Er o n s u n 亿容讯科技铌电解电容器铌电解电容器：俄罗斯和美国AVX公司都开发成功军用铌电解电容器。全球铌的矿产量是钽的100倍以上，Nb：俄罗斯和美国AVX公司都开发成功军用铌电解电容器。全球铌的矿产量是钽的100倍以上，Nb2 2O O5 5的介电常数为41，而Ta的介电常数为41，而Ta2 2O O5 5的介电常数为25，前者是后者的1.6倍，铌的比重

36、8.6g/cm3为钽(16.6g/cm3)的1/2，对小型化、轻量化有利，其频率特性和温度特性与钽电容器相同，2001年8月日本NEC-Tokin已开发成功有机高分子铌电解电容器，有可能替代部分钽电解电容器和铝电解电容器。的介电常数为25，前者是后者的1.6倍，铌的比重8.6g/cm3为钽(16.6g/cm3)的1/2，对小型化、轻量化有利，其频率特性和温度特性与钽电容器相同，2001年8月日本NEC-Tokin已开发成功有机高分子铌电解电容器，有可能替代部分钽电解电容器和铝电解电容器。Er o n s u n 亿容讯科技为了满足通信设备的高频化对电子元器件的强劲需求，高电流承载能力的高Q微波

37、陶瓷电容器得到了快速发展，广泛应用于包括移动通信、卫星、导弹系统、飞机雷达及导航系统等的微波相控阵雷达T/R组件、射频功率放大器、混频器、振荡器、低噪声放大器、滤波网络、记时电路、延时线、天线调谐、发射机等线路。为了满足通信设备的高频化对电子元器件的强劲需求，高电流承载能力的高Q微波陶瓷电容器得到了快速发展，广泛应用于包括移动通信、卫星、导弹系统、飞机雷达及导航系统等的微波相控阵雷达T/R组件、射频功率放大器、混频器、振荡器、低噪声放大器、滤波网络、记时电路、延时线、天线调谐、发射机等线路。(2)高频化(2)高频化Er o n s u n 亿容讯科技片式化微波电容片式化微波电容是先进多层陶瓷技

38、术和高品质微波介质材料相结合的产物，技术上主要是降低ESR和ESL。在MLCC领域，美国ATC、AVX和英国Morgan公司在RF/微波高功率和微波高Q，微波低ESL方面技术领先。是先进多层陶瓷技术和高品质微波介质材料相结合的产物，技术上主要是降低ESR和ESL。在MLCC领域，美国ATC、AVX和英国Morgan公司在RF/微波高功率和微波高Q，微波低ESL方面技术领先。Er o n s u n 亿容讯科技 电容器的高频化电容器的高频化，要求降低电容的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）。在MLCC领域，美国ATC、AVX和英国Morgan公司在RF/微波高功率和微波高Q、微波低等

39、效串联电感技术方面已居世界领先地位.日本Murata采用铜内电极已获得了极低等效串联电阻产品.，要求降低电容的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）。在MLCC领域，美国ATC、AVX和英国Morgan公司在RF/微波高功率和微波高Q、微波低等效串联电感技术方面已居世界领先地位.日本Murata采用铜内电极已获得了极低等效串联电阻产品.此外，高度关注高频用单层微型片状电容器、高频功率陶瓷电容器Er o n s u n 亿容讯科技 在低等效串联电感方面美国Johanson Technology公司100pF电容器的等效串联电感仅0.2nH；而日本TDK的3216型104pF电容器的等效串

40、联电感仅为0.28nH，等效串联电阻仅为14m，分别为传统3216型产品的44%和70%；而3216型2200pf的三端电容器其等效串联电感为0.03nH，等效串联电阻为32m，仅分别为常规产品的1/25和1/8。在低等效串联电感方面美国Johanson Technology公司100pF电容器的等效串联电感仅0.2nH；而日本TDK的3216型104pF电容器的等效串联电感仅为0.28nH，等效串联电阻仅为14m，分别为传统3216型产品的44%和70%；而3216型2200pf的三端电容器其等效串联电感为0.03nH，等效串联电阻为32m，仅分别为常规产品的1/25和1/8。Er o n

41、s u n 亿容讯科技由于MLCC等效串联电阻小，阻抗频率特性好，体积小、耗能小，化学物理性能稳定，是无极性电容器，在传输电路上可以用1/51/10容值的陶瓷电容代替电解电容，所以大容量MLCC可以取代部分钽电容。目前国际上MLCC容量可以作到100F以上，如果采用电容模块结构可达到 300F以上。由于MLCC等效串联电阻小，阻抗频率特性好，体积小、耗能小，化学物理性能稳定，是无极性电容器，在传输电路上可以用1/51/10容值的陶瓷电容代替电解电容，所以大容量MLCC可以取代部分钽电容。目前国际上MLCC容量可以作到100F以上，如果采用电容模块结构可达到 300F以上。（3）大容量化（3）大

42、容量化此外，低失真率和冲击噪声小、寿命长、高安全性和高可靠性、低成本的独石电容器陶瓷微调电容器和网络电容值得关注此外，低失真率和冲击噪声小、寿命长、高安全性和高可靠性、低成本的独石电容器陶瓷微调电容器和网络电容值得关注Er o n s u n 亿容讯科技：高压MLCC广泛应用于功率放大器，开关电源、发射机、天线调谐等电路。在航天、卫星、导弹、雷达、大功率发射机上的需求也越来越大。美国NOVACAP公司是高可靠高压MLCC的主要供应商，执行MIL-PRF-49467高压多层瓷介固定电容器通用规范，适用于一般军用、151513060尺寸、600V 10KV 额定电压的径向引出、环氧包封产品。：高压

43、MLCC广泛应用于功率放大器，开关电源、发射机、天线调谐等电路。在航天、卫星、导弹、雷达、大功率发射机上的需求也越来越大。美国NOVACAP公司是高可靠高压MLCC的主要供应商，执行MIL-PRF-49467高压多层瓷介固定电容器通用规范，适用于一般军用、151513060尺寸、600V 10KV 额定电压的径向引出、环氧包封产品。此外，中高压用陶瓷电容器、安全规格认证型/中高压用陶瓷电容器、安全规格认证型陶瓷电容器、高压用陶瓷电容器(1040kV)是重要方向此外，中高压用陶瓷电容器、安全规格认证型/中高压用陶瓷电容器、安全规格认证型陶瓷电容器、高压用陶瓷电容器(1040kV)是重要方向(4)

44、高压化(4)高压化Er o n s u n 亿容讯科技Er o n s u n 亿容讯科技：适应航空电子、汽车电子和地质勘探等发展需要，TDK、Vishay、Novacap、SYFER、AMC、Epcos等开发出:X8R （55150）X9R （-55200）NPO （55300）MLCC。：适应航空电子、汽车电子和地质勘探等发展需要，TDK、Vishay、Novacap、SYFER、AMC、Epcos等开发出:X8R （55150）X9R （-55200）NPO （55300）MLCC。（5）高温化（5）高温化Er o n s u n 亿容讯科技4.4.值得关注的产业发展领域值得关注的产业发

45、展领域 通讯与信息领域通讯与信息领域传统市场和发展市场传统市场和发展市场 光伏产业领域光伏产业领域新兴的巨大市场新兴的巨大市场 汽车动力和汽车电子领域汽车动力和汽车电子领域高速发展市场高速发展市场Er o n s u n 亿容讯科技(1)(1)通讯与信息领域通讯与信息领域通讯与信息领域通讯与信息领域传统市场和发展市场传统市场和发展市场传统市场和发展市场传统市场和发展市场 整机产品的功能逐步增多，必将促进电子元件产品不断改良，推陈出新。另外，一种元件的变化发展，也会带动另一种元件的改变、创新，每种元件之间都是有关联的,未来的电子元件行业的技术发展有着十分广阔的前景整机产品的功能逐步增多，必将促进

46、电子元件产品不断改良，推陈出新。另外，一种元件的变化发展，也会带动另一种元件的改变、创新，每种元件之间都是有关联的,未来的电子元件行业的技术发展有着十分广阔的前景手机技术与手机产业的高速发展，为电子元手机技术与手机产业的高速发展，为电子元手机技术与手机产业的高速发展，为电子元手机技术与手机产业的高速发展，为电子元件的技术发展和市场应用带来巨大的推动件的技术发展和市场应用带来巨大的推动件的技术发展和市场应用带来巨大的推动件的技术发展和市场应用带来巨大的推动Er o n s u n 亿容讯科技手机关键元器件技术发展趋势手机关键元器件技术发展趋势手机关键元器件技术发展趋势手机关键元器件技术发展趋势

47、全球的移动电话用户已经突破14亿人大关，我国手机用户已超过5亿部。目前仍在急速地持续增加随着3G时代的到来，手机成为时尚消费品，越来越向便携化、智能化方向发展，对手机中电子元器件的要求也与时俱进，其中高速化、大容量化、多功能化、小型化、低耗电电子元器件在其中发挥着关键作用全球的移动电话用户已经突破14亿人大关，我国手机用户已超过5亿部。目前仍在急速地持续增加随着3G时代的到来，手机成为时尚消费品，越来越向便携化、智能化方向发展，对手机中电子元器件的要求也与时俱进，其中高速化、大容量化、多功能化、小型化、低耗电电子元器件在其中发挥着关键作用Er o n s u n 亿容讯科技这给元器件制造商创造

48、机遇的同时又带来很多挑战这给元器件制造商创造机遇的同时又带来很多挑战这给元器件制造商创造机遇的同时又带来很多挑战这给元器件制造商创造机遇的同时又带来很多挑战 适应手机发展的电子元器件将有巨大的发展空间。必将推动电容器新技术的发展。调查显示，2008年上半年，中国市场手机生产量达到2.79亿部，与去年同期相比实现21.20%的增长。下半年手机产销仍将继续保持高速增长的态势适应手机发展的电子元器件将有巨大的发展空间。必将推动电容器新技术的发展。调查显示，2008年上半年，中国市场手机生产量达到2.79亿部，与去年同期相比实现21.20%的增长。下半年手机产销仍将继续保持高速增长的态势Er o n

49、s u n 亿容讯科技 面对这种快速成长产业形势，手机电容器厂商如何能够把握机遇，通过技术的不断创新，进一步提高国际竞争力，推动整个手机关键电容器元件产业的发展。面对这种快速成长产业形势，手机电容器厂商如何能够把握机遇，通过技术的不断创新，进一步提高国际竞争力，推动整个手机关键电容器元件产业的发展。Er o n s u n 亿容讯科技 村田公司的山本宗桢先生认为目前的趋势是产品的小型化。在电子机器、电子元器件的世界，可以说小型化是永远不变的趋势。村田公司的山本宗桢先生认为目前的趋势是产品的小型化。在电子机器、电子元器件的世界，可以说小型化是永远不变的趋势。元器件的小型化不仅有助于实现机器的紧凑

50、化，而且增加了电路设计上的自由度，并带来全新功能及附加价值。元器件的小型化不仅有助于实现机器的紧凑化，而且增加了电路设计上的自由度，并带来全新功能及附加价值。对于下一代产品，村田也会推出更小尺寸的PAD产品，双频功放也会推出，尺寸大概是8毫米。目前，PAD尺寸是7毫米，而采用LTCC技术后可以实现5毫米，20平方毫米可以实现同样的功能，粗略估计可以减少30%的占地空间。对于下一代产品，村田也会推出更小尺寸的PAD产品，双频功放也会推出，尺寸大概是8毫米。目前，PAD尺寸是7毫米，而采用LTCC技术后可以实现5毫米，20平方毫米可以实现同样的功能，粗略估计可以减少30%的占地空间。Er o n