BFG505WXR晶体管产品规格书.pdf

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1、 BFG505W;W/X;W/XR 高频低噪声晶体管高频低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 BFG505W;BFG505W/X;BFG505W/XR NPN TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 1.1.简述：简述：本芯片采用硅外延工艺制造，具有小信号高增益、宽带、低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；主要应用于高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声初级放大器中，如电视调谐器、卫星电视接收器、模拟数字无绳电话、雷达感应探测器、射频模

2、块和光纤传输中的中继放大器等产品中；集电极-发射极击穿电压：BVCEO=15V，最大集电极电流：IC=18mA,集电极耗散功率：PC=500mW，特征频率：fT=9GHz；采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT343N 和 SOT343R表面贴塑封封装。2.2.封装形式和引脚定义：封装形式和引脚定义：型号型号(Model)BFG505W BFG505W/X BFG505W/XR 封装形式(Package)SOT343N SOT343N SOT343R 本体激光标示(Marking)N0 N1 P0 引脚(Pin)1 collector collector collector 引

3、脚(Pin)2 base emitter emitter 引脚(Pin)3 emitter base base 引脚(Pin)4 emitter emitter emitter 3.极限参数（Tamb=25）：极限参数（Tamb=25）：参数名称 符号 额定值 单位 参数名称 符号 额定值 单位 集电极-基极击穿电压 BVCBO 20 V 集电极-发射极击穿电压 BVCEO 15 V 发射极-基极击穿电压 BVEBO 2.5 V 集电极电流 IC 18 mA 耗散功率 PT 500 mW 最高结温 TJ 150 储存温度 Tstg-65+150 4 4312312SOT343R 4 43123

4、12SOT343NTop view BFG505W;W/X;W/XR 高频低噪声晶体管高频低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 4.电参数及规格（Tamb=25）：电参数及规格（Tamb=25）：参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集电极截止电流 ICBO VCB=6V,IE=0-0.05 A 直流电流放大系数 hFE VCE=6V,IC=5mA 60 120 250 特征频率 fT VCE=6V,IC=5mA,f=1GHz-9-GHz 反馈电容 Cre IC=iC=0,VEB=6V,f=1MHz-0.2-p

5、F 集电极电容 CC IE=ie=0,VCB=6V,f=1MHz-0.3-pF 发射极电容 Ce IC=iC=0,VCB=0.5V,f=1MHz-0.4-pF 插入功率增益 S212 IC=5mA,VCE=6V,f=900MHz 15 16-dB VCE=6V,IC=1.25mA,f=900MHz-1.2 1.7 dB VCE=6V,IC=5mA,f=900MHz-1.6 2.1 dB 噪声系数 NF VCE=6V,IC=1.25mA,f=2GHz-1.9-dB IC=5mA,VCE=6V,f=900MHz-19-dB 最大单边功率增益 GUM IC=5mA,VCE=6V,f=2GHz-12-

6、dB 输出功率在 1dB 的增益压缩 PL1 IC=5mA,VCE=6V,RL=50,f=900MHz-4-dBm 其中：dBSSSGUM22221122111log10 5.典型特征曲线5.典型特征曲线：TOTAL POWER DISSIPATION TOTAL POWER DISSIPATION VSVS.AMBIENT TEMPERATTURE.AMBIENT TEMPERATTURE800600200050100200150800600200050100200150 TS()Ptot(mW)REVERSE TRANSFER CAPACITANCE REVERSE TRANSFER CA

7、PACITANCE VSVS.COLLECTOR TO BASE VOLTAGE.COLLECTOR TO BASE VOLTAGE.0.202468.0.202468 VCB(V)Cre(pF)Cre(pF)0 0I IC C=0；f=1MHz=0；f=1MHz0 0TYPICAL CHARACTERISTICS(TYPICAL CHARACTERISTICS(TA=25,unless otherwise specified)nless otherwise specified)400400Free airFree air0.40.60.40.6 BFG505W;W/X;W/XR 高频低噪声晶

8、体管高频低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 40301010403010102 210104 40 0I IC C=1.25mAV=1.25mAVCECE=6 V=6 V10201020 f(MHz)gain(GHz)gain(GHz)10103 3GAIN GAIN VSVS.FUNCTION of FREQUENCY.FUNCTION of FREQUENCYG GUMUMMSGGAIN GAIN VSVS.FUNCTION of COLLECTOR CURRENT.FUNCTION of COLLECTOR CURRENT202515105048122025151050481

9、2 gain(GHz)gain(GHz)V VCECE=6 V f=900MHz=6 V f=900MHzG GUMUM IC(mA)GAIN GAIN VSVS.FUNCTION of COLLECTOR CURRENT.FUNCTION of COLLECTOR CURRENT20105048122010504812 gain(GHz)gain(GHz)V VCECE=6 V f=2GHz=6 V f=2GHzG GMAXMAXG GUMUM IC(mA)MSG150MSG150MSG10MSG10DC CURRENT DC CURRENT VSVS.COLLECTOR CURRENT.C

10、OLLECTOR CURRENT2001501020015010-2-21010-1-11 1h hFEFE10100 0V VCECE=6 V250=6 V250501005010010102 2 IC(mA)FREQUENCY FREQUENCY VSVS.COLLECTOR CURRENT.COLLECTOR CURRENT86101008610100 IC(mA)f fT T(GHz)(GHz)0 02 24 4101010101 1V VCECE=3V f=1GHz=3V f=1GHzV VCECE=6V f=1GHz=6V f=1GHz10621062403010104030101

11、02 210104 40 0I IC C=5 mAV=5 mAVCECE=6 V=6 V10201020 f(MHz)gain(GHz)gain(GHz)10103 3GAIN GAIN VSVS.FUNCTION of FREQUENCY.FUNCTION of FREQUENCYG GUMUMMSGG GMAXMAX BFG505W;W/X;W/XR 高频低噪声晶体管高频低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 5.5.封装尺寸示意图：封装尺寸示意图：6.6.包装信息：包装信息：PACKAGE INFORMATION 封装形式 Package 数量/盘 Shipping 盘/中盒 I

12、nner Box中盒/箱 Carton SOT343N 3000pcs/Tape&Reel15Tape&Reel 4 Inner Box SOT343R 3000pcs/Tape&Reel15Tape&Reel 4 Inner Box SOT-343N PACKAGE DIMENSIONS (Units:mm)124124PIN CONNECTIONS 1.Collector 2&4.Emitter 3.Base Or 1.Collector 2.Base 3&4.Emitter 3 30.350.050.60.11.15 TYP.1.3 TYP.0.950.10.950.11.250.12.10.10.30.150.10.15 SOT-343R PACKAGE DIMENSIONS (Units:mm)124124PIN CONNECTIONS 1&3.Emitter 2.Base 4.Collector3 30.350.050.60.11.15 TYP.1.3 TYP.0.950.10.950.11.250.12.10.10.30.150.10.15