低介电常数的介孔SiO2_PMMA杂化材料的研究.pdf
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1、第 卷 第 期 年 月材 料 科 学 与 工 艺 低介电常数的介孔 杂化材料的研究焦 剑,吴广力,刘 蓬,蔡 宇(西北工业大学 理学院,西安)摘 要:为降低 的介电常数,同时提高其力学性能和热性能,利用原位分散聚合法以二维六方孔结构()和蠕虫状孔结构()为填料制备了 杂化材料采用、和 等方法研究了杂化材料的微观形貌特征、介电常数、力学性能和热性能结果表明:含质量分数 有机化修饰的 或 的 杂化材料介电常数由 分别降至 和 ;且在较宽范围频率下杂化材料的介电常数稳定这主要是由于介孔孔道储存空气()、界面间隙及大的粒径带来的自由体积的引入降低了杂化材料的介电常数,同时也使杂化材料的力学性能和热性能
2、得到显著提高关键词:杂化材料;介孔二氧化硅;介电常数;微观结构;中图分类号:;文献标志码:文章编号:(),(,):,()(),(),:;收稿日期:基金项目:西北工业大学研究生创业种子基金资助项目()作者简介:焦 剑(),女,副教授,硕士生导师通信作者:焦 剑,:随着社会需要和科学进步,电子元器件向薄、轻、小的方向发展,小型化大规模的集成芯片是一种发展趋势,然而电路功率损耗倍增、反应时间增加、电路短路等问题也伴随而来,开发低介电常数的介电材料已成为一种必然趋势除具有低的介电常数外,介电材料还需具备优异热稳定性、防水性、耐化学腐蚀性、机械性能等聚甲基丙烯酸甲酯()常作为高性能树脂基体,质轻性韧且在
3、较宽的频率范围内介电常数稳定,被广泛地应用于微电子器件和大规模的集成电路中为满足微电子应用和绝缘性能的要求,的介电常数()有待进一步降低目前常采用在聚合物链段中引入氟取代基或易降解嵌段或接枝链段的方法降低其介电常数,但易影响其热稳定性和力学性能等近年来有文献报道将介孔 引入到聚合物中,利用介孔 具有的较大介孔孔道体积来储存低介电常数()的空气,大幅度降低复合材料的介电常数介孔 又具有纳米级孔径及孔壁厚度,与聚合物复合可最大限度地发挥其纳米效应,使材料具备优异的物理力学性能和热性能等本文利用原位分散聚合的方法,以二维六方孔结构()和蠕虫状孔结构()为填料,制备了一系列的低介电常数的 杂化材料,采
4、用、等方法对杂化材料的结构和性能进行了测试,并分析总结了杂化材料的微观结构对其性能的影响规律 实 验 主要原料正硅酸乙酯(),化学试剂有限公司;(),化学品公司;,()(),公司;浓盐酸,武汉中天化工有限公司;(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(),南京康普顿曙光有机硅化工有限公司;甲基丙烯酸甲酯(),天津市福晨化学试剂厂;偶氮二异丁腈(),上海山浦化工有限公司;无水乙醇,天津市红岩化学试剂厂;甲苯,天津市红岩化学试剂厂 主要设备与仪器比表面积及孔隙度分析仪,型,美国 公司;射线衍射仪 型,日本 公司;傅里叶红外光谱仪,型,美国 公司;透射电镜,型,日本 公 司;扫 描 电 镜,型,日 本 公司
5、;冲击试验机,型,意大利 公司;微机控制电子万能试验机,型,深圳市新三思材料检测有限公司;差动扫描量热分析仪,型,美国 公司;高频 表,型,上海爱仪电子设备有限公司 试样制备介孔 的制备及有机化修饰:参照文献和方法分别以 和 为模板剂,为硅源,制备 和 前驱体,分别在 和 下焙烧 得到 和将制备的介孔(,)加入到()的甲苯()中,超声分散 后,在 下回流反应 ,过滤后用乙醇洗涤,下真空干燥,得到 和杂化材料的制备:将不同质量分数的介孔(质量分数、)加入到含有 的 单体中,超声分散后,在 下预聚 ,浇注到模具中,聚合反应工艺为 测试与结构表征 测试:采用 靶 辐射电压 ,扫描范围,扫描速度(),
6、和 的晶胞参数()分别为 和(为 晶面间距)孔容()、孔径()、比表面积()、孔壁厚度()测试:由比表面积及孔隙度分析仪在 下测试样品的吸附脱附等温线得到,其中 分析:将样品和 以约 的质量比混合研磨均匀,压制成小圆片,扫描范围为 分析:加速电压 ,将介孔 粉末或杂化材料试样拉伸断裂面喷金后,观察断裂面形貌 分析:采用瑞典型超薄切片机将杂化材料切成 厚的薄片后置于铜网上,然后在加速电压为 的透射电镜上观察介孔 分布及微观结构介电性能测试:测试温度 ,测试频率分别为、,试样厚度为 力学性能测试:分别根据 和 标准进行拉伸和冲击性能测试分析:气氛,升温速率 ,测试范围 介孔 孔结构图 为 和 的
7、谱图,在有机化修饰前后均具有()、()、()三个强衍射峰,且峰的位置不变,表明其具有长程有序的二维六方孔结构012342/()SBA-15hk1d/nm1009.291105.352004.64I图 介孔 的 谱图 蠕虫状结构的 仅有()一个衍射峰,说明其孔结构缺乏长程有序性有机化修饰对介孔 的介孔有序结构无影响采用 第 期焦 剑,等:低介电常数的介孔 杂化材料的研究吸附脱附的方法测定了介孔 的孔结构(见表)修饰后的介孔 的孔径、孔容和比表面积均减小,孔壁厚度增加,说明 进入到了孔道内,对孔道内壁进行了有机化修饰图 为介孔 修饰前后的 谱图,修饰前 的 介 孔 在 和 处 有伸缩和弯曲振动吸收
8、峰,说明介孔 无机骨架结构保留完好且热稳定性较好表 介孔 孔结构试样 ()()4321MSU-J-GMSU-JMSU-15-GMSU-152 9512 8503 4401 7321 6351 0839684662 9512 8501 7321 6351 635波数/103cm-1I图 介孔 有机化修饰前后的 谱、为孔道表面 伸缩和弯曲振动吸收峰而 为孔道表面吸附水的变角振动吸收修饰后的介孔 在 和 处出现及的非对称和对称伸缩振动峰,同时在 、处出现及(与孔道表面吸附水的变角振动吸收重叠)的伸缩振动峰,说明 成功地接到了 孔道表面上,在 、和 处的吸收峰强度均变弱,表明有亲水性转变为亲油性 介孔
9、 杂化材料的微观结构利用硅烷偶联剂 具有的特殊分子链结构对介孔 进行修饰 的烷氧基团水解后可与介孔 孔壁表面含有的大量羟基进行化学结合,且其反应官能团与 基体之间形成化学键,从而增强介孔 与 之间的界面结合,界面处的化学结构如下式:OHOHOHOHOHOHOHOHH3COOCH3SiOCH3OOOHOOSiOHOSiSiSiOO SiOOOOOHOOOHO SiOOOOOOOOOnnOOOOOOSi(MMA)(MAPTS)O介孔 SiO2孔壁 由图()和()的 图可见:和 呈现出不同的外观形貌,为“敖崭选北状,单个“秸秆”长度 ,易盘在一起呈“辫状”,长度;为近似椭球形结构,直径 由图()()
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- 关 键 词:
- 介电常数 SiO2_PMMA 材料 研究
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