SVF12N65原厂授权代理规格书.pdf

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1、 SVF12N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.17 共9页 第1页 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF12N65T TO-220-3L SVF12N65T 无铅 料管 SVF12N65F TO-220F-3L SVF12N65F 无铅 料管 SVF12N65FG TO-220F-3L SVF12N65FG 无卤 料管 SVF12N65K TO-262-3L SVF12N65K 无铅 料管 SVF12N65S TO-263-2L SVF12N65S 无铅 料管 SVF12N65STR TO-263-2L SVF12N

2、65S 无铅 编带 12A、650V N沟道增强型场效应管 描述 SVF12N65T/F/FG/K/S N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。特点 12A，650V，RDS(on)（典型值）=0.64VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 士兰微电子 SVF12N65T/F/FG/K/

3、S说明书 版本号：1.7 2012.09.17 共9页 第2页 极限参数(除非特殊说明，TC=25C)参 数 名 称 符号 参数范围 单位 SVF12N 65T SVF12N 65F(G)SVF12N 65K SVF12N 65S 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25C ID 12 A TC=100C 9 漏极脉冲电流 IDM 48 A 耗散功率（TC=25C）-大于 25C 每摄氏度减少 PD 225 51 209 212 W 1.8 0.41 1.67 1.7 W/C 单脉冲雪崩能量（注 1）EAS 786 mJ 工作结温范围 TJ-55+150

4、C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性 参 数 名 称 符 号 参数范围 单 位 SVF12N 65T SVF12N 65F(G)SVF12N 65K SVF12N 65S 芯片对管壳热阻 RJC 0.56 2.44 0.6 0.59 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.5 120 62.5 62.5 C/W 电性参数(除非特殊说明，TC=25C)参 数 名 称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V，ID=250A 650-V 漏源漏电流 IDSS VDS=650V，VGS=0V-1.0 A 栅源漏电流 IGSS VGS=30

5、V，VDS=0V-100 nA 栅极开启电压 VGS(th)VGS=VDS，ID=250A 2.0-4.0 V 导通电阻 RDS(on)VGS=10V，ID=6.0A-0.64 0.8 输入电容 Ciss VDS=25V，VGS=0V，f=1.0MHz-1476-pF 输出电容 Coss-152-反向传输电容 Crss-4.5-开启延迟时间 td(on)VDD=325V，ID=12A，RG=25 (注 2，3)-37.67-ns 开启上升时间 tr-61.67-关断延迟时间 td(off)-80.33-关断下降时间 tf-46.67-栅极电荷量 Qg VDS=520V，ID=12A，VGS=1

6、0V (注 2，3)-24.15-nC 栅极-源极电荷量 Qgs-7.86-栅极-漏极电荷量 Qgd-7.47-士兰微电子 SVF12N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.17 共9页 第3页 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结-12 A 源极脉冲电流 ISM-48 源-漏二极管压降 VSD IS=12A，VGS=0V-1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=12A，VGS=0V，dIF/dt=100A/S（注 2）-590.61-ns 反向恢复电荷 Qrr

7、-5.62-C 注：注：1.L=30mH，IAS=6.66A，VDD=140V，RG=25，开始温度 TJ=25C；2.脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比2%；3.基本上不受工作温度的影响。典型特性曲线 图1.输出特性图2.传输特性漏极电流 ID(A)0.111000.1110100漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)024681013579栅源电压 VGS(V)0.660.680.700.720.740.760.7802101214VGS=10VVGS=20V注：TJ=25C漏源导通电阻 RDS(ON)()漏极电流 ID(A)图3.导通电阻vs.漏极电流00.20.40.61.21.0

8、反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4.体二极管正向压降vs.源极电流、温度0.8064VGS=4.5VVGS=5VVGS=5.5VVGS=6V变量注：1.250S 脉冲测试2.TC=25CVGS=7VVGS=8VVGS=10VVGS=15V注：1.250S脉冲测试2.VDS=50V-55C25C150C100.11100108-55C25C150C0.11100100.8注：1.250S脉冲测试2.VGS=0V 士兰微电子 SVF12N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.17 共9页 第4页 典型特性曲线（续）0.80.91.11.0-100-500

9、50100200漏源击穿电压（标准化）BVDSS(V)结温 TJ(C)图7.击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化）RDS(ON)()图8.导通电阻vs.温度特性结温 TJ(C)1.2150注：1.VGS=0V2.ID=250A0.00.52.01.5-100-500501002003.01501.02.5DC10ms1ms100s10-210-1100101100101102103102漏极电流-ID(A)此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25C2.Tj=150C3.单个脉冲图9-1.最大安全工作区域(SVF12N65T)DC10ms1ms100s10-210-11001011

10、00101102103102漏极电流-ID(A)此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25C2.Tj=150C3.单个脉冲图9-2.最大安全工作区域(SVF12N65F(G)漏源电压-VDS(V)注：1.VGS=10V2.ID=6.0A图5.电容特性图6.电荷量特性电容(pF)0.1110100漏源电压 VDS(V)栅源电压 VGS(V)0051025总栅极电荷 Qg(nC)VDS=520VVDS=320VVDS=130V0500100020003000CissCossCrss注：1.VGS=0V2.f=1MHz246810122015002500Ciss=Cgs+Cgd(Cds=sho

11、rted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd15注：ID=12A 士兰微电子 SVF12N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.17 共9页 第5页 典型特性曲线（续）255075100125150036912图10.最大漏极电流vs.壳温漏极电流-ID(A)壳温 TC(C)DC10ms1ms100s10-210-1100101100101102103102漏极电流-ID(A)此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25C2.Tj=150C3.单个脉冲图9-3.最大安全工作区域(SVF12N65K)漏源电压-VDS(V)DC10ms1ms100s10-210

12、-1100101100101102103102漏极电流-ID(A)此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25C2.Tj=150C3.单个脉冲图9-4.最大安全工作区域(SVF12N65S)漏源电压-VDS(V)士兰微电子 SVF12N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.17 共9页 第6页 典型测试电路 12V50K300nF与待测器件参数一致待测器件VGS3mAVDSVGS10V电荷量QgQgsQgd栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDD10VVDSVGS10%90%td(on)tontrtd(off)tofftfEAS

13、测试电路及波形图VDSRGVDD10VLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS=1-2LIAS2BVDSSBVDSSVDD待测器件待测器件200nF 士兰微电子 SVF12N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.17 共9页 第7页 封装外形图 TO-220-3L 单位:mm 6.107.004.50.210.00.31.20.213.10.52.54TYP0.800.200.50.215.116.13.95MAX3.70.21.802.801.300.30 TO-220F-3L 单位:mm 3.300.252.800.304.720.

14、3010.030.302.550.2515.750.509.800.502.54 TYPE1.47MAX0.800.150.500.1515.800.506.700.303.200.20 士兰微电子 SVF12N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.17 共9页 第8页 封装外形图（续）TO-262-3L 单位:mm 0.810.055.083.780.208.650.102.690.104.700.081.270.030.420.051.270.0510.200.082.541.260.068.840.058.760.050.380.02 TO-263-2L 单位：

15、mm 4.570.101.270.101.270.1000.158.700.205.280.2015.250.252.54TYP10.150.300.810.101.50.204.985.180.300.552.540.20 士兰微电子 SVF12N65T/F/FG/K/S说明书 封装外形图（续）TO-262-3L 单位:mm 0.810.055.083.780.208.650.102.690.104.700.081.270.030.420.051.270.0510.200.082.541.260.068.840.058.760.050.380.02 TO-263-2L 单位：mm 10.150.30