SVF5N60原厂授权代理规格书.pdf

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1、 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 5A、600V N沟道增强型场效应管 描述 2311.栅极 2.漏极 3.源极SVF5N60T/F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。112233TO-252-2LTO-251J-3L特点 5A，600V，RDS(on)=1.88VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度

2、快 TO-220F-3LTO-220-3L 提升了 dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF5N60T TO-220-3L SVF5N60T 无铅 料管 SVF5N60F TO-220F-3L SVF5N60F 无铅 料管 SVF5N60D TO-252-2L SVF5N60D 无铅 料管 SVF5N60DTR TO-252-2L SVF5N60D 无铅 编带 SVF5N60MJ TO-251J-3L SVF5N60MJ 无铅 料管 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第1页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 版本号

3、：1.2 2011.09.13 共10页 第2页 极限参数(除非特殊说明，TC=25C)参数范围 参 数 名 称 符号 SVF5N60T/D/MJ SVF5N60F 单位 漏源电压 VDS600 V 栅源电压 VGS30 V TC=25C 5 漏极电流 TC=100C ID3.1 A 漏极浪涌电流 IDM20 A 120 40 W 耗散功率（TC=25C）-大于 25C 每摄氏度减少 PD0.96 0.32 W/C单脉冲雪崩能量（注 1）EAS242 mJ 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性 参数范围 参 数 名 称 符号 SVF5N60T

4、 SVF5N60D SVF5N60MJ SVF5N60F 单位 芯片对管壳热阻 RJC1.04 1.04 1.00 3.13 C/W芯片对环境的热阻 RJA62.5 110 110 120 C/W关键特性参数(除非特殊说明，TC=25C)参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BBVDSSVGS=0V，ID=250A 600-V 漏源漏电流 IDSSVDS=600V，VGS=0V-10 A 栅源漏电流 IGSSVGS=30V，VDS=0V-100 nA 栅极开启电压 VGS(th)VGS=VDS，ID=250A 2.0-4.0 V 导通电阻 RDS(

5、on)VGS=10V，ID=2.5A-1.88 2.15 输入电容 Ciss-479.8-输出电容 Coss-62.7-反向传输电容 CrssVDS=25V，VGS=0V，f=1.0MHZ-2.1-pF 开启延迟时间 td(on)-14.93-开启上升时间 tr-28.40-关断延迟时间 td(off)-28.27-关断下降时间 tfVDD=300V，ID=5.0A，RG=25 (注 2，3)-21.73-ns 栅极电荷量 Qg-9.27-栅极-源极电荷量 Qgs-2.79-栅极-漏极电荷量 QgdVDS=480V，ID=5.0A，VGS=10V (注 2，3)-3.37-nC SVF5N60

6、T/F/D/MJ 说明书 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第3页 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符 号 测试条件 最小值典型值 最大值 单位 源极电流 IS-5 源极脉冲电流 ISMMOS 管中源极、漏极构成的反偏P-N 结-20 A 源-漏二极管压降 VSDIS=5.0A，VGS=0V-1.4 V 反向恢复时间 Trr-190-ns 反向恢复电荷 QrrIS=5.0A，VGS=0V，dIF/dt=100A/s-0.53-C 注：注：1.L=30mH，IAS=3.78A，VDD=70V，RG=25，开始温度 TJ=25C；2.脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比2%；3.

7、基本上不受工作温度的影响。SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 典型特性曲线 图2.传输特性漏极电流 ID(A)漏极电流 ID(A)024681013579栅源电压 VGS(V)1.62.02.22.63.002810漏源导通电阻 RDS(ON)()漏极电流 ID(A)图3.导通电阻vs.漏极电流 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第4页 00.20.40.61.21.0反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4.体二极管正向压降vs.源极电流、温度3.24注：1.250S脉冲测试2.VDS=50V-55C25C150C0.1110010图1.输出特性0.11100.

8、1110100漏源电压 VDS(V)VGS=4.5VVGS=5VVGS=5.5VVGS=6V变量注：1.250S 脉冲测试2.TC=25CVGS=7VVGS=8VVGS=10VVGS=15V-55C25C150C0.111001060.8注：1.250S脉冲测试2.VGS=0VVGS=10VVGS=20V1.82.42.8注：TJ=25C图5.电容特性图6.电荷量特性电容(pF)0.1110100漏源电压 VDS(V)栅源电压 VGS(V)002410总栅极电荷 Qg(nC)VDS=480VVDS=300VVDS=120V02006002468101281200Ciss=Cgs+Cgd(Cds

9、=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd6CissCossCrss4008001000注：1.VGS=0V2.f=1MHz注：ID=5A SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 典型特性曲线（续）版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第5页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 典型测试电路 VGS10V电荷量12V50K300nF与待测器件参数一致待测器件VGS 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第6页 3mAVDSQgQgsQgd栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDD10VVDSVGS10%90%td(on)

10、tontrtd(off)tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDD10VLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS=1-2LIAS2BVDSSBVDSSVDD待测器件待测器件200nF SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 封装外形图 TO-220F-3L(1)单位:mm 单位:mm TO-220F-3L(2)版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第7页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 封装外形图（续）TO-252-2L 单位：mm 该位置分有顶针孔和无顶针孔两种情况。6.600.3 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第8

11、页 10.100.502.30 TYP2.300.200.00.1276.10.30.800.200.760.101.41.70.450.65Eject pin（note1）2.90REF5.105.460.450.65 单位:mm TO-220-3L SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 封装外形图（续）TO-251J-3L 单位：mm 声明：声明：士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生

12、故障的可能，买方有责任在使用任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第9页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第10页 附：修改记录：日 期 版本号 描 述 页 码 2011.02.11 1.0 原版 2011.07.04 1.1 增加TO-251J-3L封装 2011.09.13 1.2 更新TO-220-3L尺寸图 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 封装外形图（续）TO-251J-3L 单位：mm